CN103737480B

CN103737480B - 用于修整双面磨削设备的工作层的方法和设备

Info

Publication number: CN103737480B
Application number: CN201410030842.1A
Authority: CN
Inventors: G·皮奇; M·克斯坦
Original assignee: Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 2010-07-28
Filing date: 2011-07-22
Publication date: 2017-05-17
Anticipated expiration: 2031-07-22
Also published as: DE102010032501B4; DE102010032501A1; MY155449A; US8986070B2; US9011209B2; KR101256310B1; JP2012030353A; KR20120023531A; TW201206632A; US20120028546A1; CN102343551B; CN102343551A; US20140170942A1; JP5406890B2; US8911281B2; CN103737480A; US20140170939A1; SG177878A1; TWI455793B

Abstract

本发明涉及借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法和修整设备，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除。多个用于该方法的措施被执行。

Description

用于修整双面磨削设备的工作层的方法和设备

本发明专利申请是2011年7月22日提交的名称为“用于修整双面磨削设备的工作层的方法和设备”的中国发明专利申请No.201110214116.1的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于修整这样两个工作层的方法和设备，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且被施加在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上和下工作盘的相向侧上。

背景技术

对于电子器件、微电子器件以及微机械电子装置，对全域或局部平坦度、单面局部平坦度（纳米形貌）、粗糙度和清洁度具有非常严格的要求的半导体晶片用作原始材料。半导体晶片是由半导体材料例如基本半导体（硅、锗）、化合物半导体（例如其由元素周期表第三主族的元素如铝、镓或铟与元素周期表第五主族的元素如氮、磷或砷组成）或它们的混合物组成（例如Si_1-XGe_X，0<x<1）。

根据现有技术，半导体晶片借助于多个依次的加工步骤制造，所述步骤大体上归为以下组：

(a)制造大体单晶体半导体晶锭；

(b)将晶锭切片成单个晶片；

(c)机械加工；

(d)化学加工；

(e)化学机械加工；

(f)如果需要的话，附加制造层结构。

在机械加工步骤组中，被称为“行星垫磨削”（PPG）的方法已知为特别有利的方法。该方法例如在专利公开文献DE102007013058A1中描述，并且适于该方法的设备例如在DE19937784A1中描绘。PPG是用于多个半导体晶片的同时双面磨削的方法，其中每个半导体晶片平躺以使得其在借助于滚动设备使之旋转的多个载体（引导笼、“插入载体”）中的一个中的切口内能够自由移动，并且所述每个半导体晶片因而在摆线轨迹上移动。半导体晶片在两个旋转工作盘之间以去除材料的方式被加工。每个工作盘包括含有粘结磨料的工作层。

工作层以结构化磨料垫的形式出现，其中所述结构化磨料垫以粘合的方式、磁性的方式、以形状锁定（例如钩环紧固件）的方式或者借助于真空而固定在工作层上。合适的工作层例如在专利公开文献US5958794中描述，该工作层的形式为设置成在后侧自粘合的易于更换的磨料垫。在磨料垫中使用的磨料优选是金刚石。

类似的方法是所谓的“平珩磨”或“精细磨削”。在这种情况中，针对PPG以如上结构布置的多个半导体晶片在两个大旋转工作盘之间的特征摆线路径上被引导。磨粒固定地粘结到工作盘中，以使得借助于磨削来实现材料去除。在平珩磨的情况中，磨粒能够直接粘结到工作盘的表面中或者其形式为借助于多个单独的磨料体、所谓的“粒料”在工作盘上的面覆盖，其中所述磨料体、所谓的“粒料”安装到工作盘上（P.Beyer et al.,IndustrieDiamanten Rundschau IDR39(2005)III,page202）。

在所述的磨削方法的情况中，随着时间改变，工作层的形状由于不断的磨损而改变，残余的磨粒从粘结基体脱离并且新的磨粒暴露。已知的是，磨损横贯工作盘沿径向非均匀地进行。随着时间改变，工作层在这种情况中形成一槽形径向成型部，从而所加工的半导体晶片的最终形状在磨损的整个过程中增加程度地变差。

此外，取决于磨削工具的和所加工的工件的材料，磨削工具的切割能力随着时间下降。另外，新的磨削工具在第一次使用之前通常必须被整形（dress），这是借助于粘结基体被浅薄地去除并且在粘结基体内嵌入的磨粒被暴露而实现的。

因此，现有技术包括修整新的或使用过的磨削工具。在修整的过程中，合适的修整工具在压力的作用下并相对于待修整的工具移动，从而自工作盘或层去除材料。“修整”理解为意味着磨削工具的目标形状的重建（“整修”）及其整形、即磨削工具的切割能力的重建。

P.Beyer et al.,Industrie Diamanten Rundschau IDR39(2005)III,page202和专利公开文献DE102006032455A1公开了修整设备，其包括修整圆环以及外齿，其中所述外齿能够像载体那样插入到磨削设备中并且能够通过所述磨削设备的驱动器相对于工作盘移动。

P.Beyer et al.,Industrie Diamanten Rundschau IDR39(2005)III,page202中的修整环支承具有材料去除作用的工作层，所述工作层包含作为磨料的化学粘结的金刚石。所述修整环仅仅适合于整形由P.Beyer et al.描述的工作层，其中所述工作层由多个烧结的（玻璃质的）、金属粘结的或合成树脂粘结的磨料体——所谓粒料组成。然而，在使用所公开的修整设备以及所规定的方法以便修整磨料垫时，规定的修整圆环使得磨料垫磨损，而不会获得所想要的整形效果。此外，所规定的整形设备已经证明不适合制造工作层的限定的目标形状。

"3M^TMTrizact^TMDiamond Tile677XA Pad Conditioning Procedure Rev.A",3MTechnical Application Bulletin,September2003提出了一种用于含有粘结磨料的工作层的初始整形“磨合”的方法，在该方法中，薄的、圆形磨料膜被粘附至钢盘。钢盘是带齿的并在磨削设备的内和外销轮上滚动。通过压力作用下并添加水地在钢盘与工作盘之间的相对运动来实现从工作层去除材料。该方法实际上适合于随后整形已经变钝的工作层，或者适合于在磨料已经未暴露的并且不再具有切割效果的表面上提供新应用的工作层，而初始整形提供了第一切割作用。然而，该方法是特别不实用的，这是因为由磨料粘结所施加的薄的磨料膜通常在单次使用时磨损，这导致了具有波动整形结果的特别不稳定的整形过程。此外，所指出的磨料膜已经证明不适合实现工作层的修整，以便形成这两个工作层的限定的目标形状——优选平面平行表面。

DE102006032455A1启示了修整有利地主要利用自由磨粒来有利地实现。所公开的修整环由于不断的磨损而连续地释放磨料，所述磨料最终提供了用于工作层的必要的材料去除。然而，已经发现目标化整形以及工作层的限定的目标形状的尤其目标化产生无法利用这种类型的修整圆环来实现。

除了现有技术的上述具体不足以外，在根据现有技术进行修整的过程中通常还出现以下问题。

修整导致了整形的工作层的磨削特性的方向依赖性。例如，已经观察到，用作为工作层的某些磨料垫已经以由制造控制的方式具有偏好方向。偏好方向的样式还由于使用的结果以及由于修整本身而出现。在此，偏好方向应该理解为意味着对于相同的压力、驱动器的相同的转速以及转速率（“运动学”）、工作盘之间的工作间隙的相同的形状以及相同的冷却润滑，与旋转速度确切地方向相反但是旋转速率以及压力、间隙形状和冷却润滑相同的运行情况相比，磨料垫沿一个方向实现更高的材料去除速率。磨削特性的方向依赖性具有这样的效果，即仅仅非常受限的转速组合能够用于磨削设备的驱动器。

另外，在沿仅仅一个方向运行的过程中，用于半导体晶片的薄的载体仅仅沿一个方向滚动，并且与方向改变的运行过程中的更加均匀的负载相比，所述薄的载体非均匀地并且因此更加迅速地磨损。

同样，工作层在仅仅沿一个方向进行磨削运行的过程中恒定地改变其特性。对此，改变操作利用磨削设备的驱动器的从一个到另一个或至少从一组到另一组的旋转方向来抵消，并且因而允许更加均匀的操作状况。

然而，如果工作层具有偏好方向，则交替驱动方向的操作是不可行的，这是因为工件的厚度、形状、去除率和表面粗糙度将不断地交替变化，恒定改变的热输入将极端严格地要求调整所期望的均匀加工过程，并且此外，工作层将不同地磨损并且将必须经常被修整或被整形，而这需要负面地影响该方法的经济可用性。

这些严格的要求使得否则有利的PPG方法以及现有技术中已知的用于保持工作层的形状和切割特性恒定的措施不适合于制造针对特别要求应用的高平坦度的半导体晶片。

例如，在工作层被用于磨削诸如半导体晶片的工件时，上和下工作层能够经受不同程度的磨损。已知的修整方法无法顾及这种不同的磨损，为此原因，大体上在修整的过程中从工作层中的一个上去除比所要求的更多的材料。这种不必要的材料去除具有这样的效果，即工作层必须比所要求的更频繁地被改变。

磨削机的滚动设备的带有齿的环或销轮具有与通常所加工的工件的厚度协调的小高度，并且还可以是小程度地高度可调的。因此，不可能使用具有任何期望厚度的这样的修整体，其导致针对修整设备的相应的幅度的高度。这样做的效果是，修整设备或至少修整体必须经常被改变。

发明内容

因此，本发明基于以下目的：

第一目的是在修整的过程中避免工作层的偏好方向的产生并且可靠地消除任何已经存在的偏好方向。

第二目的是改进工作层以及因此工作间隙的通过修整能够实现的平坦度。

第三目的是考虑修整过程中上和下工作层的非均匀磨损，以使得在修整的过程中从两个工作层仅仅去除必要的材料量。

第四目的是使得时间更长地使用修整工具。

第一目的借助于一种用于借助于至少一个具有外齿的载体修整两个工作层的方法来实现，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，所述至少一个载体在旋转的工作盘之间借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下在相对于所述工作层的摆线路径上移动，松散的磨料被添加到在所述工作层之间形成的工作间隙中，并未插入有工件的载体在所述工作间隙内移动，并且因而实现自所述工作层的材料去除。

第一目的同样借助于一种用于借助于至少一个修整设备修整两个工作层的第二方法来实现，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，所述磨削设备的所有驱动器的旋转方向在所述修整过程中至少改变两次。

第二目的借助于一种用于借助于至少一个修整设备修整两个工作层的第三方法来实现，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，所述修整体的与所述工作层接触的面积的至少80%位于所述修整盘上的圆环形区域内，所述圆环形区域的宽度是在所述修整盘的直径的1%与25%之间，并且所述修整体的与所述工作盘接触的面积占所述圆环形区域的总面积的20%至90%。

第二目的同样借助于一种用于修整两个工作层的修整设备来实现，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，所述修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，所述修整体的与所述工作层接触的面积的至少80%位于所述修整盘上的圆环形区域内，所述圆环形区域的宽度是在所述修整盘的直径的1%与25%之间，并且所述修整体的与所述工作盘接触的面积占所述圆环形区域的总面积的20%至90%。

第三目的借助于一种用于借助于至少一个修整设备修整两个工作层的第四方法来实现，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，首先，所述两个工作层的径向形状分布被测量，并且由此针对所述两个工作层中的每个工作层确定重建平坦表面所需的最小材料去除量，借助于合适选择冷却润滑剂的流速以及修整过程中上工作盘压靠着下工作盘的压力而设定自所述上工作层和下工作层的去除速度，以使得所述去除速度之比等于最小材料去除量之比。

第四目的借助于一种用于借助于至少一个修整设备修整两个工作层的第五方法来实现，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，所述外齿相对于所述修整盘是高度能够调节的。

第四目的借助于一种用于修整两个工作层的修整设备来实现，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，所述外齿相对于所述修整盘是高度能够调节的。

根据本发明的各方法尤其适于修整磨料垫。术语“磨料垫”在设备的说明的内容中以下进一步限定。

附图说明

以下参照附图详细说明本发明。

图1A作为对比例示出了自半导体晶片的材料去除速度，其在所有驱动器的方向从一个行程至另一个行程地交替的磨削加工行程中并非根据本发明的修整之后获得的。

图1B示出了自半导体晶片的材料去除速度，其在所有驱动器的方向从一个行程至另一个行程地交替的磨削加工行程中根据本发明的第二方法的修整之后获得的。

图2A示出了借助于根据本发明的第三方法的工作层的修整之后的工作间隙的宽度的径向轮廓。

图2B作为比较例示出了借助于非根据发明的方法的工作层的修整之后的工作间隙的宽度的径向轮廓。

图3A示出了适用于实现根据本发明的第五方法的修整设备的元件。

图3B示出了适用于实现根据本发明的第五方法的完整的修整设备。

图3C示出了适用于实现根据本发明的第五方法的包括厚修整体的另一修整设备。

图3D示出了如图3C所示的具有薄磨损的修整体的修整设备。

图4A示出了适合于实现根据本发明的第三方法的在一个节圆上布置有修整体的修整设备的实施例。

图4B示出了适合于实现根据本发明的第三方法的在多个节圆上布置有修整体的修整设备的实施例。

图4C示出了适合于实现根据本发明的第三方法的修整体以细长的方式成形的修整设备的实施例。

图4D示出了适合于实现根据本发明的第三方法的在多个节圆上布置有不同形状的修整体的修整设备的实施例。

图5示出了工作层能够借助于根据本发明的方法被修整的磨削设备。

附图标记列表

1 在不根据本发明的修整之后的低材料去除速度

2 在不根据本发明的修整之后的高材料去除速度

3a 在根据本发明的修整之后的沿一个旋转方向的加工过程中实现的材料去除速度

3b 在根据本发明的修整之后的沿相反的旋转方向的加工过程中实现的材料去除速度

4 在根据本发明的修整之后的小局部工作间隙

5 在根据本发明的修整之后的大局部工作间隙

6 在不根据本发明的修整之后的小局部间隙

7 在不根据本发明的修整之后的大局部间隙

8 修整体

9 修整盘

10 外齿

11a 齿中的孔

11b 修整盘中的孔

12 修整盘中的用于降低齿的肩部

15 具有大残余有用高度的修整体

16 具有小残余有用高度的修整体

17 修整体在修整盘上的布置结构的节圆

18a 在修整盘布置的修整体位于其内的环形区域的外径

18b 在修整盘布置的修整体位于其内的环形区域的内径

19 修整体在修整盘上的布置结构的另一节圆

20 修整体的固定或对中孔

51 上工作盘

52 下工作盘

53 旋转轴线

54 用于输送冷却润滑剂的孔

55 工作间隙

56 载体

57 内引导环

58 外引导环

59 工件

60 上工作层

61 下工作层

具体实施方式

图5示出了根据现有技术的设备的基本元件，其中所述设备的工作层能够借助于根据本发明的方法被修整。该图以透视图的方式示出了用于加工例如在DE 19937784A1中公开的诸如半导体晶片的盘形工件的双盘式机器的基本示意图。这种类型的设备包括上工作盘51和下工作盘52，它们具有共直线的旋转轴53，并且所述工作盘的工作表面彼此相互大致平面平行地布置。根据现有技术，工作盘51和52由灰铸铁、铸造不锈钢、陶瓷、复合材料等制成。工作表面是未涂层的或设有例如由不锈钢或陶瓷等制成的涂层。上工作盘包含多个孔54，冷却润滑剂（例如水）通过所述多个孔能够被输送到工作间隙55。该设备设有用于载体56的滚动设备。滚动设备包括内驱动环57以及外驱动环58。载体56分别具有至少一个切口，其中所述切口能够接收待加工的工件59，例如半导体晶片。滚筒设备能够例如设置为针齿轮，渐开线齿轮或某些其它传统的齿轮。上工作盘51和下工作盘52以及内驱动环57和外驱动环58绕大致同一轴53以转速no、nu、ni和na被驱动。在这种情况中，“大致”意味着各个驱动器相对于所有驱动器的中心轴线的偏离达到小于工作盘的直径的千分之一，并且轴的彼此之间相对的倾斜度小于2°。上工作盘51的万向悬架补偿了轴的任何残余倾斜，从而工作盘的相互面对的工作表面能够具有相同方位角分布的力地并且彼此之间没有摇摆运动地移动。

每个工作盘51、52在其工作表面上支承工作层60、61。工作层优选是磨料垫。

“磨料垫”此后被理解为意味着由至少三个层组成的工作层，包括：

封闭、连续的或中断的有效层，其自工作盘背离，形式为光滑的或结构化的膜、纺织织物、毡、针织织物或单独元件，所述层包含粘结的磨料并且具有不止一个磨粒层的有效厚度，所述层的至少一部分与待加工的工件直接接触，并且因而造成了材料去除；

中心封闭的或至少连续的支承层，其形式为光滑的或结构化的膜、纺织织物、针织织物或毡，其支承所述有效层并且将所述有效层的所有元件相连以形成一连续的单元；以及

封闭的、连续的或中断的安装层，该层面向工作盘，并且在有效层的可用的寿命时期内或在由使用者所确定的短时期内与磨削设备的工作盘形成力锁定的或形状锁定的复合组件，这例如借助于真空（密封的安装层）、磁性的方式（安装层包含铁磁性层）、钩环紧固件（安装层和工作盘包含“钩”和“环”）、粘结连接（安装层设有自粘性或可激活的粘合层）等来实现。磨料垫是弹性的并且能够通过剥落运动从工作盘被拆卸。具体在覆盖特别大工作盘时，磨料垫能够被分成直至八个区段，其中所述八个区段能够个别地被取出或安装以形成所要覆盖的工作盘区域的没有间隙的拼嵌。

合适的磨料垫例如在专利公开文献US5958794中说明。磨料垫优选被构造为小规则单元的形式。优选地，这些单元包括规则布置的“岛（均匀抬高的区域）”以及“沟（凹入的区域）”。在这种情况中，各个岛与工件接合并且因而造成了材料去除。各个沟供入冷却润滑剂，并且将最终的磨削浆液带离。各岛和沟的绝对尺寸以及它们之比（工作层的支承面积比例）构成了针对工作层的材料去除功能的关键特征。一个优选被使用的磨料垫（Trizact^TMDiamond Tile677XA or677XAEL from3M Company）的各岛例如具有边缘长度为几毫米的方形形状并且通过具有大约一毫米宽度的沟分开，因而导致了50%与60%之间的支承面积比例。

磨料垫中所使用的磨料优选是金刚石。然而，其它硬的物质同样是合适的（例如，立方氮化硼（CBN）、碳化硼（B₄C）、碳化硅（SiC、“金刚砂”）、二氧化锆（ZrO₂）、二氧化硅（SiO₂、“石英”）、二氧化铈（CeO₂）以及其它等）。

然而，磨料还能够被直接粘结到工作盘的表面中或者以面覆盖工作盘的形式出现，而这是借助于多个单独的磨削体、所谓的“粒料”来实现的，其中所述磨削体、所谓的“粒料”被安装到工作盘中。

在工作层60与61之间的形成的工作间隙在图1中由附图标记55表示，其中所述工作层60和61固定在上工作盘51和下工作盘52上，半导体晶片在所述间隙内被加工。

根据本发明的第一方法的说明

在根据本发明的第一方法中，松散的磨料（也称为“研磨颗粒”）被添加至在工作层之间形成的工作间隙中，在所述工作间隙内载体移动，并且因而实现自工作层的材料去除。优选地，液体、例如水附加地被添加。在该情况中，没有工件被插入到载体内。

具体地，已经发现，工作层在失去它们的切割能力之后能够以简单的方式通过这样一种过程被再次整形，在该过程中，否则的话在磨削过程中承载半导体晶片的载体被留到磨削设备中，一些松散的研磨颗粒以及如果合适的话一些液体被添加并且载体然后借助于滚筒设备在压力的作用下在相对于工作层的摆线路径上移动。这样做尤其在载体与工作层接触的表面的至少一部分由弹性材料组成时是非常好起作用的。

在PPG方法中优选被采用的载体在专利公开文献DE102007013058A1中记载。所述载体例如包括钢芯，其中所述钢芯在载荷作用时的滚动移动过程中造成必要的稳定性；以及由较柔软但非常坚韧和耐磨的材料例如聚氨酯制成的涂层，其中所述涂层形成磨损保护，从而抵抗由在磨料垫内粘结的磨粒的摩擦、切割、剪切和剥落力所造成的磨损，所述力在加工的过程中起作用。现在已经发现，被引入到载体与工作层之间的间隙内的松散的研磨颗粒部分地并且暂时地栖息在载体的弹性涂层中。因此，载体在整个工作层内捕获研磨颗粒并且均匀地再次释放研磨颗粒，从而通过以半固体的方式捕获有研磨颗粒的载体与工作层之间的相对运动造成了自工作层的材料去除。

针对由研磨或双面抛光可知的具有硬质、非弹性材料的载体的研究已经表明，松散的研磨颗粒由于所使用的（如上所述）磨料垫的岛的大边缘长度以及小面积而从载体的光滑表面被立刻剥离并且经由沟被没有作用地带离。载体的使用（所述载体的与磨料垫接合的表面的至少一部分由软柔顺材料组成）对于研磨颗粒具有足够的“驱动作用”，从而在磨料垫的岛的与工件接合的表面上引导研磨颗粒并因而造成自工件的材料去除。

已经观察到，在该整形开始之前足以添加研磨颗粒一次。已经发现，研磨颗粒由于载体的软耐磨层而仍是足够长的以便在工作层之间形成的工作间隙中整形工作层，并且不必一直被再填充。因此，在磨削设备的上工作盘中的冷却润滑供入物仍没有研磨颗粒，并且在工作层以这种方式已经被整形之后，磨削设备能够容易地被容易地被净化并且立刻被再次用于下一次半导体晶片的加工，而不会产生不期望的划伤，其中所述划伤是由于仍留在磨削设备内的研磨颗粒或者以非受控的方式从冷却润滑供入物由于净化而被释放到半导体晶片上的研磨颗粒。

载体的表面的所描述的部分的硬度优选是在50Shore A与90Shore D之间。特别优选地，硬度是在60Shore A与95Shore A之间。优选所使用的研磨颗粒具有造成自半导体晶片的材料去除的工作层的磨粒的大小级别的平均颗粒尺寸。磨料垫（Trizact^TMDiamondTile677XA or677XAEL from3M Company）取决于规格具有1与12μm之间的颗粒尺寸。优选用于实现根据本发明的第一方法的研磨颗粒具有2与15μm之间的颗粒尺寸。合适的研磨颗粒包括氧化铝（刚玉）、金刚砂、氮化硼、立方氮化硼、碳化硼、氧化锆以及它们的混合物。

已经发现，这种整形仅仅造成非常少的材料从工作层去除。这对于纯整形工作层而言是有利的，这是因为首先工作层的形状不会因此而改变，并且其次，此外，不必要的大量材料不会从昂贵的工作层被去除，优选所述工作层包含金刚石。尽管少量材料去除，但是整形效果证明是好的。特别地，以这种方式整形的磨料垫没有或者仅仅具有非常小的残余偏好方向，也就是说在随后的半导体晶片的磨削加工中沿两个旋转方向产生相同的或实际上相同的半导体材料的去除速率。该方法证明是非常适合于整形。形状的改变（“整修”）无法由此实现。工作层对此是太坚固的。

最终，已经发现，在利用载体以及松散的研磨颗粒进行整形的过程中，载体的涂层比其在半导体晶片的磨削过程中用作为引导笼的情况经受更高的磨损。因此，载体的最初太厚或非均匀的涂层例如能够被减薄或者被平整，而为此目的无需进行多次加工半导体晶片，否则的话，所述半导体晶片应当已经作为非尺寸正确的废品被废弃。（通过借助于工作层在压力的作用下之间的移动并且无需添加研磨颗粒地非均匀涂层的载体的磨削或平整所造成的直接减薄无法起作用：已经发现，工作层因此非常迅速地变钝并且不再出现材料去除。）

根据本发明的第二方法的说明

在根据本发明的第二方法中，工作层利用修整设备被修整，其中所述修整设备具有修整体，其中所述修整体具有粘结的磨料，所述修整体在修整的过程中释放磨料。修整在磨削设备的驱动器（上和下工作盘以及外和内驱动环）的方向反复颠倒、即颠倒至少两次的情况中完成。

本发明的是基于这样的观察，即多个工作层的去除特性由之前的应用影响。所观察到的是，工作层相对于其磨削特性具有其预处理的多少更显著的“记忆”，更确切地说相对于之前的修整方向以及相对于之前的磨削操作方向。某些工作层甚至以由生产控制的方式具有偏好方向。

在得出本发明的研究中，所发现的是，尤其，最后的修整过程的方向关键性地影响工作层的磨削特性的偏好方向。此外，已经发现，在运行过程中沿偏好方向的材料去除速度与在运行过程中确切地与偏好方向相反的材料去除速度之间的差异变得越大，则修整所实现的材料去除就越长和越多。同样已经发现，以这种方式量化的偏好方向的表现越大，则工作层之前沿一个方向被使用得越长并且在这种使用中所涉及的相关的垫磨损量就越大。

通过所有驱动器的方向颠倒至少两次，沿一个方向所执行的每分步骤的材料去除以及因此偏好方向的表现被减少。

优选地，在修整加工的每个随后的分步骤过程中，也就是说从方向颠倒至方向颠倒，与之前的分步骤相比，总是从工作层去除越来越少的材料。这能够通过以下措施实现，即减少这种分步骤的持续时间、降低修整过程中的压力或者减少路径速度（缩短分修整加工过程中的路线的长度）。

特别优选地，各个分步骤依次被缩短成，在最后分步骤的过程中，工作层的厚度减小少于工作层内粘结的磨粒的平均直径。

特别优选地在最后的分步骤过程中自每个工作层的材料去除是在工作层内粘结的磨粒的平均粒度的10%与100%之间。100%因而平均对应于确切地工作层的一个“磨粒层”。已经发现，最后的去除进一步减小低于平均粒度的10%不再提供其它优点，或者任何可能的优点不再抵消增加的耗时的不足。同样发现的是，超过一个磨粒层的材料去除经常仍留下偏好方向。

如果工作层的磨粒分布和混合并未精确地已知，则平均粒度能够以简单的方式被确定。为此目的，磨粒从粘结基体以机械的方式（通过粉碎）、化学的方式（粘结基体和填料的溶解或分离）、或者通过这些方法的组合被取下，并且所述磨粒以薄层的方式被施加至一试样滑块，并且产生显微图。在显微图上能够辨别的粒度然后利用一组形状模板被统计。从粒度分布的合成直方图中能够立刻读出平均粒度以及自标准化粒度分布的任何偏差。在任何用于实现根据本发明的修整方法的情况中，粒度能够甚至利用简单的试验设施以规定的简单方式被确定的正确率是足够的。

根据本发明的第二方法的效果以下基于实例和对比例（图1）进行阐述。在这种情况中，相同的磨料垫根据本发明修整一次（实例）并且以不根据本发明的方式（对比例）修整一次。

在实例中，在修整的过程中，所有驱动器的方向颠倒七次，也就是说，总共进行八个修整加工。在该情况中，在每隔一个修整加工之后，材料去除附加地被减少。在该实例中，这种逐步的去除减少通过将单个加工步骤的持续时间从最初一分钟至最终五秒钟反复缩短而实现。针对所有各个修整加工，压力和转速保持相同。最初，由垫厚度测量所确定的工作层在该情况中被去除直至10μm；在最后的加工中，去除低于测量极限（1μm）。

在对比例中，磨料垫以与所述实例相同的方式被修整，但是没有颠倒驱动器的方向。

根据本发明和不根据本发明修整的磨料垫随后分别用于15个连续的磨削加工。在每个磨削加工过程中，15个线切割的单晶硅晶片被加工。五个载体分别设有三个硅晶片。图1在y轴线上示出了在这种情况中所获得的以μm/min表示的材料去除速度MRR。所进行的连续的PPG磨削加工的单位时间T在x轴线上表示。每个数据点因此对应于一个PPG加工。从一个磨削加工至下一个磨削加工，磨削设备的所有驱动器（上和下工作盘、用于载体的滚筒设备的内和外驱动环）的旋转方向分别被确切地反向（针对所有转速改变符号）。空心的符号1和3a因此都对应于驱动器的相同的转速构造，而实心的符号2和3b对应于转向分别颠倒的这种构造。除了旋转方向的颠倒以外，在实例中和在对比例中的所有磨削加工都以相同的方式进行。实例和对比例的区别之处仅仅在于磨料垫被使用之前修整其的上述方式。

图1B示出了磨料垫根据本发明被修整的实例的结果。明显的是，所获得的去除速度实际上针对两个旋转方向而言是相同的。无法辨别由修整控制的或由磨料垫制造控制的一个旋转方向或另一个旋转方向的任何“偏好方向”。

图1A示出了磨料垫没有根据本发明被修整的对比例的结果。明显能够辨别出磨料垫的显著的偏好方向。沿一个方向的所有去除速度2明显高于沿所有驱动器的对应相反方向的去除速度1。一个方向与另一个方向之间的去除速度之差最大为几乎100%（相对于下去除速度1）。

这种类型的PPG加工是非常不稳定的。PPG设备大体上包括用于在加工的过程中测量半导体晶片的瞬时厚度的测量设备，在目标厚度达到时，所述测量设备结束所述加工（结束点关机）。例如借助于在工作盘中的一个工作盘的表面内结合的涡流传感器来实现结束点关机，其中所述涡流传感器确定所述表面与另一工作盘的表面之间的距离。合适的传感器、布置结构和测量过程的实例在专利公开文献DE3213252A1中描述。

由于驱动器的实质拖尾（essential run-on）（工作盘的制动），所以在目标厚度已经达到之后，半导体晶片的无法避免的“随后磨削”不可避免地出现，甚至对于迅速减小的工作压力也是。因此，在加工的实际结束之后，半导体晶片的厚度稍微小于由测量设备所确定的最终厚度。由于磨削设备的沿一个方向的操作过程中与沿另一方向的操作相比的不同的去除速度（在图1A中分别为符号2和1），所以在不根据本发明的该对比例中，所述随后的磨削针对两个方向明显不同。因此，源自不同加工过程的半导体晶片具有不同的实际最终厚度。此外，半导体晶片的几何形状（平面平行度）在不同的加工过程之间明显波动，这是因为热输入（磨削工作、机加工工作）由于不同的去除速度而波动。这导致了具有不适于满足应用要求的半导体晶片的不稳定的过程。

在修整过程根据本发明以所有驱动器的方向反复颠倒的方式进行时，这些问题不会出现，如图1B清楚所示。

根据本发明的第三方法以及用于所述方法的设备的说明

包括修整体的修整设备在根据本发明的第三方法中使用。修整体至少主要在修整盘上的圆环形区域内布置，所述圆环形区域的宽度是在所述修整盘的节圆直径的1%与25%之间并且优选3.5%与14%之间。修整体的与工作层接触的面积的至少80%以及优选至少90%位于所述圆环形区域内。修整体的与工作层接触的面积等于圆环形区域的总面积的20%至90%、优选40%至80%。

所规定的示意图的选择源自于与根据本发明适合的修整设备的尺寸化有关的试验过程中的以下的考虑和观察：

首先，在修整盘上装配的一个或多个修整体一起在磨削设备的针轮之间的修整设备的滚动过程中应该扫过工作层的在磨削过程中与工件接触的整个圆环形区域，以便实现工作层的整个使用的区域的材料去除以及因此修整。这限定了由修整体所覆盖的圆环形区域的优选外径。

其次，研究表明，仅仅如果具有修整体的圆环形区域最多具有上述规定的宽度，则工作层修整成限定的目标形状（在此优选地，工作层的那些与工件彼此相互接合的表面的最高程度的平面平行度）能够实现。在磨削体比根据本发明所设置的情况进一步位于修整盘的中心并且尤其在修整盘由修整体大致均匀分布完全覆盖的布置结构的情况中，无法获得工作层的良好的平面平行度。

在该情况中，已经发现，足够的是修整体大致在所规定的圆环宽度内布置，也就是说，各个修整体还能够进一步朝向内侧装配，如果多个修整体在所规定的尺寸内装配的话。然而，将各个修整体布置在所规定的环宽度以外不会提供优点；实际上发现，在增加数量的修整体进一步朝向内侧布置时，获得更差的修整效果。该方法然后仍起作用，但是结果较差，出于此原因，仅仅在所规定的圆环区域内的布置结构是优选的。

特别地发现，一个或多个修整体能够其面积一部分地或完全地在所述环区域外布置成修整设备的所有修整体的与工作盘接触的总面积的最大20%，而在工作层修整以形成限定的目标形状时不会观察到任何不足。环区域外最大10%的修整体面积的布置结构的修整结果与根据本发明完全位于环区域内的修整体的布置结构的修整结果是无法区分的。如果修整体面积的10%与20%之间位于圆环区域外，则尽管修整结果与修整体完全布置在环区域内的修整结果是可区分的，但是工作层的根据本发明的良好限定的目标形状仍能够获得，为此原因，这种类型的布置结构仍是根据本发明的。然而，如果超过20%的修整体面积位于所要求的圆环区域外，则不再能够获得根据本发明良好限定的目标形状，为此原因，这种类型的布置结构然后不再是根据本发明的。

应该澄清的是，术语“位于圆环形区域内”意味着相关的修整体位于圆环形区域的面积上。修整体进一步朝向修整盘的中心的位置在此指的是“位于圆环形区域外”。

图4示出了用于实现根据本发明的第三方法的设备。图4A示出了根据本发明的修整设备，该修整设备包括位于具有齿（“外齿”）10的修整盘9上的修整体8，其中所述齿装配至修整盘的周边，并且与PPG的磨削设备的滚动设备对应。在所示的实例中，磨削体8绕修整盘9均匀同心地布置在节圆17上。修整体的圆环形布置结构的宽度由内包络曲线18b与外包络曲线18a之间的圆环宽度规定。在所示的实例中，圆环宽度精确地等于修整体8的直径，这是因为所有修整体在一个节圆17上布置。图4B示出了根据本发明的另一示意性实施例，相同的修整体8位于两个节圆17和19上。修整体8的圆环形布置结构的宽度、也就是说内包络曲线18b与外包络曲线18a之间的圆环宽度大于单个修整体8的直径。用于实现根据本发明的第二方法的修整体8的形状并没有限制。图4C例如示出了具有矩形横截面的修整体8（以在一节圆上的示意性布置结构的方式）；图4D示出了三角形、四边形、六边形和八边形的磨削体8（以在两个节圆上的示意性布置结构的方式）。

参照具有圆形或圆环形横截面的修整体8（如图4A和4B所示），也就是说，参照圆柱形或中空圆柱形的修整体。所发现的是，这些修整体能够尤其再生地并且在烧结的过程中具有易于预测的收缩地被制造，并且因此尺寸是精确的。这特别在这样的情况中是期望的，即在修整体磨损之后，修整体的残余部分从修整盘被去除并且由新的修整体代替，其中所述新的修整体具有相同的尺寸和特性，从而甚至在修整工具已经更换之后整个修整过程仍未改变。此外，已经发现为了高效利用在修整体内粘结的磨粒，修整体的面积量（材料去除颗粒自其被释放）与边缘长度的最大之比（由此，颗粒离开修整体与工作层之间的接触区域并且因而变得不起作用）是优选的。这导致了修整体的优选圆柱形的形状。中空圆柱形的形状（具有中心孔的圆柱）同样仍大致满足该要求。位于中心的孔20（图3）有利地可以依次被使用，这是在修整体8固定在修整盘9上时，其中所述固定借助于粘合剂粘结来实现，例如借助于对中销穿过孔20以及修整盘9内的相应的孔，以便防止修整体8在固定的过程中滑动。

另外，圆柱形或中空圆柱形修整体仅仅具有弯曲的边缘并且没有锋利的角部。具体地，所发现的是，具有角部的修整体、也就是说具有多边形（尤其三角形）横截面的修整体在某些情况中在角部处表现出修整体材料的相对大块的散裂的增加的趋势。这是不期望的，因为工作层因而受到损害，并且例如在如专利公开文献US5958794中的“瓦式”磨料垫的结构化工作层的使用情况中，甚至整个“瓦”能够被磨损掉。然而，具有多边形基面积的修整体同样能够高效地被使用，尤其是具有六个或更多个角部的修整体，并且如果后者具有总是大于90°的角度、也就是说优选规则多边形的话。

修整盘上的圆环形区域由环形区段（所述环形区段几乎产生封闭的环，例如P.Beyer et al.,Industrie Diamanten Rundschau IDR39(2005)III,page202所公开）覆盖是不利的。已经发现，在修整过程中施加至修整体的力然后在过分大的面积上被分布，从而太少的磨料被释放并且利用低承载力无法实现所期望的修整效果。承载力同样无法任意增加，从而抵消在大面积中的分布。具体地，已经发现，大体上总是具有特定弹性（由于合成树脂粘结或由于软填料）的工作层然后过分大程度地弹性变形，并且无法获得良好的平坦度。此外，添加少量水的修整是期望的。这导致了摩擦，为了从修整体释放颗粒这种摩擦是期望的。如果所述摩擦由于过分高的压力而过分高，则机器驱动器能够过载或者由于工作层在修整设备上的“黏滑”而产生严重的格格声。在某些情况中，力变得很大和不规则，从而修整体在这种情况中从修整盘被撕掉。在这种情况中，无法产生所期望的平坦度。不利的大的、相连的修整体的作用通过由于过大尺寸的接触面的干式运行而加强。

同样发现，选择太少的、尤其太小的修整体是不利的。在该情况中，甚至在为了确保万向安装的固体上工作盘的无摆动的运动而至少必要的低承载力时，这种高压然后被分配给少数释放太多颗粒的修整体。除了明显的经济性的缺点以外，这证明是不利的，因为在修整体与工作层之间出现自由磨粒的过厚的膜。因此，修整体的高度平坦的表面（其中，由于恒定的磨损，所述表面总是重新成形，并且由于滚动系统（行星齿轮）的动力学特性是自调平的）不再能够直接反映到工作层上。由于过厚的磨粒膜，工作层不再具有彼此相互所期望的高等级的平行度。

因此，20%与90%之间的填充度是优选的。填充度应该被理解成意味着在修整处理的过程中与工作层接触的修整盘上施加的修整体的总面积与修整体在其中布置的环的面积之比。40%与80%之间的填充度是特别优选的。

优选地，修整体在修整处理的过程中与上工作层接触的修整盘的侧部的填充度精确地等于修整体在修整处理的过程中与下工作层接触的修整盘的填充度。特别优选地，甚至是这样的情况，即针对上和下工作层形状和面积分别相同的修整体相应地一个在另一个正上方布置。在中空圆柱形修整体使用的情况中，所述修整体然后在安装的过程中分别同时利用同一对中销经由修整盘内的相应的孔被固定。

修整体在修整盘上的所述的布置结构同样是合适的，尤其是针对根据本发明的第二、第四和第五方法的应用情况。

优选地，具有修整体的圆环形区域在修整盘上同心地布置。特别优选是这样一种布置结构，其确保了修整体中的至少一个修整体的面积的一部分临时地延伸超过工作层的由磨削设备内加工的工件所扫过的区域的内和外边缘。

已经发现，由于工件的磨削加工的过程中工作层的磨损，在工作层内在由半导体晶片所扫过的区域内出现槽形凹部（“行进迹道（travelling track）”）。因为工作层不再是平坦的，所以半导体晶片由于工作层的增加的磨损而表现出增加的非平坦的凸形的形状，这是不期望的并且必须修整工作层。此外，已经发现，工作层的作为获取平坦的半导体晶片的先决条件的足够的平坦性能够获得，仅仅如果在修整的过程中在具有齿10的修整盘9上的修整体8（图3、4）扫过这样一个区域，其中该区域延伸超过事先由半导体晶片所扫过的区域。仅仅在该情况中，因为修整，所以工作层中由于磨损所造成的槽形凹部被去除，并且产生一平面化区域，其中所述平面化区域伸出超过在随后的加工过程中再次由半导体晶片扫过的区域，因此半导体晶片在此将平坦的工作层“视为”获得特别平坦的半导体晶片的先决条件。

专利公开文献DE102007013058A1公开了工作层有利地尺寸已经设置成，半导体晶片有时其面积的一部分延伸超过工作层边缘特定的量。然后，在工作层磨损的情况中无法形成槽形凹部。然而，同样，在半导体晶片的这种“偏移”的情况中，工作层经受径向非均匀磨损（DE102006032455A1），并且从而，所述工作层必须被规则地修整，以使得获得平坦度适于需要应用的半导体晶片。同样，在这种情况中，修整设备的修整体在修整的过程中应当优选面积一部分暂时地超过处理过程中由半导体晶片所扫过的区域的边缘——并且因此超过工作层的边缘。

为了实现根据本发明的方法，两个附加的措施证明是有利的，以便获得工作层的彼此相互所期望的平行度以及所述工作层的大致平坦的形状。

首先，修整体布置在其上的修整盘应该具有足够的刚度以及尺寸稳定性。这样的修整盘对于将工作层修整至所期望的限定的目标形状是不利的，其中所述修整盘在修整过程中尤其在非平坦形状的工作层最初出现时在载荷力的作用下变形，并且所述修整盘因而不断地针对任何出现的不均匀情况部分调整。由具有6至10mm厚度的钢板组成的工作盘已经证明是具有足够刚度和尺寸稳定的。由于重量的原因，修整盘在该情况中优选设置成圆环形的形状，也就是说，仅仅设置修整体在其中应用的部分，并且材料选为轻质金属（例如铝）或复合塑料（例如碳纤维强化环氧树脂）。出于耐用性的原因（磨耗），齿优选由高等级的钢制成，其中借助于所述齿，所述修整设备在具有工作层的两个工作盘之间在磨削设备的内和外销轮之间滚动，并且所述齿固定至修整盘的外周。

其次，已经发现，尤其在修整设备的表面本身已经具有非常高程度的平行度时，将工作层修整至所期望的限定的目标形状是成功的。在修整体安装到修整盘上之后最初不是这种情况，因为优选组成修整体的金属片材具有厚度波动和起伏，并且此外，因为制造修整体的烧结过程，所以修整体具有个别的形状和厚度波动。幸运地，行星齿轮的运动学特性在于，在行星件（修整设备）和工作盘的相对运动时，如果两个摩擦配对件都经受磨损——修整设备由于磨粒的释放并且工作层由于磨耗，则在摩擦配对件的情况中精确地产生平面平行的形状。然而，已经发现，这在以下的情况中确实地发生，尤其在各个修整设备在滚动设备内的布置次序在“修整设备的这种修整”的过程中多次改变时，这是因为否则的话万向悬置的上工作盘总是通过摆动运动遵循各个修整设备的平均厚度中的可能的最初差，并且所有修整设备的所期望的相同的厚度无法获得。

实际上，在该情况中，该过程优选使得，因为替换，一组新装备有由于制造而不具有相同厚度的修整体的修整设备在压力的作用下并且同时添加水地在承载工作层的所使用的工作盘之间彼此相对移动几分钟。在由磨削设备的内和外销轮所形成的滚动设备内的修整设备的布置次序然后改变。以彼此相互分别成90°的角度布置的四个修整设备的采用已经证明是实用的。在这种情况中，交替成对替换相应地相互相对并相应地相邻的修整设备是特别有利的。另外，优选地，成对替换的两个修整设备中的一个能够被旋转，如果它的结构允许这样做的话（在旋转之后，修整设备的外齿当然必须接合到滚动设备中并且能够按照期望移动。）由于该过程，在所述的加工多次重复之后，各个设备的平面平行的形状以及同时所有修整设备的相同的厚度被建立。

根据本发明第三方法的内容所实施的措施具有这样的效果，即工作间隙精确地以与半导体晶片接合的工作层的表面彼此相互平面平行的方式被修整。

现有技术描述了这样的方法和设备，其中，在工作盘之间形成的工作间隙（半导体晶片在加工的过程中在所述工作间隙内移动）的分布能够被测量，并且工作盘的形状能够被调整，从而能够设定工作间隙的期望的径向目标形状。例如，专利公开文献US2006/0040589A1公开了一种设备，该设备包括两个圆环形工作盘，非接触式距离测量传感器在不同的径向位置中位于所述两个圆环形工作盘的相向的表面内，所述传感器使得能够确定在这两个工作盘之间形成的间隙的宽度的径向分布。

工作盘大体上由铸钢组成；传感器测量“钢至钢”距离。合适的非接触式测量传感器例如能够以电感式的方式基于涡流测量原理而设置。此外，专利公开文献US2006/0040589A1中公开的设备能够以目标的方式改变工作盘中的一个工作盘的形状。这例如借助于在工作盘内的两个堆叠的、不同温度调节的冷却迷宫件以热学方式实现（“双金属效应”）。专利公开文献DE102007013058A1公开了一种方法，通过所述方法，尽管在加工的过程中出现变形力，但是工作间隙能够被大致恒定地保持。然而，现有技术并未公开如何能够获得工作间隙的均匀基本形状，以使得在上述测量与调节可能性的情况中，总体上能够产生这样一种间隙分布，该间隙分布是均匀的以使得能够产生平面平行的半导体晶片。

具体地，已经发现，现有技术中已知的方法仅仅允许非常受到限制的以及长波的调整可能性，并且最终的形状仅仅在少数支承点（测量点）被测量，从而仅仅平均间隙张口（gape）以及在最佳的情况中还有间隙弧度能够被设定。因此，实际间隙厚度d=d（r）的仅仅第一阶和最多第二阶的改变是可行的，如果该实际间隙厚度例如由多项式：d=d₀+d₁·r+d₂·r²+d₃·r³+…（r=半径，d₀=平均间隙距离，d₁=间隙梯度[间隙张口、楔形形状]，d₂=间隙弧度）表示。在这种情况中，无法在短波径向长度范围内精细设定间隙外形。然而，此外，已经发现在短波范围（间隙多项式的高阶）内的形状修整同样是必要的。

然后，本发明是基于这样的观察，即在该情况中，工作盘的形状根本不必确切地以平坦的方式被修整；实际上，在工作盘上施加的工作层以彼此相对平面平行的方式被修整就是足够的。在根据本发明的第三方法中通过自工作层的材料去除实现修整工作层以形成平坦的表面，从而工作层在修整之后的厚度分布与下工作盘的表面自理想平面的偏离精确互补。因此，根据本发明修整的任何工作层补偿了下工作盘的残余的不均匀度。因为现有技术中记载的测量方法仅仅确定工作盘之间的间隙分布（“钢至钢”）而不是工作层之间的实际间隙外形（“垫至垫”），所以工作层的由于修整所造成的互补的厚度分布必须在半导体晶片的随后磨削过程中被依次确定——利用相应的校正——从而能够针对实际间隙分布规格“垫至垫”采用间隙分布测量“钢至钢”。

这通过首先测量工作层的彼此相互的表面的精确的径向分布并然后测量至少一个工作盘相对于绝对基准线的径向分布来实现。为此目的，未安装有工作层的两个工作盘彼此相向移动并且通过例如三个块规被保持在特定的距离，其中所述三个块规在圆环形上工作盘的想像的均匀120°的弧段的面中心中定位。上工作盘具有一压力地安坐在块规以及因此下工作盘上，其中所述压力低到使得通过施加压力造成的强迫变形仍尽可能的小，但是至少仍高到足以使得上工作盘的万向悬置的摩擦得到克服并且上工作盘利用大致相同力地安坐在所有块规上。由块规所大致限定的间隙距离的径向间隙分布然后利用量规被精确地确定。此后，精密尺在其贝塞尔点处被放置到两个块规上，其中所述这两个块规对称地设立在下工作盘的直径上，并且下工作盘与精密尺之间的距离的径向分布利用量规被测量。这种测量直接产生了下工作盘的绝对形状分布；前次测量与这次测量之差产生了上工作盘的绝对形状分布。

工作层（磨料垫）然后通过本发明的第三方法被安装并被修整至可能最佳的平面平行度。这通过工作盘得以检测，其中具有修整的工作层的工作盘彼此相向地移动到块规上——块规然后确定垫至垫测量距离——并且借助于量规确定间隙分布。此后，精密尺借助于块规被放置到下工作盘上，并且下工作盘相对于尺的径向形状分布被测量。前次测量产生工作层之间的间隙宽度的径向分布，并且后次测量产生下工作层的绝对平面性以及差异形成之后还有上工作层的绝对平面性。

然后，已经发现为了获得特别平面平行的半导体晶片，工作层之间的距离在圆环形工作层的整个圆环宽度之内被允许偏差不超过±3μm，这是在2000mm的外工作盘直径以及正好650mm的圆环宽度的情况中（在工作层之间形成的工作间隙的平行度），但是两个工作层中的一个工作层相对于基准直线的楔形形状以及弯曲度（相对于精密尺测量）在700mm的整个圆环宽度内一起被允许最大100μm，但是较高阶的形状偏差必须小于±3μm。因此，工作层被允许是楔形形状的并且特定程度地弯曲，只要工作层之间的平行度良好并且没有高阶形状偏差。

图2A示出了在借助于本发明的第三方法修整工作层之后在圆环形工作盘上的圆环形工作层的从外径OD至内径ID的圆环宽度的半径R内的工作层之间形成的工作间隙的相对厚度分布。所使用的磨削设备的工作层的圆环宽度是654mm。（工作间隙的头和最后5mm由于间隙量规的承载与测量面积的大小而无法测量。）在根据本发明所示的实例中，间隙的相对厚度分布ΔGAP仅仅从-0.8μm（具有附图标记4的测量点）波动至+0.8μm（测量点5）。图2B作为对比例示出了借助于不根据本发明而是根据现有技术的方法所修整的间隙分布。该间隙分布自所期望的平面平行的分布（ΔGAP=0）偏离-10μm（测量点6）至+7μm（测量点7）。

在所示的实例（图2A）中使用了如图3B所示的实施例的四个修整设备。每个修整设备由修整盘9以及外齿10组成，其中在所述修整盘的前侧和后侧上分别设有24个中空圆柱形修整体，所述中空圆柱形修整体的直径为70mm，并具有10mm直径的孔以及25mm的初始高度，所述中空圆柱形修整体通过粘合的方式粘结在具有604mm直径的节圆上，所述外齿10接合到由磨削设备的内和外销轮组成的滚动设备中。支承面积比、也就是说由修整体覆盖的修整体结构的70mm宽圆环的面积比因此是大约68%，并且修整体在滚动运动的过程中全都对称地超过圆环形工作层的外和内边缘10mm。也就是说，由10mm厚的铝组成的工作盘是非常硬的。在粘结之后最初具有非均匀高度的修整体首先通过修整设备在压力作用下并添加水地在旧的、几乎完全磨损的将被更换的工作层上的相对长的运行而使得均匀的高度，因此，可以获得厚度特别精确相同并且平面平行的修整设备。在这种情况中，修整设备在几分钟之后首先被成对互换（1针对3、2针对4；然后1针对2并且3针对4）并且附加地被旋转。（对于后者，外齿9，图3，必须从修整盘的前侧被安装至后侧，从而能够在修整设备的旋转之后再次接合到磨削设备的销轮中。这是复杂的并且实际上仅仅在新修整体的安装之后的修整设备的基本修整过程中是必要的。）

工作层借助于多个修整周期以上和下工作盘以及磨削设备的内和外销轮的交替驱动方向的方式被修整。上、下、内、外驱动器的转速在该情况中是+9.7；-6.3；+6.4；+0.9RPM（转数每分钟），并且在反向时相应地是-9.7；+6.3；-6.4；-0.9RPM（所有驱动器从磨削设备上方观看；“+”=顺时针方向；“-”=逆时针方向）。在该情况中，上工作盘利用1kN的力（其对应于大致2.7Pa的压力）安坐在修整体与工作层之间。修整时间是4×1min，并且在修整的过程中，0.5至1l/min的水被连续地添加至工作间隙。四个修整设备被成对地互换一次。它们每90°均匀地插入到滚动设备中。

在导致了如图2B所示的工作间隙厚度的径向分布的不根据本发明修整的对比例中，修整设备被使用，其中，在每侧上，在修整盘的整个面积内大致均匀地布置有61个修整体，其中所述修整体的直径为70mm并具有10mm直径的孔。各个修整体因而具有与根据本发明的实例相同的尺寸。以与根据本发明的实例相同的方式，24个修整体安装在604mm直径的节圆上，但是另外18个修整体安装在直径455mm的节圆上，12个修整体安装在直径305mm的节圆上，6个修整体安装在直径155mm的节圆上，并且一个修整体安装在中心上。所有修整体均匀地布置在相应的节圆上，并且这导致总体实际上均匀覆盖整个圆形区域，也就是说在每个修整体与其相邻的修整体之间的距离波动小（7至11mm）。承载力被增加至稍微高于2.5kN，因而导致了与根据本发明实现修整的情况（图2A）相同的1kPa的压力。旋转速度以及成对更换和单个旋转像根据本发明的修整实例那样实现，并且相同的修整持续时间被选择。

根据本发明第四方法的说明

在根据本发明的第四方法中，首先，两个工作层的径向形状分布被测量，并且由此针对这两个工作层的每个工作层确定重建平坦表面所需的最小材料去除量。此后，借助于至少一个修整设备完成修整加工（例如，如根据本发明的第三或第五方法所述）。在这种情况中，借助于合适选择冷却润滑剂的流速以及还有上工作盘在修整过程中被压靠着下工作盘的压力设定自上和下工作层的去除速度，从而所述去除速度之比对应于最小材料去除量之比。

优选地，在该情况中，每个工作层被修整成平均径向均匀地去除材料，从而工作层尤其不会从内侧向外侧变成“楔形的形状”。由于这种均匀的磨损，可以实现工作层的最可能长的整体使用寿命，并且甚至在多个这种修整周期之后，工作层的表面之间的工作间隙总是与工作盘之间的间隙大致平行地延伸，因而导致了恒定的定位以及因此操作状态。

大体上由铸钢制成的工作盘在磨削设备本身由制造者组装之后并彼此相对（双面研磨）地被最初修整一次（固定整形设备），并且分别具有研磨和整形类型的径向不均匀度。后者事先在所选择的温度并且针对上工作盘的液压板形调整的不同压力以相对方式（块规）并以绝对的方式（尺）被确定，如上根据本发明的第三方法中的内容所述，并且随后作为设备特定特征未发生改变。工作层被安装，并且它们的径向厚度分布被测量。为此目的，工作层在至少一个半径上设有多个孔，通过所述孔借助于厚度测量仪能够测量到下工作盘。通过工作层的最终的径向厚度分布以及工作层的已知的形状分布，因而可以以绝对的方式确定每个工作层的形状分布并且确定两个工作层的彼此相对的形状分布。根据这种工作层测量，两个工作盘的温度以及上工作盘的液压形状调整压力被设定成，在工作层之间形成的工作间隙的路线尽可能是平面平行的。在这种情况中，平行度优先于平面度。毕竟，平面度仅仅将通过工作层的修整而建立。

在新的工作层已经被安装之后，该工作层最初必须经受基本修整，这是因为由于制造的原因该工作层不是平坦的并且因此在该工作层的表面上未暴露有磨料。在该情况中，最上层的塑料层被去除。在PPG磨料垫Trizact^TMDiamond Tile677XA from3M Company的情况中，大致50μm的材料必须被去除，从而暴露磨料（切割特性的产生），并且附加地最初50至100μm的材料被去除，以便补偿工作盘形状的不均匀度。为了补偿工作盘不均匀度的最后提及的最小去除的精确值取决于工作盘最初经受基本修整的精度，并且因此针对磨削设备的一个试样与另一个分别是不同的。以这种方式被修整的工作层然后被用于磨削，直至尽管经由温度和液压传感器程序上传统地测量工作间隙的形状踪迹但是所获得的半导体晶片的平面度超过一预定的极限，例如尽管良好设定工作层的彼此相互可能最佳的平面平行度但是针对三个连续的加工，TTV>3μm。工作层的磨损导致的厚度减少以及形状的改变通过所述的厚度测量被确定。针对两个工作层中的每个工作层以这种方式测量的厚度分布与实现以平面平行的方式被修整的基准分布之间的差异针对每个工作层产生了平均厚度减少（平均磨损）以及形状偏差（径向磨损分布）。根据本发明的第四方法的修整然后被实现成，自两个工作层中的每个工作层去除的材料量确切地是磨损之后的形状与平面平行修整之后的形状的偏差量。

在修整加工的过程中，仅仅小容积流量的冷却润滑剂（例如水）被添加至工作间隙，更确切地说一方面尽可能必要地被添加，以仅仅提供足够的冷却并支持修整体在工作层上的均匀滑动或摩擦（没有“黏滑”，没有振鸣），但是另一方面还尽可能少地被添加，以在修整体与工作层之间产生高摩擦，从而修整体释放足够多的磨料以造成去除效果。针对利用圆环形工作盘（其中所述圆环形工作盘的外径几乎为2000mm，具有恰好650mm的圆环宽度）PPG加工半导体晶片的设备的实例，在修整的过程中供至工作间隙的0.3至3l/min容积流速的水已经证明是最佳的。水流速的系统改变以及修整加工之前多孔修整体已经被“加水”（已经饱和水）的强度然后表明，由于在修整加工过程中增加添加的水，所以能够减少修整体在下工作层上的摩擦，相对于上工作层相应地减少自下工作层的材料去除。因为已经供应的水由于重力而在下工作层上聚集，所以明显地能够实现局部“浮动”（滑水效应）。

已知的是，通过修整体在工作层上引导的路径速度并且通过修整体与工作层之间的压力而确定修整效果。修整体移动的越快并且压力越大，则在修整过程中从工作层就有越多的材料去除。所期望的材料去除因而可以借助于高压的较短修整加工（具有较高的路径速度）或者借助于低压的相应较长修整加工（并且如果需要的话，较低的路径速度）来实现。已经发现，修整设备的固有重量在较低的修整压力情况中越来越重要。因此，对于减少的修整压力，在上工作层上施加的力比在下工作层上施加的力更大程度地减小。这种情况相应地能够应用于材料去除。因此，通过降低修整压力，可以将自上工作层的材料去除与自下工作层的材料去除相比更大程度地减少。

已经发现，通过附加地添加冷却润滑剂或者降低修整压力地进行修整，能够获得在宽极限内非对称的自两个工作层的材料去除，更确切地说以使得以目标化的方式更少的材料相对于上工作层从下工作层被去除（添加冷却润滑剂）或者以目标化的方式更多的材料相对于上工作层从下工作层被去除（压力降低）。取决于磨损的工作层的形状分布的测量结果，冷却润滑剂的添加以及修整压力还可以被精确地选择成，自两个工作层的材料去除是确切地相同。

能够通过附加添加冷却润滑剂（例如水）而获得的去除非对称性通过能够在下修整体与下工作层之间建立的水膜的厚度确定。水膜较厚的话，并且因而自下工作层的材料去除就较小，因此修整体的工作面积就较大。同样，自下工作层的材料去除较小的话，则上述岛以及下工作层的支承面积比（岛的面积与磨料垫的总面积之比）就越大。实际上，上工作层的去除速度与下工作层的去除速度的最大3：1之比通过添加冷却润滑剂而获得。

上工作层相对于下工作层的（能够通过利用修整设备的重力而获得的）非对称材料去除速度的实际极限仅仅通过这样一种最小承载力给出，其中上工作盘例如所述最小承载力被推压，以便克服在其万向安装件中的摩擦力并且因而总是稳固地承载在修整设备上。如果该力未被超过的话，则上工作盘摇摆或者“舞动”（局部离开），并且无法获得平坦的工作层。实际上能够获得上工作层的去除速度相对于工作层的去除速度的最大1：3之比。

在例如所提到的磨削设备的情况中，1与20kPa之间的压力证明是针对上和下工作层大致相同去除速度的修整的有利的压力范围；2与12kPa之间的压力是特别优选的。在例如所提到的磨削设备的情况中，针对自上和下工作层的大致相同的材料去除，供至工作间隙的冷却润滑剂的优选容积流速是在0.2与5l/min之间；0.5与2l/min之间的容积流速是特别优选的。在针对容积流速和压力的所提及的范围中，并不是所有组合是适合用于获得对称材料去除的。因而，在所规定的范围的上端处的冷却润滑剂容积流速必须被选择用于所指出优选范围的下端处的修整压力，并且反之亦然，从而已经出现的重力效应（修整设备的固有重量）与滑动效应（大量冷却润滑剂情况中的浮动）彼此相互补偿，并且反之亦然。

为了在所提到的磨削设备中在修整的过程中获得上工作层的与下工作层相比减少的材料去除速度，以至少4kPa的压力2与10l/min之间的冷却润滑剂容积流速已经证明是合适的，从而浮动效应不会再次由修整设备的固有重量效应抵消。因此，如果修整过程中所提到的加工设备内的压力例如低于4kPa的话（冷却润滑剂的容积流速低于4l/min），则能够获得下工作层的与上工作层相比增加的材料去除速度。

适于实现根据本发明的方法的如DE19937784A1所公开的磨削设备例如用于所有情况。工作盘的外径为1935mm，且圆环宽度为686mm。工作层被选择成稍微小于外径1903mm并且圆环宽度大致654mm的工作盘。借助于上工作盘的所应用的载荷建立修整压力。在修整加工的过程中，如针对本发明的第三方法的示意性实施例所述，四个修整设备被使用，因而在该情况中也导致了修整体暂时偏移超出圆环形工作层的外和内边缘10mm。

通过选择针对修整过程中压力和容积流速的上述范围，可以在大致0.3与3之间改变上工作层的材料去除速度与下工作层的材料去除速度之比。在该情况中，工作层具有粘结在其中的磨料（金刚石）的2至6μm的平均粒度，并且修整体的材料是多孔的高等级的刚玉砂（corundum pink），其具有大致5至15μm的粒度。

根据本发明的第五方法以及用于其的设备的说明

在根据本发明的第五方法中使用外齿相对于修整盘高度可调的修整设备。

根据现有技术，滚动设备、也就是说适于实现PPG方法的设备的内和外驱动环出于结构的原因并不是高度可调的，或者仅仅在小范围内是高度可调的。这是因为形成滚动设备的带有齿的环或销轮的刚性的、无间隙的和精确的引导的必要性。为了修整工具的外齿能够稳固地接合到滚动设备中，根据现有技术，所述修整工具必须是非常薄的，或者必须支承朝向一侧非对称地伸出的齿（“修整盆”）。这导致了在这种情况中修整的工作层的不足的平面度，这是因为修整工具能够变形。

此外，可以仅仅使用具有小高度的修整体，至少其与下工作层接合。因为这些修整体承受磨损，所以它们必须频繁地被更换或者甚至在磨损后整个修整设备必须被弃用。这导致了高消耗成本、经常长设定时间地改变修整状况并且不可再生的加工状况。承载修整体以及齿的修整盘能够被制造成足够厚，并且因而制造成有利地坚硬，只要仍旧确保磨削设备的内和外销轮的销的至少一部分接合到修整设备的齿的至少一部分中；此外，然而，缺点仍旧是，与下工作层接合的修整体必须是非常薄——具有针对磨削方法的经济可行性以及加工稳定性的所讨论的缺点。在修整工具被设置为非对称的“修整盆”的情况中，同样可以仅仅使用具有小厚度的修整体或者可以仅仅使用较厚的修整体的伸出超过齿的一小部分，也就是说，滚动设备的高度（销或齿高度）与修整工具的齿接合到滚动设备中的深度之差的其余部分。

图3示出了用于根据本发明的第五方法的修整设备的各种不同的实施例。为了所有基本元件能够看到，如图3所示的修整设备被颠倒地示出，也就说，图3的上部的修整体修整下工作层，并且下部的部分地隐藏的修整体修整上工作层。（适于实现根据本发明的方法的磨削设备的内和外销轮大体上安置在内周和外周上并且处于下工作盘的高度处，尽管具有增加的成本的且没有优点的布置结构同样原理上在上工作盘上也是可行的。）

图3A示出了环形修整盘9，修整体8在所述环形修整盘9上布置。（修整盘9还能够设置成圆形的形式，但是这出于重量的原因并不是优选的。）修整体8能够借助于粘合剂粘结、螺合的方式在修整盘9上固定——图3A示出了具有合适的孔20的修整体，其中所述合适的孔用于螺合或者在粘合剂粘结的情况中对中或者用于其它常规的方法。图3B示出了根据本发明的完整的修整设备，其中所述修整设备包括修整盘9、修整体8以及外齿10。外齿10与修整盘9分离。二者优选借助于齿中的相应的孔11a和修整盘中的相应的孔11b彼此相互螺合在一起。出于清楚的原因，并未示出连接螺钉。借助于不同长度的螺钉和隔离件（套筒），可以按照需要调整齿与修整盘之间的距离。如果修整体8在修整使用的过程中磨损并且降低高度，则螺合连接因而总是可以被重新调整，以使得修整体8仅仅分别伸出超过齿。因此，这种类型的修整设备还可以在具有滚动设备（其中，所述滚动设备不是高度可调的或者仅仅稍微高度可调）的磨削设备或者具有短销或齿的磨削设备的情况中被使用，并且根据本发明确保了外齿在修整体磨损的情况中从不与工作层接触。外齿优选由金属材料组成，并且更加优选地由钢或高等级钢组成，并且钢与在工作层内优选被用作为磨料的金刚石之间的接触因而得以避免。这是因为已知的是（DE102007049811A1），接触与具有铁金属的磨料造成金刚石变钝，由此，无法实现磨削方法或者仅仅利用显著增加的付出（频繁重新整形工作层）并且具有差结果（由于频繁中断以便进行重新整形而导致的加工不稳定性）地实现该方法。

图3C示出了一个优选实施例，其中，修整体8通过粘合剂粘结到或螺合到结合到修整盘9内的肩部12上。因此，外齿10能够下降到工作盘9中，从而其上边缘以实际上平齐的方式安坐。因此，修整体8能够完全用于其与修整盘粘合剂连接或螺合连接。图3C示出了具有大有效高度15的修整体8，并且图3D示出了几乎完全磨损（小的残留有效高度16）之后的并且带有齿的圆环10已经下降到工作盘9中的修整体。

本发明因而允许使用比较厚的修整体并且同时使用它们的整个厚度。因此，根据本发明的修整设备必须比根据现有技术明显更不经常地被更换或装配有新的修整体。

根据本发明第二至第五方法的优选实施例

适于实现根据本发明的第二至第五方法的修整体可以从磨削材料的不同的制造商处获得。出于磨削目的的现有技术中已知的硬物质例如（立方）氮化硼（CBN）、碳化硼（B₄C）、碳化硅（SiC，“金刚砂”）、氧化铝（Al₂O₃，“刚玉”）、氧化锆（ZrO₂）、二氧化硅（SiO₂，“石英”）、氧化铈（CeO₂）以及它们的混合物能够被使用。这些材料大体上——为了形成磨料体——被挤压、被烧结、被金属、玻璃或塑料粘结并且能够用作为用于实现根据本发明的修整体。除了颗粒类型和颗粒混合、颗粒尺寸与颗粒尺寸分布以外，这些磨料体的特征在于粘结类型和粘结强度、孔隙度、填充度等。本发明的第二至第五方法关键是当磨削体在压力的作用下并添加冷却润滑剂（例如水）地在工作层上移动时修整体内粘结的材料的目标化的释放。用作为修整体的磨料体的上述特性大体上并未由磨料制造商详细地给出，并且如果它们给出的话，则不同的磨料体之间的、尤其不同的制造商之间的可比性由于缺少给出这些参数被确定的精确的测量状况而经常是不可行的。具体地，关键性决定针对本发明重要的颗粒释放的粘结强度针对不同的制造商是不同的，并且由制造商自己的内部参数表示。

因此，实践中所采用的最佳的方案使得首先来自一个或多个制造商的各种不同的购买的传统磨料体作为修整体被检测适应性，在这种情况中，由制造商所提到的粒度和粘结强度最初仅仅被视为导向值。如果磨料体证明是太软的，则在制造商的内部术语表中被标为较硬的磨料体被使用。如果该磨料体证明是太硬的，则相应地使用较软的磨料体。如果自工作层的材料去除速度太高并且工作层恰在修整之后比在多次磨削应用之后具有明显更粗糙的表面，则在自整形均衡已经被建立时，根据来自制造商的信息选择更精细的磨料；在材料去除不足并且工作层上缺少整形效果的情况中，相应较粗糙的磨粒被选择。由于硬度、粒度等的宽范围的良好的可用性，所以这总是容易地并且通过少量实验而是可行的。例如，在仅仅四个来自仅仅一个制造商的不同磨料的实验之后，就发现了示意性实施例中所使用的修整体，由此，所述的经验性选择方法证明是有实用性的。

最初，任何通过其特性对另一种材料具有去除效应的修整工具释放材料，无论是期望的或是不期望的。然而，根据本发明，所述的方法精确地说以这样的程度实现，即在修整加工的过程中，所释放的磨粒的层位于修整体与工作层之间，该层的厚度平均是在平均尺寸的释放的磨粒的半个直径与十个直径之间。具体地，如果磨粒被释放的速度太低，则仅仅出现不合适的修整效果（太慢，不经济）。如果该速度太高以使得平均形成比十个平均磨粒直径更厚的层，则正如所述以极端平面平行的方式被事先修整的修整设备不再能够在工作层上具有足够的成形效应（基准平面度的“复制”），但实际上通过由松散的修整颗粒组成的厚的、非限定的膜被“模糊”，并且——由于自工作层的材料去除的明显高的能力——所以无法获得根据本发明平面平行的工作层形式。

不言而喻，特别有利的是将根据本发明的两个或多个方法组合。具体地，在根据本发明第三和第五方法中使用的修整设备的特征能够没有任何问题地相互组合。有利地，具有在第三或第五方法中所使用的修整设备的特征的修整设备同样在根据本发明的第二和第四方法中使用。特别优选地，具有在根据本发明第三和第五方法中使用的修整设备的特征的修整设备在根据本发明的第二和第四方法中使用。根据本发明的第二和第四方法还有利地能够组合。

Claims

1.一种用于借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，所述磨削设备的所有驱动器的旋转方向在所述修整过程中至少改变两次。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沿旋转方向的两次改变之间获得的自工作层的材料去除随着沿旋转方向的每次改变而减少。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在沿旋转方向的最后一次改变与修整结束之间自所述两个工作层中的每个工作层的材料去除是针对在所述工作层中粘结的磨粒的平均粒度的10％与100％之间实现的。

4.一种用于借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，所述修整体的与所述工作层接触的面积的至少80％位于所述修整盘上的圆环形区域内，所述圆环形区域的宽度是在所述修整盘的直径的1％与25％之间，并且所述修整体的与所述工作盘接触的面积占所述圆环形区域的总面积的20％至90％。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，至少一个修整体暂时地其面积的至少一部分延伸超过所述工作层的由在所述磨削设备内加工的工件所扫过的圆环形区域的内边缘，并且至少一个修整体暂时地其面积的至少一部分延伸超过所述工作层的由在所述磨削设备内加工的工件所扫过的圆环形区域的外边缘。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述圆环形区域的外边缘延伸超过所述工作层的由在所述磨削设备内加工的工件所扫过的圆环形区域的内边缘和外边缘。

7.一种用于借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，首先，所述两个工作层的径向形状分布被测量，并且由此针对所述两个工作层中的每个工作层确定重建平坦表面所需的最小材料去除量，借助于合适选择冷却润滑剂的流速以及修整过程中上工作盘压靠着下工作盘的压力而设定上工作层和下工作层的材料去除速度，以使得上工作层的材料去除速度与下工作层的材料去除速度之比等于上工作层的最小材料去除量与下工作层的最小材料去除量之比。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述冷却润滑剂的流速增加导致自所述下工作层相对于自所述上工作层的材料去除速度减小，并且反之亦然。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，修整过程中上工作盘压靠着下工作盘的压力的减小导致自所述上工作层相对于自所述下工作层的材料去除速度减小，并且反之亦然。

10.一种用于借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除，所述外齿相对于所述修整盘是高度能够调节的。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述修整盘设有切口，其中所述切口接收所述外齿，以使得所述修整体能够在所述外齿或所述修整盘的部件没有与所述工作层接合的情况下完全磨损。

12.根据权利要求1、2、4至8、10和11中任一所述的方法，其特征在于，所述工作层中的每个工作层是弹性的、能够借助于剥离运动自相应的工作盘被拆卸、并且包括至少以下三种层：

有效层，其中所述有效层背离所述工作盘，包含粘结磨料并具有超过一个磨粒层的有效厚度；

中央连续的支承层，该支承层支承所述有效层并且将所述有效层的所有元件相连以形成一连续的单元；以及

安装层，其中所述安装层朝向所述工作盘并在所述有效层的整个起作用寿命时期内与所述工作盘形成力锁定的或形状锁定的复合组合。