CN103707529A - 生产宽幅ptfe基材膜的数控定型收卷设备及制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备及制造方法。设备包括基座、支架、控制机柜、两个加热辊、冷却辊、裁切轴、上收卷轴、下收卷轴、多个导辊、加热控制器以及制冷机。本发明提供的用于生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备及制造方法生产的宽幅PTFE基材膜可用作与4G网络配套的电路板基材膜,与现有技术相比,利用加热辊和冷却辊对宽幅PTFE基材膜进行定型,可使原料中的高分子链沿轴向定向重排,不仅使生产的基材膜膜面平整平滑,边缘不卷曲,易于操作,从而可避免因卷曲问题无法使用而造成的大量浪费,同时可对基材膜进行裁切,因此可以降低工时,提高生产效率,以制冷机代替冷却水,节约水资源。
Description
技术领域
本发明属于机械设备技术领域,特别是涉及一种生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备及制造方法。
背景技术
目前常用的电路板基材膜多为具有较好性能的聚酰亚胺或聚酯薄膜。随着通讯技术的飞速发展,4G网络基站将遍布全国各地,其中收发设备使用的电路板基材膜不仅要求具有较高的附加值和电性能,而且还要求介电性能稳定,可承受高海拔、海边等气候环境,而且不易老化。聚四氟乙烯(PTFE)材料作为一种特种工程材料具有高附加值、耐气候性良好、介电性能稳定等优异特性,因此适宜制作与4G网络配套的电路板基材膜。但是,采用传统工艺制成的聚四氟乙烯薄膜极易卷曲,不能平铺使用,因此在生产过程中不易操作,结果造成严重的浪费。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的在于提供一种可提高膜面平整度,膜面平整不卷曲,介电性能稳定,耐候性良好,产品适宜为4G网络配套且在各类环境中均可使用的生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备及制造方法。
为了达到上述目的,本发明提供的生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备包括包括基座、支架、控制机柜、两个加热辊、冷却辊、裁切轴、上收卷轴、下收卷轴、多个导辊、加热控制器以及制冷机;其中基座设置在地面上;支架设置在基座的右侧边缘;控制机柜设置在基座的左侧部位,且与支架的长度相同,内部设有控制器,正面安装有触摸控制面板;上收卷轴、下收卷轴以相互平行的方式设置在位于基座右侧前端的控制机柜右侧面和支架之间,冷却辊、裁切轴和两个加热辊以及多个导辊以上下交错的方式设 置在位于上收卷轴、下收卷轴后侧的控制机柜右侧面和支架之间,并且与上收卷轴、下收卷轴平行且前后位置相互对应;制冷机和加热控制器分别设置在支架外侧的前后部,并且制冷机上的冷却控制装置与冷却辊相连,用于控制冷却辊的冷却温度,同时加热控制器与两个加热辊4相连,用于控制加热辊的加热温度。
所述的2个加热辊均为表面镀铬的钢辊,直径为30mm—80mm,这样可使其表面光滑且不易生锈,因此不会伤害薄膜表面。
所述的冷却辊为表面镀铬的钢辊,直径为35mm—100mm,这样可使其表面光滑且不易生锈,因此不会伤害薄膜表面。
本发明提供的数控定型收卷设备生产宽幅PTFE基材膜的制造方法是将聚四氟乙烯树脂压制成长度为800mm—1500mm的管状坯件,然后将上述坯件烧结后在其温度达到80—130℃时在旋切机上车削成0.02mm—0.5mm厚的宽幅薄膜,之后通过导辊牵引至本数控定型收卷设备的两个加热辊上进行加热定型,然后经过裁切轴裁切边缘,再经导辊牵引至冷却辊上冷却定型,最后收卷于上收卷轴或下收卷轴上,由此制成宽幅PTFE基材膜。
在宽幅薄膜加热定型时,所述的加热辊4的温度为100℃—180℃,在宽幅薄膜冷却定型时,所述的冷却辊5的温度为10℃—25℃,上收卷轴或下收卷轴的收卷张力为30N—120N。
本发明提供的用于生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备及制造方法生产的宽幅PTFE基材膜可用作与4G网络配套的电路板基材膜,与现有技术相比,利用加热辊和冷却辊对宽幅PTFE基材膜进行定型,可使原料中的高分子链沿轴向定向重排,不仅使生产的基材膜膜面平整平滑,边缘不卷曲,易于操作,从而可避免因卷曲问题无法使用而造成的大量浪费,同时可对基材膜进行裁切,因此可以降低工时,提高生产效率,以制冷机代替冷却水,节约水资源。
附图说明
图1为本发明提供的生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备结构侧视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明提供的生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备及制造方法进行详细说明。
如图1所示,本发明提供的生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备包括包括基座1、支架2、控制机柜3、两个加热辊4、冷却辊5、裁切轴6、上收卷轴7、下收卷轴8、多个导辊9、加热控制器10以及制冷机11;其中基座1设置在地面上;支架2设置在基座1的右侧边缘;控制机柜3设置在基座1的左侧部位,且与支架2的长度相同,内部设有控制器,正面安装有触摸控制面板12;上收卷轴7、下收卷轴8以相互平行的方式设置在位于基座1右侧前端的控制机柜3右侧面和支架2之间,冷却辊5、裁切轴6和两个加热辊4以及多个导辊9以上下交错的方式设置在位于上收卷轴7、下收卷轴8后侧的控制机柜3右侧面和支架2之间,并且与上收卷轴7、下收卷轴8平行且前后位置相互对应;制冷机11和加热控制器10分别设置在支架2外侧的前后部,并且制冷机11上的冷却控制装置与冷却辊5相连,用于控制冷却辊5的冷却温度,同时加热控制器10与两个加热辊4相连,用于控制加热辊4的加热温度。
所述的2个加热辊4均为表面镀铬的钢辊,直径为30mm—80mm,这样可使其表面光滑且不易生锈,因此不会伤害薄膜表面。
所述的冷却辊5为表面镀铬的钢辊,直径为35mm—100mm,这样可使其表面光滑且不易生锈,因此不会伤害薄膜表面。
实施例1:
本实施例提供的用于生产宽幅PTFE基材膜的制造方法包括按顺序进行的下列步骤:
1、首先将聚四氟乙烯树脂压制成长度为885mm的管状坯件;
2、将上述坯件进行烧结,经烧结后树脂膨胀,坯件长度可达到915mm;
3、然后将上述坯件烧结后在其温度达到130℃时在旋切机上车削成0.09mm厚的宽幅薄膜14;
4、启动上述用于生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备,然后通过导辊将上述薄膜14牵引至数控定型收卷设备的两个加热辊4上进行加热定型,加热辊4的加热温度为120℃,然后经过裁切轴6裁切边缘至宽度为900mm,再经导辊牵引至冷却辊5上冷却定型,冷却辊5的冷却温度为20℃,最后收卷于上收卷轴7上,收卷张力为60N,由此制成900mm宽的PTFE基材膜。
实施例2:
本实施例提供的用于生产宽幅PTFE基材膜的制造方法包括按顺序进行的下列步骤:
1、首先将聚四氟乙烯树脂压制成长度为1270mm的管状坯件;
2、将上述坯件进行烧结,经烧结后树脂膨胀,坯件长度可达到1300mm;
3、然后将上述坯件烧结后在其温度达到130℃时在旋切机上车削成0.11mm厚的宽幅薄膜14;
4、启动上述用于生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备,然后通过导辊将上述薄膜14牵引至数控定型收卷设备的两个加热辊4上进行加热定型,加热辊4的加热温度为130℃,然后经过裁切轴6裁切边缘至宽度为1270mm,再经导辊牵引至冷却辊5上冷却定型,冷却辊5的冷却温度为15℃,最后收卷于上收卷轴7上,收卷张力为70N,由此制成900mm宽的PTFE基材膜。
Claims (5)
1.一种生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备,其特征在于:其包括基座(1)、支架(2)、控制机柜(3)、两个加热辊(4)、冷却辊(5)、裁切轴(6)、上收卷轴(7)、下收卷轴(8)、多个导辊(9)、加热控制器(10)以及制冷机(11);其中基座(1)设置在地面上;支架(2)设置在基座(1)的右侧边缘;控制机柜(3)设置在基座(1)的左侧部位,且与支架(2)的长度相同,内部设有控制器,正面安装有触摸控制面板(12);上收卷轴(7)、下收卷轴(8)以相互平行的方式设置在位于基座(1)右侧前端的控制机柜(3)右侧面和支架(2)之间,冷却辊(5)、裁切轴(6)和两个加热辊(4)以及多个导辊(9)以上下交错的方式设置在位于上收卷轴(7)、下收卷轴(8)后侧的控制机柜(3)右侧面和支架(2)之间,并且与上收卷轴(7)、下收卷轴(8)平行且前后位置相互对应;制冷机(11)和加热控制器(10)分别设置在支架(2)外侧的前后部,并且制冷机(11)上的冷却控制装置与冷却辊(5)相连,用于控制冷却辊(5)的冷却温度,同时加热控制器(10)与两个加热辊4相连,用于控制加热辊(4)的加热温度。
2.根据权利要求1所述的生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备,其特征在于:所述的2个加热辊(4)均为表面镀铬的钢辊,直径为30mm—80mm。
3.根据权利要求1所述的生产宽幅PTFE基材膜的数控定型收卷设备,其特征在于:所述的冷却辊(5)为表面镀铬的钢辊,直径为35mm—100mm。
4.一种利用权利要求1所述的数控定型收卷设备生产宽幅PTFE基材膜的制造方法,其特征在于:该制造方法是将聚四氟乙烯树脂压制成长度为800mm—1500mm的管状坯件,然后将上述坯件烧结后在其温度达到80—130℃时在旋切机上车削成0.02mm—0.5mm厚的宽幅薄膜(14),之后通过导辊牵引至本数控定型收卷设备的两个加热辊(4)上进行加热定型,然后经过裁切轴(6)裁切边缘,再经导辊牵引至冷却辊(5)上冷却定型,最后收卷于上收卷轴(7)或下收卷轴(8)上,由此制成宽幅PTFE基材膜。
5.根据权利要求4所述的数控定型收卷设备生产宽幅PTFE基材膜的制造方法,其特征在于:在宽幅薄膜加热定型时,所述的加热辊(4)的温度为100℃—180℃,在宽幅薄膜冷却定型时,所述的冷却辊(5)的温度为10℃—25℃,上收卷轴(7)或下收卷轴(8)的收卷张力为30N—120N。
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