CN103676496A - 用于生成远紫外光的设备和包括该设备的曝光设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于生成EUV光的设备，所述设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元和引导单元。微滴供应单元可以供应可以由其生成EUV光的微滴。激光照射单元可以将激光照射到由微滴供应单元供应的微滴以生成EUV光。聚光单元可以使通过激光照射单元生成的EUV光聚集。引导单元可以将微滴引导到激光可以照射到的位置。引导单元可以具有用于将气体喷射到微滴供应单元与激光照射位置之间的空间以形成被构造成围绕微滴的气幕的至少一个气体喷射孔。

Description

用于生成远紫外光的设备和包括该设备的曝光设备
本申请要求于2012年9月17日在韩国知识产权局（KIPO）提交的第2012-102755号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思涉及一种用于生成远紫外光的设备、一种包括该设备的曝光设备和一种利用该曝光设备制造的电子装置。更具体地讲，本发明构思的示例实施例涉及一种利用激光生成远紫外光的设备、一种利用由该设备生成的紫外光使基底上的层曝光的设备以及一种利用该曝光设备制造的电子装置。
背景技术
由于已经大大减少了半导体装置的设计规则，所以也使曝光工艺中使用的光的波长缩短。利用诸如以I线、G线、KrF或ArF等为例的光源形成宽度微小的期望的图案可能存在困难。因此，在曝光工艺中可以使用具有短波长的远紫外（EUV）光。
可以利用用于生成EUV光的设备来生成EUV光。用于生成EUV光的设备可以分为放电产生等离子体（DPP）型设备或激光产生等离子体（LPP）型设备。
DPP型设备可以由通过将高电压施加于微滴形成的高密度等离子体来生成EUV光。LPP型设备可以由通过将激光照射到微滴上形成的高密度等离子体来生成EUV光。
发明内容
本发明构思的示例实施例提供了一种能够防止微滴晃动使得激光可以精确地照射到微滴的用于生成EUV光的设备。另外，本发明构思的示例实施例提供了一种能够防止对聚光单元的污染的用于生成EUV光的设备。
本发明构思的示例实施例还提供了一种利用通过所述用于生成EUV光的设备生成的EUV光执行曝光工艺的曝光设备。
本发明构思的示例实施例还提供了利用所述曝光设备制造的电子装置。
根据本发明构思的一方面，提供了一种用于生成EUV光的设备。所述用于生成EUV光的设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元和引导单元。微滴供应单元可以供应可以由其生成EUV光的微滴。激光照射单元可以将激光照射到由微滴供应单元供应的微滴以生成EUV光。聚光单元可以使通过激光照射单元生成的EUV光聚集。引导单元可以将微滴引导到激光可以照射到的位置。引导单元可以具有至少一个用于将气体喷射到微滴供应单元与激光照射位置之间的空间以形成围绕微滴的气幕的气体喷射孔。
在一些实施例中，引导单元可以具有微滴可以穿过的通道。
在一些实施例中，气体喷射孔可以沿着引导单元，使得通道可以被气幕围绕。
在一些实施例中，气体喷射孔可以包括多个彼此分隔开均匀间隔的孔。
在一些实施例中，气体喷射孔可以包括沿引导单元的长度方向延伸的单个孔。
在一些实施例中，引导单元可以具有被构造成完全围绕通道的形状。
在一些实施例中，引导单元可以具有矩形框横截面形状和环形横截面形状中的一种。
在一些实施例中，引导单元可以具有被构造成部分围绕通道以暴露通道的可以与聚光单元相对的部分的形状。
在一些实施例中，用于生成EUV光的设备还可以包括用于将气体从聚光单元喷射到微滴以防止由微滴产生的微粒粘附到聚光单元的气体喷射单元。
在一些实施例中，从气体喷射单元喷射的气体的压强可以比从气体喷射孔喷射的气体的压强低。
在一些实施例中，引导单元和微滴供应单元可以布置成彼此基本平行。微滴供应单元和激光照射单元可以布置成彼此基本垂直。
在一些实施例中，聚光单元可以位于激光照射单元与激光照射的位置之间。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种用于生成EUV光的设备。所述用于生成EUV光的设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元、气体喷射单元和引导单元。微滴供应单元可以沿第一方向供应可以由其生成EUV光的微滴。激光照射单元可以将激光沿与第一方向基本垂直的第二方向照射到由微滴供应单元供应的微滴，以生成EUV光。聚光单元可以位于激光照射单元与激光可以照射到的位置之间，以使通过激光照射单元生成的EUV光聚集。气体喷射单元可以将第一气体沿第二方向从聚光单元喷射到微滴，以防止由微滴产生的微粒粘附到聚光单元。引导单元可以具有：通道，用于将微滴引导至激光照射位置；至少一个气体喷射孔，布置成围绕通道以沿第一方向喷射第二气体，从而形成可以被构造成阻挡第一气体使微滴流动的气幕。
在一些实施例中，引导单元可以具有被构造成完全围绕通道的形状。
在一些实施例中，引导单元可以具有被构造成部分围绕通道以暴露通道的可以与聚光单元相对的部分的形状。
在一些实施例中，第一气体的压强可以比第二气体的压强低。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种曝光设备。所述曝光设备可以包括用于生成EUV光的设备、照明光学单元和投影光学单元。用于生成EUV光的设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元和引导单元。微滴供应单元可以供应可以由其生成EUV光的微滴。激光照射单元可以将激光照射到由微滴供应单元供应的微滴，以生成EUV光。聚光单元可以使通过激光照射单元生成的EUV光聚集。引导单元可以将微滴引导到激光可以照射到的位置。引导单元可以具有至少一个用于将气体喷射到微滴供应单元与激光照射位置之间的空间的气体喷射孔，以形成阻挡第一气体使微滴流动的气幕。照明光学单元可以将由用于生成EUV光的设备生成的EUV光投影到罩。投影光学单元可以将被罩反射的EUV光投影到基底。
在一些实施例中，曝光设备还可以包括布置在照明光学单元上方以支撑罩的罩台。
在一些实施例中，曝光设备还可以包括布置在照明光学单元下方以支撑基底的基底台。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种曝光设备。所述曝光设备可以包括用于生成EUV光的设备、照明光学单元和投影光学单元。用于生成EUV光的设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元、气体喷射单元和引导单元。微滴供应单元可以沿第一方向供应可以由其生成EUV光的微滴。激光照射单元可以将激光沿与第一方向基本垂直的第二方向照射到由微滴供应单元供应的微滴，以生成EUV光。聚光单元可以位于激光照射单元与激光可以照射到的位置之间，以使通过激光照射单元生成的EUV光聚集。气体喷射单元可以使第一气体沿第二方向从聚光单元喷射到微滴，以防止由微滴产生的微粒粘附到聚光单元。引导单元可以具有：通道，用于将微滴引导至激光照射位置；至少一个气体喷射孔，布置成围绕通道并且用于沿第一方向喷射第二气体，以形成可以被构造成阻挡第一气体使微滴流动的气幕。照明光学单元可以将由用于生成EUV光的设备生成的EUV光投影到罩。投影光学单元可以将被罩反射的EUV光投影到基底。
在一些实施例中，曝光设备还可以包括布置在照明光学单元上方以支撑罩的罩台。
在一些实施例中，曝光设备还可以包括布置在照明光学单元下方以支撑基底的基底台。
根据本发明构思的另一方面，提供了电子装置。电子装置可以利用所述曝光设备的任何一种来制造。
在一些实施例中，电子装置可以包括半导体装置和显示装置中的一种。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种用于生成远紫外（EUV）光的设备。所述用于生成EUV光的设备可以包括：微滴供应单元，用于沿第一方向供应微滴；激光照射单元，使激光沿第二方向照射到微滴以生成EUV光；聚光单元，使EUV光聚集；引导单元，具有通道和至少一个气体喷射孔。引导单元中的通道将微滴引导到激光照射的位置，气体喷射孔至少部分地围绕通道以沿第一方向喷射气体从而形成围绕微滴的气幕。
在一些实施例中，第二方向与第一方向基本垂直。
在一些实施例中，气体喷射孔具有多个彼此分隔开均匀间隔的孔。
在一些实施例中，气体喷射孔具有沿引导单元的长度方向延伸的单个孔。
在一些实施例中，用于生成EUV光的设备还包括：气体喷射单元，用于将气体从聚光单元喷射到微滴，以防止由微滴产生的微粒粘附到聚光单元。
根据本发明构思的一些示例实施例，从引导单元的气体喷射孔喷射的气体可以形成被构造成围绕微滴的流动的气幕。因此，可以将微滴精确地引导到激光照射位置。此外，气幕可以阻挡由微滴产生的微粒的移动，从而聚光单元可以不被微粒污染。特别地，由于从气体喷射单元喷射的气体不进入到气幕中，所以不会产生引起微滴晃动的扰动。因此，从气体喷射单元喷射的气体可以仅防止微粒朝着聚光单元移动而不产生扰动。
附图说明
如附图中所示，发明构思的前述和其它特征和优点将通过发明构思的实施例的更加具体的描述而清楚，在附图中贯穿不同的视图同样的参考标号表示相同的部件。附图不必是按比例绘制的，而重点在于示出发明构思的原理。
图1是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的剖视图。
图2是示出图1的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
图3是示出图2的用于生成EUV光的设备的引导单元的底视图。
图4是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
图5是示出图4的用于生成EUV光的设备的引导单元的底视图。
图6是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
图7是示出图6的用于生成EUV光的设备的引导单元的底视图。
图8是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
图9是示出图8的用于生成EUV光的设备的引导单元的底视图。
图10是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
图11是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
图12是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
图13是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
图14是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的剖视图。
图15是示出包括图1的用于生成EUV光的设备的曝光设备的平面图。
图16是示出包括图14的用于生成EUV光的设备的曝光设备的平面图。
具体实施方式
在下文中将参照附图来更充分地描述各种示例实施例，在附图中，示出了一些实施例。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限制于这里阐述的示例实施例。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间的元件或层。同样的标号始终表示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任意和所有组合。
将理解的是，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来，因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分在不脱离本发明构思的教导的情况下可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
可以出于描述性的目的来在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、和“上面的”等空间相对术语，以描述如附图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意在包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果将附图中的装置翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包含“在……上方”和“在……下方”两种方位。此外，该装置可被另外定位（例如，旋转90度或在其它方位）并相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语仅出于描述具体示例实施例的目的，并不意图限制本发明构思。除非上下文另外明确指出，否则如这里所使用的单数术语“一个（种）”、“该（所述）”也意图包括复数形式。进一步将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在这里参照作为理想化的示例实施例（和中间结构）的示意图的剖视图来描述多个示例实施例。这样，预计将出现例如由制造技术和/或公差引起的示出的形状的变化。因此，示例实施例不应被理解为局限于这里示出的区域的特定形状，而是将包括例如由制造所造成的形状上的偏差。例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘具有圆形或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的埋置区域可导致在埋置区域和通过其发生注入的表面之间的区域中出现一定程度的注入。因而，附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图对本发明构思的范围进行限制。
在下文中，将参照附图详细地解释示例实施例。
用于生成EUV光的LPP型设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元、引导单元和气体喷射单元。微滴供应单元可以供应诸如锡（Sn）的微滴。激光照射单元可以向微滴照射激光以产生EUV光。聚光单元可以将生成的EUV光集中在预定的位置上。引导单元可以将微滴引导到激光照射处。气体喷射单元可以向微滴喷射气体，以防止由微滴产生的微粒被粘附到聚光单元。
气体喷射单元可以向位于激光照射位置处的微滴喷射气体。喷射的气体可能会对该气体可喷射到的微滴的位置有影响。为了抑制喷射的气体对微滴的位置的影响，引导单元的长度可以很长。长的引导单元可以阻挡朝着微滴喷射的气体。然而，喷射的气体可能不能充分防止由微滴产生的微粒朝着聚光单元移动。
当引导单元的长度短时，可以向微滴喷射足够量的气体，从而可以抑制微粒朝着聚光单元移动。然而，大量的气体可能导致扰动，并且因此可能使微滴晃动。由于激光可能不能精确地照射到晃动的微滴，因此可能生成不了期望量的EUV光。
用于生成EUV光的设备
图1是示出根据示例实施例的用于生成EUV光的设备的剖视图，图2是示出图1的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图，图3是示出图2的引导单元的底视图。
参照图1，图1的根据示例实施例的用于生成EUV光的设备100可以包括室110、微滴供应单元120、激光照射单元130、聚光单元140和引导单元150。
室110可具有在其内可以生成EUV光的内部空间。在一些示例实施例中，EUV光可以由通过向微滴照射激光形成的具有高温度的等离子体生成。因此，室110可以包括不会被具有高温度的等离子体损坏的材料。
微滴供应单元120可以布置在室110的上表面。微滴供应单元120可以沿第一方向将微滴逐一地供应到室110的内部空间。在一些示例实施例中，第一方向可以对应于竖直向下方向。因此，可以将微滴从微滴供应单元沿竖直向下方向供应到室110的内部空间。微滴可以包括例如锡（Sn）或锡化物等。
激光照射单元130可以布置在室110的左侧表面处。激光照射单元130可以将激光沿与第一方向基本垂直的第二方向照射到室110的内部空间。在一些示例实施例中，第二方向可以对应于水平向右方向。因此，激光照射单元130可以布置成基本垂直于微滴供应单元120。激光可以包括二氧化碳激光。
为了将激光沿第二方向精确地照射到可以沿第一方向移动的微滴，激光控制单元132可以控制激光照射单元130的位置。在一些示例实施例中，激光控制单元132可以使激光照射单元130沿X轴方向、Y轴方向和/或Z轴方向微小地移动。
在激光可以沿与第二方向对应的水平线照射以及微滴可以位于与第一方向对应的竖直线上的条件下，可以将激光精确地照射到微滴。从激光照射单元130照射的激光可以具有径直向前性（straightforwardness），从而激光照射单元130可以沿水平线精确地照射激光。相反，尽管可以将微滴供应单元120精确地定位在竖直线上，但是如上所述，进入到室110的内部空间中的微滴可能会因外部环境而微小地移动。当微滴可能略微偏移竖直线时，激光则可能不能精确地照射到已偏移的微滴。
聚光单元140可以使通过将激光照射到微滴生成的EUV光集中。在一些示例实施例中，聚光单元140可以包括聚光镜142和集光构件144。聚光镜142可以布置在激光照射单元130与激光可照射的位置之间的室110的内部空间中。聚光镜142可以使EUV光朝着室110的右侧表面反射。集光构件144可以布置在室110的右侧表面处。集光构件144可以在室110的外部。尽管本发明构思被描述为右侧和左侧，但是本发明构思不限于此。从聚光镜142反射的EUV光可以被聚集在集光构件144处。
为了使EUV光从聚光镜142朝着光聚集镜144精确地反射，镜控制单元146可以控制聚光镜142的位置。镜控制单元146可以控制聚光镜142的反射角以使从聚光镜142反射的EUV光聚焦于集光构件144上。
引导单元150可以将由微滴供应单元120供应的微滴引导到激光照射位置。引导单元150可以与用于生成EUV光的设备100的气体覆盖物对应。引导单元150可以布置在微滴供应单元120的通过其可以排出微滴的下端。可以沿第一方向布置引导单元150。引导单元150可以与微滴供应单元120基本平行。
参照图2和图3，引导单元150可以为长方体形状。引导单元150可以具有沿引导单元150的长度方向（即，竖直方向）形成在引导单元150中的通道152。引导单元150可以为矩形框形状。
通道152可以与微滴供应单元120的下端流体连通。因此，可以将由微滴供应单元120供应的微滴沿引导单元150的通道152引导到激光照射位置。穿过引导单元150的通道152的微滴可以位于通道152下方的空间中。特别地，通道152下方的空间可以被从引导单元150向下延伸的虚拟的引导单元围绕。因此，由于微滴可以在通道152下方的空间中沿竖直线移动，因此，从激光照射单元130发出的激光可以精确地照射到微滴。
引导单元150可以具有气体喷射孔154。气体可以从气体喷射孔154喷射，从而形成气幕。在一些示例实施例中，气体可以包括诸如氢气或氮气等的非活性气体。气幕可以被构造成围绕从微滴供应单元120排出的微滴。因此，气幕可以阻挡排出的微滴受外部环境的影响。因此，由从气体喷射孔154喷射的气体形成的气幕可以抑制排出的微滴的微小晃动。
在一些示例实施例中，气体喷射孔154可以布置成沿着引导单元150分开微小间隔。气体喷射孔154可以彼此分隔开均匀的间隔。由于引导单元150可具有矩形框横截面，因此可由从气体喷射孔154喷射的气体形成的气幕也可以具有矩形框横截面。不会从引导单元150的位于气体喷射孔154之间的部分喷射气体。因此，气幕可以具有竖直裂缝。即，气幕沿水平方向不会是持续的闭环形状。然而，由于可以微小地布置气体喷射孔154，因此竖直裂缝的宽度会非常窄。因此，具有竖直裂缝的气幕可以基本阻挡排出的微滴受外部环境的影响。
此外，微滴捕捉器160可以布置在室110的下表面处。微滴捕捉器160可以持续地捕捉穿过激光照射位置的微滴。
另外，为了检测激光对微滴的精确照射，可以在室110中布置用于对激光照射位置进行拍摄的照相机170。
图4是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图，图5是示出图4的引导单元的底视图。
参照图4和图5，图4和图5的示例实施例的引导单元150a可以具有长方体通道152a和单个气体喷射孔154a。
在一些示例实施例中，气体喷射孔154a可以具有持续地连接的矩形框形状。即，气体喷射孔154a可以是围绕通道152a并且与通道152a分隔开的矩形环。气体喷射孔154a可以位于引导单元150a和通道152a的外边缘之间。因此，从具有矩形框形状的气体喷射孔154a喷射的气体可以形成具有矩形框形状的气幕。由于具有矩形框形状的气幕没有断开的部分，因此气幕可以完全阻挡排出的微滴受外部环境的影响。
图6是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图，图7是示出图6的引导单元的底视图。
参照图6和图7，图6和图7的示例实施例的引导单元150b可以具有圆柱形形状。因此，引导单元150b可以具有圆柱形通道152b。气体喷射孔154b可以呈环形地布置在圆柱形引导单元150b处。气体喷射孔154b可以沿引导单元150b布置成分开微小的间隔。气体喷射孔154b可以彼此分隔开均匀的间隔。因此，从引导单元150b上的沿圆周方向的环形的气体喷射孔154b喷射的气体可以形成圆柱形的气幕。
不会从引导单元150b的位于气体喷射孔154b之间的部分喷射气体。因此，气幕会具有竖直缝隙。即，气幕沿水平方向不会是持续的闭环形状。然而，由于可以微小地布置气体喷射孔154b，因此竖直裂缝的宽度会非常窄。因此，具有竖直裂缝的气幕可以基本阻挡排出的微滴受外部环境的影响。
图8是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图，图9是示出图8的引导单元的底视图。
参照图8和图9，图8和图9的示例实施例的引导单元150c可以具有圆柱形通道152c和单个气体喷射孔154c。
在一些示例实施例中，气体喷射孔154c可以具有持续连接的环形形状。即，气体喷射孔154c可以是围绕通道152c并且与通道152c分隔开的圆环。气体喷射孔154c可以位于引导单元150c和通道152c的外边缘之间。因此，从环形气体喷射孔154c喷射的气体可以形成具有圆柱形气幕。由于圆柱形气幕没有断开的部分，因此圆柱形气幕可以完全阻挡排出的微滴受外部环境的影响。
图10是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
参照图10，图10的示例实施例的引导单元150d的形状除了引导单元150d没有右侧表面以外，可以与图2中的引导单元150的形状基本相同。
因此，引导单元150d可以具有
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形状，即，具有右部开口的侧向U形形状。由于气体喷射孔154d还可以具有形状，所以从气体喷射孔154d喷射的气体可以形成具有形状的气幕。因此，图10的示例实施例的引导单元150d可以具有右部开口的矩形框横截面。气体喷射孔154d可以沿引导单元150d布置成分开微小的间隔。气体喷射孔154d可以彼此分隔开均匀的间隔。因此，由从气体喷射孔154d喷射的气体形成的气幕可以具有右部开口的矩形框横截面。不会从引导单元150d的位于气体喷射孔154d之间的部分喷射气体。因此，气幕会具有竖直缝隙。然而，由于可以微小地布置气体喷射孔154d，因此竖直裂缝的宽度会非常窄。因此，具有竖直裂缝的气幕可以基本阻挡排出的微滴受外部环境的影响。
在一些实施例中，引导单元150d的左侧表面可以朝向聚光镜142定位。由微滴产生的微粒可以主要粘附到聚光镜142。因此，引导单元150d可以设置有左侧表面。
引导单元150d的开口的右侧表面可以朝向集光构件144定位。在一些示例实施例中，为了得到期望量的EUV光，会需要通过聚光镜142将EUV光精确到聚集在集光构件144上以及将激光精确地照射到微滴。因此，会需要将集光构件144定位在聚光镜142的焦点位置处。
根据聚光镜142的反射角可以确定光聚集镜142的焦点位置。另外，根据从聚光镜142反射的EUV光的反射角也可以确定焦点位置。具体地讲，EUV光的精确反射角可以与EUV光的反射次数成反比。因此，为了减少EUV光的反射次数，会需要减小聚光镜142和集光构件144之间的不同材料的界面。
图10的示例实施例的引导单元150d不会具有右侧表面，因此气幕也不会具有右侧表面。因此，室110中不会存在气幕的界面。因此，可以相对地减少EUV光的反射次数，集光构件144可以被精确地定位聚光镜142的焦点位置。
图11是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
参照图11，图11的示例实施例的引导单元150e的形状除了气体喷射孔的形状以外，可以与图10中的引导单元150d的形状基本相同。
图11的示例实施例的气体喷射孔154e可以具有持续连接的形状，即，具有右部开口的侧向U形形状。由从气体喷射孔154e喷射的气体形成的气幕可以完全阻挡排出的微滴受外部环境的影响。
图12是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
参照图12，图12的示例实施例的引导单元150f的形状除了引导单元150f没有右侧部分以外，可以与图6的引导单元150b的形状基本相同。
因此，图12的示例实施例的引导单元150f可以呈具有开口的右部的环形形状。气体喷射孔154f可以沿引导单元150f布置成分开微小的间隔。气体喷射孔154f可以彼此分隔开均匀的间隔。因此，由从气体喷射孔154f喷射的气体形成的气幕可以呈具有开口的右部的圆柱形形状。不会从引导单元150f的位于气体喷射孔154f之间的部分喷射气体。因此，气幕会具有竖直缝隙。然而，由于可以微小地布置气体喷射孔154f，因此竖直裂缝的宽度会非常窄。因此，具有竖直裂缝的气幕可以基本阻挡排出的微滴受外部环境的影响。
气幕的功能可以与图10中的气幕的功能基本相同。
图13是示出根据本发明构思的示例实施例的用于生成EUV光的设备的引导单元的放大的透视图。
参照图13，图13的示例实施例的引导单元150g的形状除了气体喷射孔的形状以外，可以与图12中的引导单元150f的形状基本相同。
该示例实施例的气体喷射孔154g可以呈具有开口的右部的持续连接的环形形状。因此，由从气体喷射孔154g喷射的气体形成的气幕可以完全阻挡排出的微滴受聚光镜142的影响。
图14是示出根据示例实施例的用于生成EUV光的设备100h的剖视图。
图14的用于生成示例实施例的EUV光的设备100h除了还包括气体喷射单元180以外，可以包括与图1的用于生成EUV光的设备100的元件基本相同的元件。因此，相同的参考标号可以表示相同的元件，并且为了简洁起见，这里可以省略与相同的元件相关的任何进一步的说明。
参照图14，图14的示例实施例的用于生成EUV光的设备100h还可以包括气体喷射单元180。气体喷射单元180可以将第一气体喷射到激光照射位置，以防止聚光镜142被由微滴产生的微粒污染。因此，气体喷射单元180可以布置在室110的左侧表面处，以将第一气体从聚光镜142喷射到集光构件144，即，沿第二方向喷射第一气体。
在一些示例实施例中，可由从引导单元150喷射的第二气体形成的气幕可以抑制微粒朝着聚光镜142移动。然而，仅利用气幕可能不能完全防止微粒朝着聚光镜142移动。为了防止非常微小量的微粒被粘附到聚光镜142，气体喷射单元180可以沿着第二方向喷射第一气体。第一气体可以包括诸如氢气或氮气等的非活性气体。单个容器中的非活性气体可以供应到引导单元150和气体喷射单元180。可选择地，两个单独容器中的非活性气体可以分别供应到引导单元150和气体喷射单元180。
在一些示例实施例中，当从气体喷射单元180喷射的第一气体进入到气幕中时，在气幕中可能形成扰动。扰动可能使气幕中的微滴晃动。如上所述，因此，激光可能不能精确地照射到晃动的微滴。因此，会需要防止第一气体进入到气幕中。
为了防止第一气体进入到气幕中，第一气体的压强可以比第二气体的压强低。即，从气体喷射单元180喷射的第一气体的压强可以低于从引导单元150喷射的第二气体的压强。因此，第一气体不会进入到气幕中，从而可以抑制在气幕中产生扰动。
在一些示例实施例中，用于生成EUV光的设备100h可以包括图2中的引导单元150。可选择地，用于生成EUV光的设备100h可以包括图4中的引导单元150a、图6中的引导单元150b、图8中的引导单元150c、图10中的引导单元150d、图11中的引导单元150e、图12中的引导单元150f和图13中的引导单元150g中的任何一种。
图15是示出包括图1的用于生成EUV光的设备100的曝光设备的平面图。
参照图15，图15的示例实施例的曝光设备200可以包括用于生成EUV光的设备100、照明光学单元210和投影光学单元220。
在一些示例实施例中，用于生成EUV光的设备100可以包括与图1的用于生成EUV光的设备100的元件基本相同的元件。因此，相同的参考标号可以表示相同的元件，并且为了简洁起见，这里可以省略与相同的元件相关的任何进一步的说明。
用于生成EUV光的设备100可以包括图2中的引导单元150、图4中的引导单元150a、图6中的引导单元150b、图8中的引导单元150c、图10中的引导单元150d、图11中的引导单元150e、图12中的引导单元150f和图13中的引导单元150g中的任何一种。
照明光学单元210可以布置在用于生成EUV光的设备100的侧面处。照明光学单元210可以将从用于生成EUV光的设备100生成的EUV光投影到罩M。罩M可以位于照明光学单元210上方的罩台230上。
投影光学单元220可以布置在照明光学单元210的下方。投影光学单元220可以将被罩M反射的EUV光投影到基底S。基底S可以位于投影光学单元220下方的基底台240上。
图16是示出包括图14的用于生成EUV光的设备100h的曝光设备的平面图。
曝光设备200a可以包括与图15中的曝光设备200的元件基本相同的元件。因此，相同的参考标号可以表示相同的元件，并且为了简洁起见，这里可以省略与相同的元件相关的任何进一步的说明。
参照图16，图16的示例实施例的曝光设备200a可以包括用于生成EUV光的设备100h、照明光学单元210和投影光学单元220。
在示例实施例中，用于生成EUV光的设备100h可以包括与图14中的用于生成EUV光的设备100h的元件基本相同的元件。因此，相同的参考标号可以表示相同的元件，并且为了简洁起见，这里可以省略与相同的元件相关的任何进一步的说明。
用于生成EUV光的设备100h可以包括图2中的引导单元150、图4中的引导单元150a、图6中的引导单元150b、图8中的引导单元150c、图10中的引导单元150d、图11中的引导单元150e、图12中的引导单元150f和图13中的引导单元150g中的任何一种。
另外，在其它曝光设备可以包括示例实施例的用于生成EUV光的设备的情况下，在如权利要求所限定的本发明构思的范围内可以包括其它具有与曝光设备200和200a的结构不同的结构的曝光设备。
半导体装置
利用图15中的曝光设备200制造的半导体装置可以包括在如权利要求中所限定的本发明构思的范围内。当通过利用如上所述的示例实施例中的用于生成EUV光的设备中的任何一种设备生成EUV光、利用曝光设备200和所述EUV光形成光致抗蚀剂图案并且利用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模形成图案来制造半导体装置时，半导体装置可以被包括在本发明构思的范围内。
另外，利用图16中的曝光设备200a制造的半导体装置可以被包括在如权利要求中所限定的本发明构思的范围内。当通过利用如上所述的示例实施例中的用于生成EUV光的设备中的任何一种设备生成EUV光、利用曝光设备200a和所述EUV光形成光致抗蚀剂图案并且利用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模形成图案来制造半导体装置时，半导体装置可以被包括在本发明构思的范围内。
例如，半导体装置可以包括易失性存储装置或非易失性存储装置等。另外，可以利用包括上面描述的示例实施例中的用于生成EUV光的设备的曝光设备制造的诸如显示装置的其它电子装置也可以被包括在本发明构思的范围内。显示装置可以包括液晶显示（LCD）装置、等离子体显示装置或有机发光显示（OLED）装置等。
根据一些示例实施例，从引导单元的气体喷射孔喷射的气体可以形成被构造成围绕微滴的流动的气幕。因此，可以将微滴精确地引导到激光照射位置。另外，气幕可以阻挡由微滴产生的微粒的移动，从而聚光单元不会被移动的微粒污染。特别地，由于从气体喷射单元喷射的气体不会进入到气幕中，因此不会产生引起微滴晃动的扰动。因此，从气体喷射单元喷射的气体可以仅有防止微粒朝着聚光单元移动的作用。
尽管已经参照本发明构思的示例实施例具体地示出并描述了本发明构思，但是将理解的是，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节上的各种改变。

Claims (27)

1.一种用于生成远紫外光的设备，所述设备包括：
微滴供应单元，供应由其生成远紫外光的微滴；
激光照射单元，将激光照射到由微滴供应单元供应的微滴以生成远紫外光；
聚光单元，使通过激光照射单元生成的远紫外光聚集；
引导单元，将微滴引导到激光照射的位置，引导单元具有将气体喷射到微滴供应单元和激光照射单元之间的空间以形成围绕微滴的气幕的至少一个气体喷射孔。
2.如权利要求1所述的设备，其中，引导单元具有微滴穿过的通道。
3.如权利要求2所述的设备，其中，气体喷射孔沿着引导单元，使得气幕围绕通道。
4.如权利要求3所述的设备，其中，气体喷射孔具有多个彼此分隔开均匀间隔的孔。
5.如权利要求3所述的设备，其中，气体喷射孔具有沿引导单元的长度方向延伸的单个孔。
6.如权利要求2所述的设备，其中，引导单元具有被构造成完全围绕通道的形状。
7.如权利要求6所述的设备，其中，引导单元具有矩形框横截面形状和环形横截面形状中的一种。
8.如权利要求2所述的设备，其中，引导单元具有被构造成部分围绕通道以暴露通道的与聚光单元相对的部分的形状。
9.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括用于将气体从聚光单元喷射到微滴以防止由微滴产生的微粒粘附到聚光单元的气体喷射单元。
10.如权利要求9所述的设备，其中，从气体喷射单元喷射的气体的压强比从气体喷射孔喷射的气体的压强低。
11.如权利要求1所述的设备，其中，引导单元和微滴供应单元基本彼此平行，微滴供应单元和激光照射单元基本彼此垂直。
12.如权利要求11所述的设备，其中，聚光单元布置在激光照射单元与激光照射的位置之间。
13.一种用于生成远紫外光的设备，所述设备包括：
微滴供应单元，沿第一方向供应微滴；
激光照射单元，将激光沿与第一方向基本垂直的第二方向照射到微滴，以生成远紫外光；
聚光单元，位于激光照射单元与激光照射的位置之间，以使远紫外光聚集；
气体喷射单元，将第一气体从聚光单元沿第二方向喷射，以防止由微滴产生的微粒粘附到聚光单元；以及
引导单元，具有通道和至少一个气体喷射孔，引导单元中的通道将微滴引导至激光照射位置，气体喷射孔布置成围绕通道以沿第一方向喷射第二气体，从而形成阻挡第一气体使微滴流动的气幕。
14.如权利要求13所述的设备，其中，引导单元具有被构造成完全围绕通道的形状。
15.如权利要求13所述的设备，其中，引导单元具有被构造成部分围绕通道以暴露通道的与聚光单元相对的部分的形状。
16.如权利要求13所述的设备，其中，第一气体的压强比第二气体的压强低。
17.一种曝光设备，所述曝光设备包括：
用于生成远紫外光的设备；
照明光学单元，将远紫外光投影到罩；以及
投影光学单元，将被罩反射的远紫外光投影到基底，
其中，生成远紫外光的设备包括：微滴供应单元，供应微滴；激光照射单元，将激光照射到微滴，以生成远紫外光；聚光单元，使远紫外光聚集；以及引导单元，将微滴引导到激光照射的位置，引导单元具有用于喷射气体以形成被构造成阻挡外部环境使微滴流动的气幕的至少一个气体喷射孔。
18.如权利要求17所述的曝光设备，所述曝光设备还包括布置在照明光学单元上方以支撑罩的罩台。
19.如权利要求17所述的曝光设备，所述曝光设备还包括布置在照明光学单元下方以支撑基底的基底台。
20.一种曝光设备，所述曝光设备包括：
用于生成远紫外光的设备；
照明光学单元，将远紫外光投影到罩；以及
投影光学单元，将被罩反射的远紫外光投影到基底，
其中，生成远紫外光的设备包括：微滴供应单元，沿第一方向供应微滴；激光照射单元，将激光沿与第一方向基本垂直的第二方向照射到微滴，以生成远紫外光；聚光单元，位于激光照射单元与激光照射的位置之间，以使远紫外光聚集；气体喷射单元，使第一气体从聚光单元沿第二方向喷射，以防止由微滴产生的微粒粘附到聚光单元；以及引导单元，具有通道和至少一个气体喷射孔，引导单元中的通道将微滴引导至激光照射位置，气体喷射孔布置成围绕通道以沿第一方向喷射第二气体，从而形成阻挡第一气体使微滴流动的气幕。
21.如权利要求20所述的曝光设备，所述曝光设备还包括位于照明光学单元上方以支撑罩的罩台。
22.如权利要求20所述的曝光设备，所述曝光设备还包括位于照明光学单元下方以支撑基底的基底台。
23.一种用于生成远紫外光的设备，所述设备包括：
微滴供应单元，沿第一方向供应微滴；
激光照射单元，使激光沿第二方向照射到微滴以生成远紫外光；
聚光单元，使远紫外光聚集；
引导单元，具有通道和至少一个气体喷射孔，引导单元中的通道将微滴引导到激光照射的位置，气体喷射孔至少部分地围绕通道以沿第一方向喷射气体从而形成围绕微滴的气幕。
24.如权利要求23所述的设备，其中，第二方向与第一方向基本垂直。
25.如权利要求23所述的设备，其中，气体喷射孔具有多个彼此分隔开均匀间隔的孔。
26.如权利要求23所述的设备，其中，气体喷射孔具有沿引导单元的长度方向延伸的单个孔。
27.如权利要求23所述的设备，所述设备还包括：气体喷射单元，用于将气体从聚光单元喷射到微滴，以防止由微滴产生的微粒粘附到聚光单元。
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