CN103632903A - 一种带电场补偿的冷阴极三极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种带电场补偿的冷阴极三极管,包括阴极、阳极和栅极,所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板表面上的场发射冷阴极,所述栅极设置在阴极和阳极之间,在栅极上设置有与场发射冷阴极对应的栅孔;所述阴极基板表面为相对栅极具有凸出弧度的结构。本发明提供的一种带电场补偿的冷阴极三极管,与传统场发射冷阴极三极管技术相比,不仅具有发射均匀性好、阴极与栅极间电容小等优点,还可以避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤等。
Description
技术领域
本发明涉及一种三极管,尤其涉及一种带电场补偿的冷阴极三极管。
背景技术
传统的场发射冷阴极三极管技术,特别是采用丝网印刷方法制作的场发射冷阴极三极管,如图1、图2所示,包括阴极、阳极和栅极,所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板表面上的阴极发射材料(冷阴极材料或场发射冷阴极),所述栅极设置在阴极和阳极之间,在栅极上设置有与场发射冷阴极对应的栅孔;一般阴极基板为平板金属结构,阴极发射材料制作在阴极基板的中心区域,所述栅极用于控制阴极发射材料的发射;在阴极上施加零电位,栅极上施加电压Vg以控制冷阴极场发射电流,阳极上施加正高压Va以抽取电子。
在传统结构中,当栅极上施加控制阴极发射的正电位时,由于阴极基板边缘部分电场将比较强,如果阴极发射材料制作的面积完全覆盖阴极基板,则阴极发射材料在边缘部分的发射因为电场强而发射电流大,而中心区域因为电场相对弱而不发射或发射很小,产生发射的不均匀;因此要避免边缘效应的发生,一般将阴极发射材料制作在阴极基板的中心部分,面积做得比阴极基板的面积小。在栅极施加恒定直流电压的情况下,阴极基板面积对发射没有大的影响;但当栅极上施加有交变电压信号时,阴极基板面积大将带来阴极与栅极之间电容比较大的问题,使交变信号的频率不能很高,要达到一定的场发射电流、大电容时要求的栅极信号功率大,损耗也大。因此要尽可能地降低阴极和栅极间的电容,最好使在边缘场效应能够被克服的情况下,阴极发射面积尽可能小,如:使阴极发射面积和阴极基板面积相同。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种带电场补偿的冷阴极三极管,拉长阴极基板周边区域相对中心区域与栅极面的距离,减少阴极基板周边区域的电场强度,减少栅极和阴极之间的电容。
技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种带电场补偿的冷阴极三极管,包括阴极、阳极和栅极,所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板表面上的场发射冷阴极,所述栅极设置在阴极和阳极之间,在栅极上设置有与场发射冷阴极对应的栅孔;所述阴极基板表面为相对栅极具有凸出弧度的结构。
上述结构相对于现有技术,改变了阴极基板的结构,由于采用了凸出弧度的结构,这样就拉长了阴极基板周边区域相对中心区域与栅极面的距离,有效减少了阴极基板周边的电场强度;当栅极施加电压后,能够抵消在阴极基板边缘形成的边缘场效应,补偿场发射冷阴极中心区域与边缘区域的电场差。
作为一种具体的结构,所述场发射冷阴极可以覆在阴极基板表面的整个区域制作;这样,相对于现有技术,在具备相同的场发射冷阴极面积时,可以减小阴极基板的面积,以减小栅极和阴极之间的电容。
作为另一种具体的结构,所述场发射冷阴极覆在阴极基板表面的中心区域制作。
作为再一种具体的结构,所述阴极基板表面的中心区域为平面结构,所述场发射冷阴极覆在阴极基板表面的中心区域的平面结构上制作;当栅极施加电压后,能够减少在阴极基板边缘形成的边缘场效应。
优选的,所述场发射冷阴极采用物理沉积、化学气相沉积、丝网印刷或电弧方法制作在阴极基板表面上。
优选的,所述场发射冷阴极为纳米材料冷阴极、场发射阴极薄膜或场发射微尖阵列。
优选的,所述场发射冷阴极的材料为碳纳米管、纳米氧化锌、石墨烯中的一种或两种以上的混合。
本案的设计原理,同样可以应用于设计X射线管、微波管,以及其他冷阴极真空电子器件中,用于提高阴极表面场发射均匀性,提高器件性能。
有益效果:本发明提供的一种带电场补偿的冷阴极三极管,与传统场发射冷阴极三极管技术相比,不仅具有发射均匀性好、阴极与栅极间电容小等优点,还可以避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤等。
附图说明
图1为传统的冷阴极三级管结构示意图;
图2为传统的冷阴极三级管中阴极基板与场发射冷阴极的位置示意图;
图3为本发明的一种结构结构示意图;
图4为本发明的另一种结构示意图;
其中,1为阴极基板,2为场发射冷阴极,3为栅孔,4为栅极,5为阳极,6为引出线。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
一种带电场补偿的冷阴极三极管,包括阴极、阳极5和栅极4,所述阴极包括阴极基板1和制作在阴极基板1表面上的场发射冷阴极2,所述栅极4设置在阴极和阳极5之间,在栅极4上设置有与场发射冷阴极2对应的栅孔3;所述阴极基板1表面为相对栅极4具有凸出弧度的结构。
如图3所示,所述场发射冷阴极2可以覆在阴极基板1表面的整个区域制作。
所述场发射冷阴极2还可以覆在阴极基板1表面的中心区域制作;一种具体结构如图4所示,所述阴极基板1表面的中心区域为平面结构,所述场发射冷阴极2覆在阴极基板1表面的中心区域的平面结构上制作。
一般来说,所述场发射冷阴极2可以采用物理沉积、化学气相沉积、丝网印刷或电弧方法制作在阴极基板1表面上。
一般来说,所述场发射冷阴极2可以为纳米材料冷阴极、场发射阴极薄膜或场发射微尖阵列。
一般来说,所述场发射冷阴极2的材料可以为碳纳米管、纳米氧化锌、石墨烯中的一种或两种以上的混合。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种带电场补偿的冷阴极三极管,包括阴极、阳极(5)和栅极(4),所述阴极包括阴极基板(1)和制作在阴极基板(1)表面上的场发射冷阴极(2),所述栅极(4)设置在阴极和阳极(5)之间,在栅极(4)上设置有与场发射冷阴极(2)对应的栅孔(3);其特征在于:所述阴极基板(1)表面为相对栅极(4)具有凸出弧度的结构。
2.根据权利要求1所述的带电场补偿的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射冷阴极(2)覆在阴极基板(1)表面的整个区域制作,或覆在阴极基板(1)表面的中心区域制作。
3.根据权利要求1所述的带电场补偿的冷阴极三极管,其特征在于:所述阴极基板(1)表面的中心区域为平面结构,所述场发射冷阴极(2)覆在阴极基板(1)表面的中心区域的平面结构上制作。
4.根据权利要求1所述的带电场补偿的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射冷阴极(2)采用物理沉积、化学气相沉积、丝网印刷或电弧方法制作在阴极基板(1)表面上。
5.根据权利要求1所述的带电场补偿的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射冷阴极(2)为纳米材料冷阴极、场发射阴极薄膜或场发射微尖阵列。
6.根据权利要求1所述的带电场补偿的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射冷阴极(2)的材料为碳纳米管、纳米氧化锌、石墨烯中的一种或两种以上的混合。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310078874.4A CN103632903A (zh) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 一种带电场补偿的冷阴极三极管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201310078874.4A CN103632903A (zh) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 一种带电场补偿的冷阴极三极管 |
Publications (1)
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CN103632903A true CN103632903A (zh) | 2014-03-12 |
Family
ID=50213820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310078874.4A Pending CN103632903A (zh) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 一种带电场补偿的冷阴极三极管 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN103632903A (zh) |
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