CN100555535C - 带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明特别涉及到带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板以及四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有光刻的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；在阴极玻璃面板上有制备的碳纳米管阴极、控制栅极以及结型场效应管阴极控制阵列结构；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，用于调节像素点下对应的碳纳米管阴极的发射电子能力，使其能够均匀稳定的发射大量电子；有利于降低器件工作电压，提高器件制作成功率，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于真空科学与技术、微电子科学与技术、平面显示技术以及纳米科学与技术的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及到带有结型场效应管阴极控制结构的、碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管具有小的尖端曲率半径、高的纵横比率以及良好的导电性能，能够在外加电压的作用下发射出大量的电子，具有独特的场致发射特性，已经引起了众多研究人员的高度关注。对于利用碳纳米管作为阴极材料的平板场致发射平板显示器件来说，显示图像质量的高低是整体显示器件制作成功与否的关键指标之一。而实现碳纳米管阴极能够均匀、稳定的发射大量的电子，这是显示良好图像的前提条件。

目前，制备碳纳米管阴极的工艺大致可以分为两类，一类为移植法，即通过丝网印刷工艺来将碳纳米管阴极制作在大面积衬底上，用来作为平板显示器件的阴极；受到具体制作工艺以及掺杂浆料等各种因素的影响，移植后的碳纳米管发射电子的能力已经下降了许多，那么如何采取有效的措施，确保大面积的碳纳米管阴极实现均匀、稳定可靠的发射大量电子，这是研究人员需要仔细考虑的一个问题。而另一类就是直接生长法，即在已有的衬底材料上直接进行碳纳米管阴极的生长；利用这种方法制备的碳纳米管阴极生长密度高，电子发射电流密度大，且其场致发射特性比较良好，但具有制作工艺复杂等不利因素。

随着器件显示面积的增大，碳纳米管的数量也在急剧的增加。受到各种外界因素的影响，不同碳纳米管阴极的场致发射能力会有所差别，从而导致其对应的发光像素点的发光程度也会不同，这就对显示图像质量产生了不利影响。这时，需要进行额外的电路进行电学调节，期望让发射电子能力比较差的碳纳米管阴极上施加稍微高一些的电压，发射更多的电子，提高所对应像素点的发光亮度；而让发射电子能力比较强的碳纳米管阴极上施加稍微低一些的电压，减少发射电子的数量，降低所对应像素点的发光亮度，从而确保整体显示图像的稳定性和均匀性。这些都是急需解决的现实问题。

此外，在确保显示器优良图像质量的前提下，还需要进一步的降低器件制作成本；在能够进行大面积器件制作的同时，还需要使得器件制作过程免于复杂化，有利于进行商业化的大规模生产。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足而提供一种带有结型场效应管阴极控制阵列结构的、制作过程成本低廉的、成品率高的、结构简单而稳定可靠的碳纳米管阴极场致发射平板显示器件。

本发明的目的是这样实现的：包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板以及四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有光刻的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；在阴极玻璃面板上有制备的碳纳米管阴极、控制栅极以及结型场效应管阴极控制阵列结构；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件。

所述的结型场效应管阴极控制阵列结构的衬底材料为掺杂硅片，其掺杂类型为n型；n型掺杂硅片的背侧存在一个p型重掺杂层；n型掺杂硅片的正面进行刻蚀，刻蚀出三个方形区域；刻蚀区域平面要低于n型掺杂硅片的原表面平面；三个方形区域为一个单元，此单元是可以重复排列的；三个方形区域均为重掺杂区，分别为n型重掺杂区、p型重掺杂区、n型重掺杂区；n型掺杂硅片的正面掺杂区域中的n型重掺杂区位于p型重掺杂区的两侧；n型掺杂硅片正面的表面存在一个绝缘层；刻蚀后的二氧化硅层需要分别暴露出二氧化硅层下面的n型重掺杂区和p型重掺杂区，但将其余位置全部覆盖住；n型掺杂硅片的上表面存在一个金属层，刻蚀后的金属层分别位于二氧化硅层的上表面、n型重掺杂区的上表面和p型重掺杂区的上表面，但是它们之间是互相不连通的；位于二氧化硅层的上表面的金属层为控制栅极导电层，p型重掺杂区的上表面的金属层为阴极调节导电层，一个n型重掺杂区的上表面的金属层为源极层，另一个n型重掺杂区的上表面的金属层为漏极层；控制栅极导电层上面存在一个栅极覆盖层；漏极层的上面存在一个催化剂金属层；可以利用催化剂金属层进行碳纳米管的制备。

所述的结型场效应管阴极控制阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上；在n型掺杂硅片的上表面蒸镀的金属层可以为金属铬、铝、金、银、铂。催化剂金属层可以为金属铁、钴、镍。

一种带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)衬底的制作：对n型掺杂硅片进行划割，形成衬底；

2)背侧p型重掺杂层的制作：在n型掺杂硅片的背侧制备出一个p型重掺杂层，刻蚀后形成背侧p型重掺杂层；

3)n型掺杂硅片正面的刻蚀：对n型掺杂硅片的正表面进行刻蚀，刻蚀出三个方形区域；要求刻蚀区域的平面要低于n型掺杂硅片的原表面平面；同时这三个方形区域为一个单元，这样的单元可以在n型掺杂硅片的正表面重复排列；

4)n型掺杂硅片刻蚀区域的掺杂：对n型掺杂硅片的刻蚀区域分别进行重掺杂，使其均形成重掺杂区，分别为n型重掺杂区、p型重掺杂区、n型重掺杂区；其中p型重掺杂区位于中间，而n型重掺杂区位于p型重掺杂区的两侧；

5)绝缘层的制作：在n型掺杂硅片的正表面制备出一层二氧化硅层，作为绝缘层；刻蚀后的绝缘层中要暴露出下面的n型重掺杂区和p型重掺杂区，但将其余位置全部覆盖；

6)导电层的制作：在n型掺杂硅片的正表面蒸镀一层金属铬，刻蚀后分别形成栅极导电层，阳极调节导电层，源极导电层和漏极导电层；

7)栅极覆盖层的制作：在栅极导电层的上面制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

8)催化剂金属层的制作：在漏极导电层的上面制备出镍催化剂金属层；

9)结型场效应管阴极控制阵列结构的表面清洁：对结型场效应管阴极控制阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

10)碳纳米管层的制备：利用催化剂金属层进行碳纳米管的制备；

11)碳纳米管的后处理：对碳纳米管进行后处理，改善场致发射特性；

12)阴极玻璃面板的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阴极玻璃面板；

13)阳极玻璃面板的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阳极玻璃面板；

14)阳极导电层的制作：在阳极玻璃面板的上蒸镀一层锡铟氧化物膜层，刻蚀后形成阳极导电层；

15)绝缘浆料层的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

16)荧光粉层的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟；

17)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构、四周玻璃围框以及结型场效应管阴极控制阵列结构装配到一起，并将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

18)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤6具体为在n型掺杂硅片的正表面蒸镀一层金属铬；刻蚀后的金属层分为四部分：一部分位于二氧化硅层的上表面，形成栅极导电层、一部分位于n型掺杂硅片正表面的p型重掺杂区域的上表面，形成阴极调节导电层、一部分位于n型重掺杂区域的上表面，形成源极导电层、一部分位于另外一个n型重掺杂区域的上表面，形成漏极导电层；这四部分导电层是互相不连通的。

所述步骤15具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)。

所述步骤18具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

本发明的特征就在于制作了结型场效应管阴极控制阵列结构，用于调节像素点下对应的碳纳米管阴极的发射电子能力，使其能够均匀稳定的发射大量电子；同时在充分利用直接生长法制备的碳纳米管阴极所具有的良好场致发射特性的基础上，将栅极和碳纳米管阴极高度集成到一起，有利于降低器件工作电压，提高器件制作成功率。

首先，本发明中的结型场效应管阴极控制阵列结构是能够对碳纳米管阴极的发射电流进行调节的。当在源极上施加适当电压的时候，通过在n型掺杂硅片中的导电沟道就会施加到漏极上，当然其电压也就会施加到制备在漏极上的碳纳米管阴极上；然而当在阴极调节导电层上施加适当电压以后，利用在n型掺杂硅片中形成的耗尽层，就会调节n型掺杂硅片中的导电沟道的大小，也就是调节流经导电沟道的碳纳米管阴极电流，使得对于碳纳米管阴极电流的控制能力进一步得以加强。当在栅极导电层上施加电压以后，就会在碳纳米管阴极的顶端形成强大的电场强度，迫使碳纳米管发射电子，在阳极高电压的作用下加速向阳极运动，轰击荧光粉层而发出可见光。当某一像素点上的电流过大、像素点亮度过高的时候，通过结型场效应管阴极控制阵列结构，可以通过控制该像素点对应碳纳米管的导电沟道，来达到减小碳纳米管阴极发射电流的作用；那么，既然碳纳米管阴极上发射的电子减小，相对应的像素点的亮度也就会降低；当某一像素点的电流过小、像素点亮度过低的时候，与前一种情况相类似，通过结型场效应管阴极控制阵列结构，可以通过控制该像素点对应碳纳米管阴极的导电沟道，来达到增加碳纳米管阴极发射电流的作用，从而提高碳纳米管阴极发射电子的数量，相对应的像素点的亮度也就会增强。利用这个结型场效应管阴极控制阵列结构，能够调节不同像素点下的碳纳米管阴极的电子发射能力，达到实现整体碳纳米管阴极能够均匀稳定的发射大量电子的目的，从而实现显示图像的均匀性和稳定性。

其次，在本发明的结型场效应管阴极控制阵列结构中的栅极和碳纳米管阴极是集成到一起的。在n型掺杂硅片正表面进行金属层刻蚀的时候，就同时制作出了栅极导电层和漏极层，此漏极层实际上也就是碳纳米管阴极的导电层，且二者是不连通的。这样就将栅极和碳纳米管阴极高度集成到一起，减少了器件制作的工艺流程，同时也极大地避免了碳纳米管阴极的损伤。有利于进一步降低器件的工作电压，提高整体器件的制作成功率。

第三，在本发明的结型场效应管阴极控制阵列结构中，在漏极层的上面制作了催化剂金属层，这就为后续工艺中的碳纳米管阴极的生长作了充分的准备，这样就可以在漏极层的表面直接生长碳纳米管阴极了，使得栅极结构和碳纳米管阴极结构集成到一起，有利于进一步提高器件的显示分辨率。同时，充分利用了直接生长法制备的碳纳米管阴极所具有的良好场致发射特性。

此外，在本发明的结型场效应管阴极控制阵列结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体器件的制作成本，简化了器件的制作过程，有利于进行商业化的大规模生产。

附图说明

图1给出了结型场效应管阴极控制阵列结构的纵向结构示意图。

图2给出了结型场效应管阴极控制阵列结构的横向结构示意图。

图3中给出了一个带有结型场效应管阴极控制阵列结构的碳纳米管阴极场致发射平面显示器的实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。

所述的一种带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板10、阳极玻璃面板11以及四周玻璃围框16所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板11上有光刻的阳极导电层12以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层14；在阴极玻璃面板10上有制备的碳纳米管9阴极、控制栅极6以及结型场效应管阴极控制阵列结构；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构15以及消气剂17附属元件。

所述的结型场效应管阴极控制阵列结构包括衬底1、背侧p型重掺杂层2、源极导电层3、阴极调节导电层4、漏极导电层5、栅极导电层6、栅极覆盖层7、催化剂金属层8和碳纳米管层9部分。

所述的结型场效应管阴极控制阵列结构的衬底材料为掺杂硅片，其掺杂类型为n型；n型掺杂硅片的背侧存在一个p型重掺杂层；n型掺杂硅片的正面进行刻蚀，刻蚀出三个方形区域；刻蚀区域平面要低于n型掺杂硅片的原表面平面；三个方形区域为一个单元，此单元是可以重复排列的；三个方形区域均为重掺杂区，分别为n型重掺杂区、p型重掺杂区、n型重掺杂区；n型掺杂硅片的正面掺杂区域中的n型重掺杂区位于p型重掺杂区的两侧；n型掺杂硅片正面的表面存在一个绝缘层；刻蚀后的二氧化硅层需要分别暴露出二氧化硅层下面的n型重掺杂区和p型重掺杂区，但将其余位置全部覆盖住；n型掺杂硅片的上表面存在一个金属层，刻蚀后的金属层分别位于二氧化硅层的上表面、n型重掺杂区的上表面和p型重掺杂区的上表面，但是它们之间是互相不连通的；位于二氧化硅层的上表面的金属层为控制栅极导电层，p型重掺杂区的上表面的金属层为阴极调节导电层，一个n型重掺杂区的上表面的金属层为源极层，另一个n型重掺杂区的上表面的金属层为漏极层；控制栅极导电层上面存在一个栅极覆盖层；漏极层的上面存在一个催化剂金属层；可以利用催化剂金属层进行碳纳米管的制备。

所述的结型场效应管阴极控制阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上；在n型掺杂硅片的上表面蒸镀的金属层可以为金属铬、钼、金、银、铂。催化剂金属层可以为金属铁、钴、镍。

一种带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)衬底1的制作：对n型掺杂硅片进行划割，形成衬底；

2)背侧p型重掺杂层2的制作：在n型掺杂硅片的背侧制备出一个p型重掺杂层，刻蚀后形成背侧p型重掺杂层；

3)n型掺杂硅片正面的刻蚀：对n型掺杂硅片的正表面进行刻蚀，刻蚀出三个方形区域；要求刻蚀区域的平面要低于n型掺杂硅片的原表面平面；同时这三个方形区域为一个单元，这样的单元可以在n型掺杂硅片的正表面重复排列；

4)n型掺杂硅片刻蚀区域的掺杂：对n型掺杂硅片的刻蚀区域分别进行重掺杂，使其均形成重掺杂区，分别为n型重掺杂区、p型重掺杂区、n型重掺杂区；其中p型重掺杂区位于中间，而n型重掺杂区位于p型重掺杂区的两侧；

5)绝缘层的制作：在n型掺杂硅片的正表面制备出一层二氧化硅层，作为绝缘层；刻蚀后的绝缘层中要暴露出下面的n型重掺杂区和p型重掺杂区，但将其余位置全部覆盖；

6)导电层的制作：在n型掺杂硅片的正表面蒸镀一层金属铬，刻蚀后分别形成栅极导电层，阳极调节导电层，源极导电层和漏极导电层；

7)栅极覆盖层7的制作：在栅极导电层的上面制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

8)催化剂金属层8的制作：在漏极导电层的上面制备出镍催化剂金属层；

9)结型场效应管阴极控制阵列结构的表面清洁：对结型场效应管阴极控制阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

10)碳纳米管层9的制备：利用催化剂金属层进行碳纳米管的制备；

11)碳纳米管的后处理：对碳纳米管进行后处理，改善场致发射特性；

12)阴极玻璃面板10的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阴极玻璃面板；

13)阳极玻璃面板11的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阳极玻璃面板；

14)阳极导电层12的制作：在阳极玻璃面板的上蒸镀一层锡铟氧化物膜层，刻蚀后形成阳极导电层；

15)绝缘浆料层13的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

16)荧光粉层14的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)；

17)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构15、四周玻璃围框16以及结型场效应管阴极控制阵列结构装配到一起，并将消气剂17放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

18)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤6具体为在n型掺杂硅片的正表面蒸镀一层金属铬；刻蚀后的金属层分为四部分：一部分位于二氧化硅层的上表面，形成栅极导电层6、一部分位于n型掺杂硅片正表面的p型重掺杂区域的上表面，形成阴极调节导电层4、一部分位于n型重掺杂区域的上表面，形成源极导电层3、一部分位于另外一个n型重掺杂区域的上表面，形成漏极导电层5；这四部分导电层是互相不连通的；

所述步骤15具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层13，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤18具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (5)

1、一种带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[10]、阳极玻璃面板[11]以及四周玻璃围框[16]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板[11]上有光刻的阳极导电层[12]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[14]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[15]以及消气剂附属元件[17]，其特征在于：

在阴极玻璃面板[10]上有制备的碳纳米管[9]阴极、控制栅极[6]以及结型场效应管阴极控制阵列结构，

所述的结型场效应管阴极控制阵列结构的衬底[1]材料为掺杂硅片，其掺杂类型为n型；n型掺杂硅片的背侧存在一个p型重掺杂层[2]；n型掺杂硅片的正面进行刻蚀，刻蚀出三个方形区域；刻蚀区域平面要低于n型掺杂硅片的原表面平面；三个方形区域为一个单元，此单元是重复排列的；三个方形区域均为重掺杂区，分别为n型重掺杂区、p型重掺杂层、n型重掺杂区；n型掺杂硅片的正面掺杂区域中的n型重掺杂区位于p型重掺杂区的两侧；n型掺杂硅片正面的表面存在一个绝缘层即二氧化硅层；刻蚀后的二氧化硅层需要分别暴露出二氧化硅层下面的n型重掺杂区和p型重掺杂区，但将其余位置全部覆盖住；n型掺杂硅片的上表面存在一个金属层，刻蚀后的金属层分别位于二氧化硅层的上表面、n型重掺杂区的上表面和p型重掺杂区的上表面，但是它们之间是互相不连通的；位于二氧化硅层的上表面的金属层为控制栅极导电层，p型重掺杂区的上表面的金属层为阴极调节导电层[4]，一个n型重掺杂区的上表面的金属层为源极导电层[3]，另一个n型重掺杂区的上表面的金属层为漏极导电层[5]；控制栅极[6]导电层上面存在一个栅极覆盖层[7]；漏极导电层[5]的上面存在一个催化剂金属层[8]；利用催化剂金属层[8]进行碳纳米管层[9]的制备。

2、如权利要求1所述的一种带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器，其特征在于：所述的结型场效应管阴极控制阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，在n型掺杂硅片的上表面蒸镀的金属层为金属铬、钼、金、银、铂之一，催化剂金属层为金属铁、钴、镍之一。

3、一种带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其制作工艺如下：

1)衬底[1]的制作：对n型掺杂硅片进行划割，形成衬底；

2)背侧p型重掺杂层[2]的制作：在n型掺杂硅片的背侧制备出一个p型重掺杂层，刻蚀后形成背侧p型重掺杂层；

3)n型掺杂硅片正面的刻蚀：对n型掺杂硅片的正表面进行刻蚀，刻蚀出三个方形区域；要求刻蚀区域的平面要低于n型掺杂硅片的原表面平面；同时这三个方形区域为一个单元，这样的单元在n型掺杂硅片的正表面重复排列；

4)n型掺杂硅片刻蚀区域的掺杂：对n型掺杂硅片的刻蚀区域分别进行重掺杂，使其均形成重掺杂区，分别为n型重掺杂区、p型重掺杂区、n型重掺杂区；其中p型重掺杂区位于中间，而n型重掺杂区位于p型重掺杂区的两侧；

5)绝缘层的制作：在n型掺杂硅片的正表面制备出一层二氧化硅层，作为绝缘层；刻蚀后的绝缘层中要暴露出下面的n型重掺杂区和p型重掺杂区，但将其余位置全部覆盖；

6)导电层的制作：在n型掺杂硅片的正表面蒸镀一层金属铬；刻蚀后的金属层分为四部分：一部分位于二氧化硅层的上表面，形成栅极导电层[6]、一部分位于n型掺杂硅片正表面的p型重掺杂区域的上表面，形成阴极调节导电层[4]、一部分位于n型重掺杂区域的上表面，形成源极导电层[3]、一部分位于另外一个n型重掺杂区域的上表面，形成漏极导电层[5]；这四部分导电层是互相不连通的；

7)栅极覆盖层[7]的制作：在栅极导电层的上面制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

8)催化剂金属层[8]的制作：在漏极导电层的上面制备出镍催化剂金属层；

9)结型场效应管阴极控制阵列结构的表面清洁：对结型场效应管阴极控制阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

10)碳纳米管层[9]的制备：利用催化剂金属层[8]进行碳纳米管的制备；

11)阴极玻璃面板[10]的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阴极玻璃面板；

12)阳极玻璃面板[11]的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阳极玻璃面板；

13)阳极导电层[12]的制作：在阳极玻璃面板的上蒸镀一层锡铟氧化物膜层，刻蚀后形成阳极导电层；

14)绝缘浆料层[13]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

15)荧光粉层[14]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟；

16)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[15]、四周玻璃围框[16]以及结型场效应管阴极控制阵列结构装配到一起，并将消气剂[17]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；在玻璃面板的四周涂抹低熔点玻璃粉，用夹子固定；

17)成品制作：对已经装配的器件进行封装工艺形成成品件。

4、如权利要求3所述的带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤14具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料[13]层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

5、如权利要求3所述的带有结型场效应管阴极控制阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤17具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

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