CN100555541C - 共平面型电流调节结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种共平面型电流调节结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及共平面型电流调节结构；通过调节外界电压就可以控制导电沟道的形状，进而有效的控制流经碳纳米管阴极的电流，使得对场致发射能力不同的阴极进行外界调节，整体显示图像亮度的均匀性和稳定性，了具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

共平面型电流调节结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于平面显示技术领域、电子科学与技术领域、真空科学与技术领域、集成电路科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及一种带有碳纳米管阴极的场致发射的共平面型电流调节结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

显示器件是一种十分重要的人机交流界面，无论是常规仪器仪表的显示面板，还是高端显示设备，已经在各个行业中得到了广泛的应用。其中，利用碳纳米管作为阴极材料而制作的平板场致发射显示器件在最近的几年中得到了迅猛的发展，它具有高清晰度，高图像质量，适用温区广以及高亮度等优点，在平板显示领域中占据着不可忽视的位置。碳纳米管具有小的尖端曲率半径，高的纵横比率以及良好的物理化学性质，引起了众多科研人员的高度关注。当在碳纳米管顶端施加适当电压的时候，在碳纳米管顶端就会形成强大的电场强度，迫使其发射出大量的电子，形成独特的场致发射现象。在利用移植方法制备碳纳米管阴极的过程中，由于需要对碳纳米管原料进行研磨处理，并加入各种辅助浆料，使之能够适合与大面积丝网印刷工艺的需要，这就不可避免的会对碳纳米管阴极的场致发射能力造成负面影响，至少会导致部分碳纳米管阴极的场致发射能力有所下降。但是这个过程又是在大面积平板显示器件制作中不可或缺的一个工艺步骤。那么如何采取行之有效的辅助措施，能够让大面积的碳纳米管阴极实现均匀稳定的发射大量的电子，这是需要解决的一个现实问题。

另一方面，随着平板显示器件中显示面积的增大，那么不仅相对应的阴极导电层的长度在增加，而且阴极导电层的条数也在扩大，由此而引起碳纳米管阴极的数量在急剧增加。受到各种外在和内在因素的影响，在如此数量庞大的碳纳米管阴极当中，不可能确保每一个碳纳米管阴极都具有相同的场致发射能力，必然会导致有的碳纳米管阴极的场致发射能力强一些，而另外有的碳纳米管阴极的场致发射能力弱一些，这样就会导致相应的荧光粉像素发光点亮度的不同，引起显示图像质量的下降，这不是所期望得到的结果。那么在这种情况下，能否对碳纳米管阴极建立一个有效的电学调节结构呢，来对场致发射能力不同的阴极进行外界干预和调节，以期望达到整体显示图像亮度的均匀性和稳定性，这是需要认真思考的问题之一。

此外，在尽可能不影响碳纳米管阴极的场致发射能力的前提下，还需要进一步降低整体平板显示器件的制作成本；在能够进行大面积显示器件制作的同时，还需要使得器件制作过程免于复杂化，有利于进行商业化的大规模生产。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的共平面型电流调节结构的平板显示器件及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的：包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及共平面型电流调节结构。

所述的共平面型电流调节结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层形成了阴极玻璃面板和n型掺杂硅层之间的阻塞层；阻塞层的上面存在一个n型掺杂硅层；刻蚀后的n型掺杂硅层的下表面和阻塞层相接触，而其上表面是平面型的；n型掺杂硅层的上面存在一个n型重掺杂硅层；刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极部分和漏极部分；源极和漏极都位于n型掺杂硅层的上面，但位于n型掺杂硅层的两端，漏极和源极互不连通；n型掺杂硅层上面刻蚀后的金属层分为两部分，一部分位于漏极的上面，形成漏极引线层，另一部分位于源极的上面，形成源极引线层；位于漏极和源极之间的n型掺杂硅层的上面是不存在金属层的；漏极引线层和阴极导电层相互连通的；n型掺杂硅层的上面存在一个二氧化硅绝缘层；刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住源极和源极引线层、漏极和漏极引线层以及位于源极和漏极之间的n型掺杂硅层的上表面；二氧化硅绝缘层的上面存在一个金属层，刻蚀后的金属层形成门极引线层；门极引线层要位于漏极和源极之间二氧化硅层的上面，其余位置则不存在门极引线层，即漏极部分和源极部分上面的二氧化硅层的上面是不存在门极引线层的；门极引线层上面刻蚀后的二氧化硅层形成门极覆盖层，要完全覆盖住门极引线层；n型掺杂硅层的旁侧的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；阴极导电层和n型掺杂硅层是不连通的，但是和漏极引线层是相互连通的；阴极导电层上面刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘隔离层；刻蚀后的绝缘隔离层的中间存在一个电子通道孔，需要暴露出底部的阴极导电层；绝缘隔离层的上面存在一个栅极导电层；栅极导电层上面的刻蚀后的二氧化硅层用于形成栅极覆盖层；碳纳米管制备在电子通道孔中的阴极导电层上。

所述的共平面型电流调节结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极位于阴极的上方，控制着碳纳米管阴极的电子发射，门极引线层为金属银、铝、镍、钼、铬、锡，阴极导电层为金属金、银、镍、钴、钼、铬、锡，栅极导电层为金属金、银、镍、钴、钼、铬、锡。

一种共平面型电流调节结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阻塞层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；

3)n型掺杂硅层的制作：在阻塞层的上面制备出一个n型掺杂硅层，刻蚀后形成n型掺杂硅层；n型掺杂硅层的下表面和阻塞层相接触，而其上表面是平面型的；

4)源极和漏极的制作：在n型掺杂硅层的上面制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后分别形成源极和漏极；源极和漏极都位于n型掺杂硅层的上面，但位于n型掺杂硅层的两端，漏极和源极互不连通；

5)源极引线层和漏极引线层的制作：在n型掺杂硅层的上面制备出一个金属层，刻蚀后的金属层分为两部分，一部分位于漏极的上面，形成漏极引线层，另一部分位于源极的上面，形成源极引线层；位于漏极和源极之间的n型掺杂硅层的上面是不存在金属层的；漏极引线层并不仅仅位于漏极的上面，而是和阴极导电层相互连通的；

6)二氧化硅绝缘层的制作：在n型掺杂硅层的上面制作出一个二氧化硅绝缘层，刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住源极和源极引线层，漏极和漏极引线层，以及位于源极和漏极之间的n型掺杂硅层的上表面；

7)门极引线层的制作：在二氧化硅绝缘层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成门极引线层；门极引线层位于漏极和源极之间二氧化硅层的上面，其余位置则不存在门极引线层，即漏极部分和源极部分上面的二氧化硅层的上面是不存在门极引线层的；

8)门极覆盖层的制作：在门极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成门极覆盖层，要完全覆盖住门极引线层；

9)阴极导电层的制作：在n型掺杂硅层的旁侧制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；阴极导电层和n型掺杂硅层是不连通的，但是和漏极引线层是相互连通的；

10)绝缘隔离层的制作：在阴极导电层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成绝缘隔离层；绝缘隔离层的中间存在一个电子通道孔，需要暴露出底部的阴极导电层；

11)栅极导电层的制作：在绝缘隔离层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极导电层；

12)栅极覆盖层的制作：在栅极导电层的上面再次制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

13)共平面型电流调节结构的表面清洁处理：对整体阴极玻璃面板表面进行清洁处理，除掉灰尘和杂质；

14)碳纳米管的制备：将碳纳米管制备在电子通道孔中的阴极导电层上；

15)阳极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

16)阳极导电层的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

17)绝缘浆料层的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

18)荧光粉层的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

19)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框装配到一起，并将消气剂附属元件放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

20)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤17具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

所述步骤18具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

所述步骤20具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

首先，在所述的共平面型电流调节结构中，碳纳米管是直接制备在阴极导电层上面的，而阴极导电层是和漏极引线层相互连通的，这样，就不需要将碳纳米管阴极直接制备在漏极上，减小了对漏极部分的接触，避免了漏极部分的损伤；

其次，在所述的共平面型电流调节结构中，分别在门极引线层的上面制作了门极覆盖层以及在栅极导电层的上面制作了栅极覆盖层，这就避免了其它杂质对门极和栅极的影响；

第三，所述的共平面型电流调节结构是能够对碳纳米管阴极的发射电流进行调节的。当分别在门极上和栅极导电层上施加适当电压以后，在n型掺杂硅层中就会形成导电沟道；通过控制门极电压的大小，就可以控制导电沟道的形状，从而也就是控制了流经碳纳米管的电流。这样，通过外界电压的变化就可以对发射能力不同的阴极进行外界干预和调节，以期望达到整体显示图像亮度的均匀性和稳定性。

此外，在所述的共平面型电流调节结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体平板显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作，有利于进行商业化的大规模生产。

附图说明

图1给出了共平面型电流调节结构的纵向结构示意图；

图2给出了共平面型电流调节结构的横向结构示意图；

图3给出了带有共平面型电流调节结构的、碳纳米管场致发射平面显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。

所述的一种带有共平面型电流调节结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板[1]、阴极玻璃面板[16]和四周玻璃围框[21]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[17]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[19]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[20]以及消气剂[22]附属元件。在阴极玻璃面板上有控制栅极[13]、碳纳米管阴极[15]以及共平面型电流调节结构。所述的共平面型电流调节结构包括阴极玻璃面板[1]、阻塞层[2]、n型掺杂硅层[3]、源极[4]、漏极[5]、源极引线层[6]、漏极引线层[7]、二氧化硅绝缘层[8]、门极引线层[9]、门极覆盖层[10]、阴极导电层[11]、绝缘隔离层[12]、栅极导电层[13]、栅极覆盖层[14]和碳纳米管[15]部分。

所述的共平面型电流调节结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板[1]；阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层形成了阴极玻璃面板和n型掺杂硅层之间的阻塞层[2]；阻塞层[2]的上面存在一个n型掺杂硅层[3]；刻蚀后的n型掺杂硅层的下表面和阻塞层[2]相接触，而其上表面是平面型的；n型掺杂硅层[3]的上面存在一个n型重掺杂硅层；刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极部分和漏极部分；源极[4]和漏极[6]都位于n型掺杂硅层的上面，但位于n型掺杂硅层的两端，漏极和源极互不连通；n型掺杂硅层上面刻蚀后的金属层分为两部分，一部分位于漏极的上面，形成漏极引线层[7]，另一部分位于源极的上面，形成源极引线层[5]；位于漏极和源极之间的n型掺杂硅层的上面是不存在金属层的；漏极引线层和阴极导电层相互连通的；n型掺杂硅层的上面存在一个二氧化硅绝缘层[8]；刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住源极[4]和源极引线层[5]、漏极[6]和漏极引线层[7]以及位于源极和漏极之间的n型掺杂硅层[3]的上表面；二氧化硅绝缘层[8]的上面存在一个金属层，刻蚀后的金属层形成门极引线层[9]；门极引线层要位于漏极和源极之间二氧化硅层的上面，其余位置则不存在门极引线层，即漏极部分和源极部分上面的二氧化硅层的上面是不存在门极引线层的；门极引线层上面刻蚀后的二氧化硅层形成门极覆盖层[10]，要完全覆盖住门极引线层；n型掺杂硅层的旁侧的刻蚀后的金属层形成阴极导电层[11]；阴极导电层和n型掺杂硅层是不连通的，但是和漏极引线层是相互连通的；阴极导电层上面刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘隔离层[12]；刻蚀后的绝缘隔离层[12]的中间存在一个电子通道孔，需要暴露出底部的阴极导电层；绝缘隔离层的上面存在一个栅极导电层[13]；栅极导电层上面的刻蚀后的二氧化硅层用于形成栅极覆盖层[14]；碳纳米管[15]制备在电子通道孔中的阴极导电层上。

所述的共平面型电流调节结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极位于阴极的上方，控制着碳纳米管阴极的电子发射，门极引线层为金属银、铝、镍、钼、铬、锡，阴极导电层为金属金、银、镍、钴、钼、铬、锡，栅极导电层为金属金、银、镍、钴、钼、铬、锡。

一种带有共平面型电流调节结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阻塞层[2]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；

3)n型掺杂硅层[3]的制作：在阻塞层的上面制备出一个n型掺杂硅层，刻蚀后形成n型掺杂硅层[3]；n型掺杂硅层的下表面和阻塞层相接触，而其上表面是平面型的；

4)源极[4]和漏极[5]的制作：在n型掺杂硅层的上面制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后分别形成源极和漏极；源极和漏极都位于n型掺杂硅层的上面，但位于n型掺杂硅层的两端，漏极和源极互不连通；

5)源极引线层[6]和漏极引线层[7]的制作：在n型掺杂硅层的上面制备出一个铝金属层，刻蚀后的铝金属层分为两部分，一部分位于漏极的上面，形成漏极引线层，另一部分位于源极的上面，形成源极引线层；位于漏极和源极之间的n型掺杂硅层的上面是不存在铝金属层的；漏极引线层并不仅仅位于漏极的上面，而是和阴极导电层相互连通的；

6)二氧化硅绝缘层[8]的制作：在n型掺杂硅层的上面制作出一个二氧化硅绝缘层，刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住源极和源极引线层，漏极和漏极引线层，以及位于源极和漏极之间的n型掺杂硅层的上表面；

7)门极引线层[9]的制作：在二氧化硅绝缘层的上面制备出一个金属铬层，刻蚀后形成门极引线层；门极引线层位于漏极和源极之间二氧化硅层的上面，其余位置则不存在门极引线层，即漏极部分和源极部分上面的二氧化硅层的上面是不存在门极引线层的；

8)门极覆盖层[10]的制作：在门极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成门极覆盖层，要完全覆盖住门极引线层；

9)阴极导电层[11]的制作：在n型掺杂硅层的旁侧制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极导电层；阴极导电层和n型掺杂硅层是不连通的，但是和漏极引线层是相互连通的；

10)绝缘隔离层[12]的制作：在阴极导电层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成绝缘隔离层；绝缘隔离层的中间存在一个电子通道孔，需要暴露出底部的阴极导电层；

11)栅极导电层[13]的制作：在绝缘隔离层的上面制备出一个金属铬层，刻蚀后形成栅极导电层；

12)栅极覆盖层[14]的制作：在栅极导电层的上面再次制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

13)共平面型电流调节结构的表面清洁处理：对整体阴极玻璃面板表面进行清洁处理，除掉灰尘和杂质；

14)碳纳米管[15]的制备：将碳纳米管制备在电子通道孔中的阴极导电层上；

15)阳极玻璃面板[16]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

16)阳极导电层[17]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

17)绝缘浆料层[18]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

18)荧光粉层[19]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

19)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装配到一起，并将消气剂[22]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

20)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤17具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤18具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤20具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (6)

1、一种共平面型电流调节结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板[16]、阴极玻璃面板[1]和四周玻璃围框[21]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[17]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[19]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[20]以及消气剂附属元件[22]，其特征在于：

在阴极玻璃面板上有控制栅极[13]、碳纳米管阴极[15]以及共平面型电流调节结构；

所述的共平面型电流调节结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板[1]；阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层形成了阴极玻璃面板和n型掺杂硅层之间的阻塞层[2]；阻塞层[2]的上面存在一个n型掺杂硅层[3]；刻蚀后的n型掺杂硅层的下表面和阻塞层[2]相接触，而其上表面是平面型的；n型掺杂硅层[3]的上面存在一个n型重掺杂硅层；刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极部分和漏极部分；源极[4]和漏极[6]分别位于n型掺杂硅层两端的上面，漏极和源极互不连通；n型掺杂硅层上面刻蚀后的金属层分为两部分，一部分位于漏极的上面，形成漏极引线层[7]，另一部分位于源极的上面，形成源极引线层[5]；位于漏极和源极之间的n型掺杂硅层的上面是不存在金属层的；漏极引线层和阴极导电层相互连通的；n型掺杂硅层的上面存在一个二氧化硅绝缘层[8]；刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住源极[4]和源极引线层[5]、漏极[6]和漏极引线层[7]以及位于源极和漏极之间的n型掺杂硅层[3]的上表面；二氧化硅绝缘层[8]的上面存在一个金属层，刻蚀后的金属层形成门极引线层[9]；门极引线层要位于漏极和源极之间二氧化硅层的上面，其余位置则不存在门极引线层，即漏极部分和源极部分上面的二氧化硅层的上面是不存在门极引线层的；门极引线层上面刻蚀后的二氧化硅层形成门极覆盖层[10]，要完全覆盖住门极引线层；n型掺杂硅层的旁侧的刻蚀后的金属层形成阴极导电层[11]；阴极导电层和n型掺杂硅层是不连通的，但是和漏极引线层是相互连通的；阴极导电层上面刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘隔离层[12]；刻蚀后的绝缘隔离层[12]的中间存在一个电子通道孔，需要暴露出底部的阴极导电层；绝缘隔离层的上面存在一个栅极导电层[13]；栅极导电层上面的刻蚀后的二氧化硅层用于形成栅极覆盖层[14]；碳纳米管[15]制备在电子通道孔中的阴极导电层上。

2、根据权利要求1所述的带有共平面型电流调节结构的平板显示器，其特征在于：所述的共平面型电流调节结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极位于阴极的上方，控制着碳纳米管阴极的电子发射，门极引线层为金属银、铝、镍、钼、铬、锡之一，阴极导电层为金属金、银、镍、钴、钼、铬、锡之一，栅极导电层为金属金、银、镍、钴、钼、铬、锡之一。

3、一种共平面型电流调节结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阻塞层[2]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；

3)n型掺杂硅层[3]的制作：在阻塞层的上面刻蚀形成n型掺杂硅层[3]；n型掺杂硅层的下表面和阻塞层相接触，而其上表面是平面型的；

4)源极[4]和漏极[6]的制作：在n型掺杂硅层的上面制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后分别形成源极和漏极；源极[4]和漏极[6]分别位于n型掺杂硅层两端的上面，漏极和源极互不连通；

5)源极引线层[5]和漏极引线层[7]的制作：在n型掺杂硅层的上面制备出一个金属层，刻蚀后的金属层分为两部分，一部分位于漏极的上面，形成漏极引线层，另一部分位于源极的上面，形成源极引线层；位于漏极和源极之间的n型掺杂硅层的上面是不存在金属层的；漏极引线层并不仅仅位于漏极的上面，而是和阴极导电层相互连通的；

6)二氧化硅绝缘层[8]的制作：在n型掺杂硅层的上面制作出一个二氧化硅绝缘层，刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住源极和源极引线层，漏极和漏极引线层，以及位于源极和漏极之间的n型掺杂硅层的上表面；

7)门极引线层[9]的制作：在二氧化硅绝缘层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成门极引线层；门极引线层位于漏极和源极之间二氧化硅层的上面，其余位置则不存在门极引线层，即漏极部分和源极部分上面的二氧化硅层的上面是不存在门极引线层的；

8)门极覆盖层[10]的制作：在门极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成门极覆盖层，要完全覆盖住门极引线层；

9)阴极导电层[11]的制作：在n型掺杂硅层的旁侧制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；阴极导电层和n型掺杂硅层是不连通的，但是和漏极引线层是相互连通的；

10)绝缘隔离层[12]的制作：在阴极导电层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成绝缘隔离层；绝缘隔离层的中间存在一个电子通道孔，需要暴露出底部的阴极导电层；

11)栅极导电层[13]的制作：在绝缘隔离层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极导电层；

12)栅极覆盖层[14]的制作：在栅极导电层的上面再次制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

13)共平面型电流调节结构的表面清洁处理：对整体阴极玻璃面板表面进行清洁处理，除掉灰尘和杂质；

14)碳纳米管[15]的制备：将碳纳米管制备在电子通道孔中的阴极导电层上；

15)阳极玻璃面板[16]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

16)阳极导电层[17]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

17)绝缘浆料层[18]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

18)荧光粉层[19]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

19)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装配到一起，并将消气剂附属元件[22]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

20)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

4、根据权利要求3所述的共平面型电流调节结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤17具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

5、根据权利要求3所述的共平面型电流调节结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤18具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

6、根据权利要求3所述的共平面型电流调节结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤20具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

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