CN1937153A - 弧形栅控阵列结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种弧形栅控阵列结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阴极玻璃面板上有阴极导电层、碳纳米管以及弧形栅控阵列结构；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，能够进一步的缩短栅极结构和碳纳米管阴极结构之间的距离，降低栅极结构的工作电压，进一步增强栅极结构的控制性能，有利于进一步提高整体器件的显示图像质量，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

弧形栅控阵列结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及一种弧形栅控阵列结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

近年来，碳纳米管作为场致发射阴极材料得到了广泛的应用。碳纳米管具有小的尖端曲率半径，高的纵横比率以及良好的场致发射性能，非常适合于用作冷阴极材料，在真空显示技术方面具有极大的应用潜力。利用碳纳米管作为阴极材料制作的场致发射平板显示器则是一种新型的平面显示设备，具有体积小、亮度高、功耗低以及高图像质量等优点，是一种性能相当优秀的人机交流界面器件，其应用越来越广泛，将来有望在显示市场上占据比较大的份额。为了降低总体器件成本，以便于和常规的集成驱动电路相联系，制作三极结构的场致发射显示器件已经成为了一种必然的选择。目前，在大多数的显示器件中都采用了栅极位于碳纳米管阴极上方的结构形式，这种控制形式的制作工艺简单，栅极的控制作用比较显著，但对于制作材料的要求很高，所形成的栅极电流比较大，不利于进一步提高器件的显示亮度。另外，受到材料绝缘性能以及制作可靠性等因素的制约，无法将栅极结构和碳纳米管阴极结构二者之间的距离进一步的缩小，这也从另一方面形成了栅极工作电压居高不下的主要原因。实际上，真空的绝缘性能要优于其它的绝缘材料，这应该是有所借鉴和利用之处。因此，在实际器件的制作过程中，究竟采用何种控制结构模式，如何促进栅极结构和阴极结构的高度集成化发展，如何进一步的降低栅极结构的工作电压，等等，都是值得思考的问题。

此外，在三极结构的平板场致发射显示器件当中，在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下，还需要尽可能的降低总体器件成本，进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的弧形栅控阵列结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板[和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层、制备在阳极导电层上面的荧光粉层以及在阳极导电层的非显示区域印刷的绝缘浆料层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极玻璃面板上有阴极导电层、碳纳米管以及弧形栅控阵列结构。

所述的弧形栅控阵列结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘层；绝缘层上面的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层上面刻蚀后的掺杂多晶硅层形成阴极升高层；阴极升高层呈现扁平圆柱体型形状，即圆柱体的高度要小于圆柱体的底面直径；阴极升高层的下表面为圆型面，和阴极引线层紧密接触；阴极升高层上顶面的刻蚀后的二氧化硅层形成阴极覆盖层；阴极覆盖层呈现圆型形状，位于阴极升高层上顶面的中心位置；阴极覆盖层仅仅位于阴极升高层的上顶面上，但是不能够覆盖住整个阴极升高层的上顶面，周围要暴露出圆环型的阴极升高层上顶面；阴极升高层表面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；阴极导电层要布满处理阴极覆盖层以外的整个阴极升高层的表面；绝缘层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极增高层；栅极增高层的上下表面均为平面，下表面要覆盖住阴极引线层以及空余的绝缘层部分；栅极增高层中存在圆型孔，暴露出阴极升高层、阴极导电层以及阴极覆盖层；阴极升高层要突出于栅极增高层的下表面；栅极增高层中圆型孔的内侧壁不是垂直于阴极玻璃面板的，而是呈现一个碗型形状，即栅极增高层上表面处的开口最大，然后从上表面开始依次向栅极增高层的下表面变化，呈现向栅极增高层内部略为凹陷的弧形形状，直到变化到暴露出来的阴极升高层为止，且截止点位于圆柱体型阴极升高层的侧面中部；栅极增高层中圆型孔内侧壁上的刻蚀后的金属层形成栅极管制层；栅极管制层依附于栅极增高层中圆型孔的内侧壁，为弧形形状，其最高点和栅极增高层的上表面平齐，其下部最低点和阴极覆盖层的最高点位于同一高度；栅极增高层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层和栅极管制层是相互连通的；栅极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要覆盖住全部栅极引线层，但不能覆盖栅极管制层；碳纳米管制备在阴极导电层上面。

所述的弧形栅控阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上；阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铟、铅；阴极升高层的掺杂类型为n型、p型；阴极导电层为金属铁、钴、镍；栅极引线层的走向和阴极引线层的走向是相互垂直的；栅极引线层为金属金、银、钼、铬、铝。

一种弧形栅控阵列结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)绝缘层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成绝缘层；

3)阴极引线层的制作：在绝缘层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

4)阴极升高层的制作：在阴极引线层的上面制备出一个掺杂多晶硅层，刻蚀后形成阴极升高层；

5)阴极覆盖层的制作：在阴极升高层上顶面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成阴极覆盖层；

6)阴极导电层的制作：在阴极升高层的表面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；

7)栅极增高层的制作：在绝缘层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极增高层；

8)栅极管制层的制作：在栅极增高层中圆型孔的内侧壁上制备出一个金属铬层，刻蚀后形成栅极管制层；

9)栅极引线层的制作：在栅极增高层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极引线层；

10)栅极覆盖层的制作：在栅极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

11)弧形栅控阵列结构的表面清洁处理：对弧形栅控阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

12)碳纳米管的制备：将碳纳米管制备在阴极导电层上面；

13)阳极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

14)阳极导电层的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

15)绝缘浆料层的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

16)荧光粉层的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

17)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框装配到一起，并将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

18)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤15具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

所述步骤16具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

所述步骤18具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

首先，在所述的弧形栅控阵列结构中，制作了依附于圆型孔内侧壁上的栅极管制层结构。这样，由于栅极管制层的下端可以尽可能的接近于碳纳米管阴极，来缩短二者之间的距离，有利于进一步降低栅极结构的工作电压；当在栅极结构上施加适当电压以后，就会在碳纳米管阴极表面顶端形成强大的电场强度，迫使碳纳米管阴极发射出更多的电子。进一步提高了碳纳米管阴极的电子发射效率，将栅极结构和阴极结构高度集成到一起，有助于促进整体器件的高度集成化发展。

其次，在所述的弧形栅控阵列结构中，将碳纳米管制备在呈现圆柱体型阴极升高层上面的阴极导电层上面。这样，可以极大地增加碳纳米管阴极的场致电子发射面积，使得更多的碳纳米管阴极都参与到场致电子发射当中，有利于进一步提高器件的显示亮度。

此外，在所述的弧形栅控阵列结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体平板显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作，有利于进行商业化的大规模生产。

附图说明

图1给出了弧形栅控阵列结构的纵向结构示意图；

图2给出了弧形栅控阵列结构的横向结构示意图；

图3给出了带有弧形栅控阵列结构的、碳纳米管场致发射平面显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。

所述的一种弧形栅控阵列结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[12]和四周玻璃围框[18]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[13]、制备在阳极导电层上面的荧光粉层[15]以及在阳极导电层的非显示区域印刷的绝缘浆料层[14]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[17]以及消气剂附属元件[16]，在阴极玻璃面板上有阴极导电层[6]、碳纳米管[11]以及弧形栅控阵列结构。

所述的弧形栅控阵列结构包括阴极玻璃面板[1]、绝缘层[2]、阴极引线层[3]、阴极升高层[4]、阴极覆盖层[5]、阴极导电层[6]、栅极增高层[7]、栅极管制层[8]、栅极引线层[9]、栅极覆盖层[10]和碳纳米管[11]部分。

所述的弧形栅控阵列结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘层；绝缘层上面的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层上面刻蚀后的掺杂多晶硅层形成阴极升高层；阴极升高层呈现扁平圆柱体型形状，即圆柱体的高度要小于圆柱体的底面直径；阴极升高层的下表面为圆型面，和阴极引线层紧密接触；阴极升高层上顶面的刻蚀后的二氧化硅层形成阴极覆盖层；阴极覆盖层呈现圆型形状，位于阴极升高层上顶面的中心位置；阴极覆盖层仅仅位于阴极升高层的上顶面上，但是不能够覆盖住整个阴极升高层的上顶面，周围要暴露出圆环型的阴极升高层上顶面；阴极升高层表面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；阴极导电层要布满处理阴极覆盖层以外的整个阴极升高层的表面；绝缘层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极增高层；栅极增高层的上下表面均为平面，下表面要覆盖住阴极引线层以及空余的绝缘层部分；栅极增高层中存在圆型孔，暴露出阴极升高层、阴极导电层以及阴极覆盖层；阴极升高层要突出于栅极增高层的下表面；栅极增高层中圆型孔的内侧壁不是垂直于阴极玻璃面板的，而是呈现一个碗型形状，即栅极增高层上表面处的开口最大，然后从上表面开始依次向栅极增高层的下表面变化，呈现向栅极增高层内部略为凹陷的弧形形状，直到变化到暴露出来的阴极升高层为止，且截止点位于圆柱体型阴极升高层的侧面中部；栅极增高层中圆型孔内侧壁上的刻蚀后的金属层形成栅极管制层；栅极管制层依附于栅极增高层中圆型孔的内侧壁，为弧形形状，其最高点和栅极增高层的上表面平齐，其下部最低点和阴极覆盖层的最高点位于同一高度；栅极增高层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层和栅极管制层是相互连通的；栅极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要覆盖住全部栅极引线层，但不能覆盖栅极管制层；碳纳米管制备在阴极导电层上面。

所述的弧形栅控阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上；阴极引线层可以为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铟、铅；阴极升高层的掺杂类型可以为n型，也可以为p型；阴极导电层可以为金属铁、钴、镍；栅极引线层的走向和阴极引线层的走向是相互垂直的；栅极引线层可以为金属金、银、钼、铬、铝。

一种带有弧形栅控阵列结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)绝缘层[2]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成绝缘层；

3)阴极引线层[3]的制作：在绝缘层的上面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极引线层；

4)阴极升高层[4]的制作：在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成阴极升高层；

5)阴极覆盖层[5]的制作：在阴极升高层上顶面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成阴极覆盖层；

6)阴极导电层[6]的制作：在阴极升高层的表面制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极导电层；

7)栅极增高层[7]的制作：在绝缘层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极增高层；

8)栅极管制层[8]的制作：在栅极增高层中圆型孔的内侧壁上制备出一个金属铬层，刻蚀后形成栅极管制层；

9)栅极引线层[9]的制作：在栅极增高层的上面制备出一个金属铬层，刻蚀后形成栅极引线层；

10)栅极覆盖层[10]的制作：在栅极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

11)弧形栅控阵列结构的表面清洁处理：对弧形栅控阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

12)碳纳米管[11]的制备：将碳纳米管制备在阴极导电层上面；

13)阳极玻璃面板[12]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

14)阳极导电层[13]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

15)绝缘浆料层[14]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

16)荧光粉层[15]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

17)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[17]和四周玻璃围框[18]装配到一起，并将消气剂[16]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

18)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤15具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤16具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤18具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (7)

1、一种弧形栅控阵列结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[12]和四周玻璃围框[18]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[13]、制备在阳极导电层上面的荧光粉层[15]以及在阳极导电层的非显示区域印刷的绝缘浆料层[14]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[17]以及消气剂附属元件[16]，其特征在于：在阴极玻璃面板上有阴极导电层[6]、碳纳米管[11]以及弧形栅控阵列结构。

2、根据权利要求1所述的弧形栅控阵列结构的平板显示器，其特征在于：所述的弧形栅控阵列结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成绝缘层；绝缘层上面的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层上面刻蚀后的掺杂多晶硅层形成阴极升高层；阴极升高层呈现扁平圆柱体型形状，即圆柱体的高度要小于圆柱体的底面直径；阴极升高层的下表面为圆型面，和阴极引线层紧密接触；阴极升高层上顶面的刻蚀后的二氧化硅层形成阴极覆盖层；阴极覆盖层呈现圆型形状，位于阴极升高层上顶面的中心位置；阴极覆盖层仅仅位于阴极升高层的上顶面上，但是不能够覆盖住整个阴极升高层的上顶面，周围要暴露出圆环型的阴极升高层上顶面；阴极升高层表面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；阴极导电层要布满处理阴极覆盖层以外的整个阴极升高层的表面；绝缘层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极增高层；栅极增高层的上下表面均为平面，下表面要覆盖住阴极引线层以及空余的绝缘层部分；栅极增高层中存在圆型孔，暴露出阴极升高层、阴极导电层以及阴极覆盖层；阴极升高层要突出于栅极增高层的下表面；栅极增高层中圆型孔的内侧壁不是垂直于阴极玻璃面板的，而是呈现一个碗型形状，即栅极增高层上表面处的开口最大，然后从上表面开始依次向栅极增高层的下表面变化，呈现向栅极增高层内部略为凹陷的弧形形状，直到变化到暴露出来的阴极升高层为止，且截止点位于圆柱体型阴极升高层的侧面中部；栅极增高层中圆型孔内侧壁上的刻蚀后的金属层形成栅极管制层；栅极管制层依附于栅极增高层中圆型孔的内侧壁，为弧形形状，其最高点和栅极增高层的上表面平齐，其下部最低点和阴极覆盖层的最高点位于同一高度；栅极增高层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层和栅极管制层是相互连通的；栅极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要覆盖住全部栅极引线层，但不能覆盖栅极管制层；碳纳米管制备在阴极导电层上面。

3、根据权利要求2所述的弧形栅控阵列结构的平板显示器，其特征在于：所述的弧形栅控阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上；阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铟、铅；阴极升高层的掺杂类型为n型、p型；阴极导电层为金属铁、钴、镍；栅极引线层的走向和阴极引线层的走向是相互垂直的；栅极引线层为金属金、银、钼、铬、铝。

4、一种弧形栅控阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)绝缘层[2]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成绝缘层；

3)阴极引线层[3]的制作：在绝缘层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

4)阴极升高层[4]的制作：在阴极引线层的上面制备出一个掺杂多晶硅层，刻蚀后形成阴极升高层；

5)阴极覆盖层[5]的制作：在阴极升高层上顶面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成阴极覆盖层；

6)阴极导电层[6]的制作：在阴极升高层的表面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；

7)栅极增高层[7]的制作：在绝缘层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极增高层；

8)栅极管制层[8]的制作：在栅极增高层中圆型孔的内侧壁上制备出一个金属铬层，刻蚀后形成栅极管制层；

9)栅极引线层[9]的制作：在栅极增高层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极引线层；

10)栅极覆盖层[10]的制作：在栅极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；

11)弧形栅控阵列结构的表面清洁处理：对弧形栅控阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

12)碳纳米管[11]的制备：将碳纳米管制备在阴极导电层上面；

13)阳极玻璃面板[12]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

14)阳极导电层[13]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

15)绝缘浆料层[14]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

16)荧光粉层[15]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

17)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[17]和四周玻璃围框[18]装配到一起，并将消气剂[16]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

18)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

5、根据权利要求4所述的弧形栅控阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤15具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

6、根据权利要求4所述的弧形栅控阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤16具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

7、根据权利要求4所述的弧形栅控阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤18具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台工进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

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