CN100524600C - 具有反向共面型镇流结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种反向共面型镇流结构的碳纳米管阴极平板显示器件及其制作工艺，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上有控制栅极，碳纳米管阴极以及反向共面型镇流结构；能够有效地控制流经碳纳米管阴极的电流，来进一步控制其场致发射能力，使其增多或减少发射电子的数量，对相对应的像素点亮度进行调整，实现整体显示图像亮度的均匀性，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

具有反向共面型镇流结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于平面显示技术领域、电子科学与技术领域、真空科学与技术领域、集成电路科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及一种具有反向共面型镇流结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管具有小的尖端曲率半径，高的纵横比率，良好的导电性能以及性能佳的物理化学特性，已经引起了众多科研人员的高度关注。利用碳纳米管作为阴极材料而制作的场致发射平板显示器是一种新型的平面型器件，具有高亮度、高清晰度、高图像质量以及响应速度快等优点，在平板显示领域独树一帜，其应用越来越广泛。当在栅极上施加适当电压的时候，就会在碳纳米管的顶端形成强大的电场强度，迫使碳纳米管发射出大量的电子；所发射的电子在阳极高电压的作用下加速向阳极运动，轰击荧光粉层而发出可见光。随着显示器件中显示面积的增大，相应的碳纳米管阴极的数量也就随着呈几何级数的剧增，那么，在数量如此庞大的碳纳米管阴极中，很难保证所有的碳纳米管阴极都具有相同的场致发射能力，也很难确保碳纳米管阴极所对应的荧光粉层发出相同强度的可见光；由于不同荧光粉像素点的发光亮度可能不同，也就造成了显示器件的不良显示图像质量。由此看来，确保碳纳米管阴极具有相类似的场致发射能力是不可缺少的一个环节。在这种情况下，能否对碳纳米管阴极建立一个行之有效的辅助电学调节结构呢，来对不同场致发射能力的碳纳米管阴极进行干预和调节，在场致发射能力比较弱的碳纳米管阴极上施加稍微高一些的电压，来进一步增强它的发射电子能力，增大对应的荧光粉的发光亮度，与此同时，在场致发射能力比较强的碳纳米管阴极上施加稍微低一些的电压，来进一步降低它的发射电子能力，减弱对应的荧光粉的发光亮度，以期望达到整体显示图像亮度的均匀性和稳定性，这是急需解决的一个问题。

此外，在尽可能不影响碳纳米管阴极的场致发射能力的前提下，还需要进一步降低整体平板显示器件的制作成本；在能够进行大面积显示器件制作的同时，还需要使得器件制作过程免于复杂化，有利于进行商业化的大规模生产。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的具有反向共面型镇流结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的：包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极玻璃面板上有控制栅极，碳纳米管阴极以及反向共面型镇流结构；所述的反向共面型镇流结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板；在阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层也就形成了阻塞层；阻塞层的上面存在一个金属层，刻蚀后的金属层分为三部分，即门极引线层，源极引线层和漏极引线层；门极引线层，源极引线层和漏极引线层是互不连通的；门极导电层的上面存在一个掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层形成了门极层；门极层完全位于门极引线层的上面，其余位置则不存在门极层；门极层呈现一种梯形形状，其长边位于下方，和门极引线层相接触；门极层的上面存在一个二氧化硅绝缘层，刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住门极层、门极引线层以及门极层和源极层之间、门极层和漏极层之间的空余位置；刻蚀后的二氧化硅绝缘层不能够覆盖源极引线层和漏极引线层；阴极玻璃面板上存在一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极层和漏极层；源极层和漏极层是互不连通的；源极层位于源极引线层的上面，漏极层位于漏极引线层的上面；源极层和漏极层分别位于二氧化硅绝缘层的两侧，且其上表面要高于二氧化硅绝缘层的上表面；阴极玻璃面板上存在一个n型掺杂硅层，刻蚀后的n型掺杂硅层要覆盖住源极层、漏极层和二氧化硅绝缘层的上表面；n型掺杂硅层的上面存在一个二氧化硅保护层，刻蚀后的二氧化硅保护层要覆盖住源极引线层、漏极引线层和n型掺杂硅层的表面；二氧化硅保护层的旁侧存在一个金属层，刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；阴极引线层上面刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层；刻蚀后的隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；隔离层的上面存在一个栅极层；碳纳米管阴极制备在电子通道孔中的阴极引线层上。

所述的反向共面型镇流结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，阻塞层的上面存在一个金属层，为金属金、银、铝、镍、钼、铬、锡之一，刻蚀后的金属层分为三部分，即门极引线层，源极引线层和漏极引线层，门极层的掺杂类型为p型或n型，阴极引线层为金属金、银、铬、铝、钼、镍之一，栅极层为金属银、镍、钼、锡、铝、钴之一。

一种具有反向共面型镇流结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阻塞层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；

3)门极引线层、源极引线层、漏极引线层的制作：在阻塞层的上面制备出一个金属层，刻蚀后的金属层分为三部分，分别形成门极引线层，源极引线层和漏极引线层；三者是互不连通的；

4)门极层的制作：在门极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成了门极层；

5)二氧化硅绝缘层的制作：在门极层的上面制备出一个二氧化硅绝缘层，刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住门极层，门极引线层以及门极层和源极层之间、门极层和漏极层之间的空余位置；刻蚀后的二氧化硅绝缘层不能够覆盖源极引线层和漏极引线层；

6)源极层和漏极层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极层和漏极层；

7)n型掺杂硅层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个n型掺杂硅层，刻蚀后的n型掺杂硅层要覆盖住源极层、漏极层和二氧化硅绝缘层的上表面；

8)二氧化硅保护层的制作：在n型掺杂硅层的上面制备出一个二氧化硅保护层，刻蚀后的二氧化硅保护层要覆盖住源极引线层、漏极引线层和n型掺杂硅层的表面；

9)阴极引线层的制作：在二氧化硅保护层的旁侧制备出一个金属层；刻蚀后形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；

10)隔离层的制作：在阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层；刻蚀后的隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；

11)栅极的制作：在隔离层的上面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成栅极；

12)反向共面型镇流结构的表面清洁处理：对整体阴极玻璃面板表面进行清洁处理，除掉灰尘和杂质；

13)碳纳米管阴极的制备：将碳纳米管制备在阴极引线层上；

14)阳极玻璃面板的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

15)阳极导电层的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

16)绝缘浆料层的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

17)荧光粉层的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

18)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框装配到一起，并将消气剂附属元件放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定，在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

19)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤4具体为在门极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的n型掺杂多晶硅层形成了门极层；门极层完全位于门极引线层的上面，其余位置则不存在门极层；门极层呈现一种梯形形状，其长边位于下方，和门极引线层相接触。

所述步骤6具体为在阴极玻璃面板上制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极层和漏极层；源极层和漏极层是互不连通的；源极层位于源极引线层的上面，漏极层位于漏极引线层的上面；源极层和漏极层分别位于二氧化硅绝缘层的两侧，且其上表面要高于二氧化硅绝缘层的上表面。

所述步骤17具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

所述步骤18具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

所述步骤20具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

首先，在所述的反向共面型镇流结构中，在n型掺杂硅层的上面制备了一个二氧化硅保护层，刻蚀后的二氧化硅保护层完全覆盖住源极引线层、漏极引线层和n型掺杂硅层的表面；避免了其它杂质对源极层和漏极层的影响；

其次，在所述的反向共面型镇流结构中，将碳纳米管阴极制备在旁侧的阴极引线层上，而阴极引线层又和漏极引线层是相互连通的，这样，减少了对漏极层的接触，避免了漏极层的损伤，同时还能够充分利用其调节作用；

第三，所述的反向共面型镇流结构是能够对碳纳米管阴极的发射电流进行控制的。通过门极层上电压的变化，就可以控制流经碳纳米管的阴极电流，也就控制了碳纳米管的场致发射能力，以便于对电子发射能力不同的阴极进行外界干预和调节；

此外，在所述的反向共面型镇流结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体平板显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作，有利于进行商业化的大规模生产。

附图说明

图1给出了反向共面型镇流结构的纵向结构示意图；

图2给出了反向共面型镇流结构的横向结构示意图；

图3给出了带有反向共面型镇流结构的、碳纳米管场致发射平面显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。

所述的一种带有反向共面型镇流结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板[1]、阴极玻璃面板[16]和四周玻璃围框[21]所构成的密封真空腔；在阴极玻璃面板上有控制栅极[14]，碳纳米管阴极[15]以及反向共面型镇流结构；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[17]以及制备在阳极导电层上的荧光粉层[19]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[20]以及消气剂[22]附属元件。

所述的反向共面型镇流结构包括阴极玻璃面板[1]、阻塞层[2]、门极引线层[3]、源极引线层[4]、漏极引线层[5]、门极层[6]、二氧化硅绝缘层[7]、源极层[8]、漏极层[9]、n型掺杂硅层[10]、二氧化硅保护层[11]、阴极引线层[12]、隔离层[13]、栅极[14]、碳纳米管[15]。

所述的反向共面型镇流结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层也就形成了阻塞层；阻塞层的上面存在一个金属层，刻蚀后的金属层分为三部分，即门极引线层，源极引线层和漏极引线层；门极引线层，源极引线层和漏极引线层是互不连通的；门极导电层的上面存在一个掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层形成了门极层；门极层完全位于门极引线层的上面，其余位置则不存在门极层；门极层呈现一种梯形形状，其长边位于下方，和门极引线层相接触；门极层的上面存在一个二氧化硅绝缘层，刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住门极层，门极引线层以及门极层和源极层之间、门极层和漏极层之间的空余位置；刻蚀后的二氧化硅绝缘层不能够覆盖源极引线层和漏极引线层；阴极玻璃面板上存在一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极层和漏极层；源极层和漏极层是互不连通的；源极层位于源极引线层的上面，漏极层位于漏极引线层的上面；源极层和漏极层分别位于二氧化硅绝缘层的两侧，且其上表面要高于二氧化硅绝缘层的上表面；阴极玻璃面板上存在一个n型掺杂硅层，刻蚀后的n型掺杂硅层要覆盖住源极层、漏极层和二氧化硅绝缘层的上表面；n型掺杂硅层的上面存在一个二氧化硅保护层，刻蚀后的二氧化硅保护层要覆盖住源极引线层、漏极引线层和n型掺杂硅层的表面；二氧化硅保护层的旁侧存在一个金属层，刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；阴极引线层上面刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层；刻蚀后的隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；隔离层的上面存在一个栅极层；碳纳米管阴极制备在电子通道孔中的阴极引线层上。

所述的反向共面型镇流结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上。阻塞层的上面存在一个金属层，可以为金属金、银、铝、镍、钼、铬、锡，刻蚀后的金属层分为三部分，即门极引线层、源极引线层和漏极引线层。门极层的掺杂类型可以为p型，也可以为n型。阴极引线层可以为金属金、银、铬、铝、钼、镍。栅极层可以为金属银、镍、钼、锡、铝、钴。

一种带有反向共面型镇流结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阻塞层[2]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；

3)门极引线层[3]、源极引线层[4]、漏极引线层[5]的制作：在阻塞层的上面制备出一个铝层，刻蚀后的铝层分为三部分，分别形成门极引线层，源极引线层和漏极引线层；三者是互不连通的；

4)门极层[6]的制作：在门极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成了门极层；门极层[6]即门极；

5)二氧化硅绝缘层[7]的制作：在门极层的上面制备出一个二氧化硅绝缘层，刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住门极层，门极引线层以及门极层和源极层之间、门极层和漏极层之间的空余位置；刻蚀后的二氧化硅绝缘层不能够覆盖源极引线层和漏极引线层；

6)源极层[8]和漏极层[9]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极层和漏极层；

7)n型掺杂硅层[10]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个n型掺杂硅层，刻蚀后的n型掺杂硅层要覆盖住源极层、漏极层和二氧化硅绝缘层的上表面；

8)二氧化硅保护层[11]的制作：在n型掺杂硅层的上面制备出一个二氧化硅保护层，刻蚀后的二氧化硅保护层要覆盖住源极引线层、漏极引线层和n型掺杂硅层的表面；

9)阴极引线层[12]的制作：在二氧化硅保护层的旁侧制备出一个金属铬层；刻蚀后形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；

10)隔离层[13]的制作：在阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层；刻蚀后的隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；

11)栅极[14]的制作：在隔离层的上面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成栅极；

12)反向共面型镇流结构的表面清洁处理：对整体阴极玻璃面板表面进行清洁处理，除掉灰尘和杂质；

13)碳纳米管阴极[15]的制备：将碳纳米管制备在阴极引线层上；

14)碳纳米管的后处理：对碳纳米管进行后处理，改善场致发射特性；

15)阳极玻璃面板[16]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

16)阳极导电层[17]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

17)绝缘浆料层[18]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

18)荧光粉层[19]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

19)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装配到一起，并将消气剂[22]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

20)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤4具体位在门极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的n型掺杂多晶硅层形成了门极层；门极层完全位于门极引线层的上面，其余位置则不存在门极层；门极层呈现一种梯形形状，其长边位于下方，和门极引线层相接触；

所述步骤6具体为在阴极玻璃面板上制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极层和漏极层；源极层和漏极层是互不连通的；源极层位于源极引线层的上面，漏极层位于漏极引线层的上面；源极层和漏极层分别位于二氧化硅绝缘层的两侧，且其上表面要高于二氧化硅绝缘层的上表面；

所述步骤17具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤18具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤20具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (8)

1、一种具有反向共面型镇流结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板[1]、阴极玻璃面板[16]和四周玻璃围框[21]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[17]以及制备在阳极导电层上的荧光粉层[19]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[20]以及消气剂附属元件[22]，其特征在于：在阴极玻璃面板上有控制栅极[14]，碳纳米管阴极[15]以及反向共面型镇流结构；所述的反向共面型镇流结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板[1]；在阴极玻璃面板[1]上刻蚀后的二氧化硅层也就形成了阻塞层[2]；阻塞层的上面存在一个金属层，刻蚀后的金属层分为三部分，即门极引线层[3]，源极引线层[4]和漏极引线层[5]；门极引线层，源极引线层和漏极引线层是互不连通的；门极导电层的上面存在一个掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层形成了门极层[6]；门极层[6]完全位于门极引线层[3]的上面，其余位置则不存在门极层；门极层呈现一种梯形形状，其长边位于下方，和门极引线层相接触；门极层[6]的上面存在一个二氧化硅绝缘层[7]，刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住门极层[6]、门极引线层[3]以及门极层[6]和源极层[8]之间、门极层[6]和漏极层[9]之间的空余位置；刻蚀后的二氧化硅绝缘层[7]不能够覆盖源极引线层和漏极引线层；阴极玻璃面板上存在一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极层[8]和漏极层[9]；源极层[8]和漏极层[9]是互不连通的；源极层[8]位于源极引线层[4]的上面，漏极层位于漏极引线层[5]的上面；源极层[8]和漏极层[9]分别位于二氧化硅绝缘层[7]的两侧，且其上表面要高于二氧化硅绝缘层的上表面；阴极玻璃面板上存在一个n型掺杂硅层，刻蚀后的n型掺杂硅层要覆盖住源极层[8]、漏极层[9]和二氧化硅绝缘层[7]的上表面；n型掺杂硅层的上面存在一个二氧化硅保护层[11]，刻蚀后的二氧化硅保护层[11]要覆盖住源极引线层[4]、漏极引线层[5]和n型掺杂硅层[10]的表面；二氧化硅保护层的旁侧存在一个金属层，刻蚀后的金属层形成阴极引线层[12]；阴极引线层[12]和漏极引线层[5]是相互连通的；阴极引线层上面刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层[13]；刻蚀后的隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层[12]；隔离层[13]的上面存在一个栅极层[14]；碳纳米管阴极[15]制备在电子通道孔中的阴极引线层上。

2、根据权利要求1所述的具有反向共面型镇流结构的平板显示器，其特征在于：所述的反向共面型镇流结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，阻塞层的上面存在一个金属层，为金属金、银、铝、镍、钼、铬、锡之一，刻蚀后的金属层分为三部分，即门极引线层，源极引线层和漏极引线层，门极层的掺杂类型为p型或n型，阴极引线层为金属金、银、铬、铝、钼、镍之一，栅极层为金属银、镍、钼、锡、铝、钴之一。

3、一种具有反向共面型镇流结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阻塞层[2]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一层二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；

3)门极引线层[3]、源极引线层[4]、漏极引线层[5]的制作：在阻塞层的上面制备出一个金属层，刻蚀后的金属层分为三部分，分别形成门极引线层，源极引线层和漏极引线层；三者是互不连通的；

4)门极层[6]的制作：在门极引线层的上面制备出一个p型或n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成了门极层；

5)二氧化硅绝缘层[7]的制作：在门极层的上面制备出一个二氧化硅绝缘层，刻蚀后的二氧化硅绝缘层要完全覆盖住门极层，门极引线层以及门极层和源极层之间、门极层和漏极层之间的空余位置；刻蚀后的二氧化硅绝缘层不能够覆盖源极引线层和漏极引线层；

6)源极层[8]和漏极层[9]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极层和漏极层；

7)n型掺杂硅层[10]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个n型掺杂硅层，刻蚀后的n型掺杂硅层要覆盖住源极层、漏极层和二氧化硅绝缘层的上表面；

8)二氧化硅保护层[11]的制作：在n型掺杂硅层的上面制备出一个二氧化硅保护层，刻蚀后的二氧化硅保护层要覆盖住源极引线层、漏极引线层和n型掺杂硅层的表面；

9)阴极引线层[12]的制作：在二氧化硅保护层的旁侧制备出一个金属层；刻蚀后形成阴极引线层；阴极引线层和漏极引线层是相互连通的；

10)隔离层[13]的制作：在阴极引线层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层；刻蚀后的隔离层的中间存在一个电子通道孔，暴露出底部的阴极引线层；

11)栅极[14]的制作：在隔离层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极；

12)反向共面型镇流结构的表面清洁处理：对整体阴极玻璃面板表面进行清洁处理，除掉灰尘和杂质；

13)碳纳米管阴极[15]的制备：将碳纳米管制备在阴极引线层上；

14)阳极玻璃面板[16]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

15)阳极导电层[17]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

16)绝缘浆料层[18]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

17)荧光粉层[19]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

18)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装配到一起，并将消气剂附属元件[22]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

19)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

4、根据权利要求3所述的具有反向共面型镇流结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤4具体为在门极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的n型掺杂多晶硅层形成了门极层；门极层完全位于门极引线层的上面，其余位置则不存在门极层；门极层呈现一种梯形形状，其长边位于下方，和门极引线层相接触。

5、根据权利要求3所述的具有反向共面型镇流结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤6具体为在阴极玻璃面板上制备出一个n型重掺杂硅层，刻蚀后的n型重掺杂硅层分为两部分，即源极层和漏极层；源极层和漏极层是互不连通的；源极层位于源极引线层的上面，漏极层位于漏极引线层的上面；源极层和漏极层分别位于二氧化硅绝缘层的两侧，且其上表面要高于二氧化硅绝缘层的上表面。

6、根据权利要求3所述的具有反向共面型镇流结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤16具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

7、根据权利要求3所述的具有反向共面型镇流结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤17具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

8、根据权利要求3所述的具有反向共面型镇流结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤19具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

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