CN203683652U - 一种磁控溅射镀膜装置 - Google Patents

一种磁控溅射镀膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN203683652U
CN203683652U CN201320623578.3U CN201320623578U CN203683652U CN 203683652 U CN203683652 U CN 203683652U CN 201320623578 U CN201320623578 U CN 201320623578U CN 203683652 U CN203683652 U CN 203683652U
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
molybdenum rod
plating device
magnetic field
anode cap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320623578.3U
Other languages
English (en)
Inventor
何晏兵
曹永祥
仇泽军
李文铭
江培杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhu Token Sciences Co Ltd
Original Assignee
Wuhu Token Sciences Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhu Token Sciences Co Ltd filed Critical Wuhu Token Sciences Co Ltd
Priority to CN201320623578.3U priority Critical patent/CN203683652U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203683652U publication Critical patent/CN203683652U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型揭示了一种磁控溅射镀膜装置,包括靶材和磁场,所述的靶材一侧固定有辅助阳极钼杆。通过该装置对阳极罩进行更改,可以在溅射过程中较均匀地刻蚀靶材,使靶材表面溅射沟道较平滑,提高靶材的利用率,同时又可以避免基片车及基板玻璃表面堆积电子产生异常放电现象造成玻璃表面打黑现象。

Description

一种磁控溅射镀膜装置
技术领域
本实用新型涉及多跑道磁控溅射镀膜装置的阳极罩结构。
背景技术
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar离子和新的电子;新电子飞向基片,同时受电场与磁场共同作用下作螺旋运动,增加离子碰撞的概率。Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。根据磁控溅射原理,在镀膜低电阻产品时,因膜层厚度很大,对靶材溅射率要求很高。为保证生产效率,减少平面靶更换周期,所以平面ITO靶材宽度约是镀常规产品ITO靶材宽度的2倍,同时背面磁场设置为移动磁场,在镀膜时磁场沿靶材宽度方向来回移动,这样可以保证宽靶材在溅射率大时也能延长靶材的更换周期。
目前的镀膜生产过程中,会发生靶材表面溅射不是很均匀,靶材中间区域溅射较两侧慢,同时玻璃在靠近基片车杆及夹具位置会常出现异常放电造成的打黑现象。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是实现一种使磁场来回移动时在靶材中间区域时能够有效的完成溅射,同时也可以将中间区域大量电子吸附导入大地,使电子无法在玻璃基板及基片车上堆集,避免产生异常放电现象的磁控溅射镀膜装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:一种磁控溅射镀膜装置,包括靶材和磁场,所述的靶材一侧固定有辅助阳极钼杆。
所述的钼杆设有1-4根并沿着靶材延伸方向设置,其两端分别通过上夹具、下夹具以及螺丝固定。
所述的钼杆其中一端与端部固定端面之间设有压簧。
所述的钼杆直径为5mm±1mm。
所述的阳极罩固定在门板上,靶材置于阳极罩凹槽内,所述的钼杆固定在阳极罩上位于靶材外侧面,所述的靶材与阳极罩之间设有压条,所述靶材和钼杆外侧设有门板。
所述的磁场由磁铁组构成并被电机控制来回移动的移动磁场。
通过该装置对阳极罩进行更改,可以在溅射过程中较均匀地刻蚀靶材,使靶材表面溅射沟道较平滑,提高靶材的利用率,同时又可以避免基片车及基板玻璃表面堆积电子产生异常放电现象造成玻璃表面打黑现象。
附图说明
下面对本实用新型说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明:
图1为阳极罩正视结构图;
图2为阳极罩侧视结构图;
图3为图1中钼杆固定机构示意图;
上述图中的标记均为:1、门板;2、阳极罩;3、压条;4、靶材;5、钼杆;6、移动磁场;7、上夹具;8、下夹具;9、螺丝;10、压簧。
具体实施方式
参见图1、2可知,磁控溅射镀膜装置靶材4置于阳极罩2凹槽内,靶材4提供溅射物质的材料,阳极罩2优选不锈钢材料,用于吸附多余电子及阻挡溅射材料溅到除玻璃基板外箱体其它地方,靶材4与阳极罩2之间设有压条3,压条3用于保护铜板不被离子攻击,靶材4外侧设有门板1,门板为镀膜箱体的门,磁控溅射镀膜装置的磁场为移动磁场,采用磁铁组并由电机控制来回移动。
本装置的改进主要是在靶材4与门板1之间设置辅助阳极材料,辅助阳极采用易导电、熔点较高、化学性质稳定的材料制成,优选钼,并制成圆柱状,且直径大小约为5MM,直径太大会阻挡溅射靶材物质到玻璃基板上,直径尺寸太小辅助阳极效果不明显。钼杆5沿着靶材4延伸方向设置,可设置1-4根,优选2根。
钼杆在工作过程中会热胀冷缩,因此不允许采取两端固定方式,参见图3,固定时两端为夹片式的上夹具7和下夹具8,两端夹具通过螺丝9固定在阳极罩2上下表面上,钼杆5其中一端与端部固定端面(夹具内端面)之间设有压簧10,采取过渡机械配合方式固定。钼杆5工作时,材料表面会有许多氧化物及各种杂质,需要停机拆下利用化学试剂进行清除,所以必须采用易于安装拆卸的方式.利用螺丝9固定的上夹具7和下夹具8便于拆装。
此方法在原有装置上改装小,不需破坏原有阳极罩的构造,仅仅需要在原有装置上增加两根钼杆,但能够在溅射过程中较均匀地刻蚀靶材,使靶材表面溅射沟道较平滑,提高靶材的利用率,同时又可以避免基片车及基板玻璃表面堆积电子产生异常放电现象造成玻璃表面打黑现象。
上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述,显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进,或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种磁控溅射镀膜装置,包括靶材(4)和磁场,其特征在于:所述的靶材(4)一侧固定有辅助阳极钼杆(5);
所述的钼杆(5)其中一端与端部固定端面之间设有压簧(10);
所述的钼杆(5)设有1-4根并沿着靶材(4)延伸方向设置,其两端分别通过上夹具(7)、下夹具(8)以及螺丝(9)固定。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置,其特征在于:所述的钼杆(5)直径为5 mm±1mm的圆柱形。
3.根据权利要求1或2项所述的磁控溅射镀膜装置,其特征在于:所述的阳极罩(2)固定在门板(1)上,靶材(4)置于阳极罩(2)凹槽内,所述的钼杆(5)固定在阳极罩(2)上位于靶材(4)外侧面,所述的靶材(4)与阳极罩(2)之间设有压条(3),所述靶材(4)和钼杆(5)外侧设有门板(1)。
4.根据权利要求3中所述的磁控溅射镀膜装置,其特征在于:所述的磁场由磁铁组构成并被电机控制来回移动的移动磁场(6)。
CN201320623578.3U 2013-10-10 2013-10-10 一种磁控溅射镀膜装置 Expired - Lifetime CN203683652U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320623578.3U CN203683652U (zh) 2013-10-10 2013-10-10 一种磁控溅射镀膜装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320623578.3U CN203683652U (zh) 2013-10-10 2013-10-10 一种磁控溅射镀膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203683652U true CN203683652U (zh) 2014-07-02

Family

ID=51005577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320623578.3U Expired - Lifetime CN203683652U (zh) 2013-10-10 2013-10-10 一种磁控溅射镀膜装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203683652U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104529179A (zh) * 2014-10-31 2015-04-22 天津南玻节能玻璃有限公司 抑制三银玻璃放电的装置
CN108239760A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 浙江金徕镀膜有限公司 磁控溅射靶罩
CN108441835A (zh) * 2018-04-11 2018-08-24 京东方科技集团股份有限公司 磁控溅射设备、成膜方法、oled制备方法及显示面板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104529179A (zh) * 2014-10-31 2015-04-22 天津南玻节能玻璃有限公司 抑制三银玻璃放电的装置
CN104529179B (zh) * 2014-10-31 2017-02-01 天津南玻节能玻璃有限公司 抑制三银玻璃放电的装置
CN108239760A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 浙江金徕镀膜有限公司 磁控溅射靶罩
CN108441835A (zh) * 2018-04-11 2018-08-24 京东方科技集团股份有限公司 磁控溅射设备、成膜方法、oled制备方法及显示面板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203683652U (zh) 一种磁控溅射镀膜装置
CN209836293U (zh) 一种高效率磁控溅射平面阴极
CN111172504B (zh) 一种磁控溅射阴极
CN101285171A (zh) 旋转圆柱磁控溅射靶
CN104313538A (zh) 蒸镀设备及蒸镀方法
JP4660570B2 (ja) 真空成膜装置及び成膜方法
CN108728808A (zh) 一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极
CN206736351U (zh) 一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极
CN203761670U (zh) 一种中子发生器
CN103290378B (zh) 磁控溅射镀膜阴极机构
CN204162776U (zh) 一种靶材组件
CN204162777U (zh) 一种靶材组件
CN205934013U (zh) 一种真空磁控溅设备的扇形磁铁座及磁靴
CN209974873U (zh) 一种高场强高靶材利用率的阴极
CN209974874U (zh) 一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极
CN110965036B (zh) 稀土永磁体表面真空镀膜设备
CN210065899U (zh) 一种高靶材利用率的磁控溅射阴极
CN109576664A (zh) 一种三栅组件及含有该三栅组件的离子源
CN209307480U (zh) 一种离化率高的滚刀表面复合镀膜装置
CN106676491A (zh) 圆柱面磁控溅射装置
US20170256386A1 (en) Magnetic Spattering Coating Device and Target Device Thereof
CN219547068U (zh) 用于磁控卷绕镀膜的离子源清洁机构
CN2879416Y (zh) 一种扫描式离子枪
CN201670872U (zh) 矩形平面磁控靶
CN220952028U (zh) 一种真空镀膜装置的可移动磁组件

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140702

CX01 Expiry of patent term