CN108441835A - 磁控溅射设备、成膜方法、oled制备方法及显示面板 - Google Patents

Abstract

一种磁控溅射设备、成膜方法、有机发光二极管(OLED)的制备方法及显示面板。该磁控溅射设备包括：阳极构件，包括可被施加第一电压的阳极部；阴极构件，相对于所述阳极构件设置，包括可被施加小于所述第一电压的第二电压的阴极部；调整机构，配置为可调整至少所述阳极部与所述阴极部之间的相对距离。该磁控溅射设备通过调整阳极部与阴极部之间的相对距离可以降低磁控溅射设备的启辉功率，并可以调节处于阳极部与阴极部之间的离子的动能等。

Description

磁控溅射设备、成膜方法、OLED制备方法及显示面板

技术领域

本公开的实施例涉及一种磁控溅射设备、成膜方法、有机发光二极管(OLED)的制备方法及显示面板。

背景技术

磁控溅射是物理气相沉积的一种，其工作原理是：电子在磁控溅射设备的阴极和阳极之间的电场作用下，在飞向目标基片过程中与气体原子如氩原子发生碰撞，使其电离产生出氩正离子和新的电子；新电子飞向目标基片，氩离子在电场作用下加速飞向阴极靶材，并以高能量轰击靶材表面，使靶材溅射出原子或分子。这些被溅射出的中性的靶材原子或分子沉积在目标基片上，形成膜层。使用磁控溅射法形成的膜层较为致密、均匀，并且与目标基片的结合力较强。磁控溅射是OLED的制备工艺中一种常见的成膜工艺，例如用于形成金属膜或有机膜。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种磁控溅射设备，包括：阳极构件，包括可被施加第一电压的阳极部；阴极构件，相对于所述阳极构件设置，包括可被施加小于所述第一电压的第二电压的阴极部；调整机构，配置为可调整至少所述阳极部与所述阴极部之间的相对距离。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备中，所述调整机构配置为移动所述阳极构件或所述阴极构件，从而调整至少所述阳极部与所述阴极部的相对距离。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备中，所述阳极构件还包括阳极安装部，所述阳极部安装于所述阳极安装部上；所述调整机构配置为调整所述阳极部相对于所述阳极安装部的距离，从而调整所述阳极部与所述阴极部之间的距离。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备中，所述调整机构包括丝杠；所述丝杠可通过旋转来带动所述阳极部移动。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备中，所述调整机构还包括传动带和电机；所述传动带可在所述电机的驱动下带动所述丝杠转动。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备中，所述调整机构还包括导轨；所述阳极部可沿所述导轨移动。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备，还包括掩膜版安装部；所述掩膜版安装部设置在所述阳极部的远离所述阴极构件的一侧，并配置为安装溅射用掩模版。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备中，所述阳极部具有粗糙表面。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备中，所述阳极部包括相互平行设置或交叉设置的多个阳极棒。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备中，相邻的所述阳极棒之间具有开口，所述阳极部的开口率为40％-60％。

例如，本公开至少一实施例提供的磁控溅射设备，还包括控制器，其中，所述控制器根据预设指令对所述调整机构的工作状态进行控制，从而实现对所述相对距离的调节。

本公开至少一实施例提供一种磁控溅射成膜方法，包括采用上述任一磁控溅射设备进行磁控溅射，该方法包括：调整所述阳极部与所述阴极部的相对距离至一预定值；对所述阳极部以及所述阴极部之间施加电压以进行溅射操作。

例如，本公开至少一实施例提供的成膜方法中，所述溅射操作包括：调整所述阳极部与所述阴极部的距离至第一距离，对所述阳极部以及所述阴极部之间施加第一电压差；然后调整所述阳极部与所述阴极部的距离至第二距离，对所述阳极部以及所述阴极部之间施加第二电压差。

例如，本公开至少一实施例提供的成膜方法，还包括：按照预设指令调节所述阳极部与所述阴极部之间的距离和/或电压差的大小。

本公开至少一实施例提供一种有机发光二极管的制备方法，包括采用上述任一成膜方法形成所述有机发光二极管的电极。

本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括多个像素单元；其中，每个所述像素单元包括采用上述方法制备得到的有机发光二极管；所述有机发光二极管包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的电极，所述电极包括第一层电极和第二层电极；其中，所述第一层电极靠近所述衬底基板，并且所述第一层电极的块电阻高于所述第二层电极的块电阻。

本实施例提供的磁控溅射设备可以通过调整阳极部与阴极部之间的相对距离降低磁控溅射设备的启辉功率，并可以调节处于阳极部与阴极部之间的离子的动能等。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为本公开一实施例提供的一种磁控溅射设备的示意图；

图2为本公开一实施例提供的阳极构件的阳极安装部的示意图；

图3为本公开一实施例提供的阳极构件的示意图；

图4为本公开一实施例提供的调整机构的示意图；

图5为本公开一实施例提供的阳极部的示意图；

图6为本公开一实施例提供的阳极构件的拆分结构示意图；

图7A为本公开一实施例提供的另一种磁控溅射设备的示意图；

图7B为本公开一实施例提供的安装有掩膜版的阳极构件的示意图；

图7C为本公开一实施例提供的再一种磁控溅射设备；

图8为本公开一实施例提供的另一磁控溅射设备的示意图；

图9A为本公开一实施例提供的成膜方法的流程图；

图9B为本公开一实施例提供的磁控溅射设备中阳极部与阴极部相距为D1的示意图；

图9C为本公开一实施例提供的磁控溅射设备中阳极部与阴极部相距为D2的示意图；

图10为本公开一实施例提供的有机发光二极管的示意图；

图11为本公开一实施例提供的显示面板的示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本公开发明人在研究中发现，现有的磁控溅射设备的阴极和阳极之间的距离是一定的，因此必须有一定功率才能启辉放电产生离子。一方面，在该功率下，离子的动能通常很高，另一方面磁控溅射设备的阳极与目标基片靠近设置，阴极和靶材靠近设置或二者一体设置，离子通常产生于目标基片和靶材之间，如果产生的离子靠近目标基片，则该离子很容易对目标基片造成轰击，对目标基片产生电学和热能损伤。当目标基片为显示基板时，例如有机发光二极管(OLED)显示基板时，该损伤会严重影响所制备的显示基板的发光效率和显示效果。

本公开至少一实施例提供一种磁控溅射设备，包括：阳极构件，包括可被施加第一电压的阳极部；阴极构件，相对于阳极构件设置，包括可被施加小于第一电压的第二电压的阴极部；调整机构，配置为可调整至少阳极部与阴极部之间的相对距离。

本公开至少一实施例提供的一种磁控溅射成膜方法，包括采用上述磁控溅射设备进行磁控溅射，该方法包括：调整阳极部与阴极部的相对距离至一预定值；对阳极部以及阴极部之间施加电压以进行溅射操作。

本公开至少一实施例提供一种有机发光二极管的制备方法，包括采用上述成膜方法形成所述有机发光二极管的电极。

本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括多个像素单元；其中，每个像素单元包括采用上述的方法制备得到的有机发光二极管；该有机发光二极管包括衬底基板以及设置在衬底基板上的电极，该电极包括第一层电极和第二层电极；其中，第一层电极靠近所述衬底基板，并且第一层电极的块电阻高于第二层电极的块电阻。

下面通过几个具体的实施例对本公开的磁控溅射设备、成膜方法、有机发光二极管的制备方法及显示面板进行说明。

实施例一

本实施例提供一种磁控溅射设备，如图1所示，该磁控溅射设备10包括腔体以及设置于腔体内的阳极构件101、阴极构件102和调整机构等。阳极构件101包括可被施加第一电压的阳极部1012；阴极构件102相对于阳极构件101设置，并且包括可被施加小于第一电压的第二电压的阴极部1021；调整机构(图1中未示出)配置为可调整至少阳极部1012与阴极部1021之间的相对距离。在阳极部1012和阴极部1021上分别施加第一电压和第二电压可在二者之间形成电场。

例如，磁控溅射设备还包括可以溅射基板安装部103，用于安装待溅射基板1031。如图1所示，溅射基板安装部103例如可以设置在阳极构件101的远离阴极构件102的一侧。溅射基板安装部103可以采用适当方式来安装、固定待溅射基板1031，例如卡接等。

本实施例中，溅射基板安装部103例如可以与阳极构件101相邻设置，例如也可以相隔一定距离。本实施例中，溅射基板安装部103例如可以为独立的构件，例如也可以设置在其他构件上。例如，阳极部101还可以包括阳极安装部1011(参见图2)，溅射基板安装部103可以设置在阳极安装部1011上，从而溅射基板1031在安装后与阳极部1012相对并临近设置。

本实施例中，用于溅射的靶材1022例如可以设置在阴极部1021的相对于阳极构件101的表面上。例如，阴极构件102还可以包括靶材安装部，该靶材安装部可以设置在阴极部1021的靠近阳极构件101的一侧，用于安装靶材1022。该靶材安装部例如可以采用适当方式来安装、固定待靶材，例如卡接等，又或者为了提高靶材的利用率以及溅射工艺的稳定性，靶材安装部是可移动从而改变靶材的位置。

例如，在另一个示例中，阴极部1021可以采用靶材材料形成，因此可以直接用作靶材，因此不再需要单独的靶材安装部，而且此时例如可以根据需求选择相应材料的阴极部1021。

本实施例中，在磁控溅射设备进行磁控溅射操作时，电子在阴极部和阳极部之间形成的电场的作用下高速运动，当高速运动的电子与施加在阴极部和阳极部之间作为工作气体氩气的氩(Ar)原子发生碰撞时，氩原子发生电离，产生出氩正离子和新的电子；新的电子飞向待溅射基板，氩正离子在电场作用下加速飞向阴极靶材，并以高能量轰击靶材表面而溅射出靶原子或分子，使靶材发生溅射。溅射出的中性的靶原子或分子通过阳极构件后沉积在待溅射基板上形成膜层。

本公开的至少一个实施例中，调整机构配置为可调整至少阳极部与阴极部之间的相对距离，从而用于轰击靶材的离子的活动空间(即阴极部和阳极部之间的空间)也相应被调整。例如，在磁控溅射初始阶段，可以调整阳极部与阴极部之间的相对距离(取阴极部和阳极部彼此相对最短垂直距离)至一较小的数值，由公式E＝U/D(其中，E表示阳极部与阴极部之间的电场；U表示阳极部与阴极部之间的电压差；D表示阳极部与阴极部之间的距离)可知，当阳极部与阴极部之间的电压差U不变时，阳极部与阴极部之间的距离D缩小可以增大阳极部与阴极部之间的电场E，从而易于启辉放电以开始磁控溅射操作；或者说，调节阳极部与阴极部之间的相对距离至一较小的数值时，采用较小的电压差U即可实现启辉放电以开始磁控溅射操作，从而可以降低磁控溅射设备的启辉功率。

而且，当磁控溅射操作开始后，例如可以保持阳极部与阴极部之间的距离D不变，减小阳极部与阴极部之间的电压差U使得阳极部与阴极部之间的电场E满足最小的启辉放电要求，从而可以节约电能。另外，阳极部与阴极部之间的相对距离较小时，用于轰击靶材的离子的活动空间也较小，从而处于阳极部与阴极部之间的离子的加速距离以及加速时间减小，因此可以减小离子在电场中所能获得的最大动能，也相应减小溅射原子所能获得的最大动能，进而减小溅射原子对待溅射基板轰击而造成的损伤，例如由于溅射原子动能较大对待溅射基板产生的物理损伤以及热损伤等。

此外，由于阳极部设置在阴极部与待溅射基板之间，因此阳极部可以对高速运动的离子形成一定拦截作用，从而减少离子对待溅射基板的轰击，并且该阳极部还可以吸附向待溅射基板移动的负离子或电子，从而可以进一步减轻其对待溅射基板的损伤，例如由于带电粒子轰击而形成的电损伤等。

本实施例中，调整机构例如可以配置为移动阳极构件101或阴极构件102，从而调整至少阳极部与阴极部的相对距离。例如，调整机构可以包括设置在阳极构件101或阴极构件102底部的滑轨，阳极构件101或阴极构件102可以在滑轨上被移动，从而可以调节阳极构件101与阴极构件102的相对距离。例如，调整机构还可以包括驱动阳极构件101或阴极构件102在滑轨上移动的动力机构以及控制机构，从而控制机构可以根据预设指令驱动动力机构使阳极构件101或阴极构件102在滑轨上移动预定距离，实现对阳极构件101或阴极构件102的位移的调节。

例如，如图2和图3所示，阳极构件101还包括阳极安装部1011，阳极部1012安装于阳极安装部1011上。该示例中，调整机构配置为移动阳极部1012以调整阳极部1012相对于阳极安装部1011的距离，从而调整阳极部1012与阴极部1021之间的距离。

例如，该调整机构可以包括丝杠，该丝杠可以通过旋转来直接或间接带动阳极部移动。例如，如图3所示，丝杠1013可以设置在阳极安装部1011上，丝杠1013旋转时可以带动阳极部1012在垂直于阳极安装部1011所在平面的方向上移动(即在图3的示例中，阳极部1012可以沿垂直于纸面的方向移动)，从而调整阳极部1012相对于阳极安装部1011的距离。

例如，该调整机构还可以包括传动机构(例如传动带或齿轮等)和电机，传动机构在电机的驱动下带动丝杠转动，该电机可以为任何适用的电机，例如步进电机等。例如，如图3和图4所示，传动带1014可以沿阳极安装部1011的轮廓设置在阳极安装部1011上，电机1015例如可以设置在阳极安装部1011的边角处。阳极安装部1011的其他边角处例如还可以设置转向轮1017，从而传动带1014可以沿转向轮1017和电机1015限定的路径传输动力以带动丝杠转动。此外，传动带1014的传动方向可以通过调节转向轮1017的转动方向而改变，从而丝杠的转动方向也随之改变，使得阳极部1012可以相对于阳极安装部1011靠近与远离。

例如，该调整机构还可以包括导轨以起到导向的作用，从而阳极部可以沿导轨移动。例如，如图3和图4所示，导轨1016可以设置在阳极安装部1011上，例如设置在丝杠1013的两侧，导轨1016的引导方向例如垂直于阳极安装部1011所在平面，从而在丝杠1013转动时，阳极部1012可以沿导轨1016在垂直于阳极安装部1011所在平面的方向上移动。

本实施例中，阳极部例如可以包括相互平行设置或交叉设置的多个阳极棒。例如，图3示出了平行设置的多个阳极棒，图5示出了交叉设置的多个阳极棒，此时该多个交叉设置的阳极棒整体形成为网格状。例如，相邻的阳极棒具有一定间距从而形成开口，并且阳极部的开口率为40％-60％，即相邻的阳极棒形成的开口面积占阳极部整体所占面积的40％-60％，例如45％、50％或55％等。该开口部分可以允许溅射材料通过以使得溅射材料可以沉积在待溅射基板上，并且非开口部分可以形成对非溅射材料(例如氩离子、电子等粒子)的有效拦截，以防止其对溅射膜层以及待溅射基板的损伤。

例如，如图5所示，阳极部1012还可以包括上下两个固定板1012B，多个阳极棒1012A固定在两个固定板1012B之间。例如固定板1012B内还设置有圆形槽1012C，多个阳极棒1012A可以固定在圆形槽1012C中，从而与固定板1012B稳固连接。

例如，如图6所示，阳极部1012例如可以通过封盖结构1017安装于阳极安装部1011上。例如，封盖结构1017可以将位于阳极安装部1011上的丝杠1013、电机1015、导轨1016以及转向轮1017等结构密封，从而防止空气中的污染物(例如尘土等)或溅射材料进入上述结构中而影响其正常工作。例如，阳极安装部1011还可以包括与丝杠1013以及导轨1016相配合的支撑板1018。阳极部1012在安装时，可以首先与封盖结构1017以及支撑板1018连接，然后再固定于阳极安装部1011上，这样的安装结构可以使阳极部1012的安装更牢固、稳定。

在本实施例的其他示例中，调整机构例如还可以为其他形式。例如，在一个示例中，采用凸轮和推杆相配合的形式来实现阳极部1012相对于阳极安装部1011的移动。例如，可以将推杆的一端连接于或抵靠于凸轮，将凸轮设置在阳极安装部1011上并配置为可以通过凸轮的转动来推动推杆运动进而带阳极部1012移动，从而实现阳极部1012相对于阳极安装部1011的移动。例如，调整机构还可以采用弹簧和电磁铁相配合的形式来实现阳极部1012相对于阳极安装部1011的移动。

例如，在另一个示例中，可以将弹簧的一端与阳极安装部1011连接，另一端与阳极部1012的固定板1012B连接，同时，阳极安装部1011和固定板1012B的相对位置上设置电磁铁，并配置为通过调节电磁铁通电量的大小来调节位于阳极安装部1011和固定板1012B上的电磁铁的吸引力大小，进而调节阳极安装部1011和阳极部1012之间的相对距离。例如，当电磁铁的通电量较大时，位于阳极安装部1011和固定板1012B上的电磁铁的吸引力较大，从而阳极安装部1011和阳极部1012之间的相对距离缩短，弹簧压缩；当降低电磁铁的通电量或切断为电磁铁通电的电源后，阳极安装部1011和固定板1012B上的电磁铁的吸引力较小或降低为零，此时阳极安装部1011和阳极部1012可以在弹簧的弹力作用下相远离，从而实现阳极部1012相对于阳极安装部1011的移动。本公开的实施例对调整机构的形式不作具体限定。

本实施例中，磁控溅射设备例如还可以包括掩膜版安装部，该掩膜版安装部例如可以设置在溅射基板安装部103与阳极构件101之间，例如设置在阳极部1012的远离阴极构件102的一侧，并配置为安装溅射用掩模版，从而在溅射沉积过程中在待溅射基板上形成预定图案。例如，掩膜版安装部可以为独立的构件，例如也可以设置在其他构件上，例如，如图7A所示，掩膜版安装部1010A可以设置在阳极构件101的阳极安装部1011上。

例如，如图7A和图7B所示，掩膜版安装部1010A可以设置在阳极部1012的远离阴极构件102的一侧，从而其上安装掩膜版1010后，该安装掩膜版1010可以对溅射到待溅射基板上的溅射材料进行构图。例如，如图7C所示，阳极安装部1011可以同时设置有溅射基板安装部103与掩膜版安装部1010A，此时掩膜版安装部1010A可以设置于阳极部1012与溅射基板安装部103之间。

例如，当溅射基板安装部103为独立的构件时，溅射基板安装部103可以与掩膜板安装部临近设置，从而安装的待溅射基板和掩膜板可以临近设置，该设置有利于掩膜版1010对溅射到待溅射基板的材料更精细地构图。

例如，在图8所示的示例中，溅射基板安装部103与阳极构件101的阳极安装部1011临近设置，因此在阳极安装部1011上的掩膜板安装部安装掩膜版1010后，安装的待溅射基板和掩膜版1010可以临近设置。此时，阳极部1012在丝杠1013的带动下可以相对于阳极安装部1011移动，从而可以调节阳极部1012与阴极部1021之间的距离D，在此过程中，阳极安装部1011并未移动，因此待溅射基板和掩膜版1010始终临近设置，该设置有利于掩膜版1010对溅射到待溅射基板的材料更精细地构图。

例如，在调整机构配置为调整阳极部1012相对于阳极安装部1011的距离时，阳极部1012与待溅射基板的距离也相应地被调整，此时，阳极部1012可以使待溅射基板与用于溅射靶材的离子(处于阳极部1012与阴极部1021之间)不会直接接触，而是间隔较远的距离，因此阳极部1012可以对离子产生有效拦截，减少离子对待溅射基板的轰击，并且阳极部1012还可以吸附向待溅射基板移动的负离子或电子，以减轻其对待溅射基板以及溅射膜层的损伤。

本实施例中，阳极部1012可以具有粗糙表面，例如形成有多个凹陷或多个凸起等。例如，阳极部1012的至少相对于阴极构件102的一侧的表面粗糙，从而被阳极部1012拦截的材料不易滑落以影响对待溅射基板的精细构图以及溅射成膜的均匀性。本实施例中，例如阳极棒1012A的相对于阴极构件101的一侧具有粗糙表面，该阳极棒1012A例如可以采用磁性材料制成，例如采用铁、钴或镍等磁性材料制成。例如，可以采用磨砂等工艺对阳极棒1012A表面进行粗糙化处理以形成粗糙表面，本实施例对阳极部1012的材料以及形成工艺不做具体限定。

本实施例中，如图8所示，磁控溅射设备10例如还可以包括控制器104、操作台等，操作人员可以通过操作台进行输入控制指令并存储，或者可以实时发出控制指令给该控制器104，该控制器104则可以根据预设控制指令或实时接收的控制指令对调整机构的工作状态进行控制，从而实现对至少阳极部1012与阴极部1021之间的相对距离的调节。例如，该控制器104可以以有线信号或无线信号的形式与调整机构进行信号连接，从而实现对调整机构的工作状态的控制。例如，该控制器104可以根据预设指令控制调整机构使阳极部1012与阴极部1021的相对距离D在一预定时间下调节至一预定值。该控制器104例如可以为个人电脑(PC)、单片机、可编程逻辑控制器(PLC)等，本公开的实施例对此不作限制；例如，操作台可以包括显示屏、鼠标、键盘、触摸板等。

本实施例中，磁控溅射设备例如还可以包括电源、机械臂(例如用于拾取待溅射基板、靶材等)、抽真空装置(抽出设备中的杂质气体，以保证成膜的纯净度)以及充气装置(用于充入氩气等工作气体)等其他构件，本实施例对此不做限定。

实施例二

本实施例提供一种磁控溅射成膜方法，该方法采用上述任一磁控溅射设备进行磁控溅射，该方法包括：调整阳极部与阴极部的相对距离至一预定值，对阳极部以及阴极部之间施加电压以进行溅射操作。例如，该预定值可以根据实际需求进行调整，例如根据所需的膜层的性质进行调整等。

例如，在本实施例的一个示例中，如图9A所示，该方法可以包括步骤S101和步骤S102。

步骤S101：调整阳极部与阴极部的距离至第一距离，对阳极部以及阴极部之间施加第一电压差。

步骤S102：调整阳极部与阴极部的距离至第二距离，对阳极部以及阴极部之间施加第二电压差。

例如，在本实施例的一个示例中，在磁控溅射初始阶段，如图9B所示，可以调整阳极部与阴极部之间的第一距离D1至一较小的数值，由公式E＝U/D(其中，E表示阳极部与阴极部之间的电场；U表示阳极部与阴极部之间的电压差；D表示阳极部与阴极部之间的距离)可知，当阳极部与阴极部之间的电压差U不变时，阳极部与阴极部之间的距离D缩小可以增大阳极部与阴极部之间的电场E，从而易于启辉放电以开始磁控溅射操作；即调节阳极部与阴极部之间的相对距离至一较小的数值时，采用较小的第一电压差U即可实现启辉放电以开始磁控溅射操作，因此可以降低磁控溅射设备的启辉功率。并且在该过程中，阳极部与阴极部之间的相对距离较小时，用于轰击靶材的离子的活动空间也较小，从而处于阳极部与阴极部之间的离子的加速距离以及加速时间减小，因此可以减小离子在电场中所能获得的最大动能，也相应减小溅射原子所能获得的最大动能，进而减小溅射原子对待溅射基板轰击而造成的损伤，例如由于溅射原子动能较大对待溅射基板产生的物理损伤以及热损伤等。

此外，由于阳极部设置在阴极部与待溅射基板之间，并与待溅射基板相隔一定的距离，因此阳极部可以对高速运动的离子形成有效拦截，从而减少离子对待溅射基板的轰击，并且该阳极部还可以吸附向待溅射基板移动的负离子或电子，从而减轻其对待溅射基板的损伤，例如由于带电粒子轰击而形成的电损伤等，因此，通过该过程例如可以获得块电阻较高、损伤较小的第一膜层。

例如，在磁控溅射操作开始后，可以保持阳极部与阴极部之间的距离D不变(即第二距离等于第一距离)，减小阳极部与阴极部之间的电压差U(即第二电压差小于第一电压差)使得阳极部与阴极部之间的电场E满足最小的启辉放电要求，从而可以节约电能。或者，在磁控溅射操作开始后，如图9C所示，例如可以适当增加阳极部与阴极部之间的距离D至第二距离D2(即第二距离D2大于第一距离D1)，也适当增加阳极部与阴极部之间的电压差U至第二电压差(即第二电压差大于第一电压差)。在该过程中，阳极部与阴极部之间的相对距离较大，用于轰击靶材的离子的活动空间也较大，从而处于阳极部与阴极部之间的离子的加速距离以及加速时间增大，因此可以增大离子在电场中所能获得的最大动能，也相应增大溅射原子所能获得的最大动能。在前面的步骤中，由于第一膜层已经形成在待溅射基板上，因此第一膜层可以起到保护作用，以避免本次溅射过程中高速溅射的材料对待溅射基板形成的损伤等。例如，本次溅射过程可以获得块电阻较低的第二膜层。

本实施例中，通过调节阳极部与阴极部的之间距离和/或电压差例如还可以调节溅射沉积得到的膜层的其他性质，例如膜层的透光率、密度等，本实施例对此不做限定。

本实施例中，该成膜方法例如还可以包括：按照预设指令调节阳极部与阴极部之间的距离和/或电压差的大小。

例如，可以采用控制器根据预设指令对磁控溅射设备的调整机构的工作状态进行控制，从而实现对至少阳极部与阴极部之间的相对距离的调节。例如，还可以采用控制器根据预设指令对阳极部以及阴极部施加的电压进行调节，从而调节阳极部与阴极部之间的电压差。例如，该控制器可以根据预设指令控制调整机构使阳极部与阴极部的相对距离至第一距离，然后对阳极部以及阴极部的电压进行调节，使阳极部与阴极部之间的电压差至第一电压差；采用该参数开启磁控溅射一定时间后，控制器可以调整阳极部与阴极部的距离至第二距离，并控制对阳极部以及阴极部之间施加第二电压差，从而实现对磁控溅射设备的自动调节。

采用本实施例提供的方法形成的膜层时，可以获得损伤较小的膜层，并且可以根据需求选择适当的磁控溅射参数来获得块电阻以及透光率等性质不同的膜层，并且在成膜过程中磁控溅射的参数可调，由此还可以形成具有不同性质的膜层的叠层。

实施例三

本公开至少一实施例提供一种有机发光二极管的制备方法，该方法包括采用上述任一成膜方法形成有机发光二极管(OLED)的电极，例如，形成有机发光二极管的阳极或阴极，例如形成金属电极，例如镁(Mg)电极、银(Ag)电极等，或者形成透明氧化物电极，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)电极等，本实施例对电极的具体材料不做限定。该电极的性质可以充分满足有机发光二极管的需求，例如该电极缺陷更少、均匀性更高、导电性更好等。

例如，在本实施例的一个示例中，如图10所示，该有机发光二极管包括衬底基板1031以及设置在衬底基板1031上的发光结构、薄膜晶体管1037、电容1038等电路结构。例如，该发光结构包括第一电极1034、发光层1036、以及第二电极。第一电极1034和第二电极例如可以分别用作发光结构的阳极和阴极，并且采用本公开提供的成膜方法制备。例如，该第二电极包括第一层电极1032和第二层电极1033，第一层电极1032靠近衬底基板1031，并且第一层电极1032的块电阻高于第二层电极1033的块电阻。第一层电极1032可以形成为较薄的一层，可以对第二层电极1033的形成起到保护作用即可，第二层电极1033的块电阻较低，导电性更好，可以作为主要的电极层。例如，薄膜晶体管1037包括栅极1037A、源极1037B以及漏极1037C等结构。例如，第一电极1034与薄膜晶体管1037的漏极1037C电连接，用于为发光结构提供驱动信号，当为第一电极1034与第二电极施加适当电压时，发光层1036即可发光。例如，电容1038包括第一极板1038A和1038B，电容1038例如可以用作存储电容。该有机发光二极管例如还可以包括封装层等其他结构，本实施例对有机发光二极管的具体结构不做限定。

采用本实施例提供的方法制备得到的有机发光二极管的电极在制备过程中受到的损伤更小、均匀性更高，使得有机发光二极管的发光性能更稳定，发光效率更高。

实施例四

本公开至少一实施例提供一种显示面板，如图11所示，该显示面板10包括多个像素单元100，每个像素单元100包括采用上述方法制备得到的有机发光二极管。该有机发光二极管的发光性能更稳定，发光效率更高，因此采用该有机发光二极管的显示面板具有更优质的显示效果。

还有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种磁控溅射设备，包括：

阳极构件，包括可被施加第一电压的阳极部；

阴极构件，相对于所述阳极构件设置，包括可被施加小于所述第一电压的第二电压的阴极部；

调整机构，配置为可调整至少所述阳极部与所述阴极部之间的相对距离。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其中，

所述调整机构配置为移动所述阳极构件或所述阴极构件，从而调整至少所述阳极部与所述阴极部的相对距离。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其中，

所述阳极构件还包括阳极安装部，所述阳极部安装于所述阳极安装部上；

所述调整机构配置为调整所述阳极部相对于所述阳极安装部的距离，从而调整所述阳极部与所述阴极部之间的距离。

4.根据权利要求3所述的磁控溅射设备，其中，

所述调整机构包括丝杠；

所述丝杠可通过旋转来带动所述阳极部移动。

5.根据权利要求4所述的磁控溅射设备，其中，

所述调整机构还包括传动带和电机；

所述传动带可在所述电机的驱动下带动所述丝杠转动。

6.根据权利要求4所述的磁控溅射设备，其中，

所述调整机构还包括导轨；

所述阳极部可沿所述导轨移动。

7.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，还包括掩膜版安装部；

所述掩膜版安装部设置在所述阳极部的远离所述阴极构件的一侧，并配置为安装溅射用掩模版。

8.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其中，

所述阳极部具有粗糙表面。

9.根据权利要求1-8任一所述的磁控溅射设备，其中，

所述阳极部包括相互平行设置或交叉设置的多个阳极棒。

10.根据权利要求9所述的磁控溅射设备，其中，

相邻的所述阳极棒之间具有开口，所述阳极部的开口率为40％-60％。

11.根据权利要求1-8任一所述的磁控溅射设备，还包括控制器，其中，所述控制器根据预设指令对所述调整机构的工作状态进行控制，从而实现对所述相对距离的调节。

12.一种磁控溅射成膜方法，包括采用权利要求1-11中任一所述的磁控溅射设备进行磁控溅射，该方法包括：

调整所述阳极部与所述阴极部的相对距离至一预定值；

对所述阳极部以及所述阴极部之间施加电压以进行溅射操作。

13.如权利要求12所述的成膜方法，其中，所述溅射操作包括：

调整所述阳极部与所述阴极部的距离至第一距离，对所述阳极部以及所述阴极部之间施加第一电压差；然后

调整所述阳极部与所述阴极部的距离至第二距离，对所述阳极部以及所述阴极部之间施加第二电压差。

14.如权利要求12或13所述的成膜方法，还包括：

按照预设指令调节所述阳极部与所述阴极部之间的距离和/或电压差的大小。

15.一种有机发光二极管的制备方法，包括采用权利要求12-14任一所述的成膜方法形成所述有机发光二极管的电极。

16.一种显示面板，包括多个像素单元；

其中，每个所述像素单元包括采用权利要求15所述的方法制备得到的有机发光二极管；

所述有机发光二极管包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的电极，所述电极包括第一层电极和第二层电极；其中，

所述第一层电极靠近所述衬底基板，并且所述第一层电极的块电阻高于所述第二层电极的块电阻。