CN103996586A - 一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,包括阴极、阳极和栅极,所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板上表面的场发射阴极,所述栅极设置在阴极和阳极之间,在栅极上设置有与场发射阴极对应的栅孔;所述阴极基板上表面对应栅孔的位置设置有椎体突起结构,所述场发射阴极至少覆盖住所述椎体突起结构的尖端部位,形成尖锥阴极。本发明提供的一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,与传统场发射阴极三极管技术相比,不仅具有发射均匀性好、阴极与栅极间电容小,发射电子束的运动轨迹的汇聚的趋势更明显等优点,还可以避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤等。
Description
技术领域
本发明涉及一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管。
背景技术
传统的场发射阴极三极管技术,特别是采用丝网印刷方法制作的场发射阴极三极管,如图1、图2所示,包括阴极、阳极和栅极,所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板表面上的阴极发射材料(冷阴极材料或场发射阴极),所述栅极设置在阴极和阳极之间,在栅极上设置有与阴极发射材料对应的栅孔;一般阴极基板为平板金属结构,阴极发射材料制作在阴极基板的中心区域,所述栅极用于控制阴极发射材料的发射;在阴极上施加零电位,栅极上施加电压Vg以控制阴极发射材料发射电流,阳极上施加正高压Va以抽取电子。
在传统结构中,当栅极上施加控制阴极发射的正电位时,由于阴极基板边缘部分电场将比较强,如果阴极发射材料制作的面积完全覆盖阴极基板,则阴极发射材料在边缘部分的发射因为电场强而发射电流大,而中心区域因为电场相对弱而不发射或发射很少,产生发射的不均匀;因此要避免边缘效应的发生,一般将阴极发射材料制作在阴极基板的中心部分,面积做得比阴极基板的面积小。在栅极施加恒定直流电压的情况下,阴极基板面积对发射没有大的影响;但当栅极上施加有交变电压信号时,阴极基板面积大将带来阴极与栅极之间电容比较大的问题,使交变信号的频率不能很高,要达到一定的场发射电流、大电容时要求的栅极信号功率大,损耗也大。因此要尽可能地降低阴极和栅极间的电容,最好使在边缘场效应能够被克服的情况下,阴极发射面积尽可能小,如:使阴极发射面积和阴极基板面积相同。在传统结构中,栅孔呈圆柱形,对电势分布的影响相对较弱,电子束的运动轨迹有的有微弱的汇聚,有的甚至没有汇聚效果。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,以避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤等问题。
技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,包括阴极、阳极和栅极,所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板上表面的场发射阴极,所述栅极设置在阴极和阳极之间,在栅极上设置有与场发射阴极对应的栅孔;所述阴极基板上表面对应栅孔的位置设置有椎体突起结构,所述场发射阴极至少覆盖住所述椎体突起结构的尖端部位,形成尖锥阴极。
设计椎体突起结构,可以增加阴极基板周边区域相对中心区域与栅极下表面的距离,减少阴极基板周边区域的电场强度,减小栅极和阴极之间的电容;当栅极施加电压后,能够抵消在阴极基板边缘形成的边缘场效应,补偿场发射阴极中心区域与边缘区域的电场差。
所述栅孔的内径,沿其轴向先减小再增大,形成两个燕尾相对接的结构;以最小内径的横截面,将栅极分为上下两部分,阳极的一侧称为上极板,阴极的一侧称为下极板。下极板的坡口设计,可以减小栅极与场发射阴极之间的距离,从而获得较大的发射电场,进一步增大场发射阴极表面的电场强度,以更好地抵消边缘场效应;上极板的坡口设计,可以改变上极板附近的电势分布,从而改变电子束的运动轨迹,使得电子束的汇集趋势更加明显。
另外,上极板和下极板的坡口倾斜角度可以相同也可以不同;调节下极板坡口的倾斜角度,可以调整场发射阴极表面电场的均匀性,有效克服边缘场效应,提高阴极场发射表面的发射均匀性。
同时,需要指出的是,以一个横截面将栅极分成上电极和下电极两部分,可以仅设计上电极或仅设计下电极具备坡口结构,甚至栅极可以设计为仅具备上电极或仅具备下电极的结构。
作为一种具体结构,所述场发射阴极仅覆盖住椎体突起结构的尖端部位;当栅极施加电压后,能够更有效的减少在场发射阴极边缘形成的边缘场效应,并且减小栅极对电子束的截获率。
作为一种具体结构,所述场发射阴极至少覆盖住椎体突起结构的整个突起表面,比如仅覆盖住椎体突起结构的整个突起表面;当栅极施加电压后,能够减少在场发射阴极边缘形成的边缘场效应。
作为一种具体结构,所述场发射阴极覆盖住整个阴极基板上表面区域;这样,相对于现有技术,在具备相同的场发射阴极面积时,可以减小阴极基板的面积,以减小栅极和阴极之间的电容。
所述场发射阴极采用物理沉积、化学气相沉积、丝网印刷或电弧方法制作在阴极基板上表面上。
所述场发射阴极为纳米材料冷阴极、场发射阴极薄膜或场发射微尖阵列。
所述场发射阴极的材料为碳纳米管、纳米氧化锌、石墨烯中的一种或两种以上的混合。
本发明的设计原理,同样可以应用于设计X射线管、微波管,以及其他冷阴极真空电子器件中,用于提高阴极表面场发射均匀性,提高器件性能。
有益效果:本发明提供的尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,与传统场发射阴极三极管技术相比,不仅具有阴极发射面积增大,发射均匀性好、阴极与栅极间电容小,打在阳极基板的电子束有汇聚作用等优点,还可以避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤等。
附图说明
图1为传统的冷阴极三级管结构示意图;
图2为传统的冷阴极三级管中阴极基板与场发射阴极的位置示意图;
图3为本发明的一种结构示意图;
图4为本发明的另一种结构示意图;
图5为本发明的再一种结构示意图。
其中,1为阴极基板,2为场发射阴极,3为栅极,4为上极板,5为下极板,6为栅孔,7为阳极,8为引出线。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,包括阴极、阳极7和栅极3,所述阴极包括阴极基板1和制作在阴极基板1上表面的场发射阴极2,所述栅极3设置在阴极和阳极7之间,在栅极3上设置有与场发射阴极2对应的栅孔6;所述阴极基板1上表面对应栅孔6的位置设置有椎体突起结构,所述场发射阴极2至少覆盖住所述椎体突起结构的尖端部位,形成尖锥阴极;所述栅孔6的内径,沿其轴向先减小再增大,形成两个燕尾相对接的结构;以最小内径的横截面,将栅极3分为上下两部分,阳极7的一侧称为上极板4,阴极的一侧称为下极板5。
如图3所示,所述场发射阴极2覆盖住整个阴极基板1上表面区域。
如图4所示,所述场发射阴极2仅覆盖住椎体突起结构的整个突起表面。
如图5所示,所述场发射阴极2仅覆盖住椎体突起结构的尖端部位。
一般来说,所述场发射阴极2采用物理沉积、化学气相沉积、丝网印刷或电弧方法制作在阴极基板1上表面上。
一般来说,所述场发射阴极2为纳米材料冷阴极、场发射阴极薄膜或场发射微尖阵列。
一般来说,所述场发射阴极2的材料为碳纳米管、纳米氧化锌、石墨烯中的一种或两种以上的混合。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,包括阴极、阳极(7)和栅极(3),所述阴极包括阴极基板(1)和制作在阴极基板(1)上表面的场发射阴极(2),所述栅极(3)设置在阴极和阳极(7)之间,在栅极(3)上设置有与场发射阴极(2)对应的栅孔(6);其特征在于:所述阴极基板(1)上表面对应栅孔(6)的位置设置有椎体突起结构,所述场发射阴极(2)至少覆盖住所述椎体突起结构的尖端部位,形成尖锥阴极。
2.根据权利要求1所述的尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,其特征在于:所述栅孔(6)的内径,沿其轴向先减小再增大,形成两个燕尾相对接的结构;以最小内径的横截面,将栅极(3)分为上下两部分,阳极(7)的一侧称为上极板(4),阴极的一侧称为下极板(5)。
3.根据权利要求1或2所述的尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射阴极(2)仅覆盖住椎体突起结构的尖端部位。
4.根据权利要求1或2所述的尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射阴极(2)至少覆盖住椎体突起结构的整个突起表面。
5.根据权利要求1或2所述的尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射阴极(2)覆盖住整个阴极基板(1)上表面区域。
6.根据权利要求1或2所述的尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射阴极(2)采用物理沉积、化学气相沉积、丝网印刷或电弧方法制作在阴极基板(1)上表面上。
7.根据权利要求1或2所述的尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射阴极(2)为纳米材料冷阴极、场发射阴极薄膜或场发射微尖阵列。
8.根据权利要求1或2所述的尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管,其特征在于:所述场发射阴极(2)的材料为碳纳米管、纳米氧化锌、石墨烯中的一种或两种以上的混合。
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