CN204558413U - 一种带有氧化锌纳米管结构的金属栅网 - Google Patents
一种带有氧化锌纳米管结构的金属栅网 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种场发射装置栅网器件。一种带有氧化锌纳米管结构的金属栅网，栅网面的栅孔位置长氧化锌纳米管。本实用新型有益效果：栅网结构的改进，使得二次电子发射稳定性得到进一步提高。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种场发射装置栅网器件。
背景技术
现有技术中的场发射阴极装置通常包括一绝缘基底；一设置于该绝缘基底上的阴极电极；多个设置于阴极电极上的电子发射体(碳纳米管)；一设置于该绝缘基底上的绝缘隔离层，所述绝缘隔离层具有通孔，所述电子发射体通过该通孔暴露，以使电子发射体发射的电子通过该通孔射出，所述场发射阴极装置应用于场发射电子器件时，在远离金属栅网处设置一阳极电极。所述阳极电极提供一阳极电场，以对发射的电子进行加速。
电子通过栅极后，不是规则的射向阳极，因此，造成电流密度不均匀，阳极电流不稳定。为了解决这一问题，通常采取的技术方案是栅极和阳极之间架设金属栅网，金属栅网的作用是可以控制电流的稳定性。电子冲击栅网产生的二次电子可以增强电流密度。然而，金属栅网受到加工工艺的影响和材料属性的限制，网孔较大，造成了电子冲击金属栅网，二次电子的电流密度不均匀。
实用新型内容
本实用新型为了解决上述技术缺陷，提出一种氧化锌纳米管结构的金属栅极。由于氧化锌纳米管结构尺寸小，场发射性能好，因此，能够满足结构二次电子发射的要求。
一种带有氧化锌纳米管结构的金属栅网，包括栅网面、栅孔和氧化锌纳米管，其特征在于：所述栅孔以阵列形状排列在栅网面位置，氧化锌纳米管在栅孔处成阵列装均匀分布。
所述栅网位于栅极和阳极之间位置。
所述氧化锌纳米管阵列结构垂直生长在栅网孔周围。
所述电子冲击的是氧化锌纳米管阵列结构，而不是原技术的金属栅网结构，能够产生均匀电流密度的二次电子。
本实用新型有益效果：栅网结构的改进，使得二次电子发射稳定性得到进一步提高。
附图说明：
图1为场发射本结构原理图
图2为本实用新型栅网结构图
具体实施方式
如图1所示：场发射装置包含阳极1、支撑架2、纳米管碳3、底座4、阴极5、绝缘架6、栅极7和栅网8，底座4和支撑架2对该结构起到固定作用，电子从阴极5上的纳米管碳3发射，发射电子经过绝缘架6通过栅极7电压控制，所述电子冲击栅网8产生二次电子，二次电子冲击阳极1，实现显示效果。
如图2所示，所述栅网面81的栅孔82位置长氧化锌纳米管83。氧化锌纳米管83是良好的场发射材料，直径为几个纳米到几百纳米不等，长度到达微米量级。所述电子冲击的是氧化锌纳米管阵列结构，而不是原技术的金属栅网结构，能够产生均匀电流密度的二次电子。
Claims (1)
1.一种带有氧化锌纳米管结构的金属栅网，包括栅网面(81)、栅孔(82)和氧化锌纳米管(83)，其特征在于：所述栅孔(82)以阵列形状排列在栅网面(81)位置，氧化锌纳米管(83)在栅孔(82)处成阵列装均匀分布。
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| CN201520327720.9U CN204558413U (zh) | 2015-05-19 | 2015-05-19 | 一种带有氧化锌纳米管结构的金属栅网 |
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