CN103597746A - 模拟开关电路及使用它的电机驱动装置 - Google Patents

Abstract

模拟开关电路(1)包括：电阻(R1)；电阻(R2)；第1端通过电阻(R1)连接到输入端(Vin)，第2端连接到输出端(Vout)的CMOS型的模拟开关(S1)；以及第1端连接到模拟开关(S1)的第1端，第2端通过电阻(R2)连接到接地端，与模拟开关(S1)反相导通/截止的CMOS型的模拟开关(S2)。

Description

模拟开关电路及使用它的电机驱动装置

技术领域

本发明涉及模拟开关电路及使用它的电机驱动装置。

背景技术

图11A是表示CMOS[Complementary Metal Oxide Semiconductor；互补金属氧化物半导体]型模拟开关的一以往例的图，图11B是表示模拟开关ASW的电气图记号的图。本以往例的模拟开关ASW，有并联连接的N沟道型MOS场效应晶体管N和P沟道型MOS场效应晶体管P，根据对各个栅极施加的控制电压Vctrl(+)和反转控制电压Vctrl(-)，将输入电压Vin的施加端和输出电压Vout的施加端之间导通/断路。

晶体管N及P的源极相当于模拟开关ASW的第1端，连接到输入电压Vin的施加端。晶体管N及P的漏极相当于模拟开关ASW的第2端，连接到输出电压Vout的施加端。晶体管N的栅极相当于模拟开关ASW的控制端，连接到控制电压Vctrl(+)的施加端。晶体管P的栅极相当于模拟开关ASW的反转控制端，连接到反转控制电压Vctrl(-)的施加端。晶体管N的背栅连接到接地电压GND的施加端。晶体管P的背栅连接到电源电压VDD的施加端。

在将模拟开关ASW导通(on)的情况下，控制电压Vctrl(+)为高电平(电源电压VDD)，反转控制电压Vctrl(-)为低电平(接地电压GND)。晶体管P及N的至少一方通过施加这样的电压而为导通，输入电压Vin的施加端和输出电压Vout的施加端之间被导通。

另一方面，将模拟开关ASW截止(off)的情况下，控制电压Vctrl(+)为低电平(接地电压GND)，反转控制电压Vctrl(-)为高电平(电源电压VDD)。晶体管P及N通过施加这样的电压而都为截止，输入电压Vin的施加端和输出电压Vout的施加端之间被断路。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2003-189680号公报

发明内容

发明要解决的问题

如果输入电压Vin收敛在通常范围(从电源电压VDD到接地电压GND)，则即使是上述以往例的模拟开关ASW，也不产生特别的故障。然而，出于某种原因，在施加了比电源电压VDD至少高相当于晶体管P的导通阈值电压Vth的输入电压Vin(≥VDD+Vth)的情况下，为了将模拟开关ASW截止，即使控制电压Vctrl(+)为低电平(接地电压GND)，反转控制电压Vctrl(-)为高电平(电源电压VDD)，晶体管P也违背意图地导通，有将输入电压Vin的施加端和输出电压Vout的施加端之间错误导通的危险。此外，出于某种原因，在施加了比接地电压GND至少低相当于晶体管N的导通阈值电压Vth的输入电压Vin(≤GND-Vth)的情况下，晶体管N违背意图地导通，有产生与上述同样的误动作的危险。

作为可能有助于解决上述课题的以往技术的一例，在专利文献1中，公开了设置箝位电路的结构，以使端子的施加电压不超过规定值。然而，在作为箝位对象的端子存在很多的情况下，需要很多的箝位电路，导致电路规模的扩大或成本上升，所以不能说是最好的解决策略。

鉴于本申请的发明人发现的上述问题，本发明的目的在于，提供能够防止意想之外的误导通的模拟开关电路、以及使用它的电机驱动装置。

解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的模拟开关电路包括：第1电阻；第2电阻；第1端通过所述第1电阻连接到输入端，第2端连接到输出端的CMOS型的第1模拟开关；以及第1端连接到所述第1模拟开关的第1端，第2端通过所述第2电阻连接到接地端，与所述第1模拟开关以反相导通/截止的CMOS型的第2模拟开关(第1结构)。

再有，在由上述第1结构构成的模拟开关电路中，可以还包括插入在所述第1电阻和所述输入端之间，与所述第1模拟开关以同相导通/截止的CMOS型的第3模拟开关(第2结构)。

此外，在由上述第2结构构成的模拟开关电路，可以还包括插入在所述第3模拟开关和所述输入端之间的第3电阻(第3结构)。

此外，在由上述第1结构～第3结构中任意一个结构构成的模拟开关电路中，所述第1电阻的电阻值可以被设定为大于所述第2电阻的电阻值的值(第4结构)。

此外，本发明的电机驱动装置具有：依次选择并输出三相电机的各相驱动电压的选择器；比较所述三相电机的公共电压和各相驱动电压而生成比较信号的比较器；根据所述比较信号生成所述三相电机的各相驱动控制信号的控制器；以及根据所述各相驱动控制信号生成所述三相电机的各相驱动电压的驱动器，所述选择器在各相的每一相中包括由上述第1结构～第4结构中任意一个结构构成的模拟开关电路，作为用于将所述各相驱动电压的施加端和所述比较器之间各自导通/断路的装置(第5结构)。

此外，在由上述第5的结构构成的电机驱动装置中，可以各相的每一相的模拟开关电路共有所述第2电阻(第6结构)。

此外，在由上述第5结构或第6的结构构成的电机驱动装置中，所述选择器可以还包括插入在所述公共电压的施加端和所述比较器之间，形成持续导通状态的虚拟的模拟开关电路(第7结构)。

此外，由上述第5结构～第7结构中任意一个结构构成的电机驱动装置，可以具有插入在所述选择器和所述比较器之间的滤波器(第8结构)。

此外，在由上述第8结构构成的电机驱动装置中，所述滤波器可以是使用了电阻和电容器的RC滤波器(第9结构)。

此外，本发明的电动车具备由上述第5结构～第9结构中任意一个结构构成的电机驱动装置(第10结构)。

此外，本发明的家电设备具备由上述第5结构～第9结构中任意一个结构构成的电机驱动装置(第11结构)。

此外，本发明的工业设备具备由上述第5结构～第9结构中任意一个结构构成的电机驱动装置(第12结构)。

发明的效果

根据本发明，可提供能够防止意想之外的误导通的模拟开关电路、以及使用它的电机驱动装置。

附图说明

图1是表示模拟开关电路的第1实施方式的图。

图2是表示模拟开关电路的第2实施方式的图。

图3是表示模拟开关电路的第3实施方式的图。

图4是表示电机驱动装置的一结构例子的图。

图5是表示电机驱动装置10的一动作例子的时间图(time chart)。

图6是表示选择器11的第1结构例子的图。

图7A是表示输出反馈动作的第1例子(正常时)的时间图。

图7B是表示输出反馈动作的第2例子(异常时)的时间图。

图8是表示选择器11的第2结构例子的图。

图9是表示装载了电机驱动装置的车辆的外观图。

图10是表示装载了电机驱动装置的家电设备(空调)的外观图。

图11A是表示CMOS型模拟开关的一以往例子的图。

图11B是表示CMOS型模拟开关的电气图记号的图。

标号说明

1                   模拟开关电路

10                  电机驱动装置

11                  选择器

11U、11V、11W、11C  模拟开关电路

12                  滤波器

13                  比较器

14                  控制器

15                  驱动器

20                  三相电机(三相无刷电机)

S1、S2、S3          模拟开关

R1、R2、R3          电阻

X                   电动车

Y                   家电设备

具体实施方式

<模拟开关电路>

图1是表示模拟开关电路的第1实施方式的图。第1实施方式的模拟开关电路1具有电阻R1及R2、以及CMOS型的模拟开关S1及S2。

模拟开关S1的第1端通过电阻R1连接到输入电压Vin的施加端。模拟开关S1的第2端连接到输出电压Vout的施加端。模拟开关S1的控制端连接到控制电压Vctrl(+)的施加端。模拟开关S1的反转控制端连接到反转控制电压Vctrl(-)的施加端。

模拟开关S2的第1端连接到模拟开关S1的第1端。模拟开关S2的第2端通过电阻R2连接到接地电压GND的施加端。模拟开关S1的控制端连接到反转控制电压Vctrl(-)的施加端。模拟开关S1的反转控制端连接到控制电压Vctrl(+)的施加端。

模拟开关S1及S2分别与图9A的模拟开关ASW相同，有并联连接的N沟道型MOS场效应晶体管N和P沟道型MOS场效应晶体管P，根据对各个栅极施加的控制电压Vctrl(+)和反转控制电压Vctrl(-)，彼此以反相导通/截止。

在将模拟开关电路1导通的情况下，控制电压Vctrl(+)为高电平(电源电压VDD)，反转控制电压Vctrl(-)为低电平(接地电压GND)。通过施加这样的电压，模拟开关S1导通，输入电压Vin的施加端和输出电压Vout的施加端之间被导通。此时，模拟开关S2为截止，所以模拟开关S1的第1端上所施加的节点电压Va不会不必要地被下拉，对通常信号路径不产生不利影响。

另一方面，在将模拟开关电路1截止的情况下，控制电压Vctrl为低电平(接地电压GND)，反转控制电压Vctrl(-)为高电平(电源电压VDD)。通过施加这样的电压，模拟开关S1截止，输入电压Vin的施加端和输出电压Vout的施加端之间被断路。此时，模拟开关S2导通，所以节点电压Va被下拉至以电阻R1及R2分压输入电压Vin所得的电压值(＝Vin×R2/(R1+R2))。

再有，为了将节点电压Va充分地下拉，优选将电阻R1的电阻值设定为比电阻R2的电阻值大的值(例如R1＝19.1kΩ，R2＝3kΩ)。

通过形成这样的结构，在输入电压Vin收敛在通常范围(从电源电压VDD到接地电压GND)内的情况下当然不用说，即使出于某种原因，在被施加了比电源电压VDD至少高相当于晶体管P(参照图9A)的导通阈值电压Vth的输入电压Vin(≥VDD+Vth)的情况下，节点电压Va也能够不为(VDD+Vth)以上，所以可防止在模拟开关S1中包含的晶体管P的违背意图的误导通。此外，即使出于某种原因，在被施加了比接地电压GND至少低相当于晶体管N(参照图9A)的导通阈值电压Vth的输入电压Vin(≤GND-Vth)的情况下，节点电压Va也能够不为(GND-Vth)以下，所以可防止在模拟开关S1中包含的晶体管N的违背意图的误导通。

因此，在使第1实施方式的模拟开关电路1截止时，无论是被施加了怎样的输入电压Vin的情况下，都可以使模拟开关S1可靠地截止，所以可将输入电压Vin的施加端和输出电压Vout的施加端之间可靠地断路。

图2是表示模拟开关电路的第2实施方式的图。第2实施方式的模拟开关电路1与先前的第1实施方式大致是同样的结构，具有还有模拟开关S3的特征。因此，对与第1实施方式同样的结构要素，通过附加与图1相同的标号而省略重复的说明，在以下，进行有关第2实施方式的特征部分的重点的说明。

模拟开关S3插入在电阻R1和输入电压Vin的施加端之间，与模拟开关S1以同相导通/截止。根据这样的结构，在模拟开关电路1的截止期间内，在输入电压Vin收敛在通常范围中的情况下，模拟开关S3为截止，所以从输入电压Vin的施加端将电阻R1及R2分离，可抑制对连接到输入电压Vin的施加端的前级电路的影响。另一方面，在模拟开关电路1的截止期间内，在被施加了(VDD+Vth)以上或(GND-Vth)以下的输入电压Vin的情况下，尽管模拟开关S3意想之外地导通，但如前述，能够使用电阻R1及R2使节点电压Va为(VDD+Vth)以下或(GND-Vth)以上，所以可将模拟开关S1可靠地截止，将输入电压Vin的施加端和输出电压Vout的施加端之间可靠地断路。

图3是表示模拟开关电路的第3实施方式的图。第3实施方式的模拟开关电路1是与先前的第2实施方式大致同样的结构，具有还有电阻R3的特征。因此，对与第2实施方式同样的结构要素，通过附加与图2相同的标号而省略重复的说明，在以下，进行有关第3实施方式的特征部分的重点的说明。

电阻R3插入在模拟开关S3和输入电压Vin的施加端之间。根据这样的结构，通过将电阻R3的电阻值任意地设定(例如1kΩ)，在模拟开关电路1的导通期间，可任意地调整从输入电压Vin的施加端对输出电压Vout的施加端流入的电流量，并可保护内部元件。

<电机驱动装置>

图4是表示电机驱动装置的一结构例子的图。本结构例的电机驱动装置10是进行三相电机(三相无刷电机)20的驱动控制的主体，具有选择器11、滤波器12、比较器13、控制器14、以及驱动器15。

选择器11根据切换信号SW(U/V/W)依次选择并输出三相电机20的各相驱动电压U/V/W。更具体地说，选择器11在驱动电压U的M期间(从L期间到H期间或从H期间到L期间的转变期间)选择并输出驱动电压U，在驱动电压V的M期间选择并输出驱动电压V，在驱动电压W的M期间选择并输出驱动电压W。即，选择器11选择并输出在三相电机20的各相线圈中产生的反电动势。此外，选择器11根据切换信号SW(C)始终选择并输出三相电机20的公共电压COM。

滤波器12插入在选择器11和比较器13之间，从选择器11选择出的三相电机20的公共电压COM和各相驱动电压U/V/W中除去噪声成分。作为滤波器12，例如，能够用使用了电阻和电容器的RC滤波器(参照图8)。再有，滤波器12的截止频率，无论设定为什么样的值都可以，例如设定为15kHz即可。

比较器13将反相输入端(-)上施加的三相电机20的公共电压COM和同相输入端(+)上依次施加的各相驱动电压U/V/W进行比较而生成比较信号a。如果公共电压COM比各相驱动电压U/V/W高，则比较信号a为低电平，如果低，则为高电平。

控制器14基于比较信号a而内部生成与三相电机20的转速对应的频率的速度信号A，并生成各相驱动控制信号(UH/UL、VH/VL、WH/WL)，以基于该速度信号A进行三相电机20的转速的反馈控制。更具体地说，控制器14生成各相驱动控制信号(UH/UL、VH/VL、WH/WL)，以在速度信号A的频率高于规定的目标频率时降低三相电机20的转速，相反地，在速度信号A的频率低于规定的目标频率时提高三相电机20的转速。再有，控制器14在三相电机20的速度控制时进行各相驱动控制信号(UH/UL、VH/VL、WH/WL)的PWM[pulse width modulation；脉宽调制]控制。

驱动器15包括对三相电机20的各相的每一相半桥式连接的功率晶体管(未图示)，基于输入到各个栅极的各相驱动控制信号(UH/UL、VH/VL、WH/WL)，生成各相驱动电压U/V/W。

图5是表示电机驱动装置10的一动作例子的时间图，从上到下顺序地绘制了驱动电压U、驱动电压V、驱动电压W、切换信号SW(U)、切换信号SW(V)、切换信号SW(W)、切换信号SW(C)、以及速度信号A。再有，在图5中，各相驱动电压U/V/W的纵阴影线表示各相驱动电压U/V/W被PWM控制。

切换信号SW(U)在驱动电压U的M期间为高电平(电源电压VDD)，在其余的期间为低电平(接地电压GND)。切换信号SW(V)在驱动电压V的M期间为高电平(电源电压VDD)，在其余的期间为低电平(接地电压GND)。切换信号SW(W)在驱动电压W的M期间为高电平(电源电压VDD)，在其余的期间为低电平(接地电压GND)。切换信号SW(C)始终为高电平(VDD)。

选择器11在切换信号SW(U)的H期间选择并输出驱动电压U，在切换信号SW(V)的H期间选择并输出驱动电压V，在切换信号SW(W)的H期间选择并输出驱动电压W。此外，选择器11根据始终被设为高电平的切换信号SW(C)，始终选择并输出公共电压COM。

从选择器11输出的公共电压COM和各相驱动电压U/V/W通过滤波器12被输入到比较器13。在比较器13中，将公共电压COM和各相驱动电压U/V/W进行比较而生成比较信号a。在控制器14中，基于比较信号a内部生成与三相电机20的转速对应的频率的速度信号A。

再有，速度信号A的理想波形是，在各相驱动电压U/V/W从L期间转变到H期间的过程中，在超过了公共电压COM时从低电平上升到高电平，相反地，在各相驱动电压U/V/W从H期间转变到L期间的过程中，在低于公共电压COM时从高电平下降到低电平的矩形波。

但是，因选择器11的电路结构，速度信号A的上升定时(timing)或下降定时从原来的定时偏移，有对控制器14进行的输出反馈控制(进而三相电机20的驱动控制)产生故障的情况。在以下，具体地说明有关这样的课题。

图6是表示选择器11的第1结构例子(可产生上述课题的结构)。第1结构例的选择器11包括模拟开关S1(C)、S1(U)、S1(V)、S1(W)。模拟开关S1(C)连接在公共电压COM的施加端和滤波器12的第1输入端(进而比较器13的反相输入端(-))之间。模拟开关S1(U)、S1(V)、S1(W)分别连接在各相驱动电压(U、V、W)的施加端和滤波器12的第2输入端(进而比较器13的同相输入端(+))之间。

与图9A的模拟开关ASW相同，模拟开关S1(C)、S1(U)S1(V)、S1(W)分别具有并联连接的N沟道型MOS场效应晶体管N和P沟道型MOS场效应晶体管P，根据各个栅极施加的切换信号SW(C)、SW(U)、SW(V)、SW(W)(分别相当于前述的控制电压Vctrl(+))、和反转切换信号SWB(C)、SWB(U)、SWB(V)、SWB(W)(分别相当前述的反转控制电压Vctrl(-))而导通/截止。再有，在选择器11中，模拟开关S1(C)始终导通，对于模拟开关S1(U)、S1(V)、S1(W)，仅其中一个被依次导通。

图7A及图7B是分别表示输出反馈动作的第1例子(正常时)和第2例子(异常时)的时间图，从上向下顺序地表示驱动电压U、切换信号SW(U)、比较信号a、滤波器处理完毕后的比较信号b、屏蔽信号c、以及速度信号A。再有，在以下，为了便于说明，将选择器11选择输出驱动电压U的情况列举为例子进行说明，但对于选择驱动电压V或驱动电压W的情况也是同样的。

首先，参照图6及图7A，说明输出反馈动作的第1例子(正常时)。在驱动电压U的M期间，切换信号SW(U)为高电平而模拟开关S1(U)导通，切换信号SW(V)及SW(W)为低电平而模拟开关S1(V)及S1(W)截止。因此，从选择器11选择输出驱动电压U，在比较器13中，通过将驱动电压U和公共电压COM进行比较生成比较信号a。

在从比较器13输入比较信号a的控制器14的内部，首先，对于比较信号a实施规定的滤波器处理。滤波器处理完毕后的比较信号b，与原来的比较信号a相比，成为起因于驱动电压U的PWM成分的不需要脉冲被除去一部分的波形。接着，在控制器14的内部，在整个规定的信号检出期间(屏蔽信号c的高电平期间)进行比较信号b的检测(逻辑电平判定)，根据该检测结果切换速度信号A的逻辑电平。通过这样的控制器14的内部信号处理而生成的速度信号A的理想的波形，成为在驱动电压U从L期间转变为H期间的过程中超过了公共电压COM时从低电平上升到高电平的矩形波。

接着，参照图6及图7B，说明输出反馈动作的第2例子(异常时)。如上所述，在驱动电压U的M期间，切换信号SW(U)为高电平，模拟开关S1(U)导通，从选择器11选择输出驱动电压U。此时，切换信号SW(V)及SW(W)都为低电平，因此原来的话，模拟开关S1(V)及S1(W)都必定截止，在比较器13中，必定仅驱动电压U和公共电压COM被比较而生成比较信号a。

然而，出于某种原因，在施加了比电源电压VDD至少高相当于晶体管P的导通阈值电压Vth的驱动电压V或W(≥VDD+Vth)的情况下，为了将模拟开关SW(V)及SW(W)截止，即使切换信号SW(V)及SW(W)为低电平(接地电压GND)，晶体管P也违背意图地导通，存在原来的话应该仅选择输出驱动电压U，但却相加不需要的驱动电压V或W而输出的危险。例如，根据电机驱动条件(电机的特性或驱动电流值)，有时被PWM驱动的相(不作为监视对象的相)的驱动电压极大地偏向至比电源电压VDD高的电压值，该电压值超过(VDD+Vth)时，有落入上述异常状态的危险。此外，在被施加了比接地电压GND至少低相当于晶体管N的导通阈值电压Vth的驱动电压V或W(≤GND-Vth)的情况下，也有落入与上述同样的异常状态的危险。

落入这样的异常状态时，驱动电压(U+V)或(U+W)的平均值比公共电压COM高，所以由比较器13生成的比较信号a或在控制器14的内部生成的滤波器处理后的比较信号b为大致维持高电平的状态。其结果，在开始规定的信号检测期间同时，速度信号A的逻辑电平被切换，所以速度信号A的上升定时从原来的定时偏移，有对控制器14进行的输出反馈控制(进而三相电机20的驱动控制)产生故障的危险。

图8是表示选择器11的第2结构例子(可解决上述课题的结构)的图。第2结构例的选择器11包括模拟开关电路11C、11U、11V、11W。模拟开关电路11C连接在公共电压COM的施加端和滤波器12的第1输入端(进而比较器13的反相输入端(-))之间。模拟开关电路11U、11V、11W分别连接在各相驱动电压(U、V、W)的施加端和滤波器12的第2输入端(或比较器13的同相输入端(+))之间。

模拟开关电路11U、11V、11W分别基本上由与图3的模拟开关电路1同样的结构构成。但是，模拟开关电路11U、11V、11W不是在各相的每一相中具有电阻R2的结构，而是成为在全部的相中共有单一电阻R2的结构。通过成为这样的结构，可缩小选择器11的电路规模。当然，即使成为在各相的每一相中具有电阻R2的结构也没有关系。

此外，模拟开关电路11C，除了鉴于为始终导通状态而拆除模拟开关S2和电阻R2以外，由与模拟开关电路11U、11V、11W完全同样的结构构成。于是，通过成为在公共电压COM的施加端和滤波器12的第1输入端(进而比较器13的反相输入端(-))之间，插入了被持续导通状态的虚拟的模拟开关电路11C的结构，能够使选择器11内部中的公共电压COM和各相驱动电压U/V/W之间的信号损耗部分一致，所以可提高控制器14的输出反馈控制的精度。

再有，在图8中，为了便于图示，省略了图3中绘制的控制电压Vctrl(+)及Vctrl(-)，但即使在模拟开关电路11C、11U、11V、11W中的任意一个中，与图3同样，假设被施加相当于控制电压Vctrl(+)的切换信号SW、以及相当于反转控制电压Vctrl(-)的反转切换信号SWB。即，模拟开关S1及S2以彼此反相导通/截止，模拟开关S1及S3以彼此同相导通/截止。

在第2结构例的选择器11中，例如在选择并输出驱动电压U的情况下，模拟开关电路11U被导通，模拟开关电路11V及11W被截止。在被导通的模拟开关电路11U中，模拟开关S1(U)及S3(U)导通，驱动电压U的施加端和滤波器12的第2输入端(进而比较器13的同相输入端(+))之间导通。此时，模拟开关S2(U)截止，所以在模拟开关S1(U)的第1端上施加的节点电压U’不会不必要地被拉下，对通常信号路径不造成不利影响。

另一方面，在被截止的模拟开关电路11V中，模拟开关S1(V)及S3(V)被截止，模拟开关S2(V)被导通。这里，在施加了(VDD+Vth)以上或(GND-Vth)以下的输出电压V的情况下，尽管模拟开关S3(V)意想之外地导通，但如前所述，能够使用电阻R1及R2使节点电压V’为(VDD+Vth)以下或(GND-Vth)以上，所以使模拟开关S1(V)可靠地截止，可将驱动电压V的施加端和滤波器12的第2输入端(进而，比较器13的同相输入端(+))之间可靠地断路。再有，对于被截止的模拟开关电路11W，也与上述是同样的。

因此，如果是第2结构例的选择器11，则能够仅将要选择输出的相的驱动电压可靠地传送到比较器13，所以可避免控制器14造成的输出反馈控制(进而，三相电机20的驱动控制)的误动作。

再有，上述中，第2结构例的选择器11中，列举选择并输出驱动电压U的情况为例子进行了说明，但不用说，即使在选择并输出驱动电压V及W的情况下也可享受与上述同样的效果。

此外，有关模拟开关电路11C、11U、11V、11W的结构，不限于图3的结构，也可采用图1或图2的结构。

<电机驱动装置的适用对象>

在以上说明的电机驱动装置10，可装载在电动汽车或混合动力汽车等的电动车X(参照图9)、空调等的家电设备Y(参照图10)、或工业设备等中。

<其他的变形例>

再有，本说明书中所公开的各种技术特征，除了上述实施方式之外，在不脱离该技术的创造主旨的范围中可加入各种变更。即，应该认为上述实施方式在所有方面为例示，而不是限制性的实施方式，本发明的技术范围，不是上述实施方式的说明，而是权利要求所示的范围，应该理解为包含与权利要求的均等意义及范围内所属的全部变更。

工业实用性

本发明例如在进行三相电机的驱动控制的电机驱动装置中，作为用于防止输出反馈控制时的误动作的技术，可适当地利用。

Claims (12)

1.一种模拟开关电路，其特征在于，包括：

第一电阻；

第二电阻；

CMOS型的第一模拟开关，其第一端通过所述第一电阻连接到输入端，其第二端连接到输出端；以及

CMOS型的第二模拟开关，其第一端连接到所述第一模拟开关的第一端，其第二端通过所述第二电阻连接到接地端，与所述第一模拟开关反相导通/截止。

2.如权利要求1所述的模拟开关电路，其特征在于，还包括：

CMOS型的第三模拟开关，插入在所述第一电阻和所述输入端之间，与所述第一模拟开关同相导通/截止。

3.如权利要求2所述的模拟开关电路，其特征在于，还包括：

第三电阻，插入在所述第三模拟开关和所述输入端之间。

4.如权利要求1至权利要求3中任意一项所述的模拟开关电路，其特征在于，

所述第一电阻的电阻值被设定为大于所述第二电阻的电阻值的值。

5.一种电机驱动装置，其特征在于，具有：

选择器，依次选择并输出三相电机的各相驱动电压；

比较器，比较所述三相电机的公共电压和各相驱动电压而生成比较信号；

控制器，根据所述比较信号生成所述三相电机的各相驱动控制信号；以及

驱动器，根据所述各相驱动控制信号生成所述三相电机的各相驱动电压，

所述选择器在各相的每一相中包括权利要求1至权利要求4中任意一项所述的模拟开关电路，作为用于将所述各相驱动电压的施加端和所述比较器之间各自导通/断路的装置。

6.如权利要求5所述的电机驱动装置，其特征在于，

各相的每一相的模拟开关电路共有所述第二电阻。

7.如权利要求5或权利要求6所述的电机驱动装置，其特征在于，

所述选择器还包括：

虚拟的模拟开关电路，插入在所述公共电压的施加端和所述比较器之间，始终为导通状态。

8.如权利要求5至权利要求7中任意一项所述的电机驱动装置，其特征在于，还包括：

滤波器，插入在所述选择器和所述比较器之间。

9.如权利要求8所述的电机驱动装置，其特征在于，

所述滤波器是使用了电阻和电容器的RC滤波器。

10.一种电动车，其特征在于，

包括权利要求5至权利要求9中任意一项所述的电机驱动装置。

11.一种家电设备，其特征在于，

包括权利要求5至权利要求9中任意一项所述的电机驱动装置。

12.一种工业设备，其特征在于，

包括权利要求5至权利要求9中任意一项所述的电机驱动装置。

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