CN103579415A - 一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法 - Google Patents
一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103579415A CN103579415A CN201310499193.5A CN201310499193A CN103579415A CN 103579415 A CN103579415 A CN 103579415A CN 201310499193 A CN201310499193 A CN 201310499193A CN 103579415 A CN103579415 A CN 103579415A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zinc oxide
- oxide nano
- wire array
- preparation
- gallium nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 16
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 12
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002389 environmental scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- -1 nanometer rods Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1856—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising nitride compounds, e.g. GaN
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器，属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术，通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数，在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长，然后利用透明导电玻璃直接贴压法，得到对365nm紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单，材料成本低廉，在快速紫外光电传感器和短波长光电器件领域有广泛的运用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器，属于光电子器件领域。
背景技术
紫外光电探测器是一种探测紫外光辐照的光电器件，在环境监测和保护，导弹发射探测，紫外光通讯，生物医学研究，以及天文学等领域有广泛的运用。传统的紫外光探测器用真空管或者单晶硅等感光材料和滤波片组成，探测的波长选择性不好，灵敏度不高。最近发展起来的第三代宽禁带半导体材料，包括氮化镓（GaN），氧化锌（ZnO）和碳化硅（SiC）等，由于具有较大的禁带宽度对应于紫外光波段，具有良好的波长选择性，成为目前紫外光电探测器的主要感光材料。
氧化锌（ZnO）是直接带隙的半导体材料，能带宽度3.37eV，对应波长380nm，具有优良的光电转换特性。相比GaN和SiC材料，ZnO具有无毒，制备工艺简单和价格低廉等特点。半导体材料晶体的质量决定着材料的紫外光电探测性能，制备高响应强度和超快时间灵敏度的紫外光电探测器，要求感光材料具有高的晶体质量。目前传统工艺制备的氧化锌块材或者薄膜都无法得到高质量的单晶晶体，限制了其在紫外光电探测方面的运用。一维纳米结构的氧化锌材料（如纳米线，纳米棒，纳米管等等）通常是单晶材料，晶体质量高，缺陷少，是理想的光电响应材料。有研究表明单根氧化锌纳米线的紫外光电响应和恢复时间为20-80毫秒[1]，光电流响应强度2.6×103A/W[2]，性能优异。但是单根纳米线的紫外光电探测器的制备工艺复杂，需要昂贵的电子束刻蚀技术和复杂的电极蒸发工艺，而且单根纳米线器件的工作电流在纳安级，需要精密复杂的电压电流测试设备。这些都限制了单根氧化锌纳米线紫外光探测器的实用化。
发明内容
本发明的目的是解决基于传统块体或者薄膜氧化锌材料的紫外光电探测器响应和恢复时间不够快的问题，同时响应时间和恢复时间可以同单根纳米线器件相比拟，但器件的工作不需要精密的电源和电流测试设备。本发明提供了一种具备实用化前景的，具有超快响应时间和恢复时间的新型紫外光电探测器的制备方法。
为实现本发明的目的，所采用的技术方案和实施步骤如下：
（1）准备干净、干燥的氮化镓基片；
（2）在氮化镓基片上采用电子束蒸发5～10nm的金薄膜，用来作为氧化锌纳米线阵列生长的催化剂；
（3）采用双温区化学气相沉积方法制备氧化锌纳米线阵列，调节实验参数，控制氧化锌纳米线的直径和长度；
（4）用两片透明导电玻璃或者中间腐蚀出一定不导电宽度的一片透明导电玻璃，压在氧化锌纳米线阵列上，在导电玻璃两端引出电极连接电学测试设备。
在上述工艺中，采用碳粉和氧化锌粉末作为氧化锌纳米线阵列生长的原料。
在上述工艺中，采用的透明导电玻璃可以是各种金属氧化物透明导电玻璃（如ITO，FTO，AZO等等）。
本发明的有益效果是：采用化学气相沉积技术，在氮化镓衬底上制备具有良好结晶质量的单晶氧化锌纳米线阵列。控制生长条件参数，能够得到大面积、长度和直径分布均匀的氧化锌纳米线阵列。在此基础上，通过简单器件制备工艺，制备具有快速响应时间的紫外光电探测器。
附图说明
图1为双温区化学气相沉积管式炉的光学照片和氧化锌纳米线阵列生长的实验装置示意图。；
图2为不同真空气压条件下制备的氧化锌纳米线阵列的扫描电镜图片以及对应的纳米线直径分布图（图2（a）为真空度100Pa，纳米线的平均直径为39纳米；图2（b）为真空度500Pa，纳米线的平均直径为75纳米；2（c）为真空度1000Pa，纳米线的平均直径为98纳米；2（d）为真空度2500Pa，纳米线的平均直径为153纳米）；
图3为氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的器件结构剖面示意图；
图4为所制备的氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器在365nm紫外光开启和关闭条件下的电流-电压曲线；
图5为氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器在5V偏压下，对365nm紫外光开启和关闭的电流-时间响应曲线(光开关时间为10秒，图中所示为105～170秒)；
图6为氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器在5V偏压下，紫外光瞬间开启时的电流响应曲线和理论拟合曲线；
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种新型的氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器的制备方法，该制备得到的探测器具有结构简单，响应时间和恢复时间快，响应强度高等特点。其中氧化锌纳米线阵列由化学气相沉积方法制备，制备装置为双温区管式炉，如图1所示，主要包括加热及温控系统，进气控制系统，真空压力控制系统和石英管等部件组成。下面为具体的制备方法：
（1）取一定大小的氮化镓衬底，如长宽为（0.5～2cm）×（0.5～2cm）。依次用乙醇、丙酮和去离子水超声清洗十分钟，之后用干燥氮气吹干。
（2）利用电子束蒸发镀膜仪在清洗干净的氮化镓衬底上蒸镀5～10纳米的金膜，作为氧化锌纳米线生长的催化剂。
（3）取一定比例的氧化锌和碳粉研磨均匀，氧化锌和碳粉的比例为质量比1：1。再称取适量的氧化锌和碳粉混合物，置于石英舟内，放入双温区管式炉的气流上端。将镀有金膜催化剂的氮化镓衬底置于管式炉的气流下端，两者距离20～30厘米。
（4）设置实验参数，生长氧化锌纳米线阵列。由于不同的管式炉所用的石英管尺寸不同，生长氧化锌纳米线阵列的参数随之发生变化。本发明中采用的是36mm内径，长度120cm的石英管，典型实验参数如下：
需要说明的是所有的实验参数都会影响氧化锌纳米线阵列的形貌，纳米线的直径粗细和长度，例如图2（a）～（d）分别是不同真空压力条件下的氧化锌纳米线阵列的扫描电镜照片和对应的纳米线直径分布统计图，可以看出随着真空压力的增大，纳米线直径越来越粗，长度也变长。
（5）用制备的氧化锌纳米线阵列实现紫外光电探测器。本发明的紫外光电探测器的结构示意图如图3所示，用两片透明导电玻璃压在氧化锌纳米线阵列之上，之后分别引出电极进行测试；或者用一片导电膜中间隔绝透明导电玻璃，取代两片透明导电玻璃。本发明采用简单的贴压法，让均匀整齐的氧化锌纳米线阵列直接接触透明导电玻璃的金属氧化物导电层，制作方法简单，避免了传统的光刻和电极蒸发工艺，节省成本同时也提高了氧化锌纳米线阵列的受光面积。
（6）进行氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的性能测试。
图4示出了所制备的氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器在365nm紫外光开启和关闭条件下的电流-电压曲线，其中光开关时间为10秒，图中所示为105～170秒。
图5示出氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器在5V偏压下，对365nm紫外光开启和关闭的电流-时间响应曲线，其中光开关时间为10秒，图中所示为105～170秒；
图6示出氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器在5V偏压下，紫外光瞬间开启时的电流响应曲线和理论拟合曲线，光电流上升过程表现出三阶对数上升趋势，时间常数分别为0.148,0.064和0.613秒。
由上述测试可知，利用上述详细步骤制备的氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器具有比较好的性能，首先具有传统薄膜和块体材料无法具备的毫秒量级的快速响应和恢复时间，这为本发明在低成本快速灵敏的紫外光电探测器领域的运用提供可能。其次本发明提供技术可以实现氧化锌纳米线的长度和直径均匀可控，大面积均匀的纳米线阵列减小了纳米线与透明导电玻璃的接触电阻，有利于光生载流子的传输。
总而言之，本发明基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器的制备方法，具有快速响应和恢复时间，同时结构简单，可以实现量产和实用化。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明保护的范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种氧化锌纳米线阵列紫外光探测器的制备方法，其特征在于包括：
1）利用化学气相沉积法，在本征或者p型导电的氮化镓薄膜上生长氧化锌纳米线阵列；
2）用导电玻璃和所述氧化锌纳米线阵列直接接触。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中所述步骤1）包括：
准备氮化镓基片，依次用乙醇、丙酮和去离子水超声清洗十分钟，之后用干燥氮气吹干；
在上述氮化镓基片上采用电子束蒸发5～10nm的金薄膜，用来作为氧化锌纳米线阵列生长的催化剂；
采用双温区化学气相沉积方法制备氧化锌纳米线阵列，调节实验参数，控制氧化锌纳米线的直径和长度。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中所述步骤2）具体为：用两片透明导电玻璃或者中间腐蚀出一定不导电宽度的一片透明导电玻璃，压在氧化锌纳米线阵列上，在导电玻璃两端引出电极连接电学测试设备。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其中氧化锌纳米线阵列需要具有大于1cm*1cm的面积，直径和长度均匀并且垂直于基底生长。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其中所述的导电玻璃可以是镀有ITO或者FTO透明导电层，用腐蚀方法在导电玻璃上制作5-10微米宽的绝缘层。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中采用碳粉和氧化锌粉末作为氧化锌纳米线阵列生长的原料。
7.根据权利要求7所述的制备方法，其中采用36mm内径，长度120cm的石英管，所述实验参数为：氧化锌和碳粉质量0.15g，真空压力100～2500Pa，氧气流量1sccm，氩气流量49sccm，原料温区温度1000℃，氮化镓衬底温度880℃，升温速率50℃/min，温度保持时间30min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310499193.5A CN103579415B (zh) | 2013-10-22 | 2013-10-22 | 一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310499193.5A CN103579415B (zh) | 2013-10-22 | 2013-10-22 | 一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103579415A true CN103579415A (zh) | 2014-02-12 |
| CN103579415B CN103579415B (zh) | 2016-08-31 |
Family
ID=50050769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310499193.5A Expired - Fee Related CN103579415B (zh) | 2013-10-22 | 2013-10-22 | 一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103579415B (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106252455A (zh) * | 2016-09-13 | 2016-12-21 | 复旦大学 | 一种自驱动Se/ZnO异质结紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN106571405A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-04-19 | 华南师范大学 | 一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法 |
| CN106809869A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-09 | 华南师范大学 | 一种ZnO微米线的制备方法 |
| CN106939413A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-11 | 中国人民解放军63971部队 | 一种锌纳米线阵列电极制备方法 |
| CN107248537A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-10-13 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种最优光电效能的半导体纳米线阵列制备方法 |
| CN107492583A (zh) * | 2017-08-08 | 2017-12-19 | 淮阴工学院 | 一种基于氧化锌纳米带的紫外线传感器的制作方法 |
| CN111244201A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-06-05 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种柔性自支撑ZnO紫外探测器及其制备方法 |
| CN111725338A (zh) * | 2019-03-19 | 2020-09-29 | 华南师范大学 | 一种微米线阵列异质结紫外光探测器及其制备方法 |
| CN112599622A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-02 | 广西大学 | 一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN113937181A (zh) * | 2021-09-22 | 2022-01-14 | 香港城市大学成都研究院 | 一种柔性氧化锌纳米颗粒紫外光探测器及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060189018A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-08-24 | Gyu-Chul Yi | P-n heterojuction structure of zinc oxide-based nanorod and semiconductor thin film, preparation thereof, and nano-device comprising same |
| CN102142482A (zh) * | 2011-01-10 | 2011-08-03 | 北京科技大学 | 肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件的制备方法 |
| CN102531031A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-04 | 吉林师范大学 | 一种垂直衬底的ZnO纳米线阵列尺寸、位置可控生长工艺 |
| CN102789128A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-11-21 | 北京科技大学 | 一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法 |
-
2013
- 2013-10-22 CN CN201310499193.5A patent/CN103579415B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060189018A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-08-24 | Gyu-Chul Yi | P-n heterojuction structure of zinc oxide-based nanorod and semiconductor thin film, preparation thereof, and nano-device comprising same |
| CN102531031A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-04 | 吉林师范大学 | 一种垂直衬底的ZnO纳米线阵列尺寸、位置可控生长工艺 |
| CN102142482A (zh) * | 2011-01-10 | 2011-08-03 | 北京科技大学 | 肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件的制备方法 |
| CN102789128A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-11-21 | 北京科技大学 | 一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106252455A (zh) * | 2016-09-13 | 2016-12-21 | 复旦大学 | 一种自驱动Se/ZnO异质结紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN106571405A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-04-19 | 华南师范大学 | 一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法 |
| CN106809869A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-09 | 华南师范大学 | 一种ZnO微米线的制备方法 |
| CN106939413B (zh) * | 2017-03-14 | 2020-04-14 | 中国人民解放军63971部队 | 一种锌纳米线阵列电极制备方法 |
| CN106939413A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-11 | 中国人民解放军63971部队 | 一种锌纳米线阵列电极制备方法 |
| CN107248537A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-10-13 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种最优光电效能的半导体纳米线阵列制备方法 |
| CN107492583A (zh) * | 2017-08-08 | 2017-12-19 | 淮阴工学院 | 一种基于氧化锌纳米带的紫外线传感器的制作方法 |
| CN111725338A (zh) * | 2019-03-19 | 2020-09-29 | 华南师范大学 | 一种微米线阵列异质结紫外光探测器及其制备方法 |
| CN111725338B (zh) * | 2019-03-19 | 2022-04-01 | 华南师范大学 | 一种微米线阵列异质结紫外光探测器及其制备方法 |
| CN111244201A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-06-05 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种柔性自支撑ZnO紫外探测器及其制备方法 |
| CN112599622A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-02 | 广西大学 | 一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN112599622B (zh) * | 2020-12-15 | 2023-09-26 | 广西大学 | 一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN113937181A (zh) * | 2021-09-22 | 2022-01-14 | 香港城市大学成都研究院 | 一种柔性氧化锌纳米颗粒紫外光探测器及其制备方法 |
| CN113937181B (zh) * | 2021-09-22 | 2024-04-23 | 香港城市大学成都研究院 | 一种柔性氧化锌纳米颗粒紫外光探测器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103579415B (zh) | 2016-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103579415A (zh) | 一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法 | |
| Zhang et al. | Millimeter-sized single-crystal CsPbrB3/CuI heterojunction for high-performance self-powered photodetector | |
| de Melo et al. | Semi-transparent p-Cu2O/n-ZnO nanoscale-film heterojunctions for photodetection and photovoltaic applications | |
| Cao et al. | High-performance UV–vis photodetectors based on electrospun ZnO nanofiber-solution processed perovskite hybrid structures | |
| Yin et al. | The light-induced pyro-phototronic effect improving a ZnO/NiO/Si heterojunction photodetector for selectively detecting ultraviolet or visible illumination | |
| Yadav et al. | Sol-gel-based highly sensitive Pd/n-ZnO thin film/n-Si Schottky ultraviolet photodiodes | |
| Li et al. | Flexible solar-blind Ga 2 O 3 ultraviolet photodetectors with high responsivity and photo-to-dark current ratio | |
| CN112382691B (zh) | 含氮化镓/氧化镓纳米柱阵列的自供电探测器及制备方法 | |
| CN101853894B (zh) | 一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法 | |
| Ma et al. | High-performance solar blind ultraviolet photodetector based on single crystal orientation Mg-alloyed Ga2O3 film grown by a nonequilibrium MOCVD scheme | |
| CN111613691B (zh) | 基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及其制备方法 | |
| Xie et al. | p-CdTe nanoribbon/n-silicon nanowires array heterojunctions: photovoltaic devices and zero-power photodetectors | |
| Wu et al. | Direct synthesis of high-density lead sulfide nanowires on metal thin films towards efficient infrared light conversion | |
| Hsueh et al. | Crystalline-Si photovoltaic devices with ZnO nanowires | |
| CN108346712B (zh) | 一种硅掺杂氮化硼/石墨烯的pn结型紫外探测器制备方法 | |
| CN111799378A (zh) | 一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器及其制备方法 | |
| Zhao et al. | Ultrasensitive Self-Powered Deep-Ultraviolet Photodetector Based on In Situ Epitaxial Ga₂O₃/Bi₂Se₃ Heterojunction | |
| KR20100025068A (ko) | ＺｎＯ 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 화합물 태양전지 | |
| CN110112233A (zh) | 基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构、器件及制备方法 | |
| Li et al. | CuI-Si heterojunction solar cells with carbon nanotube films as flexible top-contact electrodes | |
| CN109216484A (zh) | 一种石墨烯/AlGaAs多结异质太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103137770A (zh) | 一种石墨烯/Si p-n 双结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN113206168A (zh) | 可见光探测器及制备方法 | |
| CN109950364B (zh) | 基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法 | |
| CN201638834U (zh) | 一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160831 |