KR20100025068A - ＺｎＯ 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 화합물 태양전지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화합물 태양전지에 관한 것으로서, 글라스 상층에 윈도우층을 형성시키는 제1단계와; 상기 윈도우층 상층에 ZnO 나노막대층을 형성시키는 제2단계와; 상기 ZnO 나노막대층의 ZnO 나노막대를 따라 버퍼층을 형성시키는 제3단계와; 상기 버퍼층 상층에 광흡수층을 형성시키는 제4단계와; 상기 광흡수층 상층에 전극층을 형성시키는 제5단계와; 상기 전극층 상층에 기판을 형성시키는 제6단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법 및 이 제조방법에 의한 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 광흡수층과 윈도우층 사이에 ZnO 나노막대층을 버퍼층을 사이로 두고 형성시킴으로써, 전자의 확산계수를 높여 태양전지의 전기적, 광학적 특성을 향상시켜, 태양전지의 효율을 더 높일 수 있으며, ZnO 나노막대의 크기를 조절함으로써, 태양전지의 효율을 용이하게 제어할 수 있는 효과가 있으며, 또한, 상기 윈도우층 또는 ZnO 나노막대층을 플라즈마 처리함으로써, 상기 윈도우층과 ZnO 나노막대층, 그리고 상기 ZnO 나노막대층과 버퍼층과의 부착력을 개선시켜, 태양전지의 성능이 오래 지속시키는 이점이 있다.
화합물 태양전지 ZnO 나노막대 플렉시블 플라즈마

Description

ＺｎＯ 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 화합물 태양전지{manufacturing method of compound sollar cell using ＺｎＯ nanorod and the compound sollar cell}
본 발명은 화합물 태양전지에 관한 것으로서, 특히 광흡수층과 윈도우층 사이에 ZnO 나노막대층을 버퍼층을 사이로 두고 형성시킴으로써, 전자의 확산계수를 높여 태양전지의 전기적, 광학적 특성을 향상시켜, 태양전지의 성능을 개선하기 위한 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 화합물 태양전지에 관한 것이다.
최근 천연자원의 고갈과 화력 및 원자력 발전에 대한 환경 및 안정성 등의 문제가 대두되면서 환경친화적인 에너지에 대한 연구가 활발해지고 있다. 이러한 환경친화적인 발전시스템에 있어서 태양광 에너지는 중요한 대체에너지로 주목받고 있다.
이러한 태양광 에너지는 고갈되지 않는 무한정의 영구적인 에너지원으로서, 환경오염이 없으며, 폭발 등의 위험이 없어 안정적이며, 규모나 지역에 관계없이 설치가 가능하고, 유지비용이 적게 들며, 태양전지, 모듈, 제조장비, 설치 등의 여 러 분야에 적용이 가능하다.
특히, 본 발명에서는 태양광 에너지를 이용한 태양전지에 대해 살펴보고자 한다. 일반적으로 태양전지는 결정질 실리콘 태양전지, 화합물 태양전지, 적층형 태양전지 등으로 나누어진다.
상기 결정질 실리콘 태양전지는 200㎛ 내외의 기판으로 인해 생산 단가를 감소시키는데 한계가 있으며, 특히 실리콘 원소재의 공급 불안 또한 문제점으로 지적되고 있다.
따라서, 결정질 실리콘 태양전지 대신 유리 등의 저가의 기판을 사용하고 5㎛ 내외의 얇은 층만으로도 태양전지를 제조할 수 있는 화합물 태양전지로 박막 태양전지에 대한 연구가 활발하며, 특히, CIGS 박막 태양전지의 경우 생산단가가 저렴하여 최근들어 가장 활발히 연구되고 있다.
상기 CIGS 태양전지는 광흡수계수가 높고 화학적으로 안정하여 다른 박막 태양전지에 비해 효율이 높으면서도 안정하며, 효율 또한 결정질 실리콘 태양전지의 효율과 유사하다. 대면적 모듈의 경우 11%~13% 효율을 나타내고 있어 실리콘 박막 및 CdTe 태양전지에 비해 높다.
이러한 CIGS 태양전지의 구조는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10), 배면전극(20), 광흡수층(30), 버퍼층(40), 윈도우층(50) 등을 포함하여 이루어진다.
일반적으로 기판(10)으로서는 유리(glass) 기판(10)을 사용하고, 배면전극(20)으로는 Mo와 같은 금속, 광흡수층(30)으로는 상기에서 언급한 CIGS, 버퍼층(40)으로는 ZnS를 사용하고, 윈도우층(50)으로는 AZO와 i-ZnS에 대한 연구가 가장 활발하다.
특히, 상기 구조의 태양전지는 사용 목적이나 용도에 따라 태양전지의 효율을 제어하기 위해서는 박막의 두께를 조절하거나, AZO 등에 불순물을 도핑하는 방법에 의하여 왔다. 그러나, 이러한 방법은 그다지 용이하지 않을 뿐만 아니라, 정확한 효율을 예상할 수 없어, 에너지의 낭비를 초래할 염려가 있다.
또한, 상용화의 적용을 위해 태양전지의 효율을 더욱 높일 필요가 있으며, 각 물질 간의 부착력을 향상시켜 태양전지의 성능을 지속시킬 필요가 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 광흡수층과 윈도우층 사이에 ZnO 나노막대층을 버퍼층을 사이로 두고 형성시킴으로써, 전자의 확산계수를 높여 태양전지의 전기적, 광학적 특성을 향상시켜, 태양전지의 성능을 개선하기 위한 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 화합물 태양전지의 제공을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 글라스 상층에 윈도우층을 형성시키는 제1단계와; 상기 윈도우층 상층에 ZnO 나노막대층을 형성시키는 제2단계와; 상기 ZnO 나노막대층의 ZnO 나노막대를 따라 버퍼층을 형성시키는 제3단계와; 상기 버퍼층 상층에 광흡수층을 형성시키는 제4단계와; 상기 광흡수층 상층에 전극층을 형성시키는 제5단계와; 상기 전극층 상층에 기판을 형성시키는 제6단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법 및 이 제조방법에 의한 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지를 기술적 요지로 한다.
여기에서, 상기 제6단계 이후에 태양전지의 용도에 따라 상기 제1단계의 글라스를 제거시키는 공정이 더 추가되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 윈도우층은, ZnO 박막층, 상기 ZnO에 Al이나 B가 도핑된 AZO 박막층 및 BZO 박막층 중에 어느 하나인 것이 바람직하며, 상기 윈도우층은, RF 스파 터링법(sputtering), 리액티브 스파터링법(reactive sputtering), 그리고 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 중에 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 윈도우층의 형성 후에, 상기 윈도우층의 플라즈마 처리 공정이 더 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 ZnO 나노막대층은, 튜브 퍼니스를 이용하여 형성되는 것이 바람직하며, 상기 ZnO 나노막대층의 형성 후에, 상기 ZnO 나노막대층의 플라즈마 처리 공정이 더 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 버퍼층은, ZnS, CdS, ZnSe, InS, InOOH 및 ZnOOH 중의 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하며, 상기 버퍼층은, CBD(Chemical Bath Deposition)법 또는 RF 스파터링법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 광흡수층은, CIS 또는 CIGS인 것이 바람직하며, 상기 광흡수층은, 이배퍼레이션법(evaporation) 및 RF 스파터링법(sputtering), 전기증착법(electrodeposition)에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 전극층은, Mo, Ni, Au, Al 및 Cu 중에 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하며, 상기 전극층은, DC 스파터링법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기판은, 글라스(glass), 구리판(Cu plate), 구리 테이프(Cu tape), 세라믹 기판 및 서스판(SUS plate) 중에 어느 하나를 상기 전극층 상부에 본딩하여 형성시키거나, 폴리머를 상기 전극층 상층에 코팅하여 형성시키는 것이 바람직하다.
상기 과제 해결 수단에 의해 본 발명은, 광흡수층과 윈도우층 사이에 ZnO 나노막대층을 버퍼층을 사이로 두고 형성시킴으로써, 전자의 확산계수를 높여 태양전지의 전기적, 광학적 특성을 향상시켜, 태양전지의 효율을 더 높일 수 있으며, ZnO 나노막대의 크기를 조절함으로써, 태양전지의 효율을 용이하게 제어할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 윈도우층 또는 ZnO 나노막대층을 플라즈마 처리함으로써, 상기 윈도우층과 ZnO 나노막대층, 그리고 상기 ZnO 나노막대층과 버퍼층과의 부착력을 개선시켜, 태양전지의 성능이 오래 지속시키는 효과가 있다.
본 발명은 태양전지의 성능 및 효율을 향상시키기 위하여 ZnO 나노막대를 이용하여 광흡수층에 형성한 것으로서, 글라스 상층에 윈도우층을 형성시키고, 광흡수층과 윈도우층 사이에 버퍼층과 함께 ZnO 나노막대층을 형성시키며, 전극층과, 최종 기판을 형성시켜 화합물 태양전지를 제조하는 것이다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하고자 한다.
도 2 및 도 3은 기판에 따른 본 발명의 실시예를 나타낸 것으로, 도면에서 윗쪽이 태양광을 흡수하는 부분이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 반도체는, 글라스(100), 윈도우층(200), ZnO 나노막대층(300), 광흡수층(500), 전극층(600) 및 기판(700)으로 크게 구성된다.
태양광은 글라스(glass)(100)를 통해 윈도우층(200)으로 입사되므로, 상기 글라스(100)는 태양광의 투과율이 높은 투명한 재질로 형성되며, 상기 글라스(100) 상면에는 태양전지에 입사되는 태양광의 반사 손실을 최소화하도록 반사방지막(MgF2)이 형성되어 있다.
상기 글라스(100)는 경우에 따라서, 태양전지 제조공정 중 최종 단계에서 제거함으로써 글라스(100)로 인해 차단되는 UV광까지 모두 흡수되도록 하여, 태양광의 흡수율을 높일 수도 있다. 이는 또한, 후술할 플렉시블한 재질의 기판(700)이 사용될 때는 글라스(100)는 제거하는 것이 더욱 바람직하다.
그리고, 상기 글라스(100) 상층에는 윈도우층(200)이 형성되며, 상기 윈도우층(200)은 일반적으로 화합물 태양전지에 있어서, n형 반도체로서 후술할 광흡수층(500)으로 사용되는 CIS나 CIGS과 pn접합을 형성하며, 상기 윈도우층(200)은 태양전지 전면의 투명전극으로서의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높아야하고 전기전도성이 좋아야 한다.
상기 윈도우층(200)으로 사용되는 재료는 ZnO, 상기 ZnO에 Al이나 B가 도핑된 AZO 및 BZO 중에 어느 하나를 사용한다. 상기 ZnO는 에너지밴드갭이 약 3.3eV이고, 약 80% 이상의 높은 광투과도를 가진다. 또한 Al이나 B 등으로 도핑하여 10-4Ω㎝ 이하의 낮은 저항값을 얻을 수 있다. B을 도핑하기도 하는데, 근적외선 영역의 광투과도가 증가하여 단락전류를 증가시키는 효과가 있어, 용도에 따라 AZO나 BZO를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 윈도우층(200)은, RF 스파터링(RF sputtering) 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과, Zn 금속을 이용한 리액티브 스파 터링(reactive sputtering), 그리고 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방법 등이 현재 사용되고 있다.
전기광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 ZnO 박막 위에 증착한 2중 구조를 사용하거나, CdS 박막 위에 우선 도핑하지 않은 i형의 ZnO 박막을 증착한 다음, 그 위에 낮은 저항을 가진 n형의 ZnO 박막을 증착하여 사용하는 방법도 알려져 있다.
이러한 상기 윈도우층(200)의 형성 후에 증착된 윈도우층(200)을 플라즈마 처리함으로써, 전기적, 광학적 특성을 향상시켜 태양전지의 효율을 향상시키며, 후술할 ZnO 나노막대층(300)과의 부착력도 우수하여, 태양전지의 성능을 유지할 수 있도록 한다.
다음으로, 상기 ZnO 나노막대층(300)은 상기 윈도우층(200) 상층의 광흡수층(500) 내부에 형성되는 것으로, 태양전지의 효율을 향상시키는 역할을 하게 된다.
상기 ZnO 나노막대층(300)은 ZnO 나노막대가 모두 단결정이므로 전자의 확산계수가 일반적인 ZnO 박막층이나 벌크 등에 비해 월등히 높은 특징이 있어 전기적, 광학적 특성이 우수하다. 상기 ZnO 나노막대의 제조방법은 촉매를 사용한 VLS(vapor-liquid-solid)법과 촉매를 사용하지 않는 VS법, PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition), PLD(pulsed laser deposition), MOVPE(metalorganic vapor phase epitaxy) 등이 있으며, 여기에서는 촉매를 사용하지 않고 튜브 퍼니스(tube furnace)를 이용하여 500~600℃ 정도의 낮은 온도에서 증착한다.
또한, 상기 ZnO 나노막대층(300)을 형성한 후, 플라즈마 처리를 별도로 수행하여 전기적, 광학적 특성을 더욱 향상시키며, 표면 에너지 증가로 후술할 버퍼층(400)과의 부착력을 향상시켜, 태양전지의 성능을 오랫동안 지속시켜준다.
또한, ZnO 나노막대의 밀도 및 크기(직경, 길이)의 제어가 가능하여 태양전지의 효율을 용이하게 조절할 수 있다.
다음으로, 상기 버퍼층(400)은 상기 ZnO 나노막대층(300)의 ZnO 나노막대를 따라 형성된 것으로, 본 발명에 따른 화합물 태양전지는 후술할 광흡수층(500)으로 p형 반도체인 Cu(In,Ga)Se2 박막과 n형 반도체인 윈도우층(200)(window layer)으로 사용되는 ZnO(또는 AZO, BZO) 박막이 pn 접합을 형성함에 의해, 두 물질 간의 격자상수와 에너지밴드갭의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 형성하기 위해서는 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 버퍼층(400)이 필요하다.
상기 버퍼층(400)으로는, ZnS, CdS, ZnSe, InS, InOOH 및 ZnOOH 중의 어느 하나를 사용하며, 상기 버퍼층(400)은, CBD(Chemical Bath Deposition)법 또는 RF 스파터링법에 의해 형성된다.
다음으로, 상기 광흡수층(500)은, CIS(CuInSe2)나 CIGS(Cu(InxGa1 -x)Se2)를 사용한다. 상기 삼원화합물인 CuInSe2는 에너지밴드갭이 1.04eV로 단락전류는 높으나, 개방전압이 낮아 높은 효율을 얻을 수 없는 단점이 있어, 현재 개방전압을 높이기 위해 CuInSe2의 In의 일부를 Ga 원소로 대치하거나 Se를 S로 대치하는 방법을 사용하고 있다.
CuGaSe2는 밴드갭이 액 1.5eV로 Ga이 첨가된 Cu(InxGa1 -x)Se2 화합물 반도체의 밴드갭은 Ga 첨가량에 따라 조절이 가능하다. 하지만 광흡수층(500)의 에너지밴드갭이 클 경우 개방전압을 증가하지만, 오히려 단락전류가 감소하므로 Ga의 적정한 함량조절이 필요하다.
이와 같이, CIS 박막은 다원화합물이기 때문에 제조공정이 매우 까다롭다. 물리적인 박막제조방법으로는 이배퍼레이션(evaporation), 셀렌화 스파터링법(sputtering+selenization), 화학적인 방법으로는 전자증착법(electrodeposition) 등이 있고, 각 방법에 있어서도 출발물질(금속, 2원 화합물 등)의 종류에 따라 다양한 제조방법이 동원될 수 있다. 현재까지 가장 좋은 효율을 얻을 수 있었던 것은 이배퍼레에션 방법으로 출발물질로 4개의 금속원소-Cu, In, Ga, Se-를 사용한 것이다. CIS 또는 CIGS 박막의 특성은 이와 같이 박막의 조성뿐만 아니라 기판(700)의 온도, 증착시간 등에 의해서도 크게 변하기 때문에 증착균일도가 유지되도록 엄밀한 공정제어가 필수적이다.
다음으로, 상기 전극층(600)은, 전극으로 사용되는 모든 금속의 경우 사용할 수 있으며, 특히 Mo, Ni, Au, Al 및 Cu 중에 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하며, 높은 전기전도도, CIGS에의 오믹접촉(ohmic contact), Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문에 Mo를 사용하는 것이 더욱 바람직하다. Mo 전극층(600)은 전극으로서 비저항이 낮아야 하고 또한 열팽창계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록 기판(700)에의 점착성이 뛰어나야 한다.
그리고, 상기 기판(700)은 글라스(glass), 구리판(Cu plate), 구리 테이프(Cu tape), 세라믹 기판(700) 및 서스판(SUS plate) 중에 어느 하나를 상기 전극층(600) 상부에 본딩하여 형성시키거나, 폴리머(polymer)를 상기 전극층(600) 상층에 코팅하여 형성시킨다. 상기 기판(700)의 유연한 정도에 따라 플렉시블한 태양전지를 제조할 수 있어, 태양전지의 활용도를 높일 수 있게 된다.
상기 구성요소의 순서로 제조되는 태양전지에 있어서, 상기 윈도우층(200) 하측에 형성된 글라스(100)를 제거시킬 수도 있다. 이는 태양전지 제조공정 중 최종 단계에서 제거함으로써 글라스(100)로 인해 차단되는 UV광까지 모두 흡수되도록 하여, 태양광의 흡수율을 높일 수도 있다. 이는 또한, 상기 플렉시블한 재질의 기판(700)이 사용될 때는 글라스(100)는 제거하는 것이 더욱 바람직한 것이다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 화합물 태양전지는, 광흡수층(500)과 윈도우층(200) 사이에 ZnO 나노막대층(300)을 버퍼층(400)을 사이로 두고 형성시킴으로써, 전자의 확산계수를 높여 태양전지의 전기적, 광학적 특성을 향상시켜, 고효율의 태양전지를 제공하게 되는 것이다.
또한, 상기 윈도우층(200) 또는 ZnO 나노막대층(300)을 플라즈마 처리함으로써, 상기 윈도우층(200)과 ZnO 나노막대층(300), 그리고 상기 ZnO 나노막대층(300)과 버퍼층(400)과의 부착력을 개선시켜, 태양전지의 성능이 오래 지속되도록 한 것이다.
도 1 - 종래 화합물 태양전지에 대한 모식도.
도 2, 도 3 - 기판에 따른 본 발명의 실시예를 나타낸 모식도.
<도면에 사용된 주요부호에 대한 설명>
100 : 글라스 200 : 윈도우층
300 : ZnO 나노막대층 400 : 버퍼층
500 : 광흡수층 600 : 전극층
700 : 기판

Claims (24)

  1. 글라스(100) 상층에 윈도우층(200)을 형성시키는 제1단계와;
    상기 윈도우층(200) 상층에 ZnO 나노막대층(300)을 형성시키는 제2단계와;
    상기 ZnO 나노막대층(300)의 ZnO 나노막대를 따라 버퍼층(400)을 형성시키는 제3단계와;
    상기 버퍼층(400) 상층에 광흡수층(500)을 형성시키는 제4단계와;
    상기 광흡수층(500) 상층에 전극층(600)을 형성시키는 제5단계와;
    상기 전극층(600) 상층에 기판(700)을 형성시키는 제6단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 윈도우층(200)은,
    ZnO 박막층, 상기 ZnO에 Al이나 B가 도핑된 AZO 박막층 및 BZO 박막층 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 윈도우층(200)은,
    RF 스파터링법(sputtering), 리액티브 스파터링법(reactive sputtering), 그리고 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 중에 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조 방법.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 윈도우층(200)의 형성 후에,
    상기 윈도우층(200)의 플라즈마 처리 공정이 더 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 ZnO 나노막대층(300)은,
    튜브 퍼니스를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 ZnO 나노막대층(300)의 형성 후에,
    상기 ZnO 나노막대층(300)의 플라즈마 처리 공정이 더 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 버퍼층(400)은,
    ZnS, CdS, ZnSe, InS, InOOH 및 ZnOOH 중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 버퍼층(400)은,
    CBD(Chemical Bath Deposition)법 또는 RF 스파터링법에 의해 형성되는 것을 특징으로하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 광흡수층(500)은,
    CIS 또는 CIGS인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 광흡수층(500)은,
    이배퍼레이션법(evaporation) 및 RF 스파터링법(sputtering), 전기증착법(electrodeposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 전극층(600)은,
    Mo, Ni, Au, Al 및 Cu 중에 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 전극층(600)은,
    DC 스파터링법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 기판(700)은,
    글라스(glass), 구리판(Cu plate), 구리 테이프(Cu tape), 세라믹 기판(700) 및 서스판(SUS plate) 중에 어느 하나를 상기 전극층(600) 상부에 본딩하여 형성시키거나, 폴리머를 상기 전극층(600) 상층에 코팅하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  14. 제 1항 내지 제 13항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제6단계 이후에 상기 제1단계의 글라스(100)를 제거시키는 공정이 더 추가되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  15. 글라스(100) 상층에 AZO 박막층을 증착시키는 제1단계와;
    상기 AZO 박막층 상층에 ZnO 나노막대층(300)을 형성시키는 제2단계와;
    상기 ZnO 나노막대층(300)의 ZnO 나노막대를 따라 ZnS 버퍼층(400)을 형성시키는 제3단계와;
    상기 ZnS 버퍼층(400) 상층에 CIGS 박막층을 형성시키는 제4단계와;
    상기 CIGS 박막층 상층에 Mo 전극층(600)을 형성시키는 제5단계와;
    상기 Mo 전극층(600) 상층에 기판(700)을 형성시키는 제6단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  16. 글라스(100)와;
    상기 글라스(100) 상층에 형성되는 윈도우층(200)과;
    상기 윈도우층(200) 상층에 형성되는 ZnO 나노막대층(300)과;
    상기 ZnO 나노막대층(300)의 ZnO 나노막대를 따라 형성된 버퍼층(400)과;
    상기 버퍼층(400) 상층에 형성된 광흡수층(500)과;
    상기 광흡수층(500) 상층에 형성된 전극층(600)과;
    상기 전극층(600) 상층에 형성된 기판(700);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 윈도우층(200)은,
    ZnO 박막층, 상기 ZnO에 Al이나 B가 도핑된 AZO 박막층 및 BZO 박막층 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 윈도우층(200)은 플라즈마 처리된 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지.
  19. 제 16항에 있어서, 상기 ZnO 나노막대층(300)은 플라즈마 처리된 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지.
  20. 제 16항에 있어서, 상기 버퍼층(400)은,
    ZnS, CdS, ZnSe, InS, InOOH 및 ZnOOH 중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징 으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  21. 제 16항에 있어서, 상기 광흡수층(500)은,
    CIS 또는 CIGS인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지.
  22. 제 16항에 있어서, 상기 전극층(600)은,
    Mo, Ni, Au, Al 및 Cu 중에 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지.
  23. 제 16항에 있어서, 상기 기판(700)은,
    글라스(glass), 구리판(Cu plate) 및 서스판(SUS plate) 중에 어느 하나를 상기 전극층(600) 상부에 본딩하여 형성되거나, 폴리머를 상기 전극층(600) 상층에 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법.
  24. 글라스(100) 상층에 형성된 AZO 박막층과;
    상기 AZO 박막층 상층에 형성된 ZnO 나노막대층(300)과;
    상기 ZnO 나노막대층(300)의 ZnO 나노막대를 따라 형성된 ZnS 버퍼층(400)과;
    상기 ZnS 버퍼층(400) 상층에 형성된 CIGS 박막층과;
    상기 CIGS 박막층 상층에 형성된 Mo 전극층(600)과;
    상기 Mo 전극층(600) 상층에 형성된 기판(700);을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지.
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