KR20140058794A - 박막형 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 박막형 태양전지는, 기판 상에 형성된 후면 전극층 및 상기 후면 전극층 상에 형성된 광 흡수층을 포함하는 박막형 태양전지에 있어서, 상기 후면 전극층은, 상기 기판 및 광 흡수층에 각각 인접하게 형성되고 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 하부 및 상부 영역층; 및 상기 하부 및 상부 영역층 사이에 형성되고 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진 중간 영역층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막형 태양전지 및 그 제조방법{Thin film solar cell and Method of fabricating the same}
본 발명은 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 박막형 태양전지에 적용되는 후면 전극층을 개선하여 저항 특성 및 반사 특성이 향상된 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목되고 있다. 태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 발전과, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(Photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지가 있으며, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하, '태양전지'라 한다)를 일컫는다.
이러한 태양전지는 원료 물질에 따라 크게 다결정(poly crystal) 및 단결정(single crystal) 실리콘 태양전지 또는 비정질 실리콘 태양전지와 같은 실리콘계 태양전지와 화합물 반도체 태양전지 등으로 분류된다.
이 중 화합물 반도체 태양전지의 하나로서 CIGS계 태양전지는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se) 등의 원소로 이루어지는 광흡수 계수가 높은 광흡수층을 유리(glass) 등의 기판상에 증착하여 전기에너지를 생산하게 되는 태양전지로서, 두께가 얇은 박막으로도 고효율의 태양전지 제조가 가능하며, 또한 전기, 광학적 안정성이 우수하여 매우 이상적인 광흡수층을 형성할 수 있어 저가, 고효율의 태양전지 재료로 많은 연구가 이루어지고 있다.
한편, 기판 상에 형성된 후면 전극층은 높은 융점과 낮은 오옴접촉(ohmic contact) 및 셀레늄(Se) 분위기에서의 고온에 대한 안정성이 우수한 몰리브덴(Mo)이 주로 사용되고 있다. 그런데, 몰리브덴(Mo)의 경우 빛의 반사율이 떨어지기 때문에 광 흡수층에서 흡수되지 못하고 투과된 광이 후면 전극층을 통해 외부로 빠져나가게 되는 문제점이 있고, 이는 태양전지의 에너지 효율을 높이는데 한계로 작용하게 된다.
따라서, 후면 전극층의 반사율을 증가시킴으로써 높은 에너지 효율을 달성할 수 있는 박막형 태양전지에 대한 개발이 시급한 실정이다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 박막형 태양전지에 적용되는 후면 전극층을 개선하여 저항 특성 및 반사 특성을 향상시킬 수 있는 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막형 태양전지는, 기판 상에 형성된 후면 전극층 및 상기 후면 전극층 상에 형성된 광 흡수층을 포함하는 박막형 태양전지에 있어서, 상기 후면 전극층은, 상기 기판 및 광 흡수층에 각각 인접하게 형성되고 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 하부 및 상부 영역층; 및 상기 하부 및 상부 영역층 사이에 형성되고 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진 중간 영역층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 후면 전극층의 두께는 200 ~ 1000㎚이다.
바람직하게, 상기 하부 및 상부 영역층의 두께는 각각 상기 후면 전극층의 전체 두께의 10 ~ 40%이고, 상기 중간 영역층의 두께는 상기 후면 전극층의 전체 두께의 20 ~ 80%이다.
바람직하게, 상기 하부 및 상부 영역층의 두께는 각각 20 ~ 400㎚이고, 상기 중간 영역층의 두께는 40 ~ 980㎚이다.
바람직하게, 상기 중간 영역층의 금속 물질은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 로지움(Rh) 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금이다.
바람직하게, 상기 중간 영역층은 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 높은 반사율을 갖는 금속 물질이다.
바람직하게, 상기 중간 영역층은 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 높은 스퍼터율(Sputter Yield)을 갖는 금속 물질이다.
대안적으로, 상기 하부 영역층은 산소(O2)가 함유된 산화 몰리브덴(MoOx)(0≤x≤3)으로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 후면 전극층은 스퍼터링법(Sputtering)을 이용하여 형성된다.
바람직하게, 상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층, 윈도우층 및 전면 전극층을 더 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은, 기판 상에 형성된 후면 전극층 및 상기 후면 전극층 상에 형성된 광 흡수층을 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서, (a) 상기 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; (b) 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 (a) 단계는, 상기 기판 및 광 흡수층에 각각 인접하게 형성되고 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 하부 및 상부 영역층과, 상기 하부 및 상부 영역층 사이에 형성되고 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진 중간 영역층을 포함하는 후면 전극층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 후면 전극층의 두께는 200 ~ 1000㎚이다.
바람직하게, 상기 하부 및 상부 영역층의 두께는 각각 상기 후면 전극층의 전체 두께의 10 ~ 40%이고, 상기 중간 영역층의 두께는 상기 후면 전극층의 전체 두께의 20 ~ 80%이다.
바람직하게, 상기 하부 및 상부 영역층의 두께는 각각 20 ~ 400㎚이고, 상기 중간 영역층의 두께는 40 ~ 980㎚이다.
바람직하게, 상기 중간 영역층의 금속 물질은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 로지움(Rh) 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금이다.
바람직하게, 상기 중간 영역층은 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 높은 반사율을 갖는 금속 물질이다.
바람직하게, 상기 중간 영역층은 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 높은 스퍼터율(Sputter Yield)을 갖는 금속 물질이다.
바람직하게, 상기 하부 영역층은 산소(O2)가 함유된 산화 몰리브덴(MoOx)(0≤x≤3)으로 이루어진다.
바람직하게, 상기 (a) 단계는, (a1) 상기 기판 상에 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 하부 영역층을 형성하는 단계; (a2) 상기 하부 영역층 상에 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진 중간 영역층을 형성하는 단계; 및 (a3) 상기 중간 영역층 상에 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 상부 영역층을 형성하는 단계;를 포함한다.
바람직하게, 상기 (a) 단계는, 스퍼터링법(Sputtering)을 이용하여 형성된다.
바람직하게, 상기 광 흡수층 상에 버퍼층, 윈도우층 및 전면 전극층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 따르면, 박막형 태양전지의 후면 전극층을 종래의 몰리브덴(Mo) 단일층 구조에서 저항 특성 및 반사 특성을 향상시킨 다층 구조로 형성함으로써, 후면 전극층의 표면을 따라 흐르는 전류 또는 전하의 이동성 및 전도성을 향상시킬 수 있고, 광 흡수층으로 반사되는 광을 증가시킬 수 있음으로 태양전지의 에너지 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 후면 전극층의 제조 공정을 최소화하여 박막형 태양전지의 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
본 명세서에 첨부되는 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 후술되는 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도들이다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 박막형 태양전지는, 기판(100), 후면 전극층(200) 및 광 흡수층(300)을 포함한다. 또한, 상기 박막형 태양전지는 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400), 윈도우층(500) 및 전면 전극층(600)을 더 포함할 수 있다.
상기 기판(100)은 절연성이 있는 유리 기판이 사용된다. 이때, 유리 기판으로는 소라다임(sodalime) 유리를 이용한 기판이 이용될 수 있다. 하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 유리 기판 이외에도 태양전지의 적층 구조의 기초가 될 수 있는 다양한 재질이 사용될 수 있음은 자명하다. 예컨대, 플랙시블한 특성을 갖는 태양전지로 구성될 때에는 폴리이미드(polyimide)를 이용한 폴리머 기판이 이용될 수 있다.
상기 후면 전극층(200)은 도전성을 갖는 금속층으로서 높은 전기전도성과 광 흡수층(300)과의 오믹 접촉(ohmic contact) 및 셀레늄(Se) 분위기 하에서의 고온 안정성을 갖는 몰리브덴(Mo)이 사용될 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 스퍼터링법(Sputtering)을 이용하여 형성될 수 있다. 이때, 후면 전극층(200)은 200 ~ 1000㎚인 두께로 형성될 수 있다.
본 발명에서는 상기 후면 전극층(200)이 단일의 순수 몰리브덴(Mo)만으로 이루어지는 것이 아니라, 상기 기판(100) 및 광 흡수층(300) 사이에서 상기 기판(100) 및 광 흡수층(300)에 각각 인접하게 형성되고 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 하부 및 상부 영역층(200a, 200c)과, 상기 하부 및 상부 영역층(200a, 200c) 사이에 형성되고 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진 중간 영역층(200b)을 포함한다.
상기 후면 전극층(200)에서 상기 하부 및 상부 영역층(200a, 200c)의 두께는 각각 상기 후면 전극층(200)의 전체 두께의 10 ~ 40%로 예컨대, 그 두께가 20 ~ 400㎚일 수 있다. 또한, 상기 중간 영역층(200b)의 두께는 상기 후면 전극층의 전체 두께의 20 ~ 80%로 예컨대, 그 두께가 40 ~ 980㎚일 수 있다.
구체적으로, 상기 후면 전극층(200)은 도 1의 부분 확대 부분에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100) 상에 형성되며 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 하부 영역층(200a)과, 상기 하부 영역층(200a) 상에 형성되며 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진 중간 영역층(200b)과, 상기 중간 영역층(200b) 상에 형성되며 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 상부 영역층(200c)으로 이루어진다.
상기 후면 전극층(200)의 하부 및 상부 영역층(200a, 200c) 및 중간 영역층(200b)은 스퍼터링법에 의해 금속 타겟(target)을 몰리브덴(Mo) 또는 상기 금속 물질로 하여 하부 영역층(200a), 중간 영역층(200b) 및 상부 영역층(200c)으로 구분하여 순차적으로 형성할 수 있다.
상기 하부 영역층(200a)은 상기 기판(100)에 인접하게 형성되며 기판(100)과의 박리 강도와 배리어 특성이 우수한 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다. 또한, 하부 영역층(200a)은 기판(100)과의 박리 강도와 배리어 특성을 보다 더 향상시키기 위하여 산소(O2)가 함유된 산화 몰리브덴(MoOx)(0≤x≤3)으로 이루어질 수도 있다.
상기 중간 영역층(200b)은 상기 하부 영역층(200a) 상에 형성되며 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진다. 상기 금속 물질로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 로지움(Rh) 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금이 사용될 수 있다. 바람직하게, 상기 중간 영역층(200b)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같이 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항과 높은 반사율, 그리고 높은 스퍼터율(Sputter Yield)을 갖는 금속 물질로 이루어질 수 있다.
상기 상부 영역층(200c)는 상기 중간 영역층(200b) 상에 형성되며 그 상부에 상기 광 흡수층(300)이 형성되게 되며, 광 흡수층(30)과의 오믹 접촉(ohmic contact) 및 셀레늄(Se) 분위기 하에서의 고온 안정성이 우수한 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다.
본 발명에 따르면, 상기 후면 전극층(200)은 하부 및 상부 영역층(200a, 200c)과 그 사이에 위치한 중간 영역층(200b)으로 구분되어 형성된다. 이는 상기 하부 및 상부 영역층(200a, 200c)이 기판 및 광 흡수층(300)에 각각 위치하여 기판(100)과의 박리 강도와 배리어 특성을 향상시킴과 동시에 광 흡수층(300)과의 오믹 접촉 및 셀레늄 분위기 하에서의 고온 안정성을 유지할 수 있으면서, 그 사이에 중간 영역층(200b)을 위치시키고, 이 중간 영역층(200b)이 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항성과 높은 반사율을 갖는 금속 물질로 이루어짐으로써, 후면 전극층(200)의 전체적인 면저항을 낮추어 후면 전극층(200)의 표면을 따라 흐르는 전류 또는 전하의 이동성 및 전도성을 향상시킬 수 있다. 또한, 중간 영역층(200b)의 반사 특성에 의해 광 흡수층(300)으로 반사되는 광을 증가시킬 수 있음으로 태양전지의 에너지 효율을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 후면 전극층(200)이 스퍼터링법에 의해 형성되는 제조 공정에서 상기 중간 영역층(200b)이 스퍼터율이 높은 금속 물질로 이루어짐에 따라 전체적인 성막 횟수를 줄일 수 있게 되어 후면 전극층 형성의 생산성을 향상시킬 수 있게 되는 장점을 갖게 된다.
상기 광 흡수층(300)은 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키기 위한 것으로서, CIGS계의 재질로 형성된다. CIGS는 CuInSe2(CIS)의 3원소 반도체에 갈륨(Ga) 원소를 도핑하여 효율을 증가시킨 것이다
상기 버퍼층(400)은 p형 반도체 층인 상기 광 흡수층(300)과 pn접합되는 n형의 반도체 층으로서, 황화 카드뮴(Cds)로 형성된다.
상기 윈도우층(500)은 투명한 전극층으로서, ITO, ZnO 또는 i-ZnO 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이때, 상기 윈도우층(500)의 상면에는 전하를 효과적으로 포집하기 위해서 알루미늄(Al)이나 니켈(Ni)과 같은 금속 재질로 이루어진 금속층인 전면 전극층(600)이 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 박막형 태양전지는 후면 전극층(200)이 하부 영역층(200a), 중간 영역층(200b) 및 상부 영역층(200c)이 순차적으로 적층된 구조로 형성됨으로써, 기판(100)과의 박리 특성과 배리어 특성을 향상시킴과 동시에 광 흡수층(300)과의 오믹 접촉(ohmic contact) 및 셀레늄(Se) 분위기 하에서의 고온 안정성을 유지함은 물론이고, 저저항성과 높은 반사율을 가지게 됨으로써 태양전지의 에너지 효율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖게 된다.
도 2 내지 도 5는 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도들이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은, 기판(100) 상에 후면 전극층(200)을 형성하는 단계와, 상기 후면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300)을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 박막형 태양전지의 제조방법은 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400), 윈도우층(500) 및 전면 전극층(600)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(100)을 준비하고, 상기 기판(100) 상에 후면 전극층(200)의 하부 영역층(200a)을 형성한다. 이는 스퍼터링(Sputtering)을 이용하여 형성된다.
구체적으로, DC 파워가 인가되는 스퍼터링 챔버(미도시)에 기판(100)을 준비하고, 몰리브덴(Mo) 타겟을 준비시킨다. 기판(100)의 준비가 완료되면, 스퍼터링 챔버의 내부에는 불활성 가스를 주입하고, 공정 압력은 3 ~ 10mTorr로, 공정 온도는 25 ~ 70 ℃로 하고, 3 ~ 10kW의 DC 파워를 인가하여 후면 전극층(200)의 하부 영역층(200a)을 형성한다. 이때, 상기 하부 영역층(200a)은 몰리브덴(Mo)만으로 이루어질 수 있으나, 대안적으로, 상기 하부 영역층(200a)은 기판(100)과의 박리 강도와 배리어 특성을 보다 더 향상시키기 위하여 반응성 스퍼터링법에 의해 불활성 가스에 반응성 가스로서 산소(O2) 가스를 더 투입하여 산화 몰리브덴(MoOx)(0≤x≤3)으로 형성시킬 수도 있다. 상기 후면 전극층(200)의 하부 영역층(200a)의 형성 공정은 상기 하부 영역층(200a)의 두께가 후면 전극층(200)의 전체 두께의 10 ~ 40%로 예컨대, 20 ~ 400㎚가 될 때까지 지속한다.
그런 다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 하부 영역층(200a) 상에 중간 영역층(200b)을 형성한다. 이때, 몰리브덴(Mo) 타겟에서 중간 영역층(200b)으로 형성하고자 하는 금속 물질로 타겟을 변경하여 공정이 이루어지게 된다. 이때 DC 스퍼터링 공정 조건은 상기 하부 영역층(200a)의 고정 조건에서보다 공정 압력을 낮춘 3 ~ 7mTorr로 하고, DC 파워를 높인 3 ~ 12kW로 인가하여 후면 전극층(200)의 중간 영역층(200b)을 형성한다. 이는 중간 영역층의 전도성을 향상시켜 저항 특성을 보다 더 향상시키기 위함이다. 또한, 상기 중간 영역층(200b)의 상기 금속 물질로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 로지움(Rh) 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금이 사용될 수 있다. 바람직하게, 상기 중간 영역층(200b)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같이 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항과 높은 반사율, 그리고 높은 스퍼터율(Sputter Yield)을 갖는 금속 물질로 이루어질 수 있다. 상기 후면 전극층(200)의 중간 영역층(200b)의 형성 공정은 상기 중간 영역층(200b)의 두께가 후면 전극층(200)의 전체 두께의 20 ~ 80%로 예컨대, 40 ~ 980㎚가 될 때까지 지속한다. 또한, 중간 영역층(200b)의 형성은 상기 하부 및 상부 영역층(200a, 200c)의 형성 물질인 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 높은 스퍼터율(Sputter Yield)을 갖는 금속 물질로 이루어짐에 따라 더 적은 성막 횟수로도 중간 영역층(200b)의 형성이 가능하게 된다.
그런 다음, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 중간 영역층(200b) 상에 상부 영역층(200c)을 형성한다. 상기 상부 영역층(200c)은 상기 하부 영역층(200a)과 동일한 공정 조건으로 형성하게 된다. 이 공정은 상기 상부 영역층(200c)의 두께가 후면 전극층(200)의 전체 두께의 10 ~ 40%로 예컨대, 20 ~ 400㎚가 될 때까지 지속한다.
그리고 나서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 후면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300)을 형성한다. 또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400), 윈도우층(500) 및 전면 전극층(600)을 순차적으로 적층시켜 박막형 태양전지를 완성하게 된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에 의해 형성된 후면 전극층(200)은 하부 영역층(200a), 중간 영역층(200b) 및 상부 영역층(200c)이 순차적으로 적층된 구조 형성됨으로써, 기판(100)과의 박리 특성과 배리어 특성을 향상시킴과 동시에 광 흡수층(300)과의 오믹 접촉(ohmic contact) 및 셀레늄(Se) 분위기 하에서의 고온 안정성을 유지함은 물론이고, 저저항성과 높은 반사율을 가지게 됨으로써 태양전지의 에너지 효율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖게 된다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
실시예1
먼저, 전처리 공정을 거친 폴리이미드 기판을 준비하였다. 이어서, 준비된 폴리이미드 기판을 DC 스퍼터링 챔버에 위치시키고, 타겟 물질로 몰리브덴(Mo)을 준비하였다. DC 스퍼터링 공정 조건으로는 Ar 가스를 90sccm로 주입하여 공정 압력을 7mTorr로, 공정 온도를 25℃로 하고, DC 파워를 8kW로 인가하여 후면 전극층을 형성시키다가 100㎚ 두께로 후면 전극층의 하부 영역층이 형성되면, 타겟 물질을 알루미늄(Al)으로 변경하여 후면 전극층의 중간 영역층을 형성시키다가 250㎚ 두께로 후면 전극층의 중간 영역층이 형성되면, 다시 타겟 물질을 몰리브덴(Mo)으로 변경하여 100㎚ 두께로 후면 전극층의 상부 영역층을 형성시켜 후면 전극층의 형성을 완료하였다. 여기서, 후면 전극층의 전체 두께는 450㎚이며, 각 층별 성막 횟수는 하부 및 상부 영역층의 형성이 각각 3회의 성막 과정으로 형성되고, 중간 영역층의 형성이 2회의 성막 과정으로 형성되게 된다.
실시예2
후면 전극층의 중간 영역층의 타겟 물질로 은(Ag)을 이용한다는 점을 제외하고, 상기 실시예1과 동일하게 기판 상에 후면 전극층을 형성하였다.
비교예
후면 전극층의 타겟 물질로 몰리브덴(Mo)만을 이용하여 단일의 층으로 형성한다는 점을 제외하고, 상기 실시예와 동일하게 기판 상에 후면 전극층을 형성하였다.
실시예1 , 2와 비교예의 특성 실험
상기 실시예1, 2 및 비교예에 따라 제작된 후면 전극층에 대하여, 4-probe 면저항기(CMT-SR200N)를 이용하여 면저항을 측정하였으며, 반사율 측정기(코니카미놀타 CM-5)를 이용하여 반사율을 측정하였다. 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
후면 전극층의 구조 두께(㎚) 면저항(Ω/sq) 반사율(%)
실시예1 Mo/Al/Mo의 3중층 450 0.25 73.2
실시예2 Mo/Ag/Mo의 3중층 450 0.22 76.0
비교예 Mo 단일층 450 0.50 60
상기 표 1을 참조하면, 실시예1에 따라 제작된 후면 전극층은 면저항이 0.25Ω/sq이고, 반사율이 73.2%이었고, 실시예2에 따라 제작된 후면 전극층은 면저항이 0.22Ω/sq이고, 반사율이 76.0%이었다. 반면, 비교예에 따라 제작된 후면 전극층은 면저항이 0.50Ω/sq이고, 반사율이 60%로 실시예1 및 2가 비교예보다 면저항에 있어 약 43%로 감소하였고, 반사율에 있어 약 10%로 증가한다는 것을 알 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
100 : 기판 200 : 후면 전극층
200a : 하부 영역층 200b : 중간 영역층
200c : 상부 영역층 300 : 광 흡수층
400 : 버퍼층 500 : 윈도우층
600 : 전면 전극층

Claims (19)

  1. 기판 상에 형성된 후면 전극층 및 상기 후면 전극층 상에 형성된 광 흡수층을 포함하는 박막형 태양전지에 있어서,
    상기 후면 전극층은,
    상기 기판 및 광 흡수층에 각각 인접하게 형성되고 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 하부 및 상부 영역층; 및
    상기 하부 및 상부 영역층 사이에 형성되고 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진 중간 영역층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 후면 전극층의 두께는 200 ~ 1000㎚인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하부 및 상부 영역층의 두께는 각각 상기 후면 전극층의 전체 두께의 10 ~ 40%이고,
    상기 중간 영역층의 두께는 상기 후면 전극층의 전체 두께의 20 ~ 80%인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 하부 및 상부 영역층의 두께는 각각 20 ~ 400㎚이고,
    상기 중간 영역층의 두께는 40 ~ 980㎚인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 중간 영역층의 금속 물질은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 로지움(Rh) 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 중간 영역층은 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 높은 반사율을 갖는 금속 물질인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 중간 영역층은 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 높은 스퍼터율(Sputter Yield)을 갖는 금속 물질인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 후면 전극층은 스퍼터링법(Sputtering)을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층, 윈도우층 및 전면 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  10. 기판 상에 형성된 후면 전극층 및 상기 후면 전극층 상에 형성된 광 흡수층을 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서,
    (a) 상기 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하되,
    상기 (a) 단계는,
    상기 기판 및 광 흡수층에 각각 인접하게 형성되고 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 하부 및 상부 영역층과, 상기 하부 및 상부 영역층 사이에 형성되고 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진 중간 영역층을 포함하는 후면 전극층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 후면 전극층의 두께는 200 ~ 1000㎚인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 하부 및 상부 영역층의 두께는 각각 상기 후면 전극층의 전체 두께의 10 ~ 40%이고,
    상기 중간 영역층의 두께는 상기 후면 전극층의 전체 두께의 20 ~ 80%인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 하부 및 상부 영역층의 두께는 각각 20 ~ 400㎚이고,
    상기 중간 영역층의 두께는 40 ~ 980㎚인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 중간 영역층의 금속 물질은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 로지움(Rh) 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 중간 영역층은 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 높은 반사율을 갖는 금속 물질인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 중간 영역층은 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 높은 스퍼터율(Sputter Yield)을 갖는 금속 물질인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 (a) 단계는,
    (a1) 상기 기판 상에 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 하부 영역층을 형성하는 단계;
    (a2) 상기 하부 영역층 상에 몰리브덴(Mo)보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속 물질로 이루어진 중간 영역층을 형성하는 단계; 및
    (a3) 상기 중간 영역층 상에 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 상부 영역층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 (a) 단계는, 스퍼터링법(Sputtering)을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
  19. 제10항에 있어서,
    상기 광 흡수층 상에 버퍼층, 윈도우층 및 전면 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104362191A (zh) * 2014-10-21 2015-02-18 苏州瑞晟纳米科技有限公司 一种制备cigs太阳能电池背电极的方法
JP2016127128A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 株式会社マテリアル・コンセプト 太陽電池モジュールおよびその製造方法
KR20180043113A (ko) * 2016-10-19 2018-04-27 한국과학기술연구원 박막 태양전지 모듈 구조 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4829926B2 (ja) 2008-05-29 2011-12-07 本田技研工業株式会社 太陽電池及び太陽電池の製造方法
JP5439418B2 (ja) 2011-03-15 2014-03-12 株式会社東芝 有機薄膜太陽電池モジュール及びサブモジュール

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104362191A (zh) * 2014-10-21 2015-02-18 苏州瑞晟纳米科技有限公司 一种制备cigs太阳能电池背电极的方法
JP2016127128A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 株式会社マテリアル・コンセプト 太陽電池モジュールおよびその製造方法
US10355147B2 (en) 2014-12-26 2019-07-16 Material Concept, Inc. Solar cell module and method for manufacturing the same
KR20180043113A (ko) * 2016-10-19 2018-04-27 한국과학기술연구원 박막 태양전지 모듈 구조 및 이의 제조 방법

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