CN103563227B - 负载驱动装置及使用该负载驱动装置的电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种负载驱动装置及使用该负载驱动装置的电子设备。本发明的负载驱动装置包含：内部电路(DRV)，接收电源电压(HV)(或LV)的供给而动作；输出电路(PD1及PD2)，接收电源电压(HV)(或LV)的供给而驱动负载；异常检测电路(12)，监视电源电压(HV)及(LV)并生成异常检测信号(S1)；及电源开关(P0)，根据异常检测信号(S1)将往内部电路(DRV)的电源电压供给线导通／切断。

Description

负载驱动装置及使用该负载驱动装置的电子设备
技术领域
本发明涉及一种负载驱动装置及使用该负载驱动装置的电子设备。
背景技术
一直以来，电动机驱动器IC及开关调节器IC等负载驱动装置被广泛且普遍地使用。
另外，作为与所述内容相关的现有技术的一例，可以举出专利文献1。
背景技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2008-263733号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
一般来说，形成负载驱动装置的输出电路的元件(尤其是功率晶体管等输出元件)是根据以负载驱动装置的规格所规定的电特性(电源电压的绝对最大额定值等)来进行其耐压设计。因此，在实施了超过额定的过电压破坏试验的情况下，有负载驱动装置中产生发烟或破坏的顾虑。
作为解决所述问题的方法，可以采取的最简单的措施是提高元件的耐压。但是，形成电路的元件中也存在其他问题：为了提高输出元件的耐压(尤其是栅极、源极间耐压)，必须使输出元件的尺寸大型化，而导致芯片面积增大。尤其是，在必须将大电流供给到负载的负载驱动装置中，使用大型输出元件以降低输出元件的接通电阻，输出元件占芯片整体的面积比率非常大。因此，如果仅以破坏试验对策为目的，而使输出元件的尺寸进一步大型化，则芯片面积变大，结果导致成本上升，所以，不能说是现实的解决策略。
而且，作为解决所述问题的方法，也考虑使搭载负载驱动装置的装置侧具有过电压保护功能。但是，为了实现装置侧的过电压保护功能，负载驱动装置的外部需要另外的零件，因此，存在导致装置整体的成本提高的其他问题。
本发明的目的在于，鉴于由本申请的发明者等人所发现的所述问题，提供一种无须不必要地提高元件的耐压也可以承受破坏试验的负载驱动装置、及使用该负载驱动装置的电子设备。
[解决问题的技术手段]
为达成所述目的，本发明的负载驱动装置设为如下构成(第1构成)，即，包含：内部电路，接收电源电压的供给而动作；输出电路，接收所述电源电压的供给而驱动负载；异常检测电路，监视所述电源电压并生成异常检测信号；及电源开关，根据所述异常检测信号将往所述内部电路的电源电压供给线导通／切断。
另外，包含所述第1构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第2构成)，即，所述内部电路包含将驱动信号供给到所述输出电路的驱动电路。
而且，包含所述第2构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第3构成)，即，包含连接在所述内部电路的电源电压输入端与接地端之间的下拉电阻。
而且，包含所述第3构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第4构成)，即，所述输出电路包含连接在电源端与输出端之间的P型的上侧晶体管。
而且，包含所述第4构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第5构成)，即，包含根据所述异常检测信号将所述上侧晶体管的栅极与所述电源端之间导通／切断的第1上侧开关。
而且，包含所述第5构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第6构成)，即，包含根据所述异常检测信号将所述上侧晶体管的栅极与所述驱动电路之间导通／切断的第2上侧开关。
而且，包含所述第4至第6中任一构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第7构成)，即，所述输出电路包含连接在所述接地端与所述输出端之间的N型的下侧晶体管。
而且，包含所述第7构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第8构成)，即，包含根据所述异常检测信号将所述下侧晶体管的栅极与所述接地端之间导通／切断的第1下侧开关。
而且，包含所述第8构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第9构成)，即，包含根据所述异常检测信号将所述下侧晶体管的栅极与所述驱动电路之间导通／切断的第2下侧开关。
而且，包含所述第1至第9中任一构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第10构成)，即，作为所述内部电路，包含接收第1电源电压而动作的第1内部电路、及接收比所述第1电源电压低的第2电源电压而动作的第2内部电路；且作为所述输出电路，包含接收所述第1电源电压而驱动第1负载的第1输出电路、及接收所述第2电源电压而驱动第2负载的第2输出电路。
而且，包含所述第10构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第11构成)，即，所述异常检测电路包含：第1过电压检测部，监视所述第1电源电压并生成第1过电压检测信号；第2过电压检测部，监视所述第2电源电压并生成第2过电压检测信号；及异常检测信号生成部，基于所述第1过电压检测信号与所述第2过电压检测信号而生成所述异常检测信号。
而且，包含所述第11构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第12构成)，即，所述第1过电压检测部包含第1比较器，所述第1比较器将所述第1电源电压与第1过电压检测电压相比较，而生成所述第1过电压检测信号，且所述第2过电压检测部包含第2比较器，所述第2比较器将所述第2电源电压与第2过电压检测电压相比较，而生成所述第2过电压检测信号。
而且，包含所述第11或第12构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第13构成)，即，包含调整所述第1过电压检测信号的信号电平并供给到所述异常检测信号生成部的第1电平位移器。
而且，包含所述第13构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第14构成)，即，所述第1电平位移器包含：晶体管，漏极连接于所述第1电源电压的施加端，且栅极连接于所述第1过电压检测信号的施加端；电流源，连接在所述晶体管的源极与接地端之间；及反相器，输入端连接于所述晶体管的源极，输出端连接于所述异常检测信号生成部，第1电源端连接于所述第2电源电压的施加端，第2电源端连接于接地端。
而且，包含所述第11至第14中任一构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第15构成)，即，所述异常检测电路还包含监视所述第1电源电压并生成减电压检测信号的减电压检测部，且所述异常检测信号生成部基于所述第1过电压检测信号、所述第2过电压检测信号、及所述减电压检测信号而生成所述异常检测信号。
而且，包含所述第15构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第16构成)，即，所述减电压检测部包含将所述第1电源电压与减电压检测电压相比较而生成所述减电压检测信号的第3比较器。
而且，包含所述第1至第16中任一构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第17构成)，即，包含调整所述异常检测信号的信号电平的第2电平位移器。
而且，包含所述第17构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第18构成)，即，所述第2电平位移器将所述异常检测信号的信号电平从在所述第2电源电压与接地电压之间被脉冲驱动的状态调整为如下两种状态：在所述第1电源电压与比所述第1电源电压低特定值的第1修正电源电压之间被脉冲驱动的状态、或在所述第2电源电压与比所述第2电源电压低特定值的第2修正电源电压之间被脉冲驱动的状态。
而且，包含所述第18构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第19构成)，即，包含修正电源电压生成部，所述修正电源电压生成部根据所述第1电源电压或所述第2电源电压，生成所述第1修正电源电压或所述第2修正电源电压，并供给到所述第2电平位移器。
而且，包含所述第19构成的负载驱动装置中，宜为如下构成(第20构成)，即，所述修正电源电压生成部包含：第1晶体管，源极连接于所述第1修正电源电压或所述第2修正电源电压的施加端，漏极连接于接地端；第2晶体管，发射极连接于所述第1晶体管的栅极；齐纳二极管，阳极连接于所述第2晶体管的基极及集电极，阴极连接于所述第1电源电压或所述第2电源电压的施加端；第1电阻，连接在所述第1晶体管的源极与所述第1电源电压或所述第2电源电压的施加端之间；及第2电阻，连接在所述第2晶体管的发射极与接地端之间。
而且，本发明的电子设备设为如下构成(第21构成)，即，包括包含所述第1至第20中任一构成的负载驱动装置、及由所述负载驱动装置驱动的负载。
而且，包含所述第21构成的所述电子设备宜为如下构成(第22构成)，即，所述电子设备是搭载于计算机而进行光盘的播放或记录／播放的光盘播放装置，且所述负载为主轴电动机、传动电动机、加载电动机、聚焦致动器、寻轨致动器及倾斜致动器中的至少一个。
[发明的效果]
根据本发明，可以提供一种无须不必要地提高元件的耐压也可以承受破坏试验的负载驱动装置、及使用该负载驱动装置的电子设备。
附图说明
图1是表示本发明的光盘播放装置的一构成例的框图。
图2是表示负载驱动电路11与异常检测电路12的一构成例的电路图。
图3是表示负载驱动电路11的一变形例的电路图。
图4是表示开关调节器IC的一构成例的电路图。
图5是表示第1过电压检测部121的一构成例的电路图。
图6是表示减电压检测部122的一构成例的电路图。
图7是表示第2过电压检测部123的一构成例的电路图。
图8是表示电平位移器124a的一构成例的电路图。
图9是表示修正电源电压生成部CVG的一构成例的电路图。
图10是表示异常保护动作的一例的时序图。
图11是搭载着光盘播放装置的台式个人计算机的外观图。
具体实施方式
<光盘播放装置>
以下，以对搭载于光盘播放装置的电动机驱动器IC应用本发明的情况为例进行详细说明。
图1是表示本发明的光盘播放装置的一构成例的框图。光盘播放装置1搭载于例如个人计算机而进行光盘(BD、DVD、CD等)的播放或记录／播放。光盘播放装置1包含电动机驱动器IC10、多个负载20及微型计算机30。
电动机驱动器IC10是根据来自微型计算机30的指示而进行多个负载20(主轴电动机21、传动电动机22、加载电动机23、聚焦致动器24、寻轨致动器25、及倾斜致动器26)的驱动控制的多信道的负载驱动装置。电动机驱动器IC10中，作为多信道的负载驱动电路11，包含主轴电动机驱动器电路111、传动电动机驱动器电路112、加载电动机驱动器电路113、聚焦致动器驱动器电路114、寻轨致动器驱动器电路115、及倾斜致动器驱动器电路116。而且，电动机驱动器IC10包含异常检测电路12，所述异常检测电路12分别监视从IC外部供给的第1电源电压HV(12V系统)与第2电源电压LV(5V系统)，并生成异常检测信号S1。
主轴电动机驱动器电路111是通过接收第1电源电压HV的供给并进行主轴电动机21的驱动控制，而使载置光盘的转台(未图示)以固定的线速度或固定的旋转速度旋转。另外，作为主轴电动机21，可以使用有刷DC(Direct Current，直流)电动机或三相无刷电动机等。
传动电动机驱动器电路112是通过接收第1电源电压HV的供给并进行传动电动机22的驱动控制，而使光学读取头(未图示)沿光盘的半径方向滑行移动。另外，作为传动电动机22，可以使用有刷DC电动机或二相无刷步进电动机等。
加载电动机驱动器电路113是通过接收第1电源电压HV的供给来进行加载电动机23的驱动控制，而使载置光盘的加载托盘(未图示)滑行移动。另外，作为加载电动机23，可以使用有刷DC电动机等。
聚焦致动器驱动器电路114是通过接收第2电源电压LV的供给并进行聚焦致动器24的驱动控制，而驱动光学读取头的物镜，进行形成在光盘上的光束点的聚焦控制。
寻轨致动器驱动器电路115是通过接收第2电源电压LV的供给并进行寻轨致动器25的驱动控制，而驱动光学读取头的物镜，进行形成在光盘上的光束点的寻轨控制。
倾斜致动器驱动器电路116是通过接收第2电源电压LV的供给并进行倾斜致动器26的驱动控制，而驱动光学读取头的物镜，修正因光盘翘曲而产生的信号强度的不均。
图2是表示负载驱动电路11与异常检测电路12的一构成例的电路图。另外，关于本图中所描绘的负载驱动电路11，将主轴电动机驱动器电路111、传动电动机驱动器电路112、加载电动机驱动器电路113、聚焦致动器驱动器电路114、寻轨致动器驱动器电路115、及倾斜致动器驱动器电路116中的任一个理解为描绘出某一相的输出段附近的电路即可。
异常检测电路12包含第1过电压检测部121、减电压检测部122、第2过电压检测部123、及异常检测信号生成部124。
第1过电压检测部121监视第1电源电压HV是否超过过电压检测电压Vth1(例如Vth1＝18V)，并生成第1过电压检测信号SA。第1过电压检测信号SA是在第1电源电压HV比过电压检测电压Vth1低时，成为正常时的逻辑电平(低电平(GND))，而在第1电源电压HV比过电压检测电压Vth1高时，成为异常时的逻辑电平(高电平(HV))。
图5是表示第1过电压检测部121的一构成例的电路图。第1过电压检测部121包含比较器121a，该比较器121a将对非反相输入端(+)施加的第1电源电压HV与对反相输入端(-)施加的过电压检测电压Vth1相比较，而生成第1过电压检测信号SA。比较器121a的第1电源端(高电位端)连接于第1电源电压HV的施加端。比较器121a的第2电源端(低电位端)连接于接地电压GND的施加端。
减电压检测部122监视第1电源电压HV是否低于减电压检测电压Vth2(例如Vth2＝6V)，并生成减电压检测信号SB。减电压检测信号SB是在第1电源电压HV比减电压检测电压Vth2高时，成为正常时的逻辑电平(低电平(GND))，而在第1电源电压HV比减电压检测电压Vth2低时，成为异常时的逻辑电平(高电平(HV))。
图6是表示减电压检测部122的一构成例的电路图。减电压检测部122包含比较器122a，该比较器122a将对反相输入端(-)施加的第1电源电压HV与对非反相输入端(+)施加的减电压检测电压Vth2相比较，而生成减电压检测信号SB。比较器122a的第1电源端(高电位端)连接于第1电源电压HV的施加端。比较器122a的第2电源端(低电位端)连接于接地电压GND的施加端。
第2过电压检测部123监视第2电源电压LV是否超过过电压检测电压Vth3(例如Vth3＝8.5V)，并生成第2过电压检测信号SC。第2过电压检测信号SC是在第2电源电压LV比过电压检测电压Vth3低时，成为正常时的逻辑电平(低电平(GND))，而在第2电源电压LV比过电压检测电压Vth3高时，成为异常时的逻辑电平(高电平(LV))。
图7是表示第2过电压检测部123的一构成例的电路图。第2过电压检测部123包含比较器123a，该比较器123a将对非反相输入端(+)施加的第2电源电压LV与对反相输入端(-)施加的过电压检测电压Vth3相比较，而生成第2过电压检测信号SC。比较器123a的第1电源端(高电位端)连接于第2电源电压LV的施加端。比较器123a的第2电源端(低电位端)连接于接地电压GND的施加端。
异常检测信号生成部124监视第1过电压检测信号SA、减电压检测信号SB、及第2过电压检测信号SC，并生成异常检测信号S1。异常检测信号生成部124包含电平位移器124a和或运算器124b。
电平位移器124a是将在第1电源电压HV与接地电压GND之间被脉冲驱动的第1过电压检测信号SA电平位移，生成在第2电源电压LV与接地电压GND之间被脉冲驱动的第1过电压检测信号SA′。只要是包含电平位移器124a的构成，则无须将或运算器124b不必要地高耐压化。
图8是表示电平位移器124a的一构成例的电路图。本构成例的电平位移器124a包含N信道型MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)场效应晶体管a1、电流源a2、及反相器a3。晶体管a1的漏极连接于第1电源电压HV的施加端。晶体管a1的源极经由电流源a2而连接于接地电压GND的施加端。晶体管a1的栅极连接于第1过电压检测信号SA的施加端。反相器a3的输入端连接于晶体管a1的源极。反相器a3的输出端连接于第1过电压检测信号SA′的施加端。反相器a3的第1电源端(高电位端)连接于第2电源电压LV的施加端。反相器a3的第2电源端(低电位端)连接于接地电压GND的施加端。
或运算器124b通过进行第1过电压检测信号SA′、减电压检测信号SB、及第2过电压检测信号SC的或运算，生成异常检测信号S1。只要第1过电压检测信号SA′、减电压检测信号SB、及第2过电压检测信号SC中的任一个为高电平，异常检测信号S1就成为高电平(LV)，如果第1过电压检测信号SA′、减电压检测信号SB、及第2过电压检测信号SC全部为低电平，则异常检测信号S1成为低电平(GND)。
负载驱动电路11包含P信道型DMOS(Diffused Metal Oxide Semiconductor，扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管PD1、N信道型DMOS场效应晶体管ND1、P信道型MOS场效应晶体管P0及P1、N信道型MOS场效应晶体管N1、电阻R1、前置驱动器DRV、缓冲器BUF、反相器INV、及修正电源电压生成部CVG。
晶体管PD1的源极连接于第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端。晶体管PD1的漏极连接于输出信号OUT的输出端。晶体管PD1的栅极连接于前置驱动器DRV。晶体管ND1的源极连接于接地电压GND的施加端。晶体管ND1的漏极连接于输出信号OUT的输出端。晶体管ND1的栅极连接于前置驱动器DRV。
晶体管P0的源极连接于第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端。晶体管P0的漏极连接于前置驱动器DRV的电源电压输入端。晶体管P0的栅极连接于缓冲器BUF的输出端。缓冲器BUF的输入端连接于异常检测信号S1的施加端。电阻R1的第1端连接于前置驱动器DRV的电源电压输入端。电阻R1的第2端连接于接地电压GND的施加端。
晶体管P1的源极连接于第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端。晶体管P1的漏极连接于晶体管PD1的栅极。晶体管P1的栅极连接于反相器INV的输出端。反相器INV的输入端连接于异常检测信号S1的施加端。晶体管N1的源极连接于接地电压GND的施加端。晶体管N1的漏极连接于晶体管ND1的栅极。晶体管N1的栅极连接于异常检测信号S1的施加端。
在包含所述构成的负载驱动电路11中，晶体管PD1及ND1相当于接收第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的供给而驱动负载的推挽输出电路。尤其是，晶体管PD1相当于连接在第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端与输出信号OUT的输出端之间的上侧晶体管。而且，晶体管ND1相当于连接在接地电压GND的施加端与输出信号OUT的输出端之间的下侧晶体管。
前置驱动器DRV是接收第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的供给而动作的内部电路中的一个，且相当于根据来自微型计算机30的指示而生成所述推挽输出电路的驱动信号(晶体管PD1及ND1的栅极信号)的驱动电路。
晶体管P0相当于根据异常检测信号S1将往内部电路(前置驱动器DRV等)的电源电压供给线导通／切断的电源开关。在异常检测信号S1为低电平(正常时的逻辑电平)时接通晶体管P0，将往内部电路的电源电压供给线导通。另一方面，在异常检测信号S1为高电平(异常时的逻辑电平)时断开晶体管P0，将往内部电路的电源电压供给线切断。
晶体管P1相当于根据异常检测信号S1将晶体管PD1的栅极与第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端之间导通／切断的第1上侧开关。在异常检测信号S1为低电平(正常时的逻辑电平)时断开晶体管P1，将晶体管PD1的栅极与第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端之间切断。另一方面，在异常检测信号S1为高电平(异常时的逻辑电平)时接通晶体管P1，将晶体管PD1的栅极与第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端之间导通。
晶体管N1相当于根据异常检测信号S1将晶体管ND1的栅极与接地电压GND的施加端之间导通／切断的第1下侧开关。在异常检测信号S1为低电平(正常时的逻辑电平)时断开晶体管N1，将晶体管ND1的栅极与接地电压GND的施加端之间切断。另一方面，在异常检测信号S1为高电平(异常时的逻辑电平)时接通晶体管N1，将晶体管ND1的栅极与接地电压GND的施加端之间导通。
电阻R1相当于连接在内部电路的电源电压输入端与接地电压GND的施加端之间的下拉电阻。
缓冲器BUF将在第2电源电压LV与接地电压GND之间被脉冲驱动的异常检测信号S1电平位移，生成在第1电源电压HV(或第2电源电压LV)与第1修正电源电压HV′(或第2修正电源电压LV′)之间被脉冲驱动的栅极信号G0，并将该栅极信号G0供给到晶体管P0的栅极。第1修正电源电压HV′(或第2修正电源电压LV′)设定为比第1电源电压HV(或第2电源电压LV)低特定值α(例如α＝5V)的电压值即可。只要是包含带有电平位移功能的缓冲器BUF的构成，就无须将晶体管P0不必要地高耐压化。
反相器INV通过将在第2电源电压LV与接地电压GND之间被脉冲驱动的异常检测信号S1电平位移，并进而使其逻辑反相，来生成在第1电源电压HV(或第2电源电压LV)与第1修正电源电压HV′(或第2修正电源电压LV′)之间被脉冲驱动的栅极信号G1，并将该栅极信号G1供给到晶体管P1的栅极。只要是包含带有电平位移功能的反相器INV的构成，就无须将晶体管P1不必要地高耐压化。
图9是表示修正电源电压生成部CVG的一构成例的电路图。本构成例的修正电源电压生成部CVG包含P信道型MOS场效应晶体管b1、npn型双极晶体管b2、齐纳二极管b3、及电阻b4与b5。晶体管b1的源极一方面连接于第1修正电源电压HV′(或第2修正电源电压LV′)的施加端，一方面也经由电阻b4连接于第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端。晶体管b1的漏极连接于接地电压GND的施加端。晶体管b1的栅极一方面连接于晶体管b2的发射极，一方面也经由电阻b5连接于接地电压GND的施加端。晶体管b2的集电极及基极均连接于齐纳二极管b3的阳极。齐纳二极管b3的阴极连接于第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端。根据本构成例的修正电源电压生成部CVG，可以生成比第1电源电压HV(或第2电源电压LV)低特定值α的第1修正电源电压HV′(或第2修正电源电压LV′)。
在包含所述构成的负载驱动电路11中，在异常检测信号S1成为高电平(异常时的逻辑电平)时断开晶体管P0，将往包含前置驱动器DRV的内部电路的电源电压供给线切断。因此，即使在第1电源电压HV或第2电源电压LV产生异常(过电压或减电压)的情况下，也可以防止内部电路的破坏。
另外，断开晶体管P0而将往内部电路的电源电压供给线切断时，内部电路的电源电压输入端经由电阻R1被下拉到接地电压GND的施加端。因此，内部电路的电源电压输入端不会成为不定电压，所以，不会导致内部电路的异常动作。
另一方面，在包含所述构成的负载驱动电路11中，为了避免因开关的接通电阻成分而产生的功率效率的降低，没有在往推挽输出电路的电源电压供给线中设置用于将其导通／切断的开关。
取而代之的是，在包含所述构成的负载驱动电路11中，作为用来保护晶体管PD1及ND1的机构，设置着晶体管P1及N1。在异常检测信号S1成为高电平(异常时的逻辑电平)时，接通晶体管P1及N1，使晶体管PD1及ND1的栅极、源极间短路。因此，成为在晶体管PD1及ND1的栅极、源极间没有施加任何电压的状态，所以，无须不必要地提高晶体管PD1及ND1的栅极、源极间耐压，即可保护晶体管PD1及ND1。当然，毫无疑问需要将晶体管PD1及ND1的源极、漏极耐压设计成在第1电源电压HV(或第2电源电压LV)异常时也可以承受的值。另外，因在异常检测信号S1成为高电平(异常时的逻辑电平)时，晶体管PD1及ND1均完全断开，所以，输出信号OUT的输出端成为浮动状态(高阻抗状态)。图10是表示所述记载中所说明的异常保护动作的一例的时序图，从上往下依序描绘着第1电源电压HV、异常检测信号S1、晶体管P1及N1的栅极电压、晶体管PD1及ND1的栅极电压、及输出信号OUT。
而且，图2中虽然没有明示，但在第1电源电压HV(或第2电源电压LV)的施加端与接地电压GND的施加端之间，一般地连接着静电保护二极管。因基于异常检测信号S1的保护动作没有涵盖该静电保护二极管，所以，需要使元件自身具有充分的耐压。
图3是表示负载驱动电路11的一变形例的电路图。如图3所示，负载驱动电路11也可以设为将模拟开关SW1及SW2连接到晶体管PD1及ND1的各栅极的构成。
模拟开关SW1相当于根据异常检测信号S1将晶体管PD1的栅极与前置驱动器DRV之间导通／切断的第2上侧开关。在异常检测信号S1为低电平(正常时的逻辑电平)时接通模拟开关SW1，将晶体管PD1的栅极与前置驱动器DRV之间导通。另一方面，在异常检测信号S1为高电平(异常时的逻辑电平)时断开模拟开关SW1，将晶体管PD1的栅极与前置驱动器DRV之间切断。只要是包含模拟开关SW1的构成，则在异常检测信号S1成为高电平(异常时的逻辑电平)时，可以更确实地将晶体管PD1的栅极固定在第1电源电压HV(或第2电源电压LV)。
模拟开关SW2相当于根据异常检测信号S1将晶体管ND1的栅极与前置驱动器DRV之间导通／切断的第2下侧开关。在异常检测信号S1为低电平(正常时的逻辑电平)时接通模拟开关SW2，将晶体管ND1的栅极与前置驱动器DRV之间导通。另一方面，在异常检测信号S1为高电平(异常时的逻辑电平)时断开模拟开关SW2，将晶体管ND1的栅极与前置驱动器DRV之间切断。只要是包含模拟开关SW2的构成，则在异常检测信号S1成为高电平(异常时的逻辑电平)时，可以更确实地将晶体管ND1的栅极固定在接地电压GND。
如所述记载中说明般，如果是采用图2或图3的构成的电动机驱动器IC10，则作为过电压破坏试验或相反地连接2个系统的电源电压的破坏试验(所谓的逆插试验)的对策，无须不必要地提高晶体管PD1及ND1的耐压或在电动机驱动器IC10上连接另外的外置零件，因此，可以对芯片面积的缩小或装置成本的降低有所贡献。
例如，在实施有意地使第1电源电压HV或第2电源电压LV为过电压状态的过电压破坏试验的情况下，在第1电源电压HV或第2电源电压LV成为过电压状态的期间，第1过电压检测信号SA或第2过电压检测信号SC成为高电平，进而，异常检测信号S1成为高电平(异常时的逻辑电平)，且所述的异常保护动作(参照图10)起作用，因此，可以避免IC的发烟或破坏。
像这样，根据所述保护技术，首先，关于小信号系统的元件，可以通过将电源线的开关断开来保护免遭破坏，而关于无法完全防止的输出元件，则可以通过导入用于断开栅极的开关来保护免遭破坏。即，可以说作为用来实现所述保护技术的电路要素，用于输出元件破坏对策的栅极断开开关与用于切断电源线的开关双方均重要。另外，不进行连接于输出元件的电源线的切断的原因是为了避免因开关的插入而导致输出元件的接通电阻在外观上增大。
而且，在实施相反地连接第1电源电压HV与第2电源电压LV的破坏试验(所谓的逆插试验)的情况下，因减电压检测信号SB或第2过电压检测信号SC成为高电平，且所述保护动作起作用，所以，可以避免IC的发烟或破坏。
<台式个人计算机>
图11是搭载着光盘播放装置1的台式个人计算机的外观图。本构成例的台式个人计算机X包含主体外壳X10、液晶显示器X20、键盘X30及鼠标X40。
主体外壳X10收纳中央运算处理装置X11、内存X12、光学驱动器X13及硬盘驱动器X14等。
中央运算处理装置X11是通过执行存储在硬盘驱动器X14的操作系统或各种应用程序，总括地控制台式个人计算机X的动作。
内存X12是用作中央运算处理装置X11的作业区域(例如，在执行程序时存储任务数据的区域)。
光学驱动器X13进行光盘的读取／写入。作为光盘，可以举出CD[compact disc，光盘]、DVD[digital versatile disc，数字多功能光盘]、及BD[Blu-ray disc，蓝光光盘]等。另外，作为光学驱动器X13，可以较佳地使用所述的光盘播放装置1。
硬盘驱动器X14是使用密封在机箱内的磁盘而将程序或数据非挥发性地存储的大容量辅助存储装置中的一个。
液晶显示器X20根据来自中央运算处理装置X11的指示而输出影像。
键盘X30及鼠标X40是受理用户的操作的人性化接口装置中的一个。
<其他变形例>
另外，在所述实施方式中，虽然以将本发明应用在电动机驱动器IC10的构成为例进行了说明，但本发明的应用对象并不限定于此，可以广泛地应用在图4的开关调节器IC等负载驱动装置全体。
图4是表示可以成为本发明的应用对象的开关调节器IC的一构成例的电路图。本构成例的开关调节器IC40是包含P信道型MOS场效应晶体管41、整流用二极管42、开关控制部43、过电压保护部44及电源开关45的半导体集成电路装置，且在其外部，作为形成输出段的分立元件，而连接着线圈L11、电容器C11、及电阻R11与R12。另外，在本构成例中，虽然输出段为降压型，但输出段的构成并不限定于此，也可以是升压型或升降压型。
在本构成例的开关调节器IC40中，晶体管41相当于图2的晶体管PD1，整流用二极管42相当于图2的晶体管ND1。另外，关于整流用二极管42，也可以将此替换为同步整流用晶体管。而且，开关控制部43相当于图2的驱动器DRV(内部电路)，过电压检测部44相当于图2的异常检测电路12。此外，电源开关45相当于图2的晶体管P0。另外，图4中虽然没有明示，但例如也可以在晶体管41的栅极、源极间设置相当于图2的晶体管P1的元件。
而且，在所述实施方式中，虽然以将2个系统的电源电压(HV及LV)输入电动机驱动器IC10的构成为例进行了说明，但本发明的构成并不限定于此，即使在输入的电源电压增加到3个系统以上的情况下，通过在每个电源系统中设置过电压检测部或减电压检测部，并在每个负载驱动电路中准备用来使异常检测信号的信号电平合适的电平位移器，也可以灵活应对。
像这样，本发明的构成是除了所述实施方式以外，可以在不脱离发明的主旨的范围内施加各种变更。即，应该认为所述实施方式在所有方面为例示，并不具有限制性，且本发明的技术范围不是所述实施方式的说明，而应该理解为由权利要求范围所揭示，包含属于与权利要求范围均等的意思及范围内的所有变更。
[工业上的可利用性]
本发明可以用于提高负载驱动装置的可靠性。
[符号的说明]
1 光盘播放装置
10 负载驱动装置(电动机驱动器IC)
11 负载驱动电路
111 主轴电动机驱动器电路
112 传动电动机驱动器电路
113 加载电动机驱动器电路
114 聚焦致动器驱动器电路
115 寻轨致动器驱动器电路
116 倾斜致动器驱动器电路
12 异常检测电路
121 第1过电压检测部
121a 比较器
122 减电压检测部
122a 比较器
123 第2过电压检测部
123a 比较器
124 异常检测信号生成部
124a 电平位移器
a1 N信道型MOS场效应晶体管
a2 电流源
a3 反相器
124b 或运算器
20 负载(电动机／致动器)
21 主轴电动机
22 传动电动机
23 加载电动机
24 聚焦致动器
25 寻轨致动器
26 倾斜致动器
30 微型计算机
40 开关调节器IC
41 P信道型MOS场效应晶体管
42 整流用二极管
43 开关控制部(内部电路)
44 过电压保护部(异常检测电路)
45 电源开关
PD1 P信道型DMOS场效应晶体管
ND1 N信道型DMOS场效应晶体管
P0、P1 P信道型MOS场效应晶体管
N1 N信道型MOS场效应晶体管
R1 电阻
DRV 前置驱动器
BUF 缓冲器(带有电平位移功能)
INV 反相器(带有电平位移功能)
CVG 修正电源电压生成部
b1 P信道型MOS场效应晶体管
b2 npn型双极晶体管
b3 齐纳二极管
b4、b5 电阻
SW1、SW2 模拟开关
L11 线圈
C11 电容器
R11、R12 电阻
X 台式个人计算机
X10 主体外壳
X11 中央运算处理装置
X12 内存
X13 光学驱动器
X14 硬盘驱动器
X20 液晶显示器
X30 键盘
X40 鼠标

Claims (10)

1.一种负载驱动装置，其特征在于包含：
内部电路，接收电源电压的供给而动作；
输出电路，接收所述电源电压的供给而驱动负载；
异常检测电路，监视所述电源电压并生成异常检测信号；以及
电源开关，根据所述异常检测信号将往所述内部电路的电源电压供给线导通/切断；
所述内部电路包含将驱动信号供给到所述输出电路的驱动电路；
所述输出电路包含：
连接在电源端与输出端之间的P型的上侧晶体管；
连接在接地端与所述输出端之间的N型的下侧晶体管；
所述负载驱动装置更包含：
根据所述异常检测信号将所述下侧晶体管的栅极与所述接地端之间导通/切断的第1下侧开关；
连接在所述内部电路的电源电压输入端与所述接地端之间的下拉电阻；以及根据所述异常检测信号将所述下侧晶体管的栅极与所述驱动电路之间导通/切断的第2下侧开关。
2.一种负载驱动装置，其特征在于包含：
内部电路，接收电源电压的供给而动作；
输出电路，接收所述电源电压的供给而驱动负载；
异常检测电路，监视所述电源电压并生成异常检测信号；及
电源开关，根据所述异常检测信号将往所述内部电路的电源电压供给线导通/切断；
所述内部电路包含将驱动信号供给到所述输出电路的驱动电路；
所述负载驱动装置包含连接在所述内部电路的电源电压输入端与接地端之间的下拉电阻；
所述输出电路包含连接在电源端与输出端之间的P型的上侧晶体管；
所述负载驱动装置更包含：
根据所述异常检测信号将所述上侧晶体管的栅极与所述电源端之间导通/切断的第1上侧开关；以及
根据所述异常检测信号将所述上侧晶体管的栅极与所述驱动电路之间导通/切断的第2上侧开关。
3.一种负载驱动装置，其特征在于包含：
内部电路，接收电源电压的供给而动作；
输出电路，接收所述电源电压的供给而驱动负载；
异常检测电路，监视所述电源电压并生成异常检测信号；及
电源开关，根据所述异常检测信号将往所述内部电路的电源电压供给线导通/切断；
作为所述内部电路，包含接收第1电源电压而动作的第1内部电路、及接收比所述第1电源电压低的第2电源电压而动作的第2内部电路；
作为所述输出电路，包含接收所述第1电源电压而驱动第1负载的第1输出电路、及接收所述第2电源电压而驱动第2负载的第2输出电路；
所述异常检测电路包含：
第1过电压检测部，监视所述第1电源电压并生成第1过电压检测信号；
第2过电压检测部，监视所述第2电源电压并生成第2过电压检测信号；及异常检测信号生成部，基于所述第1过电压检测信号与所述第2过电压检测信号而生成所述异常检测信号；
所述负载驱动装置包含调整所述第1过电压检测信号的信号电平并供给到所述异常检测信号生成部的第1电平位移器；
所述第1电平位移器包含：
晶体管，漏极连接于所述第1电源电压的施加端，栅极连接于所述第1过电压检测信号的施加端；
电流源，连接在所述晶体管的源极与接地端之间；及
反相器，输入端连接于所述晶体管的源极，输出端连接于所述异常检测信号生成部，第1电源端连接于所述第2电源电压的施加端，第2电源端连接于接地端。
4.一种负载驱动装置，其特征在于包含：
内部电路，接收电源电压的供给而动作；
输出电路，接收所述电源电压的供给而驱动负载；
异常检测电路，监视所述电源电压并生成异常检测信号；及
电源开关，根据所述异常检测信号将往所述内部电路的电源电压供给线导通/切断；
作为所述内部电路，包含接收第1电源电压而动作的第1内部电路、及接收比所述第1电源电压低的第2电源电压而动作的第2内部电路；
作为所述输出电路，包含接收所述第1电源电压而驱动第1负载的第1输出电路、及接收所述第2电源电压而驱动第2负载的第2输出电路；
所述异常检测电路包含：
第1过电压检测部，监视所述第1电源电压并生成第1过电压检测信号；
第2过电压检测部，监视所述第2电源电压并生成第2过电压检测信号；及异常检测信号生成部，基于所述第1过电压检测信号与所述第2过电压检测信号而生成所述异常检测信号；
所述异常检测电路还包含监视所述第1电源电压并生成减电压检测信号的减电压检测部；
所述异常检测信号生成部基于所述第1过电压检测信号、所述第2过电压检测信号、及所述减电压检测信号而生成所述异常检测信号。
5.根据权利要求4所述的负载驱动装置，其特征在于：
所述减电压检测部包含第3比较器，所述第3比较器将所述第1电源电压与减电压检测电压相比较，而生成所述减电压检测信号。
6.一种负载驱动装置，其特征在于包含：
内部电路，接收电源电压的供给而动作；
输出电路，接收所述电源电压的供给而驱动负载；
异常检测电路，监视所述电源电压并生成异常检测信号；
电源开关，根据所述异常检测信号将往所述内部电路的电源电压供给线导通/切断；及
调整所述异常检测信号的信号电平的第2电平位移器；
所述第2电平位移器将所述异常检测信号的信号电平从在第2电源电压与接地电压之间被脉冲驱动的状态调整为如下两种状态，即，在第1电源电压与比所述第1电源电压低特定值的第1修正电源电压之间被脉冲驱动的状态，或在所述第2电源电压与比所述第2电源电压低特定值的第2修正电源电压之间被脉冲驱动的状态。
7.根据权利要求6所述的负载驱动装置，其特征在于：
包含修正电源电压生成部，所述修正电源电压生成部从所述第1电源电压或所述第2电源电压生成所述第1修正电源电压或所述第2修正电源电压，并供给到所述第2电平位移器。
8.根据权利要求7所述的负载驱动装置，其特征在于：
所述修正电源电压生成部包含：
第1晶体管，源极连接于所述第1修正电源电压或所述第2修正电源电压的施加端，漏极连接于接地端；
第2晶体管，发射极连接于所述第1晶体管的栅极；
齐纳二极管，阳极连接于所述第2晶体管的基极及集电极，阴极连接于所述第1电源电压或所述第2电源电压的施加端；
第1电阻，连接在所述第1晶体管的源极与所述第1电源电压或所述第2电源电压的施加端之间；及
第2电阻，连接在所述第2晶体管的发射极与接地端之间。
9.一种电子设备，其特征在于：
包含根据权利要求1至8中任一项所述的负载驱动装置、及由所述负载驱动装置驱动的负载。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于：
所述电子设备是搭载于计算机而进行光盘的播放或记录/播放的光盘播放装置，且所述负载为主轴电动机、传动电动机、加载电动机、聚焦致动器、寻轨致动器、及倾斜致动器中的至少一个。
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