CN103561944B - 用于确定用于结合的压力分布的方法和装置 - Google Patents
用于确定用于结合的压力分布的方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103561944B CN103561944B CN201180071430.7A CN201180071430A CN103561944B CN 103561944 B CN103561944 B CN 103561944B CN 201180071430 A CN201180071430 A CN 201180071430A CN 103561944 B CN103561944 B CN 103561944B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- instrument
- measurement
- deformation
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018173 Al—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- 229910003298 Ni-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/24—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B30—PRESSES
- B30B—PRESSES IN GENERAL
- B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
- B30B15/06—Platens or press rams
- B30B15/062—Press plates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
- G01L5/0061—Force sensors associated with industrial machines or actuators
- G01L5/0076—Force sensors associated with manufacturing machines
- G01L5/008—Force sensors integrated in an article or a dummy workpiece
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
- G01L5/0061—Force sensors associated with industrial machines or actuators
- G01L5/0076—Force sensors associated with manufacturing machines
- G01L5/0085—Force sensors adapted for insertion between cooperating machine elements, e.g. for measuring the nip force between rollers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用于确定用于将第一基质与第二基质结合的压力分布的装置和方法，其带有以下步骤、尤其带有以下过程：将测量层(7,7',7'')引入用于容纳第一基质的第一工具和与第一工具(1)对齐的且相对而置的用于结合基质的第二工具(5)之间；‑通过工具(1,5)的靠近使测量层(7,7',7'')变形；测量测量层(7,7',7'')的变形且计算压力分布。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于经由粘性的或可塑性变性的介质的变形确定在两个工具的边界层中的压力分布的方法和装置。
背景技术
在结合过程(Bondvorgang)期间，到待焊接的晶片上的压力分布是极其重要的。该压力分布是处于晶片之上或之下的所有工具的相接触的表面的表面波度和表面粗糙度的直接的特性。尤其加热器、压板、补偿板、容纳部(结合卡盘(Bondchuck))属于这些工具。了解工具(其表面直接地与晶片中的一个相接触)的表面波度和表面粗糙度不足以计算压力分布。因此，利用通常的测量方法如AFM、激光干涉法、白光干涉法不可能获得关于结合工艺的压力分布的直接的和可靠的消息。这些测量方法仅用于确定工件的表面的形貌(Topographie)，其直接与待焊接的晶片中的一个相接触。压力分布的均匀性对结合质量具有非常大的影响，由此直接导致完整地结合的晶片的废品率或位于晶片上的功能部件的废品率。这里应简短地提及在压力均匀性不足和/或工具不平的情况中的不同的负面结果。在结合界面(Bondinginterface)不可变形或几乎不可变形的情况中，例如在金属-金属结合中，不足的压力均匀性导致在压力过小的部位处不完善的结合或完全没有结合。示例性地这里应提及Cu-Cu、Au-Au、Al-Al、W-W、Ni-Ni或Ti-Ti结合。
对于可适度变形的结合界面、例如共晶体(其在结合过程期间经过液态相)，不均匀的压力分布可导致不均匀的组织。对于可非常好地变形的结合界面、例如临时的粘合剂，在结合工艺开始时不均匀的压力分布仅导致粘合剂的不均匀的层厚分布。
为了确定压力分布，在工业中目前主要使用压力薄膜，其材料敏感地对压力负载起反应。该材料根据相应的压力不一样强地变色或改变其颜色的强度。变色(Verfaerbung)或强度变化的光学评估允许对将作用于完美的晶片(其位于工具之间)上的压力分布的推论。压力薄膜仅可应用于室温。
所有彼此间相叠地固定的工具的表面质量在大量结合步骤中下降，使得不时需要重新测量压力分布，以使尤其在晶片结合中废品最少。磨损尤其在可塑性变形的材料(如金属)中可证明。对于不再可忍受的、不利的压力分布，在最糟的情况中所有彼此相叠地固定的工具必须被再加工。
备选的用于确定压力分布的测量方法利用测力计(Kraftmessdose)工作，但是由于测力计的尺寸的原因利用其沿着容纳部或压板仅可能非常粗略地分辨。
发明内容
本发明的目的因此是设置尤其可自动化的、可集成到方法过程中的方法以及对应的装置，利用其能够尽可能简单地且精确地来测量在成有规律的间距的工具之间的压力分布。在此，用于测量的器件应尽可能可再利用。根据本发明的方法应尽可能可运用在真实的工艺条件下。
为此本发明提出一种用于确定用于将第一基质与第二基质晶片结合的压力分布的方法，其带有以下步骤：
- 将测量层引入用于容纳所述第一基质的第一工具和与所述第一工具对齐的且相对而置的用于结合所述基质的第二工具之间，
- 通过所述工具的靠近使所述测量层变形，
- 光学测量所述测量层的变形以及
- 基于所述变形的测量来计算压力分布。还提出一种用于确定用于将第一基质与第二基质晶片结合的压力分布的装置，其带有：
- 用于将测量层引入或施加到第一工具和与所述第一工具对齐的且相对而置的第二工具之间的引入器件，
- 用于通过所述工具的彼此相向运动使所述测量层变形的变形器件，
- 用于光学测量所述测量层的变形的测量器件以及
- 用于基于所述变形的测量来计算压力分布的计算器件。本发明的有利的改进方案在后面说明。由在说明书和/或附图中所说明的至少两个特征构成的全部组合也落到本发明的框架中。对于值范围，处于所提及的界限内的值也应作为极限值来公开并且可以任意的组合要求保护。
装置相关的特征也应作为方法相关的特征公开地适用并且反之亦然。
本发明基于通过测量层(其被引入容纳部(工具)与压板(工具)之间)的尤其局部的变形或数量级的测量可尽可能精确地推断压力分布的基本思想。在测量中测量层的厚度小于200μm、优选地小于100μm、更优选地小于50μm、还更优选地小于10μm、最优选地小于5μm、最最优选地小于1μm。测量层的优选的厚度主要取决于待应用的结合工艺。如果希望应用根据本发明的方法以便为稍后的金属-金属结合确定压力分布，根据本发明选择非常薄的层，优选地小于10μm、更优选地小于5μm、最优选地小于1μm。
对于带有可适度变形的结合界面、例如共晶体结合的结合工艺(其经过液态相)，根据本发明使用小于50μm、优选地小于10μm、最优选地小于5μm的层厚。
对于带有可非常容易地变形的结合界面、例如临时的粘合剂的结合工艺，根据本发明使用非常厚的层。层厚优选地小于200μm、更优选地小于100μm、最优选地小于50μm。
根据精确的结合工艺和材料，所提及的层厚范围的重叠是允许的且可能的。
因此，用于根据本发明的方法或根据本发明的测量装置的唯一的消耗材料是测量层，其通过压板和容纳部的彼此相向运动或压力加载来变形。接下来来测量和评估测量层的相对的、尤其平行于晶片的表面所引起的变形并且基于测量层的尤其局部的变形可推断出在工具之间的边界层的压力分布。根据本发明的方法也可被应用于较高的温度，优选地超过室温、更优选地超过200℃、还更优选地超过400℃，最优选地超过600℃。该测量尤其可光学地、优选地通过照相机实现。光学装置用于放大待测量的层。在对测量层的表面的俯视中、尤其正交于晶片的表面的变形的二维测量是有利的。尤其可检测直径的变化或测量层的扩展。
根据本发明的一有利的实施形式设置成，在测量层与处于其之上或之下的工具之间引入彼此对齐的晶片。以该方式实现测量层在实际条件下的变形并且测量层的移除尤其可无残留物地在执行测量之后实现。实际条件是指实际的结合过程在其下实现的状态。这些状态特征在于提高的温度、真空、提高的压力和类似的参数。此外，只要测量在线进行，该装置的空转时间由此最小化，即准备和测量可独立于工具或结合设备实现。
只要在变形之前来测量测量层的形状，明显提高变形的测量精度。在变形之后测量层的形状的测量是绝对必需的，以便能够计算在相应的点中的相应的力和因此压力。
根据本发明的另一有利的实施形式设置成，测量层由流体的、尤其可硬化的材料构成。相应地，测量层的施加和引入可通过微滴分配器实现，其使能够尤其以液滴或轨道(Bahn)的形式针对性地且可复制地施加。在以限定的尺寸或限定的体积的施加中，甚至可放弃在测量层变形之前测量层的先前的测量，由此可使根据本发明的方法的进一步加速。
通过在容纳部与压板之间设置用于测量层的限定的分配的尤其以微滴分配器的形式的分配器件,进一步来优化这。
有利地另外设置成，变形、尤其扩展的测量在沿着测量层的大量位置处尤其光学地实现。该测量层的变形允许计算由工具施加到中间层上的压力分布。
通过在测量层与晶片中的至少一个之间引入减小附着的层，加速且简化了在执行测量层的变形的测量之后测量层的剥离。
附图说明
由优选的实施例的说明以及根据附图得出本发明的另外的优点、特征和细节。其中：
图1a至1g显示了根据本发明的一实施形式的根据本发明的方法过程，
图2显示了根据本发明的方法的一备选的实施形式，
图3显示了根据本发明的方法的另一备选的实施形式，
图4在俯视图中显示了根据本发明的测量层，
图5显示了用于实施该方法的根据本发明的装置的侧视图，
图6显示了对材料的示例性的粘度图表以及
图7显示了用于由变形的和未变形的层7的参数计算力的公式。
在附图中相同的或起相同作用的构件以相同的附图标记来表示。
具体实施方式
根据图1a，设置用于确定压力分布的晶片2被放置在板6上。板6例如是在所谓的微滴分配器(利用其能尤其按照体积针对性的地且可复制地施加液滴或轨道)内的试样支架(Probenhalter)。根据图1b通过分配器8尤其在优选地格栅状的网栅(Raster)中或者在任何其它的分布或矩阵中将尤其以限定尺寸的沿着网栅布置的大量液滴的形式的测量层7施加到晶片2上。接下来尤其借助于机器人臂将晶片2放置到带有集成的加热部8的加热板6'上，以便通过包含在测量层中的溶剂的蒸发使以流体的形式存在的测量层7硬化。测量层7尤其可由聚合物、优选地热塑性塑料构成。加热板6'优选地与微滴分配器的板6相同。
在根据图1c的测量层7硬化之后，尤其借助于机器人臂将晶片2放置到根据本发明的装置的构造为容纳部的工具1上并且必要时在那里固定。由此，晶片2处在工具1的工具表面1o上，其表面平整度或者说粗糙度或波度或者说由此产生的沿着接触面的压力分布应通过根据本发明的测量方法或根据本发明的测量装置来测量。
将另一晶片4放置到间隔垫片(Abstandshalter)3(其也可用作用于将晶片2固定在工具1上的夹子)上。只要测量层7粘性足够高以便在另一晶片4的负载下不被变形，也可考虑无间隔垫片3的实施方案。在变形时测量层7的粘度尤其处于103与1010Pa*s之间。图6示例性地显示了在120℃ -260℃的温度范围中材料的粘度曲线。对于根据本发明的实施形式应用其合适的粘度变化曲线处于工艺条件的所希望的温度范围中的材料。
晶片2和4优选地应是完美地平的、不具有表面粗糙度和波度。因为这些条件是不真实的，设置用于确定压力分布的晶片2、4应具有与在稍后的工艺中应被结合的产品晶片相同的表面粗糙度值和波度值。晶片2、4应具有与稍后待结合的基质晶片相同的直径。此外，其有利地由相同的材料制成。如果晶片2、4和基质晶片是单晶的，晶片2、4优选地具有与稍后待结合的基质晶片相同的结晶学定向。因此可确保测量结果精确地代表实际在产品晶片的结合界面中待期望的压力分布。
作为晶片4根据本发明尤其可考虑玻璃晶片，以便使能够借助于作为用于测量变形的器件的评估光学装置快速评估。该评估即可在测量层7变形之后在晶片2、4还未剥离时实现。
通过使工具5靠近工具1，测量层7或者说各个液滴的变形通过构造为压板的工具5实现。工具5的工具表面5o同样具有表面不平度。此外，所有工具1'、1''、5'、5''在工具5或1之上或之下具有通常同样不平的表面。通过根据本发明的方法，通过来评估测量层7的变形，相应地来确定所有工具5、5'、…或1、1'、…的组合的压力分布。在根据本发明的方法中优选地使用晶片2、4，其在材料、厚度、表面粗糙度、波度和其它参数中相应于稍后在真正的结合工艺中所使用的晶片。
测量层7的变形在图1f中示出。在通过使工具5朝向工具1运动来压力加载测量层7时使测量层7塑性变形。由于不平度而在不同的地点处产生不同的变形，从而基于液滴的不同的变形使能够通过评估装置评估测量结果。在液滴的直径被较强地增大的部位处，工具5在其压力面5o处相应地更靠近工具1的工具表面，而在相反的效果中距离更大。
接下来，在工具5与工具1彼此移开之后，通过测量器件11、尤其光学测量器件11、优选地光学显微镜和/或CCD照相机(其具有相应的分辨率)在分布在测量层7处的大量测量点处实现测量层7的变形的测量。有利地在此设置成，例如通过使晶片对于光学上的光可透过、尤其作为玻璃晶片，该测量穿过晶片4实现。备选地，在对于光学上的光不透明的晶片4中可借助于红外线辐射来测量。
在图2中所示的备选的实施形式特征在于，相应在测量层7与尤其晶片2、4中的每个之间在晶片上设置有减小附着的层9，其在施加测量层7之前分别被施加到晶片2、4上。
在根据图3的实施形式中设置有测量层7'，其整面地以尽可能恒定的厚度尤其被施加到整个晶片2上。在该实施形式中，由于沿着测量层的厚度变化在大量位置处来测量测量层7'的变形，从而尤其通过在变形之前和之后测量可确定测量层7'的厚度卡(Dickenkarte)。可设置超声波测量仪或干涉仪、优选地激光干涉仪作为测量器件。由于测量层7'的压力加载/变形以及压板5和/或容纳部1的表面不平度，测量层7'在不同位置处被压缩、挤压、变薄、即相应地变形，这在该情况中导致厚度变化，因为测量层7'可塑性变形。
在图4中示出的实施方案中，测量层7''设置为带有轨道的格栅，其中，轨道在该情况中彼此正交地伸延。同样可考虑轨道彼此间有角度地布置。在此重要的是，轨道厚度尽可能统一，由此使能够可复制地测量变形。
压力分布的计算通过图7中的公式实现。使用了粘度η、在变形之前液滴的横截面面积A1、在变形之后液滴的横截面面积A2、液滴体积V和压缩的时间t来计算作用到液滴上的力F。压力通过对液滴横截面的相应的标准化来计算。通过计算在晶片的不同的位置处的力或压力，可制订力或压力卡。横截面面积A1和A2是当将板4放置在层7上时(图1f)所产生的由层7的液滴形成的柱体的平均横截面面积。
在根据本发明的实施形式7'和7''中不实现压力分布的绝对计算。在这两个根据本发明的实施形式中，在适当长的时间、优选地几分钟之后来评估测量层7'或格栅7''的厚度分布。作为地点的函数的厚度分布代表在接触时刻压力分布的直接反映。该相对的压力分布足以获得关于工具的薄弱部位的至少近似的消息。当希望对于非常软的结合界面、例如粘合剂的结合特性来测试工具时,才应用根据本发明的实施形式7'和7''。在根据本发明的实施形式7''中，也可引起由所产生的格栅的线加宽来推断(相对的)压力分布。对于根据本发明的实施形式7'和7''通常使用较低的小于15kN、优选地小于10kN、还更优选地小于5kN的结合力。
附图标记清单
1 工具
1o 工具表面
2 晶片
3 间隔垫片
4 晶片
5 工具
5o 工具表面
6,6' 板
7,7',7'' 测量层
8 分配器
9 减小附着的层
10 加热部
11 测量器件。
Claims (15)
1.一种用于确定用于将第一基质与第二基质晶片结合的压力分布的方法，其带有以下步骤：
- 将测量层(7,7',7'')引入用于容纳所述第一基质的第一工具(1)和与所述第一工具(1)对齐的且相对而置的用于结合所述基质的第二工具(5)之间，
- 通过所述第一工具(1)和第二工具(5)的靠近使所述测量层(7,7',7'')变形，
- 光学测量所述测量层(7,7',7'')的变形以及
- 基于所述变形的测量来计算压力分布。
2.根据权利要求1所述的方法，在其中在所述测量层(7,7',7'')与所述第一工具(1)之间和/或在所述测量层(7,7',7'')与所述第二工具(5)之间引入晶片(2,4)。
3.根据权利要求1所述的方法，所述晶片(2,4)是彼此对齐的。
4.根据权利要求1所述的方法，在其中在所述变形之前测量所述测量层(7,7',7'')的形状。
5.根据权利要求4所述的方法，在引入所述测量层(7,7',7'')之后测量所述测量层(7,7',7'')的形状。
6.根据前述权利要求1到4中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量层(7,7',7'')由流体的材料构成。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述测量层(7,7',7'')由能够硬化的材料构成。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述测量层(7,7',7'')由在硬化之后能够塑性变形的材料构成。
9.根据前述权利要求1到4中任一项所述的方法，其特征在于，在所述第一工具(1)与所述第二工具(5)之间设置有用于所述测量层(7,7',7'')的限定的分布的分配器(8)。
10.根据前述权利要求1到4中任一项所述的方法，其特征在于，在沿着所述测量层(7,7',7'')的多个位置处实现所述变形的测量。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在沿着所述测量层(7,7',7'')的多个位置处光学地实现所述变形的测量。
12.根据前述权利要求1到4中任一项所述的方法，其特征在于，通过施加液滴来制造所述测量层(7,7',7'')。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，通过在所述晶片(2)上施加液滴来制造所述测量层(7,7',7'')。
14.根据权利要求2所述的方法，在其中在所述测量层(7,7',7'')与所述晶片(2,4)中的至少一个之间引入减小附着的层(9)。
15.一种用于确定用于将第一基质与第二基质晶片结合的压力分布的装置，其带有：
- 用于将测量层(7,7',7'')引入或施加到第一工具(1)和与所述第一工具(1)对齐的且相对而置的第二工具(5)之间的引入器件，
- 用于通过所述第一工具(1)和第二工具(5)的彼此相向运动使所述测量层(7,7',7'')变形的变形器件，
- 用于光学测量所述测量层(7,7',7'')的变形的测量器件以及
- 用于基于所述变形的测量来计算压力分布的计算器件。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2011/059308 WO2012167814A1 (de) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | Verfahren und vorrichtung zur ermittlung der druckverteilung zum bonden |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103561944A CN103561944A (zh) | 2014-02-05 |
| CN103561944B true CN103561944B (zh) | 2016-09-28 |
Family
ID=44627444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180071430.7A Active CN103561944B (zh) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | 用于确定用于结合的压力分布的方法和装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9500541B2 (zh) |
| EP (1) | EP2718094B9 (zh) |
| JP (1) | JP5864733B2 (zh) |
| KR (1) | KR101830471B1 (zh) |
| CN (1) | CN103561944B (zh) |
| SG (1) | SG194935A1 (zh) |
| TW (1) | TWI561136B (zh) |
| WO (1) | WO2012167814A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG11201509961SA (en) | 2013-06-05 | 2016-01-28 | Ev Group E Thallner Gmbh | Measuring device and method for ascertaining a pressure map |
| US10526124B2 (en) * | 2016-05-25 | 2020-01-07 | International Business Machines Corporation | Surface distortion detector for packaging |
| EP3379222B1 (en) | 2017-03-22 | 2020-12-30 | Methode Electronics Malta Ltd. | Magnetoelastic based sensor assembly |
| US10935443B2 (en) * | 2017-07-19 | 2021-03-02 | Shenzhen New Degree Technology Co., Ltd. | Pressure sensing device and pressure sensing apparatus |
| US11135882B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-10-05 | Methode Electronics, Inc. | Towing systems and methods using magnetic field sensing |
| DE18907724T1 (de) | 2018-02-27 | 2021-03-25 | Methode Electronics, Inc. | Schleppsysteme und Verfahren mit Verwendung von Magnetfeldmessung |
| US11084342B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-08-10 | Methode Electronics, Inc. | Towing systems and methods using magnetic field sensing |
| US11491832B2 (en) | 2018-02-27 | 2022-11-08 | Methode Electronics, Inc. | Towing systems and methods using magnetic field sensing |
| US11221262B2 (en) | 2018-02-27 | 2022-01-11 | Methode Electronics, Inc. | Towing systems and methods using magnetic field sensing |
| DE102020206978A1 (de) | 2020-06-04 | 2021-12-09 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Überprüfung einer Verbindung, Prüfeinrichtung, Computerprogrammprodukt und Fertigungseinrichtung |
| US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
| US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
| CN117810109B (zh) * | 2024-02-29 | 2024-05-14 | 华南理工大学 | 晶圆键合保持方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0658272B2 (ja) * | 1988-05-24 | 1994-08-03 | 工業技術院長 | 触圧覚センサ |
| DE4104975C2 (de) * | 1991-02-19 | 1994-02-24 | Ferrozell Gmbh | Verfahren zum Prüfen der Flächenpressung von Pressen für Laminate sowie die Verwendung eines dafür geeigneten Laminates |
| JPH05172666A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-09 | Toppan Printing Co Ltd | 簡易接触圧力測定シート |
| JPH10311764A (ja) | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 圧力分布測定用ウェーハ |
| US6033987A (en) | 1999-01-15 | 2000-03-07 | Winbond Electronics Corp. | Method for mapping and adjusting pressure distribution of CMP processes |
| TW418476B (en) * | 1999-03-02 | 2001-01-11 | Winbond Electronics Corp | Apparatus and method for measuring the pressure distribution on the wafer surface |
| US6508896B1 (en) | 2000-08-09 | 2003-01-21 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Method and apparatus for calibrating and optimizing equipment for product fabrication |
| CN1383198A (zh) | 2001-04-24 | 2002-12-04 | 华邦电子股份有限公司 | 作用于晶片表面压力零件的压力分布测量与回馈方法 |
| GB0313794D0 (en) * | 2003-06-14 | 2003-07-23 | Univ Dundee | Tactile sensor assembly |
| JP4951930B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2012-06-13 | 株式会社ニコン | 半導体集積センサ |
| US7635014B2 (en) * | 2005-11-11 | 2009-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for pressure bonding and method for manufacturing semiconductor device |
| US7698952B2 (en) | 2006-10-03 | 2010-04-20 | Kla-Tencor Corporation | Pressure sensing device |
| JP5020037B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-09-05 | 富士フイルム株式会社 | 圧力分布測定方法 |
| WO2009094558A2 (en) | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Brewer Science Inc. | Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate |
| DE102008025287A1 (de) | 2008-05-27 | 2009-12-03 | SID Sächsisches Institut für die Druckindustrie GmbH Institut des Vereins POLYGRAPH Leipzig e.V. | Vorrichtung zur Messung von Pressungskenngrößen im Spalt zwischen zylindrischen Körpern |
| WO2011013111A2 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Schlumberger Canada Limited | Pressure measurement of a reservoir fluid in a microfluidic device |
-
2011
- 2011-06-06 WO PCT/EP2011/059308 patent/WO2012167814A1/de active Application Filing
- 2011-06-06 JP JP2014513918A patent/JP5864733B2/ja active Active
- 2011-06-06 US US14/119,023 patent/US9500541B2/en active Active
- 2011-06-06 EP EP11727413.4A patent/EP2718094B9/de active Active
- 2011-06-06 KR KR1020137032047A patent/KR101830471B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-06 CN CN201180071430.7A patent/CN103561944B/zh active Active
- 2011-06-06 SG SG2013084025A patent/SG194935A1/en unknown
-
2012
- 2012-06-06 TW TW101120357A patent/TWI561136B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2718094B1 (de) | 2018-01-10 |
| KR101830471B1 (ko) | 2018-02-20 |
| EP2718094A1 (de) | 2014-04-16 |
| US20140102221A1 (en) | 2014-04-17 |
| TWI561136B (en) | 2016-12-01 |
| KR20140031290A (ko) | 2014-03-12 |
| WO2012167814A1 (de) | 2012-12-13 |
| CN103561944A (zh) | 2014-02-05 |
| EP2718094B9 (de) | 2018-04-25 |
| TW201309144A (zh) | 2013-02-16 |
| US9500541B2 (en) | 2016-11-22 |
| JP2014516160A (ja) | 2014-07-07 |
| SG194935A1 (en) | 2013-12-30 |
| JP5864733B2 (ja) | 2016-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103561944B (zh) | 用于确定用于结合的压力分布的方法和装置 | |
| Sarrado et al. | An experimental analysis of the fracture behavior of composite bonded joints in terms of cohesive laws | |
| CN102323170B (zh) | 一种超硬金刚石薄膜力学性能的测试方法 | |
| US8429960B2 (en) | Process for measuring an adhesion energy, and associated substrates | |
| Jang et al. | Measurement of the hygroscopic swelling coefficient of thin film polymers used in semiconductor packaging | |
| KR100785420B1 (ko) | 압흔 검사기 | |
| WO2008144264A1 (en) | Apparatus and method for in-situ monitoring of wafer bonding time | |
| CN101642744A (zh) | 涂胶机和使用该涂胶机形成密封胶图案的方法 | |
| CN105842163B (zh) | 一种聚合物基板与金属涂层之间粘结力的测量方法 | |
| CN103499276A (zh) | 一种印刷刮刀刃口均匀性检测系统、检测方法及调整方法 | |
| CN108212674A (zh) | 具有用于检查糊状物的功能的涂布机 | |
| TWI497245B (zh) | Wafer processing method and wafer processing device | |
| KR101496936B1 (ko) | 접착제 도포 검사 방법 및 장치 | |
| Hsu et al. | Determining the mechanical properties of optical films in liquid crystal displays (LCDs) | |
| CN109553286A (zh) | 划片设备 | |
| US20140192341A1 (en) | Fixture planarity evaluation method | |
| CN101428265A (zh) | 用于修复基板的方法 | |
| JP2007232717A (ja) | 円盤フロー装置及び流動性評価方法 | |
| JP2010098013A5 (ja) | 接合評価方法、接合評価装置、基板貼り合わせ装置、接合評価ゲージおよび積層型半導体装置 | |
| KR100810581B1 (ko) | 자동 압흔 검사장치 및 방법 | |
| JP3759837B2 (ja) | 電子部品実装装置及びその方法 | |
| KR20170035766A (ko) | 액정 주입 상태 검사방법과 액정 주입 상태 검사장치 | |
| TWI410629B (zh) | Measurement Method of Elastic Modulus of Coating | |
| KR101099898B1 (ko) | 광계측부를 포함하는 도막의 경화도 측정 장치 및 이를 이용하여 도막의 경화도를 측정하는 방법 | |
| Ya et al. | Simulation and motion control of industrial robot |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |