CN103540319A - 磷光体和发光器件 - Google Patents

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Abstract

提供了磷光体和包括所述磷光体的发光器件，所述磷光体发出具有在绿色波长带和黄色波长带之间的峰值波长的光，具有晶体结构，所述磷光体的化学式为MSi2N2O2，M=CaxSryEuz(x+y+z=1)，其具有三斜晶系晶体结构，其中当Ca、Sr和Eu的摩尔比分别为x、y和z时，x+y+z=1，并且当通过三角投影表示x、y和z时，x、y和z分布在三角图上通过用实线将五个点(0.45,0.55,0)、(0.75,0.25,0)、(0.75,0,0.25)、(0.5,0,0.5)和(0.45,0.05,0.5)连接起来而形成的区域的边上和内部。

Description

磷光体和发光器件
背景技术
1.技术领域
本发明涉及磷光体和发光器件。
2.相关技术描述
磷光体被具有特定波长的光激发并发射出波长与所述特定波长不同的光。广泛地将这种磷光体与发光二极管(LED)一起使用。
通常的磷光体有一些问题。首先，通常的磷光体在可见光区域(包括蓝色波长)中的发射强度弱。其次，发出的光的波长与理想的峰值波长不匹配。再次，发射强度随着温度升高而降低。例如，当温度升高时，磷光体的亮度降低(热淬灭)。
同时，许多通常的磷光体包括使用稀土元素的基于氧化物的荧光材料。基于氧化物的荧光材料早已广为人知并且一些基于氧化物的荧光材料现在已在实际应用中。然而，与在CCFL中用于PDP、CRT和LCD的基于氧化物的荧光材料不同，用于LED的基于氧化物的荧光材料要求通过紫外线和具有蓝色波长的光有效地发光。
发明内容
一个实施方案是一种磷光体，其发出具有在绿色波长带和黄色波长带之间的峰值波长的光，具有晶体结构，所述磷光体的化学式为MSi2N2O2，M=CaxSryEuz(x+y+z=1)，其具有三斜晶系晶体结构，其中当Ca、Sr和Eu的摩尔比分别为x、y和z时，x+y+z=1，并且当通过三角投影(triangularprojection)表示x、y和z时，x、y和z分布在三角图(triangular diagram)上通过用实线将五个点(0.45,0.55,0)、(0.75,0.25,0)、(0.75,0,0.25)、(0.5,0,0.5)和(0.45,0.05,0.5)连接起来而形成的区域的边上和内部。
当在三角坐标图(x,y,z)上表示x(即Ca的摩尔比)、y(即Sr的摩尔比)和z(即Eu的摩尔比)时，x、y和z位于通过将点A(0.45,0.55,0)、B(0.75,0.25,0)、C(0.7,0,0.3)和D(0.5,0,0.5)作为顶点连接起来而形成的区域的边上和内部。
当在三角图(x,y,z)上表示x(即Ca的摩尔比)、y(即Sr的摩尔比)和z(即Eu的摩尔比)时，x、y和z位于通过将点A(0.45,0.4,0.15)、B(0.75,0.1,0.15)、C(0.75，0，0.25)、D(0.6，0，0.4)和E(0.45,0.15,0.4)作为顶点连接而形成的区域的边上和内部。
Eu的摩尔比z在0.15至0.4的范围内(0.15≤z≤0.4)。
Sr的摩尔比y在0.2375至0.475的范围内(0.2375≤y≤0.475)。
Sr的摩尔比y在0.25至0.55的范围内(0.25≤y≤0.55)。
峰值波长为540nm至585nm。
三斜晶系晶体结构的单位晶胞体积大于
Figure BDA00003523902600021
所述磷光体包括三斜晶系的β晶体结构。
另一个实施方案是一种磷光体，该磷光体发出具有在绿色波长带和黄色波长带之间的峰值波长的光，具有晶体结构，所述磷光体的化学式为MSi2N2O2，M=CaxSryEuz(x+y+z=1)，其具有三斜晶系晶体结构，其中当Ca、Sr和Eu的摩尔比分别为x、y和z时，x+y+z=1，并且当通过三角形投影表示x、y和z时，x、y和z分布在三角图上通过用实线将五个点(0.45,0.4,0.15)、(0.75,0.1,0.15)、(0.75,0,0.25)、(0.6,0,0.4)和(0.45,0.15,0.4)连接起来而形成的区域的边上和内部。三斜晶系晶体结构的单位晶胞体积大于
Figure BDA00003523902600022
Eu的摩尔比z在0.15至0.4的范围内(0.15≤z≤0.4)。
Sr的摩尔比y在0.2375至0.475的范围内(0.2375≤y≤0.475)。
Sr的摩尔比y在0.25至0.55的范围内(0.25≤y≤0.55)。
峰值波长为540nm至585nm。
所述磷光体包括三斜晶系的β晶体结构。
再一个实施方案是一种发光器件，该发光器件包括：发光元件；和磷光体，该磷光体被发光元件发出的一部分光激发并发出波长与发光元件发出的光的波长不同的光。所述磷光体发出具有在绿色波长带和黄色波长带之间的峰值波长的光，具有晶体结构，所述磷光体的化学式为MSi2N2O2，M=CaxSryEuz(x+y+z=1)，其具有三斜晶系晶体结构，其中当Ca、Sr和Eu的摩尔比分别为x、y和z时，x+y+z=1，并且当通过三角投影表示x、y和z时，x、y和z分布在三角图上通过用实线将五个点(0.45,0.55,0)、(0.75,0.25,0)、(0.75,0,0.25)、(0.5,0,0.5)和(0.45,0.05,0.5)连接起来而形成的区域的边上和内部。
Eu的摩尔比z在0.15至0.4的范围内(0.15≤z≤0.4)。
Sr的摩尔比y在0.2375至0.475的范围内(0.2375≤y≤0.475)。
Sr的摩尔比y在0.25至0.55的范围内(0.25≤y≤0.55)。
峰值波长为540nm至585nm。
三斜晶系晶体结构的单位晶胞体积大于
Figure BDA00003523902600031
所述磷光体包含三斜晶系的β晶体结构。
附图简述
可以参考下列附图详细描述各布置和实施方案，其中相同的附图标记是指相同的元件并且其中：
图1是根据一个实施方案的发光器件的横截面图；
图2是根据另一个实施方案的发光器件的横截面图；
图3是在三角图的坐标轴上表示x、y和z的视图；
图4是通过实线表示发出具有接近黄色波长带的峰值波长的光的三角图；
图5是表示通过在三角图的坐标轴上对表1中所示的结果作图获得的x、y和z的三角图；
图6是表示通过实线形成的区域的三角图，其包括图5所示的三斜晶系β的情形；
图7是表示在具有x、y和z坐标轴的三角图中包含在三斜晶系β中的预定样品A和包含在三斜晶系α中的预定样品B的三角坐标图；
图8是表示图7的样品A的XRD分析结果的图；
图9是表示图7的样品B的XRD分析结果的图；
图10是通过发出峰值波长接近黄色波长带的光的情形作图获得的三角图；
图11是通过实线表示发出峰值波长接近黄色波长带的光的三角图；
图12显示了分别根据第一至第四实施方案的磷光体的激发光谱；
图13显示了分别根据第一至第四实施方案的磷光体的发光光谱；
图14是显示基于第一至第四实施方案和第一至第五对比例的锶比例的量子效率的图；
图15是显示第一至第四实施方案和第一至第五对比例的X射线衍射图案的图；和
图16显示了通过在其坐标轴上表示x、y和z的三角坐标图上对第一至第四实施方案和第一至第五对比例作图获得的结果。
具体实施方式
为了方便和清楚描述起见，每层的厚度或尺寸可以被放大、省略或示意性地显示。各部件的尺寸不一定是指其实际尺寸。
应该理解的是，当一个元件被称为在另一个元件“上”或“下”时，其可以是直接在所述元件上面/下面，和/或也可以存在一个或多个中间元件。当一个元件被称作“在…上”或“在…下”时，基于所述元件可以包括“在所述元件下”以及“在所述元件上”。
实施方案可以参考附图进行详细描述。
<磷光体>
在下面将详细地描述根据本发明的一个实施方案的磷光体。
根据本发明的一个实施方案的磷光体被紫外线和峰值波长在接近紫外线的蓝色波长带中的光激发，然后发出峰值波长在绿色波长带和黄色波长带之间的光。根据本发明的实施方案的磷光体被峰值波长在400nm至480nm波长带中的光激发，然后发出峰值波长在500nm至600nm波长带中的光。
根据本发明的实施方案的磷光体具有包含Ca、Sr和Eu三种组分的三斜晶系晶体结构。
当在根据本发明的实施方案的磷光体中包含的Ca、Sr和Eu的摩尔比分别是x、y和z时，x+y+z=1。当通过三角投影表示x、y和z时，x、y和z分布在三角图上通过用实线将五个点(0.45,0.55,0)、(0.75,0.25,0)、(0.75,0,0.25)、(0.5,0,0.5)、(0.45,0.05,0.5)连接起来而形成的区域的边上和内部。
图3是在三角图的坐标轴上表示x、y和z的视图。x、y和z(即在根据本发明的实施方案的磷光体中包含的Ca、Sr和Eu的摩尔比)包括在图3的三角图中实线区域的边上和内部。
根据本发明的实施方案的磷光体可以是基于氮氧化物的磷光体。
根据所述实施方案的磷光体的化学式可以是MSi2N2O2，M=CaxSryEuz(x+y+z=1)。这里，当Ca、Sr和Eu的摩尔比分别是x、y和z时，x+y+z=1。当通过三角投影表示x、y和z时，x、y和z分布在三角图通过用实线将五个点(0.45,0.55,0)、(0.75,0.25,0)、(0.75,0,0.25)、(0.5,0,0.5)、(0.45,0.05,0.5)连接起来而形成的区域的边上和内部。特别地，根据本发明的实施方案的基于氮氧化物的磷光体在这种组成下具有极好的发光性质。即，改善了由根据所述实施方案的磷光体发出的光的强度和亮度。另外，所述磷光体受环境温度影响较小。
根据本发明的实施方案的磷光体可以具有三斜晶系的晶体结构。
在相同范围内，特别是当Eu的摩尔比z为0.15至0.4时，根据本发明的实施方案的基于氮氧化物的磷光体发出峰值波长在绿色波长带和黄色波长带之间特别接近黄色波长带的光。换句话说，当Eu的摩尔比z为0.15至0.4时，根据本发明的实施方案的上述磷光体发出峰值波长在500nm至600nm波长带之间特别接近560nm的光。图4是在三角图的坐标轴上表示x、y和z的视图。图4通过实线表示发出峰值波长接近黄色波长带的光的范围。在图4中，x、y和z(即在根据本发明的实施方案的磷光体中包含的Ca、Sr和Eu的摩尔比)包括在实线区域的边上和内部。
当基于氮氧化物的磷光体具体具有本发明的发明人在所述三斜晶系的晶体结构中发现的预定晶体结构时，其具有更好的发光性质。在本说明书中，在三斜晶系的晶体结构中具有特别良好的发光性质的晶体结构被称作三斜晶系β，而不具有良好的发光性质的晶体结构被称作三斜晶系α。然而，只要是具有本发明的功能和效果的晶体结构都包括在本说明书中总体描述的构思中，所以晶体结构不一定限于具体的名称。
与不具有三斜晶系的β晶体结构的磷光体发出的光相比，根据本发明的实施方案的磷光体(即具有三斜晶系的β晶体结构的磷光体)发出的光的强度和亮度得到了提高。此外，与不具有三斜晶系的β晶体结构的磷光体相比，具有三斜晶系的β晶体结构的磷光体受环境温度的影响更小。
量子效率，特别是内部量子效率，可以用作用于估计根据所述实施方案的磷光体的发光效率的方法之一。与不具有三斜晶系的β晶体结构的磷光体相比，具有预定晶体结构(即三斜晶系的β晶体结构)的基于所述实施方案的磷光体具有更好的内部量子效率。
表1通过x、y和z(即Ca、Sr和Eu的摩尔比)的实验结果借助于各种值显示了其中磷光体具有三斜晶系β晶体结构的情形用“○”表示，以及其中磷光体具有三斜晶系α晶体结构的情形用“×”表示。图5是表示在三角图的坐标轴上通过对表1中所示的结果作图获得的x、y和z的三角图。
编号 x Y z β相
1 0.4 0 0.6 ×
2 0.45 0 0.55 ×
3 0.5 0 0.5 ○
4 0.55 0 0.45 ○
5 0.6 0 0.4 ○
6 0.7 0 0.3 ○
7 0.75 0 0.25 ×
8 0.8 0 0.2 ×
9 0 1 0 ×
10 1 0 0 ×
11 0.95 0 0.05 ×
12 0.7125 0.2375 0.05 ○
13 0.63333 0.31667 0.05 ○
14 0.55417 0.39583 0.05 ○
15 0.475 0.475 0.05 ○
16 0.39583 0.55417 0.05 ×
17 0.31667 0.63333 0.05 ×
18 0.2375 0.7125 0.05 ×
19 0.6365 0.3135 0.05 ○
20 0.61975 0.30525 0.075 ○
21 0.603 0.297 0.1 ○
22 0.58625 0.28875 0.125 ○
23 0.5695 0.2805 0.15 ○
24 0.55275 0.27225 0.175 ○
25 0.536 0.264 0.2 ○
26 0.48 0.32 0.2 ○
27 0.58575 0.23925 0.175 ○
28 0.568 0.232 0.2 ○
29 0.495 0.33 0.175 ○
30 0.55275 0.27225 0.175 ○
31 0.58575 0.23925 0.175 ○
32 0 0 1 ×
33 0.5 0.2 0.3 ○
34 0.5 0.4 0.1 ○
35 0.6 0.1 0.3 ○
36 0.7 0.1 0.2 ○
37 0.5 0.1 0.4 ○
38 0.6 0.3 0.1 ○
39 0.45 0.55 0 ○
40 0.7 0.3 0 ○
41 0.4 0.3 0.3 ×
42 0.4 0.2 0.4 ×
43 0.4 0.5 0.1 ×
44 0.4 0.6 0 ×
45 0.5 0.5 0 ○
46 0.65 0.35 0 ○
47 0.75 0.25 0 ×
48 0.8 0.2 0 ×
49 0.85 0.15 0 ×
表1
图6是表示通过实线形成的区域的三角图，包括图5中所示的三斜晶系β的情形。如图6所示，当在三角图的坐标轴上表示x(即Ca的摩尔比)、y(即Sr的摩尔比)和z(即Eu的摩尔比)时，x、y和z的坐标值位于通过将四个点A(0.45,0.55,0)、B(0.75,0.25,0)、C(0.7,0,0.3)和D(0.5,0,0.5)作为顶点连接而形成的区域的边上和内部。如参考表1和图6可以看到的，当磷光体位于该范围内时，它具有特别良好的发光性质。例如，包含在这一范围内的磷光体具有良好的内部量子效率。
位于图6所示范围内的磷光体具有预定的晶体结构，即三斜晶系的β晶体结构，而位于该范围之外的磷光体则没有。
X射线衍射(XRD)分析方法可以用于鉴定晶体结构。通过XRD分析，基于所述实施方案的磷光体具有的晶体结构(即三斜晶系β晶体结构)的分析结果不同于非三斜晶系β晶体结构(即三斜晶系α晶体结构)的分析结果。
图7是表示在具有x、y和z坐标轴的三角图中包含在三斜晶系β中的预定样品A和包含在三斜晶系α中的预定样品B的三角坐标图。
图8是表示图7的样品A的XRD分析结果的图。图9是表示图7的样品B的XRD分析结果的图。如参考图8和图9的XRD分析结果可以看出，根据所述实施方案的三斜晶系的β晶体结构具有与三斜晶系的非β晶体结构不同的分析结果。
在其中基于氮氧化物的磷光体具有三斜晶系的β晶体结构的相同范围内，特别地当z(即Eu的摩尔比)为0.15至0.4时，根据所述实施方案的基于氮氧化物的磷光体发出峰值波长在绿色波长带和黄色波长带之间特别接近黄色波长带的光。也就是说，当Eu的摩尔比z为0.15至0.4时，基于氮氧化物的磷光体发出具有在500nm至600nm的波长带之间特别接近560nm的峰值波长的光。
表2通过x、y和z(即Ca、Sr和Eu的摩尔比)的实验结果借助不同值显示了当磷光体具有三斜晶系β晶体结构和接近黄色波长带的峰值波长时x、y和z的坐标值。图10是通过对发出峰值波长接近黄色波长带的光的情形作图获得的三角图。在图10中，圆形图标表示发出具有接近黄色波长带的峰值波长的光。图11是在三角图的坐标轴上表示x、y和z的视图。图11通过实线表示发出峰值波长接近黄色波长带的光的范围。在图11中，x、y和z(即在发出接近黄色波长带的峰值波长的光的基于所述实施方案的磷光体中包含的Ca、Sr和Eu的摩尔比)包括在实线区域的边上和内部。
编号 x y z
1 0.58575 0.23925 0.175
2 0.568 0.232 0.2
3 0.5695 0.2805 0.15
4 0.55275 0.27225 0.175
5 0.536 0.264 0.2
6 0.527 0.323 0.15
7 0.48 0.32 0.2
8 0.7 0 0.3
9 0.6 0 0.4
10 0.7 0.1 0.2
11 0.6 0.1 0.3
12 0.5 0.2 0.3
13 0.5 0.1 0.4
表2
下面将描述制造根据所述实施方案的磷光体的方法。下面所描述的方法仅仅是一个实例。不一定依赖于下面要描述的具体方法。为了制造根据所述实施方案的具有预定组成的磷光体和具有晶体结构的磷光体，可以改变下列制造方法的一部分。
将碱土金属M的碳酸盐、SiO2、Si3N4和Eu2O3以预定比例混合，直到它们均匀混合，从而制得复合材料。碱土金属M的碳酸盐可以包括例如SrCO3。Ca、Sr、Si、Eu的金属、氧化物、氮化物、各种盐等可以用作为所述碳酸盐的材料。可以将全部的或者一部分的材料与液体混合，例如作为其溶液的形式。另外，起熔剂作用的SrF2、BaF、H3BO4、NaCl等可以混合在一起。
将所述复合材料放入氮化硼坩埚中，并在还原气氛或惰性气氛中煅烧(fire)，由此形成烧结材料(fired material)。除了所述氮化硼坩埚外，也可以使用氧化铝坩埚。煅烧温度为1,400℃至1,700℃，更优选1,450℃至1,600℃。这里，如果煅烧温度低于1,400℃，则各种材料可能不会相互反应或者得不到具有三斜晶系晶体结构的磷光体。如果煅烧温度高于1,700℃，则各种材料自身会分解或熔化。当煅烧温度为1,450℃至1,600℃时，可以降低各种材料相互不反应或发生分解的可能性。
所述还原气氛可以是H2-N2气氛、氨气氛和氮-氨气氛之一。所述惰性气氛可以是氮气氛和氩气氛之一。在所述惰性气氛中，Eu3+可以被还原为Eu2+。
关于煅烧工艺，首先将一些材料进行混合和煅烧。然后将其他材料与通过煅烧工艺获得的烧结材料进行混合和煅烧。因而可以获得目标磷光体。
通过煅烧方法获得的烧结材料可以进行粉碎以及例如可以用无杂质的水，例如pH小于8的蒸馏水、精制水等清洗。
下面的整个工艺将会作为制造工艺的具体实例。即，首先，通过使SrCO3、SiO2和Eu2O3相互反应获得Sr2SiO4:Eu，然后将Sr2SiO4:Eu粉碎。随后，通过使粉碎的Sr2SiO4:Eu和Si3N4相互反应获得SrSi2O2N2:Eu，然后粉碎SrSi2O2N2:Eu。接着，将粉碎的SrSi2O2N2:Eu用pH值小于8并且已尽可能地除去杂质的蒸馏水或精制水清洗。
下面的第一至第四实施方案显示了通过改变锶(Sr)的摩尔比制造根据所述实施方案的磷光体的方法。这里，锶(Sr)的比例是指，当在制造的磷光体内x、y和z(即Ca、Sr和Eu的比例)的总和为1时，锶(Sr)在1中所占据的比例。
<第一实施方案>
将通过混合16.35g的SrCO3、12.04g的SiO2、34.25g的Si3N4、4.10g的Eu2O3和33.26g的CaCO3获得的复合材料放入氮化硼坩埚中，并接着在使用H2-N2混合气体的还原气氛中在大约1,500℃的温度下煅烧大约6小时。产物(即磷光体)中包含的锶的比例为0.2375。
<第二实施方案>
将通过混合21.43g的SrCO3、11.83g的SiO2、33.65g的Si3N4、4.03g的Eu2O3和29.05g的CaCO3获得的复合材料放入氮化硼坩埚中，并接着在使用H2-N2混合气体的还原气氛中在大约1,500℃的温度下煅烧大约6小时。产物(即磷光体)中包含的锶的比例为0.3135。
<第三实施方案>
将通过混合26.33g的SrCO3、11.63g的SiO2、33.08g的Si3N4、3.96g的Eu2O3和24.99g的CaCO3获得的复合材料放入氮化硼坩埚中，并接着在使用H2-N2混合气体的还原气氛中在大约1,500℃的温度下煅烧大约6小时。产物(即磷光体)中包含的锶的比例为0.399。
<第四实施方案>
将通过混合31.07g的SrCO3、11.44g的SiO2、32.53g的Si3N4、3.90g的Eu2O3和21.06g的CaCO3获得的复合材料放入氮化硼坩埚中，并接着在使用H2-N2混合气体的还原气氛中在大约1,500℃的温度下煅烧大约6小时。产物(即磷光体)中包含的锶的比例为0.475。
下面的第一至第五对比例用于与所述第一至第四实施方案进行比较。
<第一对比例>
将通过混合10.44g的SiO2、33.72g的Si3N4、3.94g的Eu2O3和42.55g的CaCO3获得的复合材料放入氮化硼坩埚中，并接着在使用H2-N2混合气体的还原气氛中在大约1,500℃的温度下煅烧大约6小时。产物(即磷光体)中包含的锶的比例为0。
<第二对比例>
将通过混合35.65g的SrCO3、11.25g的SiO2、32.00g的Si3N4、3.83g的Eu2O3和17.26g的CaCO3获得的复合材料放入氮化硼坩埚中，并接着在使用H2-N2混合气体的还原气氛中在大约1,500℃的温度下煅烧大约6小时。产物(即磷光体)中包含的锶的比例为0.551。
<第三对比例>
将通过混合40.09g的SrCO3、11.07g的SiO2、31.48g的Si3N4、3.77g的Eu2O3和13.59g的CaCO3获得的复合材料放入氮化硼坩埚中，并接着在使用H2-N2混合气体的还原气氛中在大约1,500℃的温度下煅烧大约6小时。产物(即磷光体)中包含的锶的比例为0.627。
<第四对比例>
将通过混合44.38g的SrCO3、10.89g的SiO2、30.98g的Si3N4、3.71g的Eu2O3和10.03g的CaCO3获得的复合材料放入氮化硼坩埚中，并接着在使用H2-N2混合气体的还原气氛中在大约1,500℃的温度下煅烧大约6小时。产物(即磷光体)中包含的锶的比例为0.7125。
<第五对比例>
将通过混合62.75g的SrCO3、10.44g的SiO2、33.72g的Si3N4和3.94g的Eu2O3获得的复合材料放入氮化硼坩埚中，并接着在使用H2-N2混合气体的还原气氛中在大约1,500℃的温度下煅烧大约6小时。产物(即磷光体)中包含的锶的比例为0.95。
通过所述第一至第四实施方案和所述第一至第五对比例，共计可以制造九种磷光体。
图12显示了分别根据第一至第四实施方案的磷光体的激发光谱。图13显示了分别根据第一至第四实施方案的磷光体的发光光谱。当根据第一至第四实施方案的磷光体被波长为460nm的光激发时，获得了图13的发光光谱。在图12和13中，横轴表示波长(mm)而纵轴表示标准化到1的强度。
参考图12和13，可以看到，根据第一至第四实施方案的磷光体可以被紫外线和接近紫外波段的蓝色可见光波段中的光激发，并可以发出在绿色可见光波段至黄色可见光波段的范围内的光。
图14是显示基于第一至第四实施方案和第一至第五对比例的锶比例的内部量子效率的图。所述内部量子效率是指发射光与吸收光之比。
图14的横轴表示锶的比例。纵轴的量子效率是相对于第三实施方案。参考图14，可以发现，当锶的比例等于或大于0.25或者等于或小于0.55时，量子效率高。
图15是显示第一至第四实施方案和第一至第五对比例的X射线衍射图案的图。在图15中，x轴表示X射线的入射角，y轴表示衍射强度。这里，X射线是波长为0.05至0.25nm的电磁波。
参考图15中x轴的2θ，所述第一至第四实施方案的磷光体的晶体结构是三斜晶系β，因此可以理解，其不同于三斜晶系(α)，即所述第二至第五对比例的磷光体的晶体结构。
图16显示了通过在其坐标轴上表示x、y和z的三角图上对第一至第四实施方案和第一至第五对比例作图获得的结果。可以看出，所述第一至第四实施方案包括在根据本发明的实施方案的磷光体的范围内。
另外，下面表3显示了所述第一至第四实施方案和所述第一至第五对比例的晶体结构和晶格常数。
Figure BDA00003523902600121
表3
参考图14和图15以及表3，可以理解的是，当锶(Sr)的比例为25%至55%时，根据第一至第四实施方案的磷光体的晶体结构是三斜晶系β。
通过晶格常数差异，可以看出，根据第一至第四实施方案的磷光体的三斜晶系β不同于根据所述第二至第五对比例的磷光体的三斜晶系α。通常熟知的SrSi2N2O2的晶体结构是三斜晶系α。因此，可以注意到，根据第一至第四实施方案的磷光体的晶体结构不同于SrSi2N2O2。
参考表3，根据第一至第四实施方案的磷光体的三斜晶系β晶体结构的单位晶胞体积大于
Figure BDA00003523902600122
换句话说，三斜晶系β的单位晶胞体积大于三斜晶系α的单位晶胞体积的两倍。
另外，根据第一至第四实施方案的磷光体具有比CaSi2N2O2:Eu和SrSi2N2O2:Eu的发光亮度更高的发光亮度。
<发光器件>
图1是根据所述实施方案的发光器件的横截面图。图1显示了表面安装型(surface mount-type)发光器件。
参考图1，根据所述实施方案的发光器件可以包括基体100、第一和第二引线框架(lead frame)110a和110b、发光元件120、导线130和透光树脂140。
第一和第二引线框架110a和110b设置在基体100中。基体100具有容纳发光元件120、导线130和透光树脂140的凹槽。
第一和第二引线框架110a和110b在基体100的凹槽底部上相互分开。发光元件120设置于第一引线框架110a上。第一引线框架110a通过导线130与发光元件120的一个电极电连接。第二引线框架110b通过导线130与发光元件120的另一个电极电连接。
发光元件120设置于基体100的凹槽中且设置于第一引线框架110a上。发光元件120借助于施加到第一和第二引线框架110a和110b上的电压产生光。
发光元件120可以是发光二极管。具体地，发光元件120可以是通过水平型芯片、倒装芯片和垂直型芯片之一实施的发光二极管。
当将电压施加到发光元件120上时，发光元件120能够发出具有在400至480nm带中的峰值波长的光。这里，发光元件120可以是InGaN发光二极管芯片，其发出紫外线或具有接近紫外线的蓝色波长的光。
发光元件120不仅可以是发光二极管而且可以是具有在相同波长带中的峰值波长的激光二极管、侧发光激光二极管、无机电场发光元件和有机电场发光元件。
导线130设置于基体100的凹槽中并将第一和第二引线框架110a和110b电连接到发光元件120。
透光树脂140设置于基体100的凹槽中。透光树脂140模塑发光元件120和导线130。透光树脂140传送发光元件120发出的光。透光树脂140可以是环氧树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂、尿素树脂和丙烯酸树脂。
如附图中所示，如果需要，透光树脂140可以围绕整个发光元件120模塑或可以部分地模塑发光元件120的预定发光部分。例如，当发光元件120为低功率发光元件时，优选模塑整个发光元件120。当发光元件120为高功率发光元件时，优选部分地模塑发光元件120，以便使磷光体141均匀分布。
透光树脂140包括根据所述实施方案的磷光体141。磷光体141被发光元件120发出的一部分光激发并发出波长与发光元件120发出的光的波长不同的光。磷光体141可以是单一磷光体或可以包括多种磷光体。例如，磷光体141可以包括黄色、绿色和红色磷光体中的至少一种。黄色磷光体对蓝色光(430nm至480nm)作出反应发出主要波长在540nm至585nm的波长带中的光。绿色磷光体对蓝色光(430nm至480nm)作出反应发出主要波长在510nm至535nm的波长带中的光。红色磷光体对蓝色光(430nm至480nm)作出反应发出主要波长在600nm至650nm的波长带中的光。黄色磷光体可以是硅酸盐磷光体或基于YAG的磷光体。绿色磷光体可以是硅酸盐磷光体、氮化物磷光体或硫化物磷光体。红色磷光体可以是氮化物磷光体或硫化物磷光体。
图2是根据另一个实施方案的发光器件的横截面图。图2中所示的发光器件以垂直灯类型的形式形成。
图2中所示的发光器件可以包括第一和第二引线框架210a和210b、发光元件220、导线230、透光树脂240和外部材料250。
第一和第二引线框架210a和210b相互分开设置。发光元件220设置于第一引线框架210a上。第一引线框架210a通过导线230与发光元件220的一个电极电连接。第二引线框架210b通过导线230与发光元件220的另一个电极电连接。
发光元件220设置于第一引线框架210a上。发光元件220借助于施加于第一和第二引线框架210a和210b的电压产生光。
发光元件220可以是发光二极管。具体地，发光元件220可以是通过水平型芯片、倒装芯片和垂直型芯片之一实施的发光二极管。
当将电压施加到发光元件220时，发光元件220能够发出具有在400至480nm带中的峰值波长的光。发光元件220可以是InGaN发光二极管芯片，其发出紫外线和具有接近紫外线的蓝色波长的光。
发光元件220不仅可以是发光二极管而且可以是具有在相同波长带中的峰值波长的激光二极管、侧发光激光二极管、无机电场发光元件和有机电场发光元件。
电线230将第一和第二引线框架210a和210b电连接到发光元件220。
透光树脂240设置于第一引线框架210a上并模塑发光元件20。透光树脂240还模塑与发光元件220连接的一部分导线230。透光树脂240传送发光元件220发出的光。透光树脂240可以是环氧树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂、尿素树脂和丙烯酸树脂。
如果需要，透光树脂240可以围绕整个发光元件220模塑或可以部分地模塑发光元件220的预定发光部分。
透光树脂240包括根据所述实施方案的磷光体241。磷光体241被发光元件220发出的一部分光激发并发出波长与发光元件220发出的光的波长不同的光。磷光体241可以是单一磷光体或可以包括多种磷光体。例如，磷光体241可以包括黄色、绿色和红色磷光体的至少一种。黄色磷光体对蓝色光(430nm至480nm)作出反应发出主要波长在540nm至585nm的波长带中的光。绿色磷光体对蓝色光(430nm至480nm)作出反应发出主要波长在510nm至535nm的波长带中的光。红色磷光体对蓝色光(430nm至480nm)作出反应发出主要波长在600nm至650nm的波长带中的光。黄色磷光体可以是硅酸盐磷光体或基于YAG的磷光体。绿色磷光体可以是硅酸盐磷光体、氮化物磷光体或硫化物磷光体。红色磷光体可以是氮化物磷光体或硫化物磷光体。
外部材料250模塑第一和第二引线框架210a和210b的一部分以及整个发光元件220、整个导线230和整个透光树脂240。因此，使第一和第二引线框架210a和210b的模塑部分之外的部分暴露于外部材料250的外面。
在本说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例实施方案”等的引用是指结合所述实施方案描述的具体部件、结构或特征包括在本发明的至少一个实施方案中。在说明书中的各个位置出现的这些短语不一定都是指相同实施方案。另外，当结合任何实施方案描述具体部件、结构或特征时，认为影响结合其它实施方案对这样的部件、结构或特征的影响在本领域技术人员的认识范围内。
尽管已经参考许多说明性实施方案描述了各种实施方案，应该理解的是本领域技术人员可以提出将会落入本发明公开内容原理的精神和范围之内的许多其它修改和实施方案。更特别地，在公开内容、附图和所附的权利要求书范围内，可以对主题组合布置的组成部件和/或布置进行各种变化和修改。除了组成部件和/或布置的各种变化和修改，其它的应用对于本领域技术人员来说也是明显的。

Claims (22)

1.一种磷光体，所述磷光体发出具有在绿色波长带和黄色波长带之间的峰值波长的光，具有晶体结构，所述磷光体的化学式为MSi2N2O2，M=CaxSryEuz(x+y+z=1)，其具有三斜晶系晶体结构，其中当Ca、Sr和Eu的摩尔比分别为x、y和z时，x+y+z=1，当通过三角投影表示x、y和z时，x、y和z分布在三角图上通过用实线将五个点(0.45,0.55,0)、(0.75,0.25,0)、(0.75,0,0.25)、(0.5,0,0.5)和(0.45,0.05,0.5)连接起来形成的区域的边上和内部。
2.根据权利要求1所述的磷光体，其中当在三角图(x,y,z)上表示x，即Ca的摩尔比；y，即Sr的摩尔比；和z，即Eu的摩尔比时，x、y和z位于通过将点A(0.45,0.55,0)、B(0.75,0.25,0)、C(0.7,0,0.3)和D(0.5,0,0.5)作为顶点连接起来而形成的区域的边上和内部。
3.根据权利要求1所述的磷光体，其中当在三角图(x,y,z)上表示x，即Ca的摩尔比；y，即Sr的摩尔比；和z，即Eu的摩尔比时，x、y和z位于通过将点A(0.45,0.4,0.15)、B(0.75,0.1,0.15)、C(0.75,0,0.25)、D(0.6,0,0.4)和E(0.45,0.15,0.4)作为顶点连接起来而形成的区域的边上和内部。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的磷光体，其中Eu的摩尔比z在0.15至0.4的范围内(0.15≤y≤0.4)。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的磷光体，其中Sr的摩尔比y在0.2375至0.475的范围内(0.2375≤y≤0.475)。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的磷光体，其中Sr的摩尔比y在0.25至0.55的范围内(0.25≤y≤0.55)。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的磷光体，其中所述峰值波长为540nm至585nm。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的磷光体，其中所述三斜晶系晶体结构的单位晶胞体积大于
9.根据权利要求1-3中任一项所述的磷光体，其中所述磷光体包含三斜晶系的β晶体结构。
10.一种磷光体，其发出具有在绿色波长带和黄色波长带之间的峰值波长的光，具有晶体结构，所述磷光体的化学式为MSi2N2O2，M=CaxSryEuz(x+y+z=1)，其具有三斜晶系晶体结构，其中当Ca、Sr和Eu的摩尔比分别为x、y和z时，x+y+z=1，并且当通过三角投影表示x、y和z时，x、y和z分布在三角图上通过用实线将五个点(0.45,0.4,0.15)、(0.75,0.1,0.15)、(0.75,0,0.25)、(0.6,0,0.4)和(0.45,0.15,0.4)连接起来而形成的区域的边上和内部，
其中所述三斜晶系晶体结构的单位晶胞体积大于
Figure FDA00003523902500021
11.根据权利要求10所述的磷光体，其中Eu的摩尔比z在0.15至0.4的范围内(0.15≤z≤0.4)。
12.根据权利要求10所述的磷光体，其中Sr的摩尔比y在0.2375至0.475的范围内(0.2375≤y≤0.475)。
13.根据权利要求10所述的磷光体，其中Sr的摩尔比y在0.25至0.55的范围内(0.25≤y≤0.55)。
14.根据权利要求10-13中任一项所述的磷光体，其中所述峰值波长为540nm至585nm。
15.根据权利要求10-13中任一项所述的磷光体，其中所述磷光体包含三斜晶系的β晶体结构。
16.一种发光器件，包括：
发光元件；和
磷光体，所述磷光体被发光元件发出的一部分光激发并发出波长与发光元件发出的光的波长不同的光，
其中所述磷光体发出具有在绿色波长带和黄色波长带之间的峰值波长的光，具有晶体结构，所述磷光体的化学式为MSi2N2O2，M=CaxSryEuz(x+y+z=1)，其具有三斜晶系晶体结构，其中当Ca、Sr和Eu的摩尔比分别为x、y和z时，x+y+z=1，并且当通过三角投影表示x、y和z时，x、y和z分布在三角图上通过用实线将五个点(0.45,0.55,0)、(0.75,0.25,0)、(0.75,0,0.25)、(0.5,0,0.5)和(0.45,0.05,0.5)连接起来而形成的区域的边上和内部。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中Eu的摩尔比z在0.15至0.4的范围内(0.15≤z≤0.4)。
18.根据权利要求16所述的发光器件，其中Sr的摩尔比y在0.2375至0.475的范围内(0.2375≤y≤0.475)。
19.根据权利要求16所述的发光器件，其中Sr的摩尔比y在0.25至0.55的范围内(0.25≤y≤0.55)。
20.根据权利要求16-19中任一项所述的发光器件，其中所述峰值波长为540nm至585nm。
21.根据权利要求16-19中任一项所述的发光器件，其中所述三斜晶系晶体结构的单位晶胞体积大于
Figure FDA00003523902500031
22.根据权利要求16-19中任一项所述的发光器件，其中所述磷光体包含三斜晶系的β晶体结构。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105838371A (zh) * 2016-04-27 2016-08-10 山东盈光新材料有限公司 一种led用氮氧化物荧光粉及制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101990919B1 (ko) * 2012-10-09 2019-06-19 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 발광 장치
US20180298281A1 (en) * 2015-06-08 2018-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Composite Oxynitride Ceramic Converter and Light Source Having Same
CN106303269A (zh) * 2015-12-28 2017-01-04 北京智谷睿拓技术服务有限公司 图像采集控制方法和装置、图像采集设备
US10177287B1 (en) * 2017-09-19 2019-01-08 Eie Materials, Inc. Gamut broadened displays with narrow band green phosphors

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005298721A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Nichia Chem Ind Ltd 酸窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
US20060103297A1 (en) * 2004-10-21 2006-05-18 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Highly efficient stable oxynitride phosphor
CN1879193A (zh) * 2003-11-11 2006-12-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有无汞气体填充物的低压蒸气放电灯
CN101663769A (zh) * 2007-04-17 2010-03-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明系统

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1413618A1 (en) 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Luminescent material, especially for LED application
JP4415547B2 (ja) 2002-10-16 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4415548B2 (ja) 2002-10-16 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 オキシ窒化物蛍光体を用いた発光装置
TW200523340A (en) 2003-09-24 2005-07-16 Patent Treuhand Ges Fur Elek Sche Gluhlampen Mbh Hochefeizienter leuchtstoff
US7965031B2 (en) 2003-09-24 2011-06-21 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung White-emitting LED having a defined color temperature
JP5092667B2 (ja) 2007-10-05 2012-12-05 三菱化学株式会社 発光装置
WO2010041195A1 (en) 2008-10-09 2010-04-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Blue emitting sion phosphor
KR101244620B1 (ko) * 2010-01-20 2013-03-18 순천대학교 산학협력단 산질화물 형광체 및 이를 이용한 발광장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1879193A (zh) * 2003-11-11 2006-12-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有无汞气体填充物的低压蒸气放电灯
JP2005298721A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Nichia Chem Ind Ltd 酸窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
US20060103297A1 (en) * 2004-10-21 2006-05-18 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Highly efficient stable oxynitride phosphor
CN101663769A (zh) * 2007-04-17 2010-03-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明系统

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. ZHANG ET AL.: "A tunable green alkaline-earth silicon-oxynitride solid solution (Ca1−xSrx)Si2O2N2 :Eu2+ and its application in LED", 《APPL. PHYS. B》, vol. 93, 11 October 2008 (2008-10-11), XP019656043, DOI: doi:10.1007/s00340-008-3232-y *
VOLKER BACHMANN ET AL.: "Color Point Tuning for (Sr,Ca,Ba)Si2O2N2:Eu2+ for White Light LEDs", 《CHEM. MATER.》, vol. 21, 29 December 2008 (2008-12-29) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105838371A (zh) * 2016-04-27 2016-08-10 山东盈光新材料有限公司 一种led用氮氧化物荧光粉及制备方法

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