CN103529896B - 参考电流源及参考电流产生电路 - Google Patents

Abstract

一种参考电流源和参考电流产生电路。所述参考电流源包括：正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路，所述正温度系数产生电路用于产生具有正温度系数的第一电流；所述负温度系数产生电路用于产生具有负温度系数的第二电流；所述控制电路连接所述正温度系数产生电路和负温度系数产生电路，用于对所述第一电流和第二电流进行加总以产生参考电流，所述参考电流的温度系数可调。本发明技术方案的参考电流源可精确的调节参考电流的温度系数，并且其结构简单、应用范围广泛。

Description

参考电流源及参考电流产生电路

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种参考电流源及参考电流产生电路。

背景技术

集成电路应用中经常使用到参考电流源或电压源。一般的参考电流源在生产完成后其温度曲线是固定的，这在一些应用中会因为电流的不准确，使得电路的性能变化很大，例如在振荡器中，因为参考电流的变化，振荡器的输出频率会有较大变化，有时振荡器的输出频率会随温度变化达到20%~30%。

为了减小温度的影响，现有技术还提供了一种不受温度变化影响的稳定参考电流源，如带隙参考电路（BandgapReferenceCircuit）。简单来说，带隙参考电流源是将一正温度系数（ProportionalToAbsoluteTemperature，PTAT）的电流与一负温度系数（ComplementaryToAbsoluteTemperature，CTAT）的电流以适当比例混合相加，将正温度系数与负温度系数相互抵消后，产生一零温度系数的电流。

参考图1，现有技术中一带隙参考电流源10包括：启动电路100和带隙参考电路102。启动电路100在电源电压VDD大于P型晶体管104和106的源栅极电压差时启动带隙参考电路102的运作。如图1所示，在带隙参考电路102中，功率放大器108的正负输入端输入电压VA和VB相等（VA=VB=VBE1），通过晶体管Q1和Q2的基射极电压差VBE1-VBE2及阻值为R的电路Rptat，可产生一正温度系数电流Iptat，如公式（1）所示：

$\mathrm{Iptat}=\frac{\mathrm{VBE}1-\mathrm{VBE}2}{R}=\frac{V_T\ln K}{R}---\left(1\right)$

其中，K表示晶体管Q2可视为由K个晶体管Q1并联而成。由于临限电压VT是正温度系数，因此由公式（1）可知电阻Rptat所载的电流Iptat是正温度系数电流。

另一方面，通过晶体管Q1的基射极电压差VBE1及阻值为L×R的电阻Rctat，可产生一负温度系数电流Ictat，如公式（2）所示：

$\mathrm{Ictat}=\frac{\mathrm{VBE}1}{L\×R}---\left(2\right)$

其中，由于晶体管Q1的基射极电压差VBE1具有负温度系数，因此电阻Rctat所载的电流Ictat是负温度系数电流。这样，经过适当调整电阻Rctat的阻值L×R，可通过加总正温度系数电流Iptat与负温度系数电流Ictat产生零温度系数电流Iref。

更多关于参考电流源的内容可参考公开号为CN102375468A的中国专利申请。

虽然图1所示的带隙参考电流源可以实现零温度系数电流Iref，但是其结构比较复杂，占用芯片面积较大；并且，该参考电流源的温度系数只能为零，无法实现温度系数的调节，应用性较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种温度系数可调的参考电流源和参考电流产生电路，其结构简单、应用范围广泛。

为解决上述问题，本发明提供一种参考电流源包括：正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路，所述正温度系数产生电路用于产生具有正温度系数的第一电流；所述负温度系数产生电路用于产生具有负温度系数的第二电流；所述控制电路连接所述正温度系数产生电路和负温度系数产生电路，用于对所述第一电流和第二电流进行加总以产生参考电流，所述参考电流的温度系数可调。

可选地，所述正温度系数产生电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第一放大器、第一电阻、第一三极管和第二三极管；

所述第一MOS管的源极连接电源电压，栅极连接第二MOS管的栅极，漏极连接第一电阻的第一端和第一放大器的正相输入端；所述第一电阻的第二端连接第二三极管的发射极；所述第二三极管的基极与集电极相连且连接至地；所述第二MOS管的源极连接电源电压，漏极连接第一三极管的发射极和第一放大器的负相输入端；所述第一放大器的输出端连接第一MOS管和第二MOS管的栅极，输出第一电压；所述第一三极管的基极与集电极相连且连接至地；其中，所述第一MOS管的漏极电流为第一电流。

可选地，所述负温度系数产生电路包括：第三MOS管、第二电阻、第一三极管和第二放大器；

所述第三MOS管的源极连接电源电压，栅极连接第二放大器的输出端，漏极连接第二电阻的第一端和第二放大器的正相输入端；第二电阻的第二端接地；所述第二放大器的负相输入端连接第一三极管的发射极，输出端输出第二电压；其中，所述第三MOS管的漏极电流为第二电流。

可选地，所述控制电路包括：两个MOS管和多个控制支路，其中，一个MOS管的栅极接收所述第一电压，另一个MOS管的栅极接收所述第二电压，所述多个控制支路选择性地连接至所述MOS管，所述参考电流为所述两个MOS管的漏极电流与被选择连接至所述MOS管的控制支路的电流之和。

可选地，所述两个MOS管为第四MOS管和第五MOS管；所述第四MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第一电压；所述第五MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第二电压，漏极与第四MOS管的漏极相连；各控制支路分别包括一个电子开关和一个MOS管，其中各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压，漏极连接所述第五MOS管的漏极；各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第五MOS管的栅极。

可选地，所述两个MOS管为第四MOS管和第五MOS管；所述第四MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第二电压；所述第五MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第一电压，漏极与第四MOS管的漏极相连；各控制支路分别包括一个电子开关和一个MOS管，其中各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压，漏极连接所述第五MOS管的漏极；各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第五MOS管的栅极。

可选地，所述两个MOS管为第六MOS管和第七MOS管，所述多个控制支路分成第一控制支路组和第二控制支路组，各控制支路分别包括一个电子开关和一个MOS管；

所述第六MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第一电压；所述第七MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第二电压，漏极与第六MOS管的漏极相连；

所述第一控制支路组的各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压，漏极连接所述第六MOS管的漏极；所述第一控制支路组的各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第六MOS管的栅极；

所述第二控制支路组的各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压，漏极连接所述第七MOS管的漏极；所述第二控制支路组的各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第七MOS管的栅极。

本发明还提供一种参考电流产生电路，包括：上述任意一项参考电流源和启动电路；所述启动电路用于启动所述参考电流源。

与现有技术相比，本发明技术方案至少具有以下优点：

本发明技术方案的参考电流源包括正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路。所述控制电路对正温度系数产生电路产生的第一电流和负温度系数产生电路产生的第二电流进行加总后可以实现其输出的参考电流的温度系数的精确控制，也就是说可以使得其输出的参考电流具有任意的正温度、零温度或负温度系数。这样，在使用了温度系数可调的参考电流源后电路的输出更加稳定、电路性能更好。另一方面，由于参考电流的温度系数为可调的，因此其灵活性更强、应用范围更广。

另外，本发明可选方案中所述正温度系数产生电路和负温度系数产生电路可共用一个三极管，共同借助于该三极管的基极与发射极之间的电压差来产生第一电流和第二电流，从而简化了电路结构。

附图说明

图1是现有技术中带隙参考电流源的示意图；

图2是现有技术中正温度系数的电流源的示意图；

图3是现有技术中负温度系数的电流源的示意图；

图4是本发明参考电流源一实施方式的示意图；

图5是图4中正温度系数产生电路和负温度系数产生电路一实施例的示意图；

图6是图4中控制电路的实施例一的示意图；

图7是图4中控制电路的实施例二的示意图；

图8是图4中控制电路的实施例三的示意图；

图9是本发明参考电流产生电路的一实施方式的示意图。

具体实施方式

正如背景技术中所述，一般的电流源有正温度系数和负温度系数的，正温度系数的电流源可利用ΔVBE/R的方法得到，负温度系数的电流源可以用VBE/R的方法得到。此处的VBE指的是三极管基极与发射极两端的电压差，ΔVBE指的是两个三极管的VBE的差值，R表示电阻的阻值。具体地，正温度系数电路如图2所示，负温度系数电路如图3所示。

本发明技术方案的参考电流源正是把图2和图3所示的不同温度系数的电流源结合在一起，然后通过适当的控制来得到任意温度系数的参考电流曲线。本发明技术方案的参考电流源实现了参考电流的温度曲线的可控制性，借助于多bit位的控制开关，实现了参考电流温度曲线的精确控制。另外，本发明技术方案中负温度曲线的电流的产生，利用了正温度曲线产生电路中的一个VBE电压，从而简化了电路。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。

图4示出了本发明参考电流源一实施方式的示意图。参考图4，所述参考电流源包括：正温度系数产生电路300、负温度系数产生电路400和控制电路500。

所述正温度系数产生电路300用于产生具有正温度系数的第一电流I1，所述负温度系数产生电路400用于产生具有负温度系数的第二电流I2，所述控制电路500连接所述正温度系数产生电路300和负温度系数产生电路400，用于对所述第一电流I1和第二电流I2进行加总以产生参考电流I，所述参考电流I的温度系数可调。

具体地，在本实施方式中，通过所述控制电路500的适当控制可以使参考电流I具有零温度系数、不同的正温度系数或不同的负温度系数。

参考图5，所述正温度系数产生电路包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2、第一放大器OP1、第一电阻R1、第一三极管q1和第二三极管q2。

具体地，所述第一MOS管M1的源极连接电源电压VDD，栅极连接第二MOS管M2的栅极，漏极连接第一电阻R1的第一端和第一放大器OP1的正相输入端。所述第一电阻R1的第二端连接第二三极管q2的发射极。

所述第二MOS管M2的源极连接电源电压VDD，漏极连接第一三极管q1的发射极和第一放大器OP1的负相输入端。

所述第一放大器OP1的输出端连接第一MOS管M1和第二MOS管M2的栅极，输出第一电压Vout1。

所述第一三极管q1的基极与第二三极管q2的基极相连且连接至地GND；所述第一三极管q1的集电极和第二三极管q2的集电极也连接至地GND。

所述负温度系数产生电路包括：第三MOS管M3、第二电阻R2、第一三极管q1和第二放大器OP2。

具体地，所述第三MOS管M3的源极连接电源电压VDD，栅极连接第二放大器OP2的输出端，漏极连接第二电阻R2的第一端和第二放大器OP2的正相输入端。第二电阻R2的第二端接地GND。

第二放大器OP2的负相输入端连接第一三极管q1的发射极，输出端输出第二电压Vout2。

在上述电路中，第一MOS管M1的漏极电流即为具有正温度系数的第一电流I1，第三MOS管M3的漏极电流即为具有负温度系数的第二电流I2。所述第一三极管q1和第二三极管q2均为PNP型三极管。

由图5可知：所述第一电流I1=（VBE1-VBE2）/r1=ΔVBE/r1（3）

所述第二电流I2=VBE1/r2（4）

其中，VBE1指的是第一三极管q1基极与发射极的电压差；VBE2指的是第二三极管q2基极与发射极的电压差；ΔVBE指的是VBE1与VBE2之间的电压差；r1指的是第一电阻R1的电阻值；r2指的是第二电阻R2的电阻值。

在本实施例中，所述负温度系数产生电路和正温度系数产生电路共用第一三极管q1，从而简化了电路。

图6示出了图4中控制电路实施例一的示意图。参考图6，所述控制电路包括：第四MOS管M4、第五MOS管M5和多个控制支路。

第四MOS管M4的源极连接电源电压VDD，栅极接收第一电压Vout1。

第五MOS管M5的源极连接电源电压VDD，栅极接收第二电压Vout2，漏极与第四MOS管M4的漏极相连。

各个控制支路分别包括一个电子开关和一个MOS管，其中，各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压VDD，漏极与第五MOS管M5的漏极相连；各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第五MOS管M5的栅极。

具体地，参考图6，在本实施例中，所述控制电路包括Y+1个控制支路。第一控制支路包括MOS管Mm0和电子开关Sw0；第二控制支路包括MOS管Mm1和电子开关Sw1……第Y+1控制支路包括MOS管MmY和电子开关SwY。

需要说明的是，各控制支路中的电子开关可以采用现有技术中任意一种，例如MOS开关等等，本发明对此不做限制。

参考图5和图6，本实施例中，可以对上述各MOS管的面积m进行以下设置。例如，第一MOS管M1和第二MOS管M2的面积m=N，第三MOS管M3的面积m=M，第四MOS管M4的面积m=L，第五MOS管M5的面积m=X，MOS管Mm0的面积m=2⁰，MOS管Mm1的面积m=2¹……MOS管MmY的面积m=2^Y。

当然，本领域技术人员应当理解的是，上述关于各MOS管的面积的设置仅为举例说明，其还可以根据实际应用的不同做其他设置，此不应限制本发明的保护范围。

此外，上述第一控制支路、第二控制支路……第Y+1控制支路与第五MOS管M5的连接状态由电子开关Sw0、Sw1……SwY决定。

由于所述第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极以及各个控制支路中的MOS管的漏极相互连接在一起，因此，参考电流I等于所述第四MOS管M4的漏极电流、第五MOS管M5的漏极电流以及与第五MOS管M5处于连接状态的控制支路的电流之和。也就是说，参考电流I=(L/N)×I1+[(X+Sw<0>×2⁰+Sw<1>×2¹+……Sw<Y>×2^Y)/M]×I2（5）

上述公式（5）中，Sw<0>、Sw<1>……Sw<Y>分别指的是电子开关Sw0、Sw1……SwY的开关状态，因此，Sw<0>、Sw<1>……Sw<Y>可以取值为“0”或者“1”，当Sw<Y>=0时说明该电子开关处于断开状态，而当Sw<Y>=1时则说明该电子开关处于闭合状态。I1为具有正温度系数的第一电流，I2为具有负温度系数的第二电流。

结合公式（3）~（5）可以得出，通过适当选择图6中所示电子开关的状态组合即可以得到任意一种正温度、零温度或者负温度的电流曲线，从而实现了参考电流温度曲线的精确控制，这样就大大扩展了该电路的实用性。

由公式（5）可以得出，控制支路越多，所能调节的参考电流的温度系数越精确，范围也越广。发明人通过反复实验发现，当设置四个控制支路时，所述参考电流源的所能正常工作的温度范围为-20℃~85℃，其输出的参考电流I的温度系数的精度为±2%。

通过设置四个控制支路即可以满足电路的大多数应用，其结构比较简单，因此不会占用大量的芯片面积，并且还大大的提高了电路的实用性。

图7示出了图4中控制电路实施例二的示意图。本实施例与图6所示的实施例一的相同之处在此不再赘述，不同之处在于：所述第四MOS管M4的栅极接收第二电压Vout2，所述第五MOS管M5的栅极接收第一电压Vout1。

本实施例与实施例一的工作原理相类似，故在此不再赘述。本实施例中，通过合理的组合控制支路中各电子开关的状态也可以实现参考电流I的温度曲线的调节，从而使得该参考电流源的应用更加灵活。

图8示出了图4是控制电路实施例三的示意图。参考图8，所述控制电路包括第六MOS管M6、第七MOS管M7和多个控制支路，各个控制支路分别包括一个电子开关和一个MOS管。并且在本实施例中，所述多个控制支路分成第一控制支路组和第二控制支路组。

具体地，所述第六MOS管M6的源极连接电源电压VDD，栅极接收第一电压Vout1。所述第七MOS管M7的源极连接电源电压VDD，栅极接收第二电压Vout2，漏极与第六MOS管M6的漏极相连。

第一控制支路组中各控制支路的MOS管的源极连接电源电压VDD，漏极与第六MOS管M6的漏极相连；第一控制支路组中各控制支路的电子开关的一端连接同一控制支路中MOS管的栅极，另一端连接所述第六MOS管M6的栅极。

第二控制支路组中各控制支路的MOS管的源极连接电源电压VDD，漏极与第七MOS管M7的漏极相连；所述第二控制支路组中各控制支路的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第七MOS管M7的栅极。

需要说明的是，所述多个控制支路可以均分为第一控制支路组和第二控制支路组，也可以不均分。也就是说，所述第一控制支路组中的支路数量与第二控制支路组中的支路数量可以相同也可以不同，本发明对此不做限制。

继续参考图8，在本实施例中，所述多个控制支路被均分为第一控制支路组和第二控制支路组，即所述第一控制支路组和第二控制支路组分别包括Y+1个支路。

在第一控制支路组中，其第一支路包括MOS管Mm01和电子开关Sw01；第二支路包括MOS管Mm11和电子开关Sw11……第Y+1支路包括MOS管MmY1和电子开关SwY1。

在第二控制支路组中，其第一支路包括MOS管Mm02和电子开关Sw02；第二支路包括MOS管Mm12和电子开关Sw12……第Y+1支路包括MOS管MmY2和电子开关SwY2。

另外，在本实施例中，所述第六MOS管M6的面积与第七MOS管M7的面积相同，即m=X；第二控制支路组与第一控制支路组成对称结构，如MOS管Mm02与MOS管Mm01的面积m均为2⁰；MOS管Mm12与MOS管Mm11的面积m均为2¹……MOS管MmY2与MOS管MmY1的面积m均为2^Y。

但是，本领域技术人员应当理解的是，上述设置仅为举例说明，其还可以根据具体应用做其他合理设置，本发明对此不做限制。此外，在其他实施例中，所述第七MOS管M7的栅极还可以用于接收第一电压Vout1，所述第六MOS管M6的栅极用于接收第二电压Vout2，这样，仍可以通过合理的组合控制支路中各电子开关的状态来实现参考电流I的温度曲线的调节。

本发明还提供了一种参考电流产生电路，如图9所示，所述参考电流产生电路包括：启动电路30和参考电流源50。所述启动电路30用于启动所述参考电流源50，其可以采用现有技术中的启动电路来实现，在此不再赘述。

所述参考电流源50包括：正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路，所述正温度系数产生电路用于产生具有正温度系数的第一电流；所述负温度系数产生电路用于产生具有负温度系数的第二电流；所述控制电路连接所述正温度系数产生电路和负温度系数产生电路，用于对所述第一电流和第二电流进行加总以产生参考电流，所述参考电流的温度系数可调。

所述正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路分别为上述参考电流源中的正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路，故在此也不再赘述。

另外，所述参考电流产生电路还可以包括关断电路70，用于在所述参考电流源50输出的参考电流I稳定后关断所述启动电路30。

由于该参考电流产生电路采用了上述的参考电流源，因此其结构比较简单，并且也可以产生温度系数可调的参考电流，从而扩大了其应用性。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (3)

1.一种参考电流源，其特征在于，包括：正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路，所述正温度系数产生电路用于产生具有正温度系数的第一电流；所述负温度系数产生电路用于产生具有负温度系数的第二电流；所述控制电路连接所述正温度系数产生电路和负温度系数产生电路，用于对所述第一电流和第二电流进行加总以产生参考电流，所述参考电流的温度系数可调；

所述正温度系数产生电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第一放大器、第一电阻、第一三极管和第二三极管；

所述第一MOS管的源极连接电源电压，栅极连接第二MOS管的栅极，漏极连接第一电阻的第一端和第一放大器的正相输入端；所述第一电阻的第二端连接第二三极管的发射极；所述第二三极管的基极与集电极相连且连接至地；所述第二MOS管的源极连接电源电压，漏极连接第一三极管的发射极和第一放大器的负相输入端；所述第一放大器的输出端连接第一MOS管和第二MOS管的栅极，输出第一电压；所述第一三极管的基极与集电极相连且连接至地；其中，所述第一MOS管的漏极电流为第一电流；

所述负温度系数产生电路包括：第三MOS管、第二电阻、第一三极管和第二放大器；

所述第三MOS管的源极连接电源电压，栅极连接第二放大器的输出端，漏极连接第二电阻的第一端和第二放大器的正相输入端；第二电阻的第二端接地；所述第二放大器的负相输入端连接第一三极管的发射极，输出端输出第二电压；其中，所述第三MOS管的漏极电流为第二电流；

所述正温度系数产生电路和所述负温度系数产生电路共用所述第一三极管，共同借助于所述第一三极管的基极和发射极之间的电压差来产生第一电流和第二电流；

所述控制电路包括：两个MOS管和多个控制支路，其中，一个MOS管的栅极接收第一电压，另一个MOS管的栅极接收第二电压，所述多个控制支路选择性地连接至所述两个MOS管，所述参考电流为所述两个MOS管的漏极电流与被选择连接至所述两个MOS管的控制支路的电流之和；

所述两个MOS管为第六MOS管和第七MOS管，所述多个控制支路分成第一控制支路组和第二控制支路组，各控制支路分别包括一个电子开关和一个MOS管；

所述第六MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第一电压；所述第七MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第二电压，漏极与第六MOS管的漏极相连；

所述第一控制支路组的各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压，漏极连接所述第六MOS管的漏极；所述第一控制支路组的各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第六MOS管的栅极；

所述第二控制支路组的各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压，漏极连接所述第七MOS管的漏极；所述第二控制支路组的各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第七MOS管的栅极；

所述电子开关为MOS开关；

控制电路包括4个控制支路。

2.一种参考电流产生电路，其特征在于，包括：参考电流源和启动电路；所述启动电路用于启动所述参考电流源；所述参考电流源包括：正温度系数产生电路、负温度系数产生电路和控制电路，所述正温度系数产生电路用于产生具有正温度系数的第一电流；所述负温度系数产生电路用于产生具有负温度系数的第二电流；所述控制电路连接所述正温度系数产生电路和负温度系数产生电路，用于对所述第一电流和第二电流进行加总以产生参考电流，所述参考电流的温度系数可调；

所述正温度系数产生电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第一放大器、第一电阻、第一三极管和第二三极管；

所述第一MOS管的源极连接电源电压，栅极连接第二MOS管的栅极，漏极连接第一电阻的第一端和第一放大器的正相输入端；所述第一电阻的第二端连接第二三极管的发射极；所述第二三极管的基极与集电极相连且连接至地；所述第二MOS管的源极连接电源电压，漏极连接第一三极管的发射极和第一放大器的负相输入端；所述第一放大器的输出端连接第一MOS管和第二MOS管的栅极，输出第一电压；所述第一三极管的基极与集电极相连且连接至地；其中，所述第一MOS管的漏极电流为第一电流；

所述负温度系数产生电路包括：第三MOS管、第二电阻、第一三极管和第二放大器；

所述第三MOS管的源极连接电源电压，栅极连接第二放大器的输出端，漏极连接第二电阻的第一端和第二放大器的正相输入端；第二电阻的第二端接地；所述第二放大器的负相输入端连接第一三极管的发射极，输出端输出第二电压；其中，所述第三MOS管的漏极电流为第二电流；

所述正温度系数产生电路和所述负温度系数产生电路共用所述第一三极管，共同借助于所述第一三极管的基极和发射极之间的电压差来产生第一电流和第二电流；

所述控制电路包括：两个MOS管和多个控制支路，其中，一个MOS管的栅极接收第一电压，另一个MOS管的栅极接收第二电压，所述多个控制支路选择性地连接至所述两个MOS管，所述参考电流为所述两个MOS管的漏极电流与被选择连接至所述两个MOS管的控制支路的电流之和；

所述两个MOS管为第六MOS管和第七MOS管，所述多个控制支路分成第一控制支路组和第二控制支路组，各控制支路分别包括一个电子开关和一个MOS管；

所述第六MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第一电压；所述第七MOS管的源极连接电源电压，栅极接收所述第二电压，漏极与第六MOS管的漏极相连；

所述第一控制支路组的各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压，漏极连接所述第六MOS管的漏极；所述第一控制支路组的各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第六MOS管的栅极；

所述第二控制支路组的各控制支路中的MOS管的源极连接电源电压，漏极连接所述第七MOS管的漏极；所述第二控制支路组的各控制支路中的电子开关的一端连接同一控制支路中的MOS管的栅极，另一端连接所述第七MOS管的栅极；

所述电子开关为MOS开关；

所述控制电路包括4个控制支路。

3.如权利要求2所述的参考电流产生电路，其特征在于，还包括一关断电路，所述关断电路连接所述启动电路和参考电流源，用于在所述参考电流源输出的参考电流稳定后关断所述启动电路。