CN103524054B - 褪膜剂及使用该褪膜剂的ito玻璃的褪膜方法 - Google Patents
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Abstract
一种褪膜剂,按照质量百分含量计包括如下组分:42%~45%的有机酸,33%~38%的非离子表面活性剂,0.8%~1.2%的金属缓冲剂及15.8%~24.2%的水。上述褪膜剂可除去ITO玻璃的ITO层且可避免玻璃基板破碎。本发明还提供一种使用上述褪膜剂的ITO玻璃的褪膜方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种褪膜剂及使用该褪膜剂的ITO玻璃的褪膜方法。
背景技术
ITO玻璃具有良好透明导电性能,具有禁带宽、可见光区域光透射率高和电阻率低等优点,从而广泛的应用于平板显示器件、太阳能电池及其他光电器件中。ITO玻璃是在玻璃基板表面通过磁控溅射等方法沉积一层氧化铟锡(ITO)层制成。当ITO层达不到要求或者出现瑕疵的时候,就要将ITO玻璃的ITO层除去。
目前,一般都采用抛光的方法除去ITO层,通过打磨除去ITO层。然而,通过抛光打磨除去ITO层时,容易导致ITO玻璃的玻璃基板破碎。
发明内容
基于此,有必要提供一种可除去ITO玻璃的ITO层且可避免玻璃基板破碎的褪膜剂及使用该褪膜剂的ITO玻璃的褪膜方法。
一种褪膜剂,按照质量百分含量计包括如下组分:
42%~45%的有机酸,33%~38%的非离子表面活性剂,0.8%~1.2%的金属缓冲剂及15.8%~24.2%的水。
在优选的实施例中,所述有机酸为有机羧酸。
在优选的实施例中,所述非离子表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚。
在优选的实施例中,所述金属缓冲剂为苯骈三氮唑。
一种ITO玻璃的褪膜方法,包括以下步骤:
使用上述的褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层得到玻璃基板;
干燥所述玻璃基板;
清洗所述玻璃基板;及
风干所述玻璃基板。
在优选的实施例中,所述ITO玻璃在使用所述褪膜剂除去ITO层之前还包括步骤:
清洗所述ITO玻璃以除去所述ITO玻璃表面的污垢;及
干燥所述ITO玻璃。
在优选的实施例中,清洗所述ITO玻璃时先使用水喷淋所述ITO玻璃,再使用滚刷清洗所述ITO玻璃。
在优选的实施例中,使用所述褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层时,依次使用滚刷及盘刷清理所述ITO玻璃以除去ITO层。
在优选的实施例中,清洗所述玻璃基板时依次包括以下步骤:
使用水及盘刷对玻璃基板进行清洗;
使用水及滚刷对玻璃基板进行清洗;
使用水对所述玻璃基板进行高压喷淋;
使用水对所述玻璃基板进行二流体喷淋;
使用超纯水对所述玻璃基板进行超纯水喷淋;及
使用超纯水对所述玻璃基板进行超纯水洗涤。
在优选的实施例中,风干所述玻璃基板时依次使用热风刀及冷风刀风干。
上述褪膜剂是弱酸,对ITO层有蚀刻作用,可以除去ITO玻璃的ITO膜层;使用该褪膜剂可以除去ITO玻璃的ITO层,同时不会造成ITO玻璃的玻璃基板破碎。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将对本发明进行更全面的描述。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
一实施方式的褪膜剂,按照质量百分含量计包括如下组分:
42%~45%的有机酸,33%~38%的非离子表面活性剂,0.8%~1.2%的金属缓冲剂及15.8%~24.2%的水。
优选的,有机酸为有机羧酸。具体的,有机羧酸为硫代乙酸。
优选的,非离子表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚。具体的,烷基酚聚氧乙烯醚为辛基酚聚氧乙烯醚。
优选的,金属缓冲剂为苯骈三氮唑(C6H5N3)。
上述褪膜剂配制时,将有机酸、非离子表面活性剂、金属缓冲剂及水按照比例混合即可。
上述褪膜剂是弱酸,对ITO层有蚀刻作用,可以除去ITO玻璃的ITO膜层。
一实施方式的ITO玻璃的褪膜方法,包括以下步骤:
步骤S110、清洗ITO玻璃以除去ITO玻璃表面的污垢。
ITO玻璃包括玻璃基板及形成于玻璃基板表面的ITO层。
具体在本实施方式中,清洗ITO玻璃之前先对ITO玻璃进行电阻测试。使用方块电阻仪对ITO玻璃表面进行9点测试法测试ITO玻璃的方块电阻。优选的,待褪膜的ITO玻璃的方块电阻为200欧姆~5000欧姆。电阻越低,ITO膜层越厚,越厚的膜层蚀刻较慢,时间较长。
具体在本实施方式中,清洗ITO玻璃时,先使用水喷淋ITO玻璃,再使用滚刷清洗ITO玻璃。优选的,喷淋的水压为1.2MPa~1.5MPa。优选的,将ITO玻璃自喷淋处传送至滚刷清洗处,传送的速度为0.5m/min~1m/min。本实施方式中,清洗ITO玻璃时使用2#水箱中储存的水,并将清洗后的废水存入1#水箱。1#水箱的水进入废水处理站进行后续处理。
步骤S120、干燥ITO玻璃。
清洗ITO玻璃后,ITO玻璃表面会有水,该步骤中干燥ITO玻璃可避免将ITO玻璃表面的水带入下一个处理流程。
具体在本实施方式中,干燥ITO玻璃的方式为烘干、风干或晾干。
步骤S130、使用褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层得到玻璃基板。
褪膜剂,按照质量百分含量计包括如下组分:
42%~45%的有机酸,33%~38%的非离子表面活性剂,0.8%~1.2%的金属缓冲剂及15.8%~24.2%的水。
优选的,有机酸为有机羧酸。具体的,有机羧酸为硫代乙酸。
优选的,非离子表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚。具体的,烷基酚聚氧乙烯醚为辛基酚聚氧乙烯醚。
优选的,金属缓冲剂为苯骈三氮唑(C6H5N3)。
具体在本实施方式中,使用褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层时,依次使用滚刷及盘刷清理所述ITO玻璃以除去ITO层。滚刷与盘刷配合褪膜剂的蚀刻性能可以将ITO玻璃的ITO层除去。
步骤S140、干燥玻璃基板。
使用褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层后,得到的玻璃基板表面会残留褪膜剂,该步骤中干燥玻璃基板可避免将玻璃基板表面的脱模剂带入下一个处理流程。
具体在本实施方式中,干燥玻璃基板的方式为烘干、风干或晾干。
步骤S150、清洗玻璃基板。
具体在本实施方式中,使用水清洗玻璃基板。当然,也可以使用其他清洗剂清洗,比如乙醇,丙酮等。
具体的,清洗玻璃基板包括以下步骤:
使用水及盘刷对玻璃基板进行清洗;
使用水及滚刷对玻璃基板进行清洗;
使用水对玻璃基板进行高压喷淋;
使用水对玻璃基板进行二流体喷淋;
使用超纯水对玻璃基板进行超纯水喷淋;及
使用超纯水对玻璃基板进行超纯水洗涤。
具体在本实施方式中,使用3#水箱的水及盘刷对玻璃基板进行清洗,使用3#水箱的水及滚刷对玻璃基板进行清洗,清洗后的废水排入2#水箱。
具体在本实施方式中,使用4#水箱的水对玻璃基板进行高压喷淋,喷淋后的废水排入3#水箱。
具体在本实施方式中,使用5#水箱的水对玻璃基板进行二流体喷淋(BJ喷淋),喷淋后的废水排入4#水箱。
具体在本实施方式中,使用超纯水对玻璃基板进行超纯水喷淋及超纯水洗涤,超纯水喷淋及超纯水洗涤后的废水排入6#水箱。进一步的,对超纯水喷淋及超纯水洗涤后的废水进行pH值检测,如果pH值小于7,表示清洗不合格。具体在本实施方式中,在6#水箱中设置pH值电子感应器,当pH值电子感应器感应到6#水箱中的废水的pH值小于7时,就会报警,说明对玻璃基板清洗不合格,玻璃上残留有褪膜剂,因为褪膜剂为酸性,对再次镀ITO膜层有危害。
具体在本实施方式中,将玻璃基板自动传送依次进行上述清洗步骤,传送的速度为3m/min~4.5m/min。
步骤S160、风干玻璃基板。
具体在本实施方式中,依次使用热风刀及冷风刀风干玻璃基板。优选的,热风刀的温度为35℃~45℃,冷风刀的温度为20℃~25℃,冷风刀及热风刀的风压为7.5MPa~8MPa。
上述ITO玻璃的褪膜方法,使用褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层,无需进行打磨,会造成ITO玻璃的玻璃基板破碎。
以下结合具体实施例对褪膜剂及ITO玻璃的褪膜方法进行详细说明。
实施例1
1.1、清洗ITO玻璃以除去ITO玻璃表面的污垢。
ITO玻璃包括玻璃基板及形成于玻璃基板表面的ITO层。ITO玻璃的方块电阻为200欧。
清洗ITO玻璃时,先使用水喷淋ITO玻璃,再使用滚刷清洗ITO玻璃。喷淋的水压为1.2MPa。
将ITO玻璃自喷淋处传送至滚刷清洗处,传送的速度为0.5m/min。
清洗ITO玻璃时使用2#水箱中储存的水,并将清洗后的废水存入1#水箱。1#水箱的水进入废水处理站进行后续处理。
1.2、干燥ITO玻璃。
清洗ITO玻璃后,ITO玻璃表面会有水,该步骤中干燥ITO玻璃可避免将ITO玻璃表面的水带入下一个处理流程。干燥ITO玻璃的方式为风干。
1.3、使用褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层得到玻璃基板。
褪膜剂,按照质量百分含量计包括如下组分:
42%的硫代乙酸,33%的辛基酚聚氧乙烯醚,0.8%的苯骈三氮唑及24.2%的水。
依次使用滚刷及盘刷清理所述ITO玻璃以除去ITO层。滚刷与盘刷配合褪膜剂的蚀刻性能可以将ITO玻璃的ITO层除去。
步骤1.4、干燥玻璃基板。
使用褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层后,得到的玻璃基板表面会残留褪膜剂,该步骤中干燥玻璃基板可避免将玻璃基板表面的脱模剂带入下一个处理流程。
干燥玻璃基板的方式为风干。
步骤1.5、清洗玻璃基板。
具体的,清洗玻璃基板包括以下步骤:
使用3#水箱的水及盘刷对玻璃基板进行清洗;
使用3#水箱的水及滚刷对玻璃基板进行清洗;
使用4#水箱的水对玻璃基板进行高压喷淋;
使用5#水箱的水对玻璃基板进行二流体喷淋;
使用超纯水对玻璃基板进行超纯水喷淋;及
使用超纯水对玻璃基板进行超纯水洗涤。
使用3#水箱的水及盘刷对玻璃基板进行清洗,使用3#水箱的水及滚刷对玻璃基板进行清洗,清洗后的废水排入2#水箱。使用4#水箱的水对玻璃基板进行高压喷淋,喷淋后的废水排入3#水箱。使用5#水箱的水对玻璃基板进行二流体喷淋(BJ喷淋),喷淋后的废水排入4#水箱。使用超纯水对玻璃基板进行超纯水喷淋及超纯水洗涤,超纯水喷淋及超纯水洗涤后的废水排入6#水箱。
具体的,将玻璃基板自动传送依次进行上述清洗步骤,传送的速度为3.5m/min。
6#水箱中设置的pH值电子感应器检测到6#水箱中水的pH值为7.1。
步骤1.6、依次使用热风刀及冷风刀风干玻璃基板。
热风刀的温度为45℃,冷风刀的温度为25℃,冷风刀及热风刀的风压为7.5MPa。
使用方块电阻仪器对玻璃基板表面电阻检测,电阻值为无限大。
使用射灯对玻璃基板表面进行检测,显示无划痕。
实施例2
2.1、清洗ITO玻璃以除去ITO玻璃表面的污垢。
ITO玻璃包括玻璃基板及形成于玻璃基板表面的ITO层。ITO玻璃的方块电阻为1000欧。
清洗ITO玻璃时,先使用水喷淋ITO玻璃,再使用滚刷清洗ITO玻璃。喷淋的水压为1.5MPa。优选的,将ITO玻璃自喷淋处传送至滚刷清洗处,传送的速度为1m/min。清洗ITO玻璃时使用2#水箱中储存的水,并将清洗后的废水存入1#水箱。1#水箱的水进入废水处理站进行后续处理。
2.2、干燥ITO玻璃。
清洗ITO玻璃后,ITO玻璃表面会有水,该步骤中干燥ITO玻璃可避免将ITO玻璃表面的水带入下一个处理流程。干燥ITO玻璃的方式为风干。
2.3、使用褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层得到玻璃基板。
褪膜剂,按照质量百分含量计包括如下组分:
45%的硫代乙酸,38%的辛基酚聚氧乙烯醚,1.2%的苯骈三氮唑及15.8%的水。
依次使用滚刷及盘刷清理所述ITO玻璃以除去ITO层。滚刷与盘刷配合褪膜剂的蚀刻性能可以将ITO玻璃的ITO层除去。
步骤2.4、干燥玻璃基板。
使用褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层后,得到的玻璃基板表面会残留褪膜剂,该步骤中干燥玻璃基板可避免将玻璃基板表面的脱模剂带入下一个处理流程。
干燥玻璃基板的方式为风干。
步骤2.5、清洗玻璃基板。
具体的,清洗玻璃基板包括以下步骤:
使用3#水箱的水及盘刷对玻璃基板进行清洗;
使用3#水箱的水及滚刷对玻璃基板进行清洗;
使用4#水箱的水对玻璃基板进行高压喷淋;
使用5#水箱的水对玻璃基板进行二流体喷淋;
使用超纯水对玻璃基板进行超纯水喷淋;及
使用超纯水对玻璃基板进行超纯水洗涤。
使用3#水箱的水及盘刷对玻璃基板进行清洗,使用3#水箱的水及滚刷对玻璃基板进行清洗,清洗后的废水排入2#水箱。使用4#水箱的水对玻璃基板进行高压喷淋,喷淋后的废水排入3#水箱。使用5#水箱的水对玻璃基板进行二流体喷淋(BJ喷淋),喷淋后的废水排入4#水箱。使用超纯水对玻璃基板进行超纯水喷淋及超纯水洗涤,超纯水喷淋及超纯水洗涤后的废水排入6#水箱。
具体的,将玻璃基板自动传送依次进行上述清洗步骤,传送的速度为4.5m/min。
6#水箱中设置的pH值电子感应器检测到6#水箱中水的pH值为7.3。
步骤2.6、依次使用热风刀及冷风刀风干玻璃基板。
热风刀的温度为35℃,冷风刀的温度为20℃,冷风刀及热风刀的风压为8MPa。
使用方块电阻仪器对玻璃基板表面电阻检测,电阻值为无限大。
使用射灯对玻璃基板表面进行检测,显示无划痕。
以上所述实施例仅表达了本发明的一种或几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种褪膜剂,其特征在于,按照质量百分含量计包括如下组分:
42%~45%的有机酸,33%~38%的非离子表面活性剂,0.8%~1.2%的金属缓冲剂及15.8%~24.2%的水。
2.根据权利要求1所述的褪膜剂,其特征在于,所述有机酸为有机羧酸。
3.根据权利要求2所述的褪膜剂,其特征在于,所述非离子表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚。
4.根据权利要求1所述的褪膜剂,其特征在于,所述金属缓冲剂为苯骈三氮唑。
5.一种ITO玻璃的褪膜方法,其特征在于,包括以下步骤:
使用权利要求1-4任一项所述的褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层得到玻璃基板;
干燥所述玻璃基板;
清洗所述玻璃基板;及
风干所述玻璃基板。
6.根据权利要求5所述的ITO玻璃的褪膜方法,其特征在于,所述ITO玻璃在使用所述褪膜剂除去ITO层之前还包括步骤:
清洗所述ITO玻璃以除去所述ITO玻璃表面的污垢;及
干燥所述ITO玻璃。
7.根据权利要求6所述的ITO玻璃的褪膜方法,其特征在于,清洗所述ITO玻璃时先使用水喷淋所述ITO玻璃,再使用滚刷清洗所述ITO玻璃。
8.根据权利要求5所述的ITO玻璃的褪膜方法,其特征在于,使用所述褪膜剂除去ITO玻璃的ITO层时,依次使用滚刷及盘刷清理所述ITO玻璃以除去ITO层。
9.根据权利要求5所述的ITO玻璃的褪膜方法,其特征在于,清洗所述玻璃基板时依次包括以下步骤:
使用水及盘刷对玻璃基板进行清洗;
使用水及滚刷对玻璃基板进行清洗;
使用水对所述玻璃基板进行高压喷淋;
使用水对所述玻璃基板进行二流体喷淋;
使用超纯水对所述玻璃基板进行超纯水喷淋;及
使用超纯水对所述玻璃基板进行超纯水洗涤。
10.根据权利要求5所述的ITO玻璃的褪膜方法,其特征在于,风干所述玻璃基板时依次使用热风刀及冷风刀风干。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108863104B (zh) * | 2017-05-10 | 2021-11-23 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 玻璃退镀剂及玻璃退镀工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201455761U (zh) * | 2009-06-30 | 2010-05-12 | 杭州博士杰机械科技有限公司 | 平板玻璃冷加工机组 |
CN201519688U (zh) * | 2009-07-07 | 2010-07-07 | 深圳市时代超声设备有限公司 | 超白玻璃清洗机 |
CN101962776A (zh) * | 2010-09-01 | 2011-02-02 | 济南德锡科技有限公司 | 退锡剂及其制备方法 |
TW201307237A (zh) * | 2011-05-24 | 2013-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | 洗淨劑及玻璃基板之洗淨方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201455761U (zh) * | 2009-06-30 | 2010-05-12 | 杭州博士杰机械科技有限公司 | 平板玻璃冷加工机组 |
CN201519688U (zh) * | 2009-07-07 | 2010-07-07 | 深圳市时代超声设备有限公司 | 超白玻璃清洗机 |
CN101962776A (zh) * | 2010-09-01 | 2011-02-02 | 济南德锡科技有限公司 | 退锡剂及其制备方法 |
TW201307237A (zh) * | 2011-05-24 | 2013-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | 洗淨劑及玻璃基板之洗淨方法 |
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