CN103522165B - 研磨垫成型模具的制造方法、研磨垫成型模具及研磨垫 - Google Patents
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- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 314
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 68
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 14
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 78
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 63
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 11
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 11
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 10
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 9
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 7
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 5
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 4
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 102000010970 Connexin Human genes 0.000 description 1
- 108050001175 Connexin Proteins 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000018199 S phase Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- SIBIBHIFKSKVRR-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynecobalt Chemical compound [Co]#P SIBIBHIFKSKVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
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- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/06—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明提供一种能够高精密且高效率地进行平坦加工的研磨垫成型模具的制造方法、研磨垫成型模具及研磨垫。形成有排列了细微凸部（12）微型图案α的研磨垫（13）的研磨垫成型模具（10）的制造方法，具有制作在基板（21）的一方侧形成有相对于微型图案α凹凸关系被翻转了的微型图案β的母模（26）的母模制作工序；用母模（26）制作在表层形成有微型图案γ的正片子模（27）的正片子模制作工序；用正片子模（27）制作在表层形成有微型图案δ的底片子模（18）的底片子模制作工序，和把底片子模（18）的形成有微型图案δ的表层当作上面排列固定在底座（17）上构成研磨垫成型模具（10）的组装工序。
Description
技术领域
本发明涉及用来制造高精密且高效率地进行半导体基板等要求高度平坦性的部件的平坦加工的研磨垫（日文：研磨パッド）的研磨垫成型模具的制造方法、由该方法制造的研磨垫成型模具，及由该模具制造的研磨垫。
背景技术
以往，半导体基板用的研磨垫，例如，通过使发泡氨基甲酸乙酯树脂流入型箱并硬化以形成发泡氨基甲酸乙酯的块体，从所得到的块体切割出规定厚度（例如，1mm）的平板来制造研磨垫。因此，所制造的研磨垫不具备高的平坦性，在研磨开始之前，用金刚石砂轮等进行打磨（也称作修整），使研磨用垫具备高的平坦性。但是，打磨后的垫的表面状态不稳定且容易变动，进而，存在加工后的研磨垫的表面状态在加工流程其间发生大的变动等问题。而且，通过打磨在研磨垫表面形成的细微凹凸图案，成为影响在研磨垫表面上对包含研磨材料的型心粘合液（日文：スラリー）进行的保持的作用，和把新鲜的型心粘合液朝半导体基板的被研磨面进行供给的作用的主要原因，基于打磨的方法，无法在研磨垫的表面总是形成固定不变的细微凹凸图案，存在无法在半导体基板上稳定地进行高精密的平坦加工的问题。
进而，在起因于发泡氨基甲酸乙酯而在研磨垫的表层部出现的孔中，会研磨中积存研磨材料、切削渣等，因此，从半导体基板产生的切削渣的去除性能会逐渐降低，随之，新鲜的型心粘合液朝半导体基板的被研磨面的供给性能也降低，因此，会产生研磨速度降低的问题。因此，要定期对研磨垫的表面进行切削而形成新的表面，但是，发泡氨基甲酸乙酯内的空洞存在尺寸偏差，而且没有均匀地分散，所以，在对研磨垫的表面进行切削而形成新的表面时，还存在表面出现的孔的尺寸分布、分散状态改变，研磨垫的研磨性能无法总是保持固定不变的问题。
于是，例如，在专利文献1中，公开了这样的技术，即，由与型心粘合液具有优异的亲和性的原料所构成的无发泡部件来形成研磨垫的母体，在此母体的表面使用光刻技术（日文：フォトリソグラフィ技術）形成细微凹凸图案，由此来制造研磨垫。由于用无发泡部件形成研磨垫，因此不用担心在研磨中研磨材料、切削渣等积存在表层部，由于研磨垫的表面的细微凹凸图案用光刻技术形成，因此，可以形成总是固定不变的细微凹凸图案，可以稳定地达成型心粘合液在研磨垫表面上的保持性，和新鲜的型心粘合液朝半导体基板的被研磨面的供给性。
专利文献1：日本特许第4845347号公报
发明内容
但是，专利文献1的研磨垫，在制造的每一张研磨垫上，用光刻技术在该表层部形成细微凹凸图案，因此，产生研磨垫的生产率显著降低的问题。而且，研磨垫的制造工序，由制造研磨垫的本体的工序和在本体的表面形成细微凹凸图案的工序构成，因此，制造工序变得烦杂，存在制造花费时间，而且制造成本上升的问题。
于是，考虑在用于半导体基板的单晶的硅晶片的表面，利用MEMS（micro Electro-Mechanical system微型机电系统）技术，作为细微凹凸图案的一例，形成把倒金字塔状（例如，一个边为7μm的正方形、深度为4.9μm的正四棱锥形）的孔按一定间隔（例如，5μm）排列成的图案，把此硅晶片当作制造研磨垫的成型模具使用。即，把树脂板（例如，氨基甲酸乙酯树脂板）推压到把倒金字塔状的孔排列形成的硅晶片上，一边加压一边进行加热，使成为软化状态的树脂板的表层部的材料的一部分浸入倒金字塔状的孔中，从而，能够在树脂板的表层部形成把金字塔状的突出部按一定间隔排列的微小凹凸图案。但是，能够使用的单晶的硅晶片的尺寸，受限于供半导体基板制造用的单晶硅棒的尺寸，所以，存在在作为研磨垫所要求的尺寸的树脂板上无法形成微小凹凸图案的问题，由于硅晶片硬而且脆，所以，反复使用时存在可靠性降低的问题。
本发明鉴于该情形而提出，目的是提供能够容易且廉价地制造用来高精密且高效率地进行半导体基板等要求高度平坦性的部件的平坦加工的研磨垫的研磨垫成型模具的制造方法、由该方法制造的研磨垫成型模具，及由该模具制造的研磨垫。
用来达成上述目的的第1发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法，用于制造研磨垫，该研磨垫在进行板状的被研磨材料的平坦加工时使用，该研磨垫在一方的表面侧形成有按设定的间隔分散配置有细微凸部P的微型图案α，该研磨垫成型模具的制造方法具有：
母模制作工序，其在单晶的基板的一方的表面侧，与上述微型图案α的上述细微凸部P的配置相应地设置形成有跟该细微凸部P的底部尺寸相同的孔的保护罩，经由该保护罩对上述基板的一方的表面侧进行蚀刻，以制作在该基板的一方的表面侧形成有微型图案β的母模，该微型图案β与上述微型图案α的上述细微凸部P的配置相应地分散配置有与上述细微凸部P凹凸关系翻转了的细微凹部Q；
正片子模制作工序，其把上述母模的上述微型图案β进行转印，以制作正片子模，该正片子模在与上述细微凹部Q对应的位置形成有微型图案γ，该微型图案γ分散配置有与该细微凹部Q尺寸相同而凹凸关系翻转了的细微凸部R；
底片子模制作工序，其把上述正片子模的上述微型图案γ进行转印，以制作底片子模，该底片子模在与上述细微凸部R对应的位置形成有微型图案δ，该微型图案δ分散配置有与该细微凸部R尺寸相同而凹凸关系翻转了的细微凹部S；和
组装工序，其把上述底片子模的形成有上述微型图案δ的表层侧当作表面，一边把该底片子模的侧部彼此抵接一边把该底片子模排列固定在底座上构成上述研磨垫成型模具。
在第1发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，可以为，上述底片子模具有把上述正片子模的形成有上述微型图案γ的表面侧当作基底面通过电镀形成的平板状金属部件，固定上述底片子模的上述底座为平板。
在第1发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，可以为，上述底片子模具有把上述正片子模的形成有上述微型图案γ的表面侧当作径向内侧弯曲成圆弧状，把形成有该微型图案γ的表面侧当作基底面通过电镀形成的圆弧状金属部件，固定上述底片子模的上述底座为具有与上述圆弧状金属部件的径向内侧的曲率相同的曲率的辊。
用来达成上述目的的第2发明涉及的研磨垫成型模具，通过第1发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法制造。
用来达成上述目的的第3发明涉及的研磨垫，用第2发明涉及的研磨垫成型模具制造。
在第3发明涉及的研磨垫中，优选为，上述基板是从沿［100］方向成长的单晶硅的棒以（100）面作为切出面切出的硅平板，上述保护罩设置在上述硅平板的（100）面上，上述细微凸部P为正四棱锥形细微突起，该正四棱锥形细微突起的底面的1边的长度为0.1～30μm，相邻的该正四棱锥形细微突起间的距离为1～30μm。
用来达成上述目的的第4发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法，用于制造研磨垫，该研磨垫在进行板状的被研磨材料的平坦加工时使用，该研磨垫在一方的表面侧形成有按设定的间隔分散配置有细微凸部的微型图案A，该研磨垫成型模具的制造方法具有：
正片模制作工序，其在基板的一方的表面侧，用通过照射促进反应用能量线来引起化学反应的材料形成厚度与上述细微凸部的高度相当的被加工层，使对应于该被加工层内的位置进行照射的上述促进反应用能量线的能量照射量改变，通过化学反应与该细微凸部的配置相应地在该被加工层内生成尺寸与上述细微凸部相同的细微反应凸部，然后，从该被加工层除去非化学反应区域，以制作正片模，该正片模在上述基板的一方的表面侧形成了分散配置有上述细微反应凸部的微型图案B；
底片模制作工序，其把上述正片模的上述微型图案B进行转印，以制作底片模，该底片模在与上述细微反应凸部对应的位置，形成了分散配置有尺寸与该细微反应凸部相同而凹凸关系翻转了的细微凹部的微型图案C；和
组装工序，其把上述底片模的形成有上述微型图案C的面当作表面侧，一边把该底片模的侧部彼此抵接一边把该底片模排列固定在底座上构成上述研磨垫成型模具。
在第4发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，可以为，上述基板为平板，上述底片模具有把上述正片模的形成有上述微型图案B的面当作基底面通过电镀形成的平板状金属部件，固定上述底片模的上述底座为平板。
在第4发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，还可以为，上述基板为具有挠性的平板，上述底片模具有把上述正片模的形成有上述微型图案B的面当作径向内侧弯曲成圆弧状，把形成有该微型图案B的面当作基底面通过电镀形成的圆弧状金属部件，固定上述底片模的上述底座为具有与上述圆弧状金属部件的径向内侧的曲率相同的曲率的辊。
用来达成上述目的的第5发明涉及的研磨垫成型模具，通过第4发明涉及的研磨垫的制造方法制造。
用来达成上述目的的第6发明涉及的研磨垫，用第5发明涉及的研磨垫成型模具制造。
在第6发明涉及的研磨垫中，优选为，上述细微凸部的形状为正四棱锥，底面的1边的长度为0.1～30μm，相邻的上述正四棱锥间的距离为1～30μm。
在第1发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，细微凹部Q与细微凸部P的配置相应地，经由形成有与细微凸部P的底部尺寸相同的孔的保护罩通过蚀刻形成，因此，可以在母模上形成把微型图案α正确翻转了的微型图案β。而且，在把母模的微型图案β转印而制作的正片子模上，形成把微型图案β正确翻转了的微型图案γ（因此，与微型图案α相同），在把正片子模的微型图案γ转印而制作的底片子模上，形成把微型图案γ正确翻转了的正确的微型图案δ（因此，与微型图案β相同），因此，通过把从母模经由正片子模制作的多个底片子模排列固定在具有所期望的面积的底座上，可以遍布所期望的面积形成正确的微型图案δ（微型图案β）。结果，能够容易且廉价地制作用来把具有所期望的面积的研磨垫成形的研磨垫成型模具。
在第1发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，在底片子模具有把正片子模的形成有微型图案γ的表面侧当作基底面通过电镀形成的平板状金属部件的情况下，可以高效且廉价地制作具备正确的微型图案δ的具有可靠性的底片子模。而且，在固定底片子模的底座为平板的情况下，可以容易且廉价地制造能制造大型的研磨垫的研磨垫成型模具。
在第1发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，在底片子模具有把正片子模的形成有微型图案γ的表面侧当作径向内侧弯曲成圆弧状，把形成有微型图案γ的表面侧当作基底面通过电镀形成的圆弧状金属部件的情况下，可以高效且廉价地制作具备正确的微型图案δ的具有可靠性的底片子模。而且，在固定底片子模的底座为具有与圆弧状金属部件的径向内侧的曲率相同的曲率的辊的情况下，可以容易且廉价地制造能制造具有所期望的宽度的长尺寸（带状）的研磨垫的研磨垫成型模具。
在第2发明涉及的研磨垫成型模具中，可以在具有所期望的尺寸的研磨垫用的原料的一方的表面侧，容易且有效地形成把细微凸部P按设定的间隔分散配置了的微型图案α，由此，可以廉价地制造能够高精密且高效率地进行平坦加工的所期望的尺寸的研磨垫。
在第3发明涉及的研磨垫中，由于具有正确的微型图案α，因此，在把研磨垫推压在被研磨材料上进行研磨的情况下，研磨垫经由形成在研磨垫上的细微凸部P的顶部与被研磨材料的研磨面接触，可以使存在于细微凸部P之间的间隙中的含有研磨材料的型心粘合液有效地与被研磨材料的研磨面接触。进而，当把型心粘合液在研磨中连续供给时，被供给的型心粘合液会通过细微凸部P的间隙，因此，可以总是使新鲜的型心粘合液与被研磨材料的研磨面接触，而且，可以使研磨时产生的切削渣混入型心粘合液的液流中将其去除。结果，可以高精密且有效地进行被研磨材料的平坦加工。
在第3发明涉及的研磨垫中，基板是从沿［100］方向成长的单晶硅的棒以（100）面作为切出面切出的硅平板，保护罩设置在硅平板的（100）面上，细微凸部P为正四棱锥形细微突起，正四棱锥形细微突起的底面的1边的长度为0.1～30μm、相邻的正四棱锥形细微突起间的距离为1～30μm，在此情况下，可以使存在于被相邻的正四棱锥形细微突起围合的间隙中的型心粘合液沿正四棱锥形细微突起的斜面移动，可以有效地使新鲜的型心粘合液与被研磨材料的研磨面接触。结果，可以对被研磨面整体均匀地进行研磨。
在第4发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，在制造用来制造形成有排列了细微凸部的微型图案A的研磨垫的研磨垫成型模具时，在基板的一方的表面侧用通过照射促进反应用能量线来引起化学反应的材料设置被加工层，改变对应于被加工层内的位置进行照射的促进反应用能量线的能量照射量，而通过化学反应在被加工层内按照与细微凸部相同的配置形成尺寸与细微凸部相同的细微反应凸部，以制作正片模，因此，能够高效且正确地把要制造的研磨垫的微型图案A作为微型图案B再现在正片模上。而且，由于在从正片模制作成的底片模上，形成有能够通过转印来形成微型图案A的微型图案C，因此，通过把底片模排列固定在具有所期望的面积的底座上，就可以容易且廉价地制作用来成形具有所期望的面积的研磨垫的研磨垫成型模具。
在第4发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，基板为平板，底片模具有把正片模的形成有微型图案B的面当作基底面通过电镀形成的平板状金属部件，在此情况下，可以容易且廉价地制作具有可靠性的底片模。而且，在固定底片模的底座为平板的情况下，可以容易且廉价地制造能够制造大型的研磨垫的研磨垫成型模具。
在第4发明涉及的研磨垫成型模具的制造方法中，基板为具有挠性的平板，底片模是把正片模的形成有微型图案B的面当作径向内侧弯曲成圆弧状，把形成有微型图案B的面当作基底面通过电镀形成的圆弧状金属部件，在此情况下，可以容易且廉价地制作具有可靠性底片模。而且，在固定底片模的底座为具有圆弧状金属部件的径向内侧的曲率相同的曲率的辊的情况下，可以容易且廉价地制造能够制造具有所期望的宽度的长尺寸（带状）的研磨垫的研磨垫成型模具。
在第5发明涉及的研磨垫成型模具中，由于能够在具有所期望的尺寸的研磨垫用的原料的一方的表面侧，容易且有效地形成把细微凸部按设定的间隔分散配置了的微型图案A，因此，可以廉价地制造能够高精密且高效率地进行平坦加工的所期望的尺寸的研磨垫。
在第6发明涉及的研磨垫中，由于在研磨垫的一方的表面侧形成有把细微凸部按设定的间隔分散配置了的微型图案A，因此，在用研磨垫的一方的表面侧对被研磨材料进行研磨时，研磨垫经由形成在研磨垫上的细微凸部的顶部与被研磨材料的研磨面接触，可以使存在于细微凸部之间的间隙中的含有研磨材料的型心粘合液有效地与被研磨材料的研磨面接触。进而，当把型心粘合液在研磨中连续地供给时，被供给的型心粘合液会通过细微凸部的间隙，所以，能总是使新鲜的型心粘合液与被研磨材料的研磨面接触，而且，能使研磨时产生的切削渣混入型心粘合液的液流将其去除。结果，能高精密且高效率地进行被研磨材料的平坦加工。
在第6发明涉及的研磨垫中，细微凸部的形状为正四棱锥，底面的1边的长度为0.1～30μm、相邻的正四棱锥间的距离为1～30μm，在此情况下，可以使存在于被相邻的正四棱锥围住的间隙中的型心粘合液沿正四棱锥的斜面移动，可以有效地使新鲜的型心粘合液与被研磨材料的研磨面接触。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的研磨垫成型模具与由该模具制造的研磨垫的说明图。
图2（A）是研磨垫的俯视图、图2（B）是形成在研磨垫上的细微凸部的立体图。
图3是表示使用研磨垫进行研磨时的状况的说明图。
图4（A）、（B）是该研磨垫成型模具的制造方法中的母模制作工序的说明图。
图5（A）～（C）分别是该研磨垫成型模具的制造方法中的正片子模制作工序、底片子模制作工序、组装工序的说明图。
图6是本发明的第2实施方式涉及的研磨垫成型模具与由该模具制造的研磨垫的说明图。
图7（A）、（B）是该研磨垫成型模具的制造方法中的母模制作工序的说明图。
图8（A）～（C）分别是该研磨垫成型模具的制造方法中的正片子模制作工序、底片子模制作工序、组装工序的说明图。
图9是本发明的第3实施方式涉及的研磨垫成型模具与由该模具制造的研磨垫的说明图。
图10（A）是研磨垫的俯视图、图10（B）是表示形成在研磨垫上的细微凸部的立体图。
图11是表示使用研磨垫进行研磨时的状况的说明图。
图12（A）～（C）是该研磨垫成型模具的制造方法中的正片模制作工序的说明图。
图13（A）～（C）是该研磨垫成型模具的制造方法中的底片模制作工序的说明图。
图14是本发明的第4实施方式涉及的研磨垫成型模具与由该模具制造的研磨垫的说明图。
图15（A）～（C）是该研磨垫成型模具的制造方法中的底片模制作工序的说明图。
具体实施方式
接着，参照附图对本发明的具体实施方式进行说明，以供理解本发明。
本发明的第1实施方式涉及的研磨垫成型模具10，如图1～图3所示，用来制造研磨垫13，该研磨垫13在对作为板状的被研磨材料的一例的半导体基板11（例如，硅晶片）的平坦加工时使用，其在一方的表面侧（平坦加工时与半导体基板11的被加工面接触的那侧）形成有微型图案α，该微型图案α，例如，通过把作为顶部的高度H为0.1～20μm的细微凸部P的一例的正四棱锥形细微突起12（斜面角度θ＝30～80度），按相邻的正四棱锥形细微突起12的顶部的间隔D为1.1～60μm、正四棱锥形细微突起12的底面的1边的长度L为0.1～30μm、相邻的正四棱锥形细微突起12的底面间的间隔G为1～30μm的方式排列配置（分散配置）而构成。以下，进行详细说明。
研磨垫成型模具10，把成为研磨垫13的原料的能进行塑性加工的平板（例如，把作为热可塑性树脂的一例的聚醚酮醚（PEEK，日文：ポリエーテルエーテルケトン）板加热而成为软化状态的平板）从上下方向夹住进行加压，具有在平板的一方侧，例如，在上表面侧形成微型图案α的上模14，和载置支撑平板的下模15。在此，上模14具有推压平板的上表面，在上表面侧通过塑性加工形成微型图案α的图案成形部16，和保持图案成形部16的上模本体17。进而，图案成形部16，具有在使侧部彼此紧贴的状态下分别配置（固定）在上模本体17上，一体地推压平板来形成微型图案α的多个底片子模18。
在各底片子模18上形成有微型图案δ（相对于微型图案α凹凸关系翻转了的图案），该微型图案δ为细微凹部S的一例，相对于正四棱锥形细微突起12成为凹凸关系翻转了的形状，通过把底部的深度K为0.1～20μm的正四棱锥形细微凹坑19使相邻的正四棱锥形细微凹坑19的底部的间隔E为1.1～60μm进行排列配置而构成。而且，排列存在于底片子模18（图案成形部16）的表面侧（上模14的下表面侧）的正四棱锥形细微凹坑19的开口20的1边的长度M为0.1～30μm、开口20的间隔J为1～30μm。
通过形成以上的结构，当从上方把上模14推压在载置在下模15上的软化状态的平板上时，构成平板的原料的一部分，从构成微型图案δ的各正四棱锥形细微凹坑19的开口20进入正四棱锥形细微凹坑19内，因此，正四棱锥形细微凹坑19内被构成平板的原料的一部分填满之后，当使上模14朝上方移动而从平板离开时，在平板的上表面侧会排列配置由进入正四棱锥形细微凹坑19内的原料形成的正四棱锥形细微突起12，形成微型图案α。而且，通过对形成了微型图案α的平板进行冷却成为硬化状态，来得到研磨垫13。
另外，当把上模14推压到平板上时，通过使下模15的上表面与上模14的下表面的距离固定，可以使各正四棱锥形细微突起12的顶部与研磨垫13的下表面之间的距离成为定值（使研磨垫13的厚度均匀）。由此，当把半导体基板11与研磨垫13接触时，可以使半导体基板11的研磨垫13的接触面相对于研磨垫13的下表面平行。
接着，对本发明的第1实施方式涉及的研磨垫成型模具10的制造方法进行说明。
如图4（A）、（B）所示，研磨垫成型模具10的制造方法具有制作母模26的母模制作工序，其在单晶的基板，例如，从沿［100］方向成长的单晶硅的棒以（100）面作为切出面切出的硅平板21的一方侧，在与微型图案α的正四棱锥形细微突起12的底面对应的区域设置形成有尺寸与底面相同的正方形的孔22的保护罩23，经由保护罩23，利用由每个硅平板21的结晶面决定的除去加工速度的差来进行蚀刻以制作母模26，该母模26，作为细微凹部Q的一例，通过把相对于正四棱锥形细微突起12凹凸关系翻转了的、底部的深度为0.1～20μm的蚀痕构成的正四棱锥形细微凹坑24（斜面角度为30～80度），以使相邻的正四棱锥形细微凹坑24的底部的间隔E为1.1～60μm、正四棱锥形细微凹坑24的开口25的1边的长度M为0.1～30μm、开口25的间隔J为1～30μm的方式排列，形成了相对于微型图案α凹凸关系翻转了的微型图案β。微型图案β与微型图案α的正四棱锥形细微突起12的配置相应地分配配置正四棱锥形细微凹坑24。
而且，研磨垫成型模具10的制造方法具有制作正片子模27的正片子模制作工序，如图5（A）～（C）所示，正片子模27使用母模26来成形，通过把微型图案β进行转印（相对于微型图案β使凹凸关系翻转）而在一方的表层上分散配置了作为细微凸部R的一例的正四棱锥形细微突起29的微型图案γ的平板状的树脂部件来构成正片子模27。进而，研磨垫成型模具10的制造方法为，具有底片子模制作工序和组装工序，该底片子模制作工序，用来制作底片子模18，该底片子模18具有通过电镀（日文：めっき）形成在正片子模27的形成有微型图案γ的表层上的电镀金属部31（例如，镍、钴、钴－镍合金、钴－磷合金（日文：コバルト-磷合金）等），该电镀金属部31是由相对于微型图案γ凹凸关系翻转了的正四棱锥形细微凹坑19构成的在表层上形成有微型图案δ的平板状金属部件的一例，；该组装工序把底片子模18的形成有微型图案δ的表层当作上面，一边将底片子模18的侧部彼此抵接一边排列固定在作为底座的一例的平板构成的上模本体17（例如，不锈钢钢板、普通钢板、合金钢板、铸铁板、铝等有色金属板等）上来构成研磨垫成型模具10的上模14。以下，进行详细说明。
（1）母模制作工序
图4（A）所示，在切出的硅平板21的一方的（100）面上形成保护层（例如，丙烯类树脂、环氧类树脂等），通过用光刻（日文：リソグラフィ）技术形成孔22，从而形成保护罩23。另外，硅平板21的另一方的（100）面上及侧部也形成保护层。接在着，使蚀刻液经由保护罩23与硅平板21的一方的（100）面。另外，在蚀刻液中使用例如，氢氧化钙、氢氧化四甲基铵等。蚀刻液与从保护罩23的孔22露出的硅平板21的露出部接触，在露出部，通过蚀刻液的反应形成的氢氧化硅溶解到蚀刻液中来进行蚀刻，形成蚀痕。
在此，在对硅平板21的（100）面进行蚀刻时，硅原子细密地填充了（111）的蚀刻速度最慢，因此，蚀刻速度受制于（111）的蚀刻速度来进行。因此，形成的蚀痕的形状，底部的1边的长度与正方形的孔22的1边的长度同值，而斜面是由（111）面构成的正四棱锥形。而且，在进行规定时间蚀刻之后，通过从硅平板21除去蚀刻液，对硅平板21进行清洗，从而能够在硅平板21的一方的（100）面上形成相对于正四棱锥形细微突起12，凹凸关系被翻转了的正四棱锥形细微凹坑24所构成的微型图案β。接着，通过把保护罩23溶解到药品（例如，TMAH（四甲基铵羟基（日文：アンモニウムヒドロキシ）溶液）、KOH（氢氧化钙溶液）、EDP（乙撑二胺·邻苯二酚溶液）等）来除去，从而如图4（B）所示，获得母模26。
（2）正片子模制作工序
如图5（A）所示，当用母模26从平板状的树脂部件制作正片子模27时，在作为树脂部件使用热可塑性树脂（例如，硅、氟类树脂、PEEK（聚醚酮醚）等）的情况下，把加热到成为软化状态的温度的平板状的树脂部件载置在未图示的成形台上面，把母模26从上方进行推抵。在作为树脂部件使用热硬化性树脂（例如，环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、环氧类树脂等）的情况下，不进行加热，使树脂部件流入到未图示的成形台上面，把母模26从上方进行推抵。由此，平板状的树脂部件的一部分从正四棱锥形细微凹坑24的开口25进入正四棱锥形细微凹坑24内，因此，把正四棱锥形细微凹坑24内用树脂部件的一部分充满之后，使母模26朝上方移动，从树脂部件离开，于是，在树脂部件的上表面侧，排列配置（分散配置）由进入正四棱锥形细微凹坑24内的树脂部件形成，且相对于正四棱锥形细微凹坑24凹凸关系被翻转了的正四棱锥形细微突起29（因此，形状与正四棱锥形细微突起12相同），形成具备微型图案γ的正片子模27。
而且，在作为树脂部件使用硬化型树脂（例如，硅、氟类树脂）、光硬化型树脂（例如，通过紫外线的照射硬化的丙烯类树脂）的情况下，用母模26构成铸模（未图示），在铸模内注入树脂部件，使树脂部件的一部分从正四棱锥形细微凹坑24的开口25进入正四棱锥形细微凹坑24内，使树脂部件硬化，然后，从铸模取出树脂部件，于是，在树脂部件的上表面侧，排列配置由进入正四棱锥形细微凹坑24内的树脂部件形成的正四棱锥形细微突起29，形成具备微型图案γ的正片子模27。
（3）底片子模制作工序
如图5（B）所示，在从正片子模27制作底片子模18的情况下，首先，在正片子模27的形成有微型图案γ的表层上，通过PVD（例如，蒸镀）形成金属构成的电极层30。在此，构成电极层30的金属必须与构成底片子模18的电镀金属部31具有良好的粘接性，例如，可以使用镍、金、银、铜等。接着，在电极层30的上面（把电极层30的表面当作基底面），通过电镀形成厚度例如为0.1～5mm的电镀金属部31，从而获得底片子模18。
而且，把底片子模18从正片子模27分离之后，对电镀金属部31的表面（电极层30的相反侧的面）侧进行研磨来调节底片子模18的厚度。在此，正片子模27的微型图案γ转印在形成在正片子模27上的电极层30上，因此，在底片子模18上，把相对于正四棱锥形细微突起29（正四棱锥形细微突起12）凹凸关系被翻转了的形状，且底部的深度K为0.1～20μm、开口20的1边的长度M为0.1～30μm、开口20的间隔J为1～30μm的正四棱锥形细微凹坑19，以使相邻的正四棱锥形细微凹坑19的底部的间隔E为1.1～60μm的方式进行排列配置（即，在与正四棱锥形细微突起29对应的位置，按与正四棱锥形细微突起29相同的尺寸，分散配置有正四棱锥形细微凹坑19），形成微型图案δ。
（4）组装工序
如图5（C）所示，在由底片子模18构成上模14的情况下，把底片子模18的形成有微型图案δ的表层当作上面，一边把底片子模18的侧部彼此抵接一边排列固定在上模本体17的下表面上。在此，在把底片子模18紧贴在上模本体17上进行配置的情况下，夹着相邻的底片子模18的边界部进行调整，使相邻的正四棱锥形细微凹坑19的底部的间隔E′与底片子模18内的相邻的正四棱锥形细微凹坑19的底部的间隔E成为相同的值。由此，在相邻的底片子模18间可以确保微型图案δ的连续性。
接着，对用研磨垫成型模具10制作的研磨垫13的作用进行说明。
研磨垫13通过把能进行塑性加工的平板用上模14及下模15从上下方向夹住进行加压成形来制造，因此具备高的平坦性。而且，如图2（A）、（B）、图3所示，在研磨垫13的一面侧，形成把顶部的高度H为0.1～20μm、底面的1边的长度L为0.1～30μm的正四棱锥形细微突起12（斜面角度θ＝30～80度）以使相邻的正四棱锥形细微突起12的顶部的间隔D为1.1～60μm、相邻的正四棱锥形细微突起12的间隔G为1～30μm的方式排列配置了的微型图案α。因此，与以往相比较，不需要进行从研磨垫用的原料切出作为研磨垫的母材的平板，和要求熟练打磨（确保研磨垫的平坦性并形成细微凹凸图案）等一系列操作。结果，不仅可以迅速进行半导体基板11的平坦加工，而且能保持研磨垫13的研磨性能一直固定不变。
而且，在进行半导体基板11的平坦加工的情况下，半导体基板11由构成研磨垫13的微型图案α的正四棱锥形细微突起12的顶部进行支撑，在正四棱锥形细微突起12间的间隙中，存在从研磨垫13的中央部的上方滴下的型心粘合液（含有研磨材料），因此，可以使型心粘合液总是与半导体基板11的下表面（被研磨面）接触。而且，由于正四棱锥形细微突起12间的间隙连续，所以，研磨时产生的切削渣可以随着向研磨垫13新供给型心粘合液而与使用过了的型心粘合液一起移动到研磨垫13的外周部，排出到研磨垫13的外部。另外，由于在形成研磨垫13的原料中不存在气孔，所以，切削渣不会侵入研磨垫13内。结果，可以有效地朝半导体基板11的被研磨面供给新鲜的型心粘合液，并能有效地从被研磨面除去切削渣，不仅能维持高的研磨速度，而且能够稳定地对半导体基板11进行高精密的平坦加工。
本发明的第2实施方式涉及的研磨垫成型模具32，如图6所示，用来制造带状研磨垫34，该带状研磨垫34在对作为板状的被研磨材料的一例的半导体基板11（参照图3）进行平坦加工时使用，其在一方侧（与半导体基板11的被加工面接触的那侧）形成微型图案α，该微型图案α把顶部的高度H为0.1～20μm的作为细微凸部P的一例的正四棱锥形细微突起33（斜面角度θ＝30～80度）以使相邻的正四棱锥形细微突起33的顶部的间隔D为1.1～60μm、正四棱锥形细微突起33的底面的1边的长度L为0.1～30μm、相邻的正四棱锥形细微突起33的底面间的间隔G为1～30μm的方式排列配置而构成。以下，进行详细说明。
研磨垫成型模具32，具有一对上、下辊36、37，该一对上下辊36、37用来把作为带状研磨垫34的原料的能进行塑性加工的带板35（例如，把作为热可塑性树脂的一例的聚醚酮醚（PEEK）带板加热而成为软化状态的带板）从上下方向夹住进行加压，在带板35的一方侧，例如，在上表面侧形成微型图案α。在此，在上、下辊36、37间设置距离与带状研磨垫34的厚度相当的间隙，在加压时分别向相反方向旋转。而且，上辊36具有推压带板35的上表面而通过塑性加工在上表面侧形成微型图案α的图案成形部38，和保持图案成形部38的辊本体39。进而，图案成形部38具有在使侧部彼此紧贴的状态下分别配置（固定）在辊本体39的外周部，对带板35一体地进行推压来形成微型图案α的多个底片子模40。
在底片子模40上，作为细微凹部S的一例，成为相对于正四棱锥形细微突起33凹凸关系被翻转了的形状，形成有微型图案δ（相对于微型图案α凹凸关系被翻转了的图案），该微型图案δ通过把底部的深度K为0.1～20μm的正四棱锥形细微凹坑41以使相邻的正四棱锥形细微凹坑41的底部的间隔E为1.1～60μm的方式排列配置而构成。而且，排列存在于底片子模40（图案成形部38）的表面侧（上辊36的外周部）的正四棱锥形细微凹坑41的开口42的1边的长度M为0.1～30μm、开口42的间隔J为1～30μm。
通过形成以上的结构，把上辊36从上方推压到被插入相互朝相反方向旋转的上、下辊36、37间的软化状态的带板35上，于是，构成带板35的原料的一部分从构成微型图案δ的正四棱锥形细微凹坑41的开口42进入正四棱锥形细微凹坑41内，因此，在从上、下辊36、37间通过的带板35的上表面侧排列配置由进入正四棱锥形细微凹坑41内的原料所形成正四棱锥形细微突起33，形成微型图案α。而且，在形成了微型图案α的带板35（带状研磨垫34）冷却硬化之后，通过裁断成规定的尺寸而获得研磨垫34a。
另外，通过使上、下辊36、37间的间隙的距离固定，可以使各正四棱锥形细微突起33的顶部与带状研磨垫34的下表面之间的距离成为定值（因此，使研磨垫34a的厚度均匀）。由此，当把半导体基板11与研磨垫34a接触时，可以使半导体基板11的研磨垫34a的接触面与研磨垫34a的下表面平行。
接着，对本发明的第2实施方式涉及的研磨垫成型模具32的制造方法进行说明。
如图7（A）、（B）所示，研磨垫成型模具32的制造方法具有制作母模48的母模制作工序，该母模48形成有微型图案β，其在单晶的基板的一方侧，例如，在从沿［100］方向成长的单晶硅的棒以（100）面作为切出面切出的硅平板43的一方侧，在与微型图案α的正四棱锥形细微突起33的底面对应的区域设置形成有尺寸与底面相同的正方形的孔44的保护罩45，经由保护罩45，利用由每个硅平板43的结晶面决定的除去加工速度的差进行蚀刻，作为细微凹部Q的一例，把相对于正四棱锥形细微突起33凹凸关系被翻转了的、底部的深度为0.1～20μm的蚀痕构成的正四棱锥形细微凹坑46（斜面角度φ为30～80度），以使相邻的正四棱锥形细微凹坑46的底部的间隔E为1.1～60μm、正四棱锥形细微凹坑46的开口47的1边的长度M为0.1～30μm、开口47的间隔J为1～30μm的方式进行排列，形成相对于微型图案α凹凸关系被翻转了的微型图案β。
进而，研磨垫成型模具32的制造方法，如图8（A）～（C）所示，具有：制造正片子模49的正片子模制作工序，该正片子模49用母模48成形，通过在一方的表层上形成有转印了微型图案β的（相对于微型图案β凹凸关系被翻转了的）微型图案γ的平板状的树脂部件构成；制作底片子模40的底片子模制作工序，该底片子模40通过把所得到的正片子模49形成有微型图案γ的表层侧当作径向内侧将该正片子模49弯曲而在径向内侧的表层上通过电镀来形成，该底片子模40具有在表层上形成有相对于微型图案γ凹凸关系被翻转了的微型图案δ的作为圆弧状金属部件的一例的电镀金属部53（例如，镍、钴、钴－镍合金、镍－磷（日文：リン）合金等）；以及组装工序，其把底片子模40的形成有微型图案δ的表层当作上面一边使底片子模40的侧部彼此抵接一边排列固定在作为底座的一例的辊本体39（例如，不锈钢钢制的辊、普通钢制的辊、合金钢制的辊、铸铁制的辊、铝等有色金属制的辊等）上构成研磨垫成型模具32的上辊36。以下，进行详细说明。
（1）母模制作工序
如图7（A）所示，在切出的硅平板43的一方的（100）面上形成保护层（例如，丙烯类树脂、环氧类树脂等），通过用光刻技术形成孔44来形成保护罩45。另外，在硅平板43的另一方的（100）面上及硅平板43的侧部也形成保护层。接着，经由保护罩45使蚀刻液接触到硅平板43的一方的（100）面。另外，在蚀刻液中使用例如，氢氧化钙、氢氧化四甲基铵等。蚀刻液与从保护罩45的孔44露出的硅平板43的露出部接触，在露出部，通过蚀刻液的反应所形成的氢氧化硅溶解到蚀刻液中，由此进行蚀刻，形成蚀痕。
在此，在对硅平板43的（100）面进行蚀刻的情况下，由于（111）的蚀刻速度最慢，所以，蚀刻受制于（111）的蚀刻速度进行。因此，所形成的蚀痕的形状，其底部的1边的长度与正方形的孔44的1边的长度等值，斜面成为（111）面构成的正四棱锥形。而且，在进行规定时间蚀刻之后，从硅平板43除去蚀刻液，对硅平板43进行清洗，从而在硅平板43的一方的（100）面上，可以形成由相对于构成微型图案α的正四棱锥形细微突起33凹凸关系被翻转了的正四棱锥形细微凹坑46所构成的微型图案β。接着，通过把保护罩45溶解到有机溶剂（例如，丙酮等）中除去，从而如图7（B）所示，获得母模48。
（2）正片子模制作工序
如图8（A）所示，在用母模48从平板状的树脂部件制作正片子模49时，在作为树脂部件使用热可塑性树脂（例如，硅、氟类树脂、PEEK（聚醚酮醚）等）的情况下，把被加热到成为软化状态的温度的平板状的树脂部件载置在未图示的成形台上，把母模48从上方进行推抵。由此，平板状的树脂部件的一部分就从正四棱锥形细微凹坑46的开口47进入正四棱锥形细微凹坑46内，因此，在正四棱锥形细微凹坑46内被树脂部件的一部分充满之后，把母模48朝上方移动而从树脂部件离开，于是，在树脂部件的上表面侧，会排列配置由进入正四棱锥形细微凹坑46内的树脂部件形成的、作为细微凸部R的一例相对于构成微型图案β的正四棱锥形细微凹坑46凹凸关系被翻转了的正四棱锥形细微突起51（因此，形状与正四棱锥形细微突起33相同），形成具备微型图案γ的正片子模49。
而且，在作为树脂部件使用硬化型树脂（例如，硅、氟类树脂）、光硬化型树脂（例如，通过照射紫外线而硬化的丙烯类树脂）的情况下，用母模48构成铸模（未图示），在铸模内注入树脂部件，使树脂部件的一部分从正四棱锥形细微凹坑46的开口47进入正四棱锥形细微凹坑46内，使树脂部件硬化之后，从铸模取出树脂部件，于是，在树脂部件的上表面侧会排列配置由进入构成微型图案β的正四棱锥形细微凹坑46内的树脂部件所形成的正四棱锥形细微突起51，形成具备微型图案γ的正片子模49。
（3）底片子模制作工序
如图8（B）所示，在从正片子模49制作底片子模40的情况下，首先，把正片子模49的形成有微型图案γ的表层侧当作径向内侧进行弯曲，在表层上通过PVD（例如，蒸镀）形成金属构成的电极层52。在此，由于构成电极层52的金属与构成底片子模40的电镀金属部53的粘接性必须良好，例如，可以使用镍、金、银、铜等。接着，把电极层52当作基底层，通过电镀形成厚度为例如0.1～5mm的电镀金属部53，从而获得底片子模40。
而且，在把底片子模40从正片子模49分离之后，对电镀金属部53的表面（电极层52的相反侧的面）侧进行研磨来调节底片子模40的厚度。在此，由于在形成在正片子模49上的电极层52上转印正片子模49的微型图案γ，因此，在底片子模40上，成为相对于正四棱锥形细微突起51（正四棱锥形细微突起33）凹凸关系被翻转了的形状地，把底部的深度K为0.1～20μm、开口42的1边的长度M为0.1～30μm、开口42的间隔J为1～30μm的正四棱锥形细微凹坑41以使相邻的正四棱锥形细微凹坑41的底部的间隔E为1.1～60μm的方式进行排列配置，形成微型图案δ。
（4）组装工序
如图8（C）所示，在从底片子模40构成上辊36的情况下，把底片子模40的形成有微型图案δ的表层当作上面，一边使底片子模40的侧部彼此抵接一边排列固定在辊本体39的下表面上。在此，辊本体39的半径被调节成与底片子模40（电镀金属部53）的径向内侧的曲率相同的曲率，在把底片子模40与辊本体39紧贴进行配置的情况下，夹住相邻的底片子模40的边界部，以使相邻的正四棱锥形细微凹坑41的底部的间隔E′与底片子模40内的相邻的正四棱锥形细微凹坑41的底部的间隔E成为等值的方式进行调整。由此，在相邻的底片子模40间可以确保微型图案δ的连续性。
另外，用研磨垫成型模具32制作的研磨垫34a的作用，与用研磨垫成型模具10制作的研磨垫13的作用相同，因此省略其说明。
本发明的第3实施方式涉及的研磨垫成型模具60，如图9、图10（A）、（B）、图11所示，用来制造研磨垫63，该研磨垫63在进行作为板状的被研磨材料的一例的半导体基板61（例如，硅晶片）的平坦加工时使用，其在一方的表面侧（进行平坦加工时与半导体基板11的被加工面接触的那侧），形成有例如通过把顶部的高度H2为0.1～20μm的作为细微凸部的一例的正四棱锥形细微突起62（斜面角度θ＝30～80度），以使相邻的正四棱锥形细微突起62的顶部的间隔D2为1.1～60μm、正四棱锥形细微突起62的底面的1边的长度L2为0.1～30μm、相邻的正四棱锥形细微突起62的底面间的间隔G2为1～30μm的方式进行排列配置（分散配置）而构成的微型图案A。以下，进行详细说明。
研磨垫成型模具50具有上模64和下模65，该上模54，把成为研磨垫63的原料的能进行塑性加工的平板（例如，对作为热可塑性树脂的一例的聚醚酮醚（PEEK）板进行加热而成为软化状态的平板）从上下方向夹住进行加压，在平板的一方侧，例如，在上表面侧形成微型图案A上模64；该下模65对平板进行载置支撑。在此，上模64具有推压平板的上表面，在上表面侧通过塑性加工形成微型图案A的图案成形部66，和保持图案成形部66的上模本体67。进而，图案成形部66具有在把侧部彼此紧贴的状态下分别配置（固定）在上模本体67上，一体地对平板进行推压，形成微型图案A的多个底片模68。
在底片模68上，作为细微凹部的一例，形成有相对于正四棱锥形细微突起62凹凸关系被翻转了的形状的、把底部的深度K2为0.1～20μm的正四棱锥形细微凹坑69以使相邻的正四棱锥形细微凹坑69的底部的间隔E2为1.1～60μm的方式排列配置而构成的微型图案C（相对于微型图案A凹凸关系被翻转了的图案）。而且，排列存在于底片模68（图案成形部66）的表面侧（上模64的下表面侧）的正四棱锥形细微凹坑69的开口70的1边的长度M2为0.1～30μm、开口70的间隔J2为1～30μm。
通过形成以上的结构，当从上方把上模64推抵在载置在下模65上的软化状态的平板上时，构成平板的原料的一部分从构成微型图案C的各正四棱锥形细微凹坑69的开口70进入正四棱锥形细微凹坑69内，因此，在正四棱锥形细微凹坑69内被构成平板的原料的一部分充满之后，当使上模64朝上方移动而从平板离开时，在平板的上表面侧就排列配置由进入正四棱锥形细微凹坑69内的原料形成的正四棱锥形细微突起62，形成微型图案A。而且，通过把形成有微型图案A的平板冷却成硬化状态来获得研磨垫63。另外，当把上模64推抵在平板上时，通过使下模65的上表面与上模64的下表面的距离固定不变，从而可以使各正四棱锥形细微突起62的顶部与研磨垫63的下表面之间的距离成为定值（使研磨垫63的厚度均匀），而且，可以使与各正四棱锥形细微突起62的顶部相切的平面相对于研磨垫63的下表面平行。
接着，对本发明的第3实施方式涉及的研磨垫成型模具60的制造方法进行说明。
如图12（A）～（C）所示，研磨垫成型模具60的制造方法具有制作正片模75的正片模制作工序，该正片模75，在作为基板的一例的硅平板71的一方的表面侧，通过照射作为促进反应用能量线的一例的紫外线，用引起化学反应的材料，例如用紫外线硬化型树脂形成厚度与正四棱锥形细微突起62的高度相当的被加工层72，改变与被加工层72内的位置对应地进行照射的紫外线的能量照射量，通过化学反应，与构成微型图案A的正四棱锥形细微突起62的配置相应地，在被加工层72内生成尺寸与正四棱锥形细微突起62相同的作为细微反应凸部的一例的正四棱锥形细微突出部73，然后，从被加工层72把非化学反应区域74除去，从而在硅平板71的一方的表面侧形成分散配置有正四棱锥形细微突出部73的微型图案B。
进而，研磨垫成型模具60的制造方法，如图13（A）～（C）所示，具有底片模制作工序和组装工序，该底片模制作工序制作底片模68，其把正片模75的微型图案B进行转印，在与正四棱锥形细微突出部73对应的位置形成微型图案C，该微型图案C分散配置有尺寸与正四棱锥形细微突出部73相同且凹凸关系被翻转了的作为细微凹部的一例的正四棱锥形细微凹坑69；该组装工序，把底片模68的形成有微型图案C的面当作表面侧，一边把底片模68的侧部彼此抵接一边在作为底座的一例的平板构成的上模本体67（例如，不锈钢钢板、普通钢板、合金钢板、铸铁板、铝等有色金属板等）上进行排列固定，构成研磨垫成型模具60的上模64。以下，进行详细说明。
改变与形成在如图12（A）所示的硅平板71上的被加工层72内的位置对应地进行照射的紫外线的能量照射量，在被加工层72内生成正四棱锥形细微突出部73的情况下，通过把从未图示的紫外线源（例如，产生紫外线区域的光的激光发生装置）产生的紫外线光束76用图12（B）所示的数字式反射镜设备（DMD，日文：デジタルミラーデバイス）77进行反射而对被加工层72内的目的位置进行照射来进行。即，由于在DMD77上，在平面上排列配置有能够使反射面朝任意方向倾斜的微型反射镜78，因此，通过按各微型反射镜78的每一个调整反射面的倾斜角度，从而可以把构成紫外线光束76的一部分紫外线用多个微型反射镜78反射而把被加工层72内的多个规定位置分别当作焦点同时进行入射，而且，可以把构成紫外线光束76的其余的紫外线用其它的微型反射镜78朝被加工层72的外部进行反射。而且，通过调节紫外线的照射时间（通过改变激光发生装置的激光发射数量），可以改变与被加工层72内的规定位置对应进行照射的紫外线的能量照射量。
由此，可以在被加工层72内与微型图案A上的正四棱锥形细微突起62的配置相应地，以短时间、且高加工精度（例如，定位和尺寸精度各为0.01～1μm）形成正四棱锥形细微突出部73。结果，如图12（B）所示，被加工层72，由固定在硅平板71上的多个正四棱锥形细微突出部73，和存在于正四棱锥形细微突出部73间的非化学反应区域74构成。而且，通过把非化学反应区域74溶解到药品（例如，TMAH（四甲基铵羟基溶液）、KOH（氢氧化钙溶液）、EDP（乙撑二胺·邻苯二酚溶液）等）中进行除去，从而，如图12（C）所示，可以获得在硅平板71的一方的表面侧上形成有分散配置了正四棱锥形细微突出部73的微型图案B的正片模75（以上为正片模制作工序）。
用正片模75进行的底片模68的制作为，首先，如图13（A）所示，在正片模75的形成有微型图案B的表层上，通过PVD（例如，蒸镀），例如，形成厚度为0.01～1μm的金属构成的电极层79，接着，如图13（B）所示，把沿正片模75的形成有微型图案B的表面形成的电极层79的表面当作基底面，通过电镀形成规定厚度（例如，0.1～5mm）的平板状金属部件80。在此，构成电极层79的金属，必须为与构成底片模68的平板状金属部件80粘接性良好的金属。例如，在作为紫外线硬化型树脂使用丙烯类树脂、环氧类树脂等的情况下，电极层79最好由例如，镍、金、银、铜等形成，平板状金属部件80使用例如，镍、钴、钴－镍合金、镍－磷合金等形成。
而且，在把底片模68从正片模75分离之后，对平板状金属部件80的表面（电极层79的相反侧的面）侧进行研磨而对底片模68的厚度进行调节。在此，由于在形成在正片模75上的电极层79上，转印了正片模75的微型图案B，所以，在底片模68形成相对于正四棱锥形细微突出部73（正四棱锥形细微突起62）凹凸关系被翻转了的形状，底部的深度K2为0.1～20μm、开口70的1边的长度M2为0.1～30μm、开口70的间隔J2为1～30μm的正四棱锥形细微凹坑69，以使相邻的正四棱锥形细微凹坑69的底部的间隔E2为1.1～60μm的方式进行排列配置，形成微型图案C（以上为底片模制作工序）。
如图13（C）所示，在从底片模68构成上模64的情况下，把底片模68的形成有微型图案C的面当作表面侧，一边使底片模68的侧部彼此抵接一边排列固定在上模本体67的下表面上。在此，在底片模68与上模本体67紧贴配置的情况下，夹住相邻的底片模68的边界部进行调整，以使相邻的正四棱锥形细微凹坑69的底部的间隔E2′与底片模68内的相邻的正四棱锥形细微凹坑69的底部的间隔E2等值。由此，在相邻的底片模68间可以确保微型图案C的连续性（以上为组装工序）。
接着，对用研磨垫成型模具60制作的研磨垫63的作用进行说明。
由于研磨垫63通过把能进行塑性加工的平板借助上模64及下模65从上下方向夹住进行加压成形来制造，因此，具备高的平坦性。而且，在研磨垫63的一面侧形成有微型图案A，该微型图案A把顶部的高度H2为0.1～20μm、底面的1边的长度L2为0.1～30μm的正四棱锥形细微突起62（斜面角度θ＝30～80度），以使相邻的正四棱锥形细微突起62的顶部的间隔D2为1.1～60μm、相邻的正四棱锥形细微突起62的底面间的间隔G2为1～30μm的方式进行排列配置。因此，不需要如以往那样，进行从研磨垫用的原料切出作为研磨垫的母材的平板，和需要熟练操作的打磨（确保研磨垫的平坦性以及形成细微凹凸图案）等一系列操作。结果，不仅能迅速进行半导体基板61的平坦加工，而且，能一直保持研磨垫63的研磨性能。
而且，在用研磨垫63进行半导体基板61的平坦加工时，研磨垫63经由形成在研磨垫63上的正四棱锥形细微突起62的顶部与半导体基板61的被研磨面接触，可以使存在于正四棱锥形细微突起62之间的间隙中的含有研磨材料的型心粘合液有效地与半导体基板61的被研磨面接触。进而，当把型心粘合液在研磨中连续地供给时，由于被供给的型心粘合液通过正四棱锥形细微突起62的间隙，因此，不仅能使新鲜的型心粘合液与半导体基板61的被研磨面接触，而且，可以使研磨时产生的切削渣混入型心粘合液的液流中除去。另外，由于在形成研磨垫63的原料中不存在气孔，因此，卡伊防止切削渣进入研磨垫63内。结果，不仅能维持研磨速度高，而且可以对半导体基板61稳定并有效地进行高精密的平坦加工。
本发明的第4实施方式涉及的研磨垫成型模具81，如图14所示，在作为板状的被研磨材料的一例的半导体基板61（参照图11）的平坦加工时使用，用来制作带状研磨垫83，该带状研磨垫83形成有微型图案A，该微型图案A通过在一方侧（与半导体基板61的被加工面接触的那侧），把顶部的高度H2为0.1～20μm的作为细微凸部的一例的正四棱锥形细微突起82（斜面角度θ＝30～80度），以使相邻的正四棱锥形细微突起82的顶部的间隔D2为1.1～60μm、正四棱锥形细微突起82的底面的1边的长度L2为0.1～30μm、相邻的正四棱锥形细微突起82的底面间的间隔G2为1～30μm的方式排列配置而构成。以下，进行详细说明。
研磨垫成型模具81把作为带状研磨垫83的原料的能进行塑性加工的带板84（例如，把作为热可塑性树脂的一例的聚醚酮醚（PEEK）带板加热而成为软化状态的带板）从从上下方向夹住进行加压，在带板84的一方侧，例如，具有在上表面侧形成微型图案A的一对上、下辊85、86。在此，在上、下辊85、86间设置距离与带状研磨垫83的厚度相当的间隙，在加压时分别朝相反方向旋转。而且，上辊85具有对带板84的上表面进行推压、在上表面侧上通过塑性加工形成微型图案A的图案成形部87，和对图案成形部87进行保持的辊本体88。进而，图案成形部87把侧部在彼此紧贴的状态下分别配置（固定）在辊本体88的外周部，具有一体地推压带板84形成微型图案A的多个底片模89。
在底片模89上，作为细微凹部的一例，成为相对于正四棱锥形细微突起82凹凸关系被翻转了的形状，形成有通过把底部的深度K2为0.1～20μm的正四棱锥形细微凹坑90以使相邻的正四棱锥形细微凹坑90的底部的间隔E2为1.1～60μm的方式排列配置而构成的微型图案C（相对于微型图案A凹凸关系被翻转了的图案）。而且，排列存在于底片模89（图案成形部87）的表面侧（上辊85的外周部）的正四棱锥形细微凹坑90的开口91的1边的长度M2为0.1～30μm、开口91的间隔J2为1～30μm。
通过形成以上的结构，当从上方把上辊85推抵在插入相互朝相反方向旋转的上、下辊85、86间的软化状态的带板84上时，构成带板84的原料的一部分从构成微型图案C的正四棱锥形细微凹坑90的开口91进入正四棱锥形细微凹坑90内，因此，在从上、下辊85、86之间通过的带板84的上表面侧，排列配置由进入正四棱锥形细微凹坑90内的原料形成的正四棱锥形细微突起82，形成微型图案A。而且，在把形成有微型图案A的带板84（带状研磨垫83）冷却硬化之后，通过裁断成规定的尺寸而获得研磨垫92。另外，由于上、下辊85、86间的间隙的距离固定，因此，不仅能使各正四棱锥形细微突起82的顶部与带状研磨垫83的下表面之间的距离为定值（因此，研磨垫92的厚度均匀），而且，可以使与各正四棱锥形细微突起82的顶部相切的平面平行于带状研磨垫83（因此，研磨垫92）的下表面。
接着，对本发明的第4实施方式涉及的研磨垫成型模具81的制造方法进行说明。
研磨垫成型模具81的制造方法具有制作正片模95的正片模制作工序，如图15（A）所示，在作为基板的一例的具有挠性的平板93（例如，硅树脂制的平板、丙烯树脂制的平板、玻璃制的平板等）的一方的表面侧，与形成有微型图案A的正四棱锥形细微突起82的配置相应地，生成由紫外线硬化型树脂形成的、作为尺寸与正四棱锥形细微突起82相同的细微反应凸部的一例的正四棱锥形细微突出部94，在平板93的一方的表面侧形成分散配置了正四棱锥形细微突出部94的微型图案B，然后，把形成有微型图案B的面当作径向内侧弯曲成圆弧状来制作正片模95。在此，正四棱锥形细微突出部94的形成方法与第3实施方式涉及的研磨垫成型模具60的制造方法中的正四棱锥形细微突出部73的形成方法相同，因此省略详细的说明。
进而，研磨垫成型模具81的制造方法具有制作底片模89的底片模制作工序和组装工序，如图15（B）、（C）所示，底片模制作工序把正片模95的微型图案B进行转印，在与正四棱锥形细微突出部94对应的位置形成微型图案C，该微型图案C分散配置有尺寸与正四棱锥形细微突出部94的相同且凹凸关系被翻转了的作为细微凹部的一例的正四棱锥形细微凹坑90；该组装工序，把底片模89的形成有微型图案C的面当作表面侧，一边使底片模89的侧部彼此抵接一边把排列固定在底座的一例的辊本体88（例如，不锈钢钢制的辊、普通钢制的辊、合金钢制的辊、铸铁制的辊、铝等有色金属制的辊等）上构成研磨垫成型模具81的上辊85。以下，进行详细说明。
用正片模95进行的底片模89的制作，首先，如图15（A）所示，通过PVD（例如，蒸镀）在正片模95的形成有微型图案B的表层上形成金属构成的电极层97，接着，如图15（B）所示，把沿着正片模95的形成微型图案B并弯曲成圆弧状的面形成的电极层97的表面当作基底面，通过电镀把圆弧状金属部件98形成规定厚度（例如，0.1～5mm）。在此，构成电极层97的金属，必须与形成正四棱锥形细微突出部94的紫外线硬化型树脂的粘接强度低、与圆弧状金属部件98的粘接性良好。例如，在作为紫外线硬化型树脂使用丙烯类树脂、环氧类树脂等的情况下，电极层97最好由例如，镍、金、银、铜等形成，圆弧状金属部件98使用例如，镍、钴、钴－镍合金、镍－磷合金等使用形成。
而且，在把底片模89从正片模95分离之后，对圆弧状金属部件98的表面（电极层97的相反侧的面）侧进行研磨来调节底片模89的厚度。在此，在形成在正片模95上的电极层97上转印了正片模95的微型图案B，因此，在底片模89上，成为相对于正四棱锥形细微突出部94（正四棱锥形细微突起82）凹凸关系被翻转了的形状，把底部的深度K2为0.1～20μm、开口91的1边的长度M2为0.1～30μm、开口91的间隔J2为1～30μm的正四棱锥形细微凹坑90以使相邻的正四棱锥形细微凹坑90的底部的间隔E2为1.1～60μm的方式进行排列配置，形成微型图案C。
而且，如图15（C）所示，在从底片模89构成上辊85的情况下，把底片模89形成有微型图案C的表层当作上面，一边把底片模89的侧部彼此抵接一边排列固定在辊本体88的外周部。固定底片模89的辊本体88具有与圆弧状金属部件98的径向内侧的曲率相同的曲率。在此，在使底片模89与辊本体88紧贴配置的情况下，夹住相邻的底片模89的边界部进行调整，以使相邻的正四棱锥形细微凹坑90的底部的间隔E2′与底片模89内的相邻的正四棱锥形细微凹坑90的底部的间隔E2等值。由此，可以确保微型图案C在相邻的底片模89间的连续性。
【实施例1】
对确认第1实施方式涉及的研磨垫成型模具的制造方法的作用效果的实施例进行说明。
从沿［100］方向成长的单晶硅的棒以（100）面作为切出面切出纵200mm、横200mm、厚度3mm的硅平板，在硅平板的一方侧，用PLP－30（市面销售品：AZ电子原料（日文：エレクトロニクスマテリアルズ）公司制）形成保护罩，该保护罩形成有分别与设置在要制作的研磨垫上的微型图案α的正四棱锥形细微突起的底面的形状和分布相应的多个正方形的孔。在此，孔的1边的长度为7μm、孔与孔的间隔为5μm。接着，把硅平板在蚀刻液（2.38ｗｔ%的氢氧化四甲基铵水溶液）中浸渍规定时间进行蚀刻，形成深度4.94μm、斜面角度为55度的正四棱锥形细微凹坑。而且，在把硅平板从蚀刻液取出进行清洗之后，通过把保护罩溶解到丙酮中将其除去，从而获得形成有以使正四棱锥形细微凹坑的开口的1边的长度为7μm、相邻的正四棱锥形细微凹坑的开口的间隔为5μm的方式排列成的微型图案β（相对于微型图案α凹凸关系被翻转了的微型图案）的母模。
接着，加热到150～250℃把成为可塑性状态的聚丙烯树脂板载置在成形台上，从上方推抵母模，通过在聚丙烯树脂板的上表面侧转印微型图案β来形成微型图案γ，制作成纵200mm、横200mm、厚度3mm的正片子模。
而且，在正片子模的形成有微型图案γ的表层上通过蒸镀形成镍构成的电极层之后，通过由电镀形成厚度1mm的镍构成的电镀金属部，从而，制作成纵200mm、横200mm、厚度1mm的尺寸且形成有微型图案δ的底片子模。
接着，把制作的底片子模的形成有微型图案δ的表层当作上面，一边把底片子模的侧部彼此抵接一边排列固定在不锈钢钢制的上模本体的下表面上，制作成具有纵1000mm、横1000mm的图案成形部的上模。而且，通过按与上模成对的尺寸制作不锈钢钢制成的下模，从而获得研磨垫成型模具。
把加热到400℃的成为软化状态的聚醚酮醚板（纵1000mm、横1000、厚度4mm）载置在研磨垫成型模具的下模上，用从上下方向下降的上模夹住进行加压，通过在聚醚酮醚板的上表面侧转印微型图案δ，把形成有由正四棱锥形细微突起构成的微型图案α的纵1000mm、横1000mm、厚度3mm的研磨垫成形。
对形成在所获得的研磨垫上的微型图案α的正四棱锥形细微突起的形状进行测定，正四棱锥形细微突起的高度相对于目标4.94μm为4.8～5.1μm、正四棱锥形细微突起的底边的1边的长度相对于目标7μm为6.8～7.2μm、正四棱锥形细微突起的间隔相对于目标5μm为4.8～5.2μm。
用所获得的研磨垫在小型研磨机中进行带有SiO2的硅晶片（直径20mm）的研磨。研磨这样来进行，即，把研磨垫的形成有微型图案α的面以34.5kPa的压力旋转自如地与硅晶片的上表面接触，一边使硅晶片以旋转速度60rpm进行旋转一边把按12.5mass%分散了二氧化硅颗粒（研磨材料）的型心粘合液以100毫升/分供给到被调整成pH11的氢氧化钙水溶液中。此时的研磨率为60nm/min。
而且，用市面销售的研磨垫，对相同尺寸的硅晶片在相同的研磨条件下进行研磨，研磨率为50nm/min，性能与本发明的研磨垫几乎等同。
【实施例2】
对确认第3实施方式涉及的研磨垫成型模具的制造方法的作用效果的实施例进行说明。
在纵100mm、横100mm、厚度0.3mm的硅平板的一方侧，用紫外线硬化型树脂，形成厚度与设置在要制作的研磨垫上的微型图案A的正四棱锥形细微突起的高度相当的被加工层，改变与被加工层内的位置对应地照射的紫外线的能量照射量，在被加工层内，通过化学反应，在与正四棱锥形细微突起的配置相应地生成尺寸跟正四棱锥形细微突起相同的正四棱锥形细微突出部。接着，把被加工层内的非化学反应区域溶解到TMAH中将其除去，制作出在平板的一方侧形成有分散配置了正四棱锥形细微突出部的微型图案B的正片模。
接着，通过蒸镀，在正片模的形成有微型图案B的面的上面形成镍构成的厚度为0.1μm的电极层，然后，通过电镀形成厚度为0.5mm的镍构成的电镀金属部（平板状金属部件），从而，制作出纵100mm、横100mm、厚度0.8mm的尺寸且形成有微型图案C的底片模。接着，把制作的底片模的形成有微型图案C的面当作表面侧，一边把底片模的侧部彼此抵接一边排列固定在不锈钢钢制的上模本体的下表面上，制作出具有纵1000mm、横1000mm的图案成形部的上模。进而，以与上模成对的尺寸制作不锈钢钢制成的下模，从而获得研磨垫成型模具。
把加热到400℃且成为软化状态的聚醚酮醚板（纵1000mm、横1000mm、厚度4mm）载置在研磨垫成型模具的下模上，用从上方下降的上模夹住进行加压，通过在聚醚酮醚板的上表面侧转印微型图案C，从而把由正四棱锥形细微突起构成的形成有微型图案A的纵1000mm、横1000mm、厚度3mm的研磨垫成形。
对形成在所获得的研磨垫上的微型图案A的正四棱锥形细微突起的形状进行测定，正四棱锥形细微突起的高度相对于目标4.94μm为4.8～5.1μm、正四棱锥形细微突起的底边的1边的长度相对于目标7μm为6.8～7.2μm、正四棱锥形细微突起的间隔相对于目标5μm为4.8～5.2μm。
用所获得的研磨垫在小型研磨机中进行带有SiO2的硅晶片（直径20mm）的研磨。研磨这样来进行，即，把研磨垫的形成有微型图案A的面以34.5kPa的压力旋转自如跟硅晶片的上表面接触，一边使硅晶片以旋转速度60rpm进行旋转，一边把按12.5mass%分散了二氧化硅颗粒（研磨材料）的型心粘合液以100毫升/分供给到被调整成pH11的氢氧化钙水溶液中。此时的研磨率为60nm/min。
而且，使用市面销售的研磨垫对相同尺寸的硅晶片按相同的研磨条件进行研磨，研磨率为50nm/min，性能与本发明的研磨垫几乎等同。
以上参照实施方式对本发明进行了说明，但是，本发明不限于任何上述实施方式中记载的结构，也包括在发明请求保护的范围内记载的事项范围内可以考虑到的其它的实施方式、变型例。
进而，把本实施方式和其它实施方式、变型例中分别包含的构成要素加以组合而成的技术也包括在本发明中。
例如，在第1、第2实施方式涉及的研磨垫成型模具中，作为单晶的基板采用从沿［100］方向成长的单晶硅的棒切出的平板，但是，例如，也可以使用从单晶石英的块体切出的平板、从蓝宝石的块体切出的平板。而且，在第3、第4实施方式涉及的研磨垫成型模具中，用紫外线硬化型树脂形成被加工层，但是也可以用借助可是光线开始硬化的丙烯类树脂等、借助红外线开始硬化的光硬化玻璃等，或借助电子束开始硬化的氟类树脂等形成被加工层。进而，也可以通过由照射紫外线进行结合的破坏，或由照射电子束进行结合的破坏的加工流程来形成被加工层。
而且，在实施例1、实施例2中，进行了本发明的第1、第3实施方式涉及的研磨垫成形零件的制造方法的作用、效果的确认，但是在第2、第4实施方式涉及的研磨垫成形零件的制造方法中也具有同样的作用效果。
附图标记说明
10：研磨垫成型模具、11：半导体基板、12：正四棱锥形细微突起、13：研磨垫、14：上模、15：下模、16：图案成形部、17：上模本体、18：底片子模、19：正四棱锥形细微凹坑、20：开口、21：硅平板、22：孔、23：保护罩、24：正四棱锥形细微凹坑、25：开口、26：母模、27：正片子模、29：正四棱锥形细微突起、30：电极层、31：电镀金属部、32：研磨垫成型模具、33：正四棱锥形细微突起、34：带状研磨垫、34a：研磨垫、35：带板、36：上辊、37：下辊、38：图案成形部、39：辊本体、40：底片子模、41：正四棱锥形细微凹坑、42：开口、43：硅平板、44：孔、45：保护罩、46：正四棱锥形细微凹坑、47：开口、48：母模、49：正片子模、51：正四棱锥形细微突起、52：电极层、53：电镀金属部、60：研磨垫成型模具、61：半导体基板、62：正四棱锥形细微突起、63：研磨垫、64：上模、65：下模、66：图案成形部、67：上模本体、68：底片模、69：正四棱锥形细微凹坑、70：开口、71：硅平板、72：被加工层、73：正四棱锥形细微突出部、74：非化学反应区域、75：正片模、76：紫外线光束、77：数字式反射镜设备（DMD）、78：微型反射镜、79：电极层、80：平板状金属部件、81：研磨垫成型模具、82：正四棱锥形细微突起、83：带状研磨垫、84：带板、85：上辊、86：下辊、87：图案成形部、88：辊本体、89：底片模、90：正四棱锥形细微凹坑、91：开口、92：研磨垫、93：平板、94：正四棱锥形细微突出部、95：正片模、97：电极层、98：圆弧状金属部件。
Claims (12)
1.一种研磨垫成型模具的制造方法，其特征在于，该研磨垫成形模具用于制造研磨垫，该研磨垫在进行板状的被研磨材料的平坦加工时使用，该研磨垫在一方的表面侧形成有按设定的间隔分散配置有细微凸部P的微型图案α，该研磨垫成型模具的制造方法具有：
母模制作工序，其在单晶的基板的一方的表面侧，与上述微型图案α的上述细微凸部P的配置相应地设置形成有跟该细微凸部P的底部尺寸相同的孔的保护罩，经由该保护罩对上述基板的一方的表面侧进行蚀刻，以制作在该基板的一方的表面侧形成有微型图案β的母模，该微型图案β与上述微型图案α的上述细微凸部P的配置相应地分散配置有与上述细微凸部P凹凸关系翻转了的细微凹部Q；
正片子模制作工序，其把上述母模的上述微型图案β进行转印，以制作正片子模，该正片子模在与上述细微凹部Q对应的位置形成有微型图案γ，该微型图案γ分散配置有与该细微凹部Q尺寸相同而凹凸关系翻转了的细微凸部R；
底片子模制作工序，其把上述正片子模的上述微型图案γ进行转印，以制作底片子模，该底片子模在与上述细微凸部R对应的位置形成有微型图案δ，该微型图案δ分散配置有与该细微凸部R尺寸相同而凹凸关系翻转了的细微凹部S；和
组装工序，其把上述底片子模的形成有上述微型图案δ的表层侧当作表面，一边把该底片子模的侧部彼此抵接一边把该底片子模排列固定在底座上构成上述研磨垫成型模具。
2.如权利要求1所述的研磨垫成型模具的制造方法，其特征在于，上述底片子模具有把上述正片子模的形成有上述微型图案γ的表面侧当作基底面通过电镀形成的平板状金属部件，固定上述底片子模的上述底座为平板。
3.如权利要求1所述的研磨垫成型模具的制造方法，其特征在于，上述底片子模具有把上述正片子模的形成有上述微型图案γ的表面侧当作径向内侧弯曲成圆弧状，把形成有该微型图案γ的表面侧当作基底面通过电镀形成的圆弧状金属部件，固定上述底片子模的上述底座为具有与上述圆弧状金属部件的径向内侧的曲率相同的曲率的辊。
4.一种研磨垫成型模具，其特征在于：该研磨垫成型模具通过权利要求1所述的研磨垫成型模具的制造方法制造。
5.一种研磨垫，其特征在于，该研磨垫用权利要求4所述的研磨垫成型模具制造。
6.如权利要求5所述的研磨垫，其特征在于，上述基板是从沿［100］方向成长的单晶硅的棒以（100）面作为切出面切出的硅平板，上述保护罩设置在上述硅平板的（100）面上，上述细微凸部P为正四棱锥形细微突起，该正四棱锥形细微突起的底面的1边的长度为0.1～30μm，相邻的该正四棱锥形细微突起间的距离为1～30μm。
7.一种研磨垫成型模具的制造方法，其特征在于，该研磨垫成形模具用于制造研磨垫，该研磨垫在进行板状的被研磨材料的平坦加工时使用，该研磨垫在一方的表面侧形成有按设定的间隔分散配置有细微凸部的微型图案A，该研磨垫成型模具的制造方法具有：
正片模制作工序，其在基板的一方的表面侧，用通过照射促进反应用能量线来引起化学反应的材料形成厚度与上述细微凸部的高度相当的被加工层，使对应于该被加工层内的位置进行照射的上述促进反应用能量线的能量照射量改变，通过化学反应与该细微凸部的配置相应地在该被加工层内生成尺寸与上述细微凸部相同的细微反应凸部，然后，从该被加工层除去非化学反应区域，以制作正片模，该正片模在上述基板的一方的表面侧形成了分散配置有上述细微反应凸部的微型图案B；
底片模制作工序，其把上述正片模的上述微型图案B进行转印，以制作底片模，该底片模在与上述细微反应凸部对应的位置，形成了分散配置有尺寸与该细微反应凸部相同而凹凸关系翻转了的细微凹部的微型图案C；和
组装工序，其把上述底片模的形成有上述微型图案C的面当作表面侧，一边把该底片模的侧部彼此抵接一边把该底片模排列固定在底座上构成上述研磨垫成型模具。
8.如权利要求7所述的研磨垫成型模具的制造方法，其特征在于，上述基板为平板，上述底片模具有把上述正片模的形成有上述微型图案B的面当作基底面通过电镀形成的平板状金属部件，固定上述底片模的上述底座为平板。
9.如权利要求7所述的研磨垫成型模具的制造方法，其特征在于，上述基板为具有挠性的平板，上述底片模具有把上述正片模的形成有上述微型图案B的面当作径向内侧弯曲成圆弧状，把形成有该微型图案B的面当作基底面通过电镀形成的圆弧状金属部件，固定上述底片模的上述底座为具有与上述圆弧状金属部件的径向内侧的曲率相同的曲率的辊。
10.一种研磨垫成型模具，其特征在于：该研磨垫成型模具通过权利要求7所述的研磨垫成型模具的制造方法制造。
11.一种研磨垫，其特征在于：该研磨垫用权利要求10所述的研磨垫成型模具制造。
12.如权利要求11所述的研磨垫，其特征在于，上述细微凸部的形状为正四棱锥，底面的1边的长度为0.1～30μm、相邻的上述正四棱锥间的距离为1～30μm。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012-147442 | 2012-06-29 | ||
| JP2012-147422 | 2012-06-29 | ||
| JP2012147422A JP5154704B1 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 研磨パッド成形金型の製造方法、その方法で製造される研磨パッド成形金型、及びその金型で製造した研磨パッド |
| JP2012147442A JP5154705B1 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 研磨パッド成形金型の製造方法、その方法で製造される研磨パッド成形金型、及びその金型で製造した研磨パッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103522165A CN103522165A (zh) | 2014-01-22 |
| CN103522165B true CN103522165B (zh) | 2016-12-28 |
Family
ID=49778597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310265355.9A Active CN103522165B (zh) | 2012-06-29 | 2013-06-28 | 研磨垫成型模具的制造方法、研磨垫成型模具及研磨垫 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140004780A1 (zh) |
| KR (1) | KR20140002512A (zh) |
| CN (1) | CN103522165B (zh) |
| TW (1) | TWI538777B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9457450B2 (en) * | 2013-03-08 | 2016-10-04 | Tera Xtal Technology Corporation | Pad conditioning tool |
| KR102571818B1 (ko) * | 2016-01-06 | 2023-08-29 | 삼성전자주식회사 | 머리 장착형 전자장치 |
| CN108346737B (zh) * | 2018-02-08 | 2021-08-06 | 嘉兴晶控电子有限公司 | 压电石英基片生产工艺 |
| TWI672711B (zh) * | 2019-01-10 | 2019-09-21 | 健策精密工業股份有限公司 | 絕緣金屬基板及其製造方法 |
| JP7368492B2 (ja) * | 2019-04-09 | 2023-10-24 | インテグリス・インコーポレーテッド | ディスクのセグメント設計 |
| TWI808747B (zh) * | 2022-05-06 | 2023-07-11 | 鉅侖科技股份有限公司 | 護膜裝置製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140002512A (ko) | 2014-01-08 |
| CN103522165A (zh) | 2014-01-22 |
| US20140004780A1 (en) | 2014-01-02 |
| TWI538777B (zh) | 2016-06-21 |
| TW201417953A (zh) | 2014-05-16 |
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