CN103468224B - 一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用 - Google Patents

一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用 Download PDF

Info

Publication number
CN103468224B
CN103468224B CN201310361934.3A CN201310361934A CN103468224B CN 103468224 B CN103468224 B CN 103468224B CN 201310361934 A CN201310361934 A CN 201310361934A CN 103468224 B CN103468224 B CN 103468224B
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic
rare earth
rpdin
hopdin
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310361934.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103468224A (zh
Inventor
李领伟
霍德璇
苏伟涛
苏昆朋
钱正洪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZHEJIANG BWOKAI TECHNOLOGIES Co Ltd
Original Assignee
Hangzhou Dianzi University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Dianzi University filed Critical Hangzhou Dianzi University
Priority to CN201310361934.3A priority Critical patent/CN103468224B/zh
Publication of CN103468224A publication Critical patent/CN103468224A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103468224B publication Critical patent/CN103468224B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用。本发明化学式为RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)的稀土金属材料在低温区磁制冷方面的应用。该RPdIn材料具有ZrNiAl型晶体结构。本发明磁制冷用稀土RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)材料不仅具有良好的磁、热可逆性质。在0~7T磁场变化下HoPdIn的等温磁熵变和磁制冷能力分别高达17.7 J/kgK和635 J/kg。本发明RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)材料采用常规技术手段制备,该方法工艺简单、适用于工业化。

Description

一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用
技术领域
本发明属于材料学技术领域,涉及一种磁性功能材料,特别涉及一种稀土RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)材料在低温区磁制冷方面的应用。
背景技术
磁制冷材料是一种新型磁性功能材料,它是利用磁性材料的磁热效应(即magnetocaloric effect,又称磁卡效应或磁熵效应)实现制冷的一种无污染的制冷工质材料。
磁制冷是利用外加磁场而使磁工质的磁矩发生有序、无序的变化(相变)引起磁体吸热和放热作用而进行制冷循环。通过磁制冷工质进入高磁场区域,放出热量到周围环境;进入零/低磁场区域,温度降低,吸收热量达到制冷的目的;如此反复循环可连续制冷。
磁制冷被认为是一种“绿色”的制冷方式,它不仅不排放如氟利昂等任何有害气体,而且与现有最好的制冷系统相比可以少消耗20~30﹪的能源,而且即不破坏臭氧层又不排放温室气体,而现在使用的冰箱和空调系统则正在成为全世界能源消耗的主体。
目前,磁制冷主要应用在极低温和液化氦等小规模的装置中。虽然诸多因素的限制使磁制冷技术的广泛应用尚未成熟,与传统的气体压缩制冷相比,磁制冷具有熵密度高、体积小、结构简单、无污染、噪声小、效率高及功耗低等优点,将成为未来颇具潜力的一种新的制冷方式。而取决于这一技术能否走出实验室,走进千家万户的关键是寻找优异的磁制冷材料。
根据研究,稀土RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)材料在各自磁转变温度附近部级具有较大的磁熵变和磁制冷能力,而且具有良好的磁、热可逆性质。在低温磁制冷领域具有一定的应用前景。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足,提供一种稀土RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)材料在磁制冷方面的应用。
本发明化学式为RPdIn的稀土金属材料在低温区磁制冷方面的应用,其中R为钬Ho、镝Dy或铽Tb。
所述的化学式为RPdIn的稀土金属材料具有ZrNiAl型晶体结构。
本发明磁制冷用RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)材料不仅具有良好的磁、热可逆性质,在0~7T磁场变化下,对应于钬Ho、镝Dy和铽Tb(应该是HoPdIn、DyPdIn、TbPdIn)其等温磁熵变分别高达17.7、14.4和8.2J/kgK。因此RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)材料可应用于中温区磁制冷方面。本发明RPdIn材料采用常规技术手段制备,该方法工艺简单、适用于工业化。
附图说明
图1为本发明HoPdIn材料在场冷(FC)和零场冷(ZFC)磁化强度随温度的热磁(M-T)变化曲线图;
图2为不同磁场变化下本发明HoPdIn材料的等温磁熵变随温度的变化曲线图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的分析,但具体实施案例并不对本发明作任何限定。
实施例1.HoPdIn材料的制备及性能测定
步骤(1).将16.49g(0.1摩尔)稀土金属钬Ho、10.64g(0.1摩尔)金属Pd和11.48g(0.1摩尔)金属In按照摩尔比1:1:1均匀混合成原料;将原料置于电弧炉内,对电弧炉抽真空,炉内的压力小于等于1×10-2Pa后,用体积纯度为99.9﹪的氩气清洗炉膛2次,然后充入氩气使炉内的压力达到0.98个标准大气压;
步骤(2).将处理后的原料在电弧炉内通过电弧放电加热至完全融化,继续加热5~10秒后停止加热,自然冷却至常温,形成块状物;然后将块状物翻转后再次在熔炼容器内加热至完全融化,继续加热5~10秒后停止加热,自然冷却至常温,重复本步骤3次,熔炼得到成分均匀的合金铸锭;
步骤(3).将熔炼制得的合金铸锭密封在真空度小于等于1×10-3Pa的石英容器中,在800℃高温下退火处理72小时;
步骤(4).将密封的石英容器取出,在冰水中快速冷却至常温,制得成品。制得的成品经X射线衍射证实为HoPdIn单相材料,该材料为ZrNiAl型晶体结构。
步骤(5).在美国量子设计公司生产的物性测量系统(PPMS-9)的振动样品磁强计(VSM)测量附件上测定的上述实施例1制得的HoPdIn材料的热磁(M-T)曲线如图1所示。从M-T曲线中可以确定HoPdIn材料的磁转变温度为23K。
步骤(6).在物性测量系统(PPMS)的振动样品磁强计测量(VSM)附件上测定的实施例1制备得到的HoPdIn材料在相变温度附近的等温磁化(M-H)曲线。利用公式:,计算出在不同磁场变化下的等温磁熵变。经计算得到的等温磁熵变-ΔSM与温度T的关系见图2。实施例1制备得到的HoPdIn材料在0~5T和0~7T的磁场变化下,其等温磁熵变最大值分别达到14.5J/kgK和17.7J/kgK。
步骤(7).磁制冷材料另一个重要参数为磁制冷能力RC,磁制冷能力RC等于ΔSM(T)曲线的半高宽δTFWHM乘以磁熵变最大值ΔSM max,计算得出实施例1制备得到的HoPdIn材料在0~5T和0~7T的磁场变化下,钬HoPdIn材料的磁制冷能力高达496J/kg和635J/kg。
由图1、图2可知,实施例1制备得到的HoPdIn材料在23K温度部级具有较大的磁熵变和磁制冷能力,而且具有良好的磁、热可逆性质。磁制冷材料的低温区范围为6~25K,因此可知实施例1制备得到的HoPdIn材料在低温磁制冷领域具有一定的应用前景。
实施例2.DyPdIn材料的制备及性能测定
步骤(1).将16.25g(0.1摩尔)稀土金属镝Dy、10.64g(0.1摩尔)金属Pd和11.48g(0.1摩尔)金属In按照摩尔比1:1:1均匀混合成原料;将原料置于电弧炉内,对电弧炉抽真空,炉内的压力小于等于1×10-2Pa后,用体积纯度为99.9﹪的氩气清洗炉膛3次,然后充入氩气使炉内的压力达到0.98个标准大气压;
步骤(2).将处理后的原料在电弧炉内通过电弧放电加热至完全融化,继续加热5~10秒后停止加热,自然冷却至常温,形成块状物;然后将块状物翻转后再次在熔炼容器内加热至完全融化,继续加热5~10秒后停止加热,自然冷却至常温,重复本步骤2次,熔炼得到成分均匀的合金铸锭;
步骤(3).将熔炼制得的合金铸锭密封在真空度小于等于1×10-3Pa的石英容器中,在750℃高温下退火处理60小时;
步骤(4).将密封的石英容器取出,在冰水中快速冷却至常温,制得成品。制得的成品经X射线衍射证实为DyPdIn单相材料,该材料为ZrNiAl型晶体结构。
步骤(5).在PPMS-9的振动样品磁强计(VSM)测量附件上测定的上述方法制得的DyPdIn材料的热磁(M-T)曲线可以确定DyPdIn材料的磁转变温度为35K。
步骤(6).利用公式:计算出在不同磁场变化下的等温磁熵变。实施例2制备得到的DyPdIn材料在0~5T和0~7T的磁场变化下,其等温磁熵变最大值分别达到12.3J/kgK和14.4J/kgK,对应的磁制冷能力为434J/kg和562J/kg。
实施例2制备得到的DyPdIn材料在35K温度部级具有较大的磁熵变和磁制冷能力,而且具有良好的磁、热可逆性质。该DyPdIn材料的磁转变温度在磁制冷材料的低温区范围,因此可知实施例2制备得到的DyPdIn材料在低温磁制冷领域具有一定的应用前景。
实施例3.TbPdIn材料的制备及性能测定
步骤(1).将15.89g(0.1摩尔)稀土金属Tb、10.64g(0.1摩尔)金属Pd和11.48g(0.1摩尔)金属In按照摩尔比1:1:1均匀混合成原料;将原料置于电弧炉内,对电弧炉抽真空,炉内的压力小于等于1×10-2Pa后,用体积纯度为99.9﹪的氩气清洗炉膛4次,然后充入氩气使炉内的压力达到0.96个标准大气压;
步骤(2).将处理后的原料在电弧炉内通过电弧放电加热至完全融化,继续加热5~10秒后停止加热,自然冷却至常温,形成块状物;然后将块状物翻转后再次在熔炼容器内加热至完全融化,继续加热5~10秒后停止加热,自然冷却至常温,重复本步骤4次,熔炼得到成分均匀的合金铸锭;
步骤(3).将熔炼制得的合金铸锭密封在真空度小于等于1×10-3Pa的石英容器中,在850℃下高温下退火处理70小时;
步骤(4).将密封的石英容器取出,在冰水中快速冷却至常温,制得成品。制得的成品经X射线衍射证实为TbPdIn单相材料,该材料为ZrNiAl型晶体结构。
步骤(5).在PPMS-9的振动样品磁强计(VSM)测量附件上测定的上述方法制得的TbPdIn材料的M-T曲线可以确定TbPdIn材料的磁转变温度为68K。
步骤(6).利用公式:计算出在不同磁场变化下的等温磁熵变。实施例2制备得到的TbPdIn材料在0~5T和0~7T的磁场变化下,其等温磁熵变最大值分别达到6.5J/kgK和8.2J/kgK,对应的磁制冷能力为398J/kg和554J/kg。
实施例3制备得到的TbPdIn材料在68K温度部级具有较大的磁熵变和磁制冷能力,而且具有良好的磁、热可逆性质。该TbPdIn材料的磁转变温度在磁制冷材料的低温区范围,因此可知实施例2制备得到的TbPdIn材料在低温磁制冷领域具有一定的应用前景。

Claims (1)

1.一种稀土HoPdIn材料在低温磁制冷中的应用,其特征在于稀土HoPdIn金属材料在低温区磁制冷方面的应用;该稀土HoPdIn材料具有ZrNiAl型晶体结构;该稀土HoPdIn材料通过以下步骤制备而成:
步骤(1)、将稀土金属钬Ho、金属Pd和金属In按照摩尔比1:1:1均匀混合成原料;将原料置于电弧炉内,对电弧炉抽真空,炉内的压力小于等于1×10-2Pa后,用体积纯度为99.9﹪的氩气清洗炉膛2次,然后充入氩气使炉内的压力达到0.98个标准大气压;
步骤(2)、将处理后的原料在电弧炉内通过电弧放电加热至完全融化,继续加热5~10秒后停止加热,自然冷却至常温,形成块状物;然后将块状物翻转后再次在熔炼容器内加热至完全融化,继续加热5~10秒后停止加热,自然冷却至常温,重复本步骤3次,熔炼得到成分均匀的合金铸锭;
步骤(3)、将熔炼制得的合金铸锭密封在真空度小于等于1×10-3Pa的石英容器中,在800℃高温下退火处理72小时;
步骤(4)、将密封的石英容器取出,在冰水中快速冷却至常温即可。
CN201310361934.3A 2013-08-19 2013-08-19 一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用 Active CN103468224B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310361934.3A CN103468224B (zh) 2013-08-19 2013-08-19 一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310361934.3A CN103468224B (zh) 2013-08-19 2013-08-19 一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103468224A CN103468224A (zh) 2013-12-25
CN103468224B true CN103468224B (zh) 2016-09-07

Family

ID=49793272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310361934.3A Active CN103468224B (zh) 2013-08-19 2013-08-19 一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103468224B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109097652B (zh) * 2018-08-03 2020-06-23 华北电力大学 一种稀磁合金材料RIn3-xFex及其制备方法
CN115077125B (zh) * 2022-07-06 2023-06-13 厦门大学 一种氟化锂镱材料在极低温磁制冷的应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102383018A (zh) * 2011-11-10 2012-03-21 杭州电子科技大学 一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法
CN103088246A (zh) * 2011-10-31 2013-05-08 中国科学院物理研究所 用于低温磁制冷的稀土-钴-硅材料及其制备方法和用途
CN103194654A (zh) * 2013-04-01 2013-07-10 北京工业大学 一种室温磁制冷材料及其制备工艺

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103088246A (zh) * 2011-10-31 2013-05-08 中国科学院物理研究所 用于低温磁制冷的稀土-钴-硅材料及其制备方法和用途
CN102383018A (zh) * 2011-11-10 2012-03-21 杭州电子科技大学 一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法
CN103194654A (zh) * 2013-04-01 2013-07-10 北京工业大学 一种室温磁制冷材料及其制备工艺

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Magnetic ordering and magnetocaloric effect in PrPdIn and NdPdIn;D X Li;《Journal of Physics: Conference Series》;20120331;第400卷(第3期);第1-4页 *
Magnetic properties of RPdIn (R=Gd–Er) compounds;M. Balanda,et al.;《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》;20021231;第247卷;第345-354页 *
Metastable characteristics in ferromagnetic TbPdIn and DyPdIn;D X Li;《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》;20021231;第241卷;第17-24页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103468224A (zh) 2013-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105347797B (zh) 应用于低温磁制冷中的R2Cu2O5氧化物材料及其制备方法
CN104946954B (zh) 一种具有巨压热效应的MnCoGe基磁性材料及其制备方法和用途
CN102383018B (zh) 一种稀土-铬-硅基磁制冷材料的制备方法
JP2010077484A (ja) 磁気冷凍用磁性材料、磁気冷凍デバイスおよび磁気冷凍システム
CN103468224B (zh) 一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用
CHENG et al. Refrigeration effect of La (FeCoSi) 13B0. 25 compounds and gadolinium metal in reciprocating magnetic refrigerator
CN106978576B (zh) 一种Er基非晶低温磁制冷材料及其制备方法
CN105671396B (zh) 用于室温磁制冷的铽‑锗‑锑材料及其制备方法
CN106191616A (zh) 一种磁性相变合金
CN102465225B (zh) 一种磁制冷材料及其制备方法和用途
CN105836755A (zh) 硼酸钆及其制备方法与应用
CN104830284A (zh) 稀土R2BaCuO5氧化物材料在低温磁制冷的应用
CN103334043B (zh) 一种可用作磁制冷材料的磁性合金
CN105671395B (zh) 一种稀土钯镁低温磁制冷材料及制备方法
CN102383017B (zh) 一种铕基ThCr2Si2结构的低温磁制冷材料的制备方法
CN105861860B (zh) 一种铽‑锗‑铋材料、制备方法及其应用
CN108677078A (zh) 一种富Mn的Mn-Ni-In-Co-Cu磁制冷材料及其制备方法
CN102978422B (zh) 具有大磁热效应的稀土-镍-硅材料的制备方法和用途
CN102513536A (zh) 一种磁制冷材料的制备工艺
CN108286004B (zh) 一种稀土-镍-铝材料、制备方法及其应用
CN105970118B (zh) 一种Gd‑Ni‑Al基非晶纳米晶复合材料及其制备方法
CN108899146A (zh) 一种室温磁制冷材料及其制备方法
CN103305193A (zh) 一种DyFeAl材料在磁制冷方面的应用
Lei et al. Magnetocaloric effect and applied refrigeration performance of La (Fe, Si) 13-based compounds
CN103088246A (zh) 用于低温磁制冷的稀土-钴-硅材料及其制备方法和用途

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190702

Address after: 322200 Building 301, Building A, 966 Dianhong Avenue, Pujiang County, Jinhua City, Zhejiang Province

Patentee after: Zhejiang Bwokai Technologies Co., Ltd.

Address before: 310018 2 street, Xiasha Higher Education Park, Hangzhou, Zhejiang

Patentee before: Hangzhou Electronic Science and Technology Univ

TR01 Transfer of patent right