CN103448151A

CN103448151A - 晶片切割装置以及半导体元件的制造方法

Info

Publication number: CN103448151A
Application number: CN2013101660536A
Authority: CN
Inventors: 堀恭彰; 其他发明人请求不公开姓名
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 2012-05-30
Filing date: 2013-05-08
Publication date: 2013-12-18
Anticipated expiration: 2033-05-08
Also published as: CN103448151B; JP2013251327A; JP5115671B1

Abstract

本发明提供一种晶片切割装置以及半导体元件的制造方法，不仅能抑制切削液的消耗，而且在使切割休止状态的旋转刀成为切割状态时，能够抑制切割位置的偏移。当第一切割单元处于切割状态且第二切割单元处于切割休止状态时，在由计数部件（34）计算出的剩余切割次数达到预定次数以前，控制部（84）使切削液停止从构成第二喷出单元（64）的各喷出管喷出，在剩余切割次数达到预定次数之后，控制部（84）使切削液从第二喷出单元（64）喷出。在使用第二切割单元切割半导体晶片时，由于刀片（56）的温度在预先确定的范围内，因此不仅能够抑制切削液的消耗，而且在使处于切割休止状态的第二切割单元成为切割状态时，能够抑制切割位置的偏移。

Description

晶片切割装置以及半导体元件的制造方法

技术领域

本发明涉及晶片切割装置以及半导体元件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中记载有这样的技术：为了消除由主轴的旋转导致的热应变的影响，在进行切割之前，使主轴旋转预定时间进行空转运转。

现有技术文献

专利文献1：日本特开平11-114949号公报

发明内容

本发明的课题在于，抑制切削液的消耗，而且在使处于切割休止状态的旋转刀成为切割状态时，抑制切割位置的偏移。

本发明的发明1的晶片切割装置的特征在于，其具备：第一旋转刀，其以预先确定的总切割次数一边旋转一边对固定于固定台的半导体晶片进行切割；第二旋转刀，在所述第一旋转刀以所述总切割次数切割了所述半导体晶片之后，所述第二旋转刀一边旋转一边对固定于所述固定台的所述半导体晶片进行切割；第一喷出部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液；第二喷出部件，其用于朝向所述第二旋转刀喷出切削液；计数部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述计数部件计算相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算所述第一旋转刀已经切割了所述半导体晶片的已切割次数；以及控制部件，其控制切削液从所述第二喷出部件的喷出，在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到预定次数以前，所述控制部件使切削液停止从所述第二喷出部件喷出，在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了预定次数之后，所述控制部件使切削液从所述第二喷出部件喷出。

本发明的发明2的晶片切割装置的特征在于，其具备：第一旋转刀，其以预先确定的总切割次数一边旋转一边对固定于固定台的半导体晶片进行切割；第二旋转刀，在所述第一旋转刀以所述总切割次数切割了所述半导体晶片之后，所述第二旋转刀一边旋转一边对固定于所述固定台的所述半导体晶片进行切割；第一喷出部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液；第二喷出部件，其用于朝向所述第二旋转刀喷出切削液；计数部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述计数部件计算相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算所述第一旋转刀已经切割了所述半导体晶片的已切割次数；以及控制部件，其控制切削液从第二喷出部件的喷出以及所述第二旋转刀的旋转，在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者已切割次数达到预定次数以前，所述控制部件使切削液停止从所述第二喷出部件喷出并且使所述第二旋转刀停止旋转，在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了预定次数之后，所述控制部件使切削液从所述第二喷出部件喷出，并且使所述第二旋转刀旋转。

本发明的发明3的半导体元件的制造方法的特征在于，其具备：准备工序，将形成有多个半导体元件的半导体晶片固定于权利要求1或权利要求2所述的晶片切割装置所具备的固定台；以及切割工序，使用所述晶片切割装置所具备的第一旋转刀和第二旋转刀切割所述半导体晶片，从而从所述半导体晶片切割出半导体元件。

发明效果

根据本发明的发明1的晶片切割装置，与一直使切削液从第二喷出部件喷出的情况相比，不仅能够抑制切削液的消耗，而且在使处于切割休止状态的旋转刀成为切割状态时，能够抑制切割位置的偏移。

根据本发明的发明2的晶片切割装置，与一直使切削液从第二喷出部件喷出的情况相比，不仅能够抑制切削液的消耗，而且在使处于切割休止状态的旋转刀成为切割状态时，能够抑制切割位置的偏移。

根据本发明的发明3的半导体元件的制造方法，与在第二旋转刀处于切割休止状态时一直使切削液从第二喷出部件喷出的情况相比，能够抑制制造出的半导体元件的外形的尺寸波动。

附图说明

图1为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一喷出单元和第二喷出单元的立体图。

图2为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一喷出单元和第二喷出单元的俯视图。

图3为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一喷出单元和第二喷出单元的主视图。

图4为示出利用本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元切割半导体晶片的切割工序的工序图。

图5为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的控制部的控制系统的框图。

图6的（A）和（B）为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元和第二切割单元等的剖视图。

图7的（A）和（B）为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元和第二切割单元等的剖视图。

图8的（A）和（B）为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元和第二切割单元等的俯视图。

图9的（A）和（B）为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元和第二切割单元等的俯视图。

图10为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第二切割单元等的剖视图。

图11为示出通过本实施方式的半导体元件的制造方法制造出的发光元件（半导体元件）的俯视图。

图12为示出利用本实施方式的晶片切割装置切割的半导体晶片的俯视图。

图13为示出本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元和第二切割单元等的立体图。

图14为示出本实施方式的晶片切割装置的立体图。

图15为针对利用本实施方式的晶片切割装置所使用的第一切割单元来切割半导体晶片的切割工序而示出了变形例的工序图。

标号说明

10：晶片切割装置

12：卡盘工作台（固定台的一例）

22：半导体晶片

30：发光元件（半导体元件的一例）

30A：发光点

30B：一个边缘

30C：另一边缘

34：计数部件

36：第一切割单元（第一旋转刀的一例）

38：第二切割单元（第二旋转刀的一例）

62：第一喷出单元（第一喷出部件的一例）

64：第二喷出单元（第二喷出部件的一例）

84：控制部（控制部件的一例）。

具体实施方式

根据图1～图15对本发明的实施方式的晶片切割装置以及半导体元件的制造方法的一例进行说明，另外，图中所示的箭头Z表示竖直方向上方。

（整体结构）

如图14所示，晶片切割装置10（切割装置）构成为包括：收纳盒18，在该收纳盒18装载有半导体晶片22；卡盘工作台12，其为用于固定被切割的半导体晶片22的固定台的一例；搬送单元14，其将收纳在收纳盒18中的半导体晶片22搬送到卡盘工作台12；移动单元32，其用于使卡盘工作台12移动；切割单元35，其用于对在通过移动单元32而移动的卡盘工作台12上固定的半导体晶片22进行切割；以及喷出单元60，其进行朝向切割单元35喷出切削液。

（收纳盒）

晶片切割装置10的壳体20具有主体部位20A和突出部位20B，该主体部位20A呈长方体状，该突出部位20B从主体部位20A的一端侧向竖直方向上方突出。

装载有半导体晶片22的收纳盒18配置在主体部位20A的另一端侧的角部，收纳盒18的上部是敞开的。

并且，在收纳盒18具有未图示的升降部件，该升降部件使所装载的半导体晶片22升降，并且最上层的半导体晶片22被配置在固定的位置。

（半导体晶片）

收纳在收纳盒18中的半导体晶片22为圆形的一部分被切掉了的形状，如图12所示，半导体晶片22被贴在切割带26上。而且，该切割带26的外周侧被贴在环状的基本环28上。这样，半导体晶片22以经切割带26支撑于基本环28的状态装载在上述的收纳盒18中。

并且，图中的半导体晶片22中绘出的双点划线为被切割单元16切割的切割位置。由该双点划线可知，通过利用切割单元16切割半导体晶片22，作为被制造出的半导体元件的一例的发光元件30呈长方形形状。

如图11所示，在该发光元件30，沿长边方向的一个边缘30B，以比离另一边缘30C近的方式形成有排成一列的多个发光点30A。为了制造这样的发光元件30，如图4所示，在半导体晶片22以预先规定的规定间隔（图中所示间隔H）形成有多列发光点30A的列。

（搬送单元）

如图14所示，将半导体晶片22搬送到卡盘工作台12的搬送单元14具有：臂部位14A，其基端部支撑于突出部位20B的内部，并且该臂部位14A能够沿水平方向移动；伸缩部位14B，其基端部安装在臂部位14A的末端部，并且能够沿竖直方向伸缩；以及吸附部位14C，其安装在伸缩部位14B的末端部，并且用于吸附基本环28。

根据该结构，搬送单元14通过基本环28而将收纳在收纳盒18的最上层的半导体晶片22拿起，向卡盘工作台12搬送。

（卡盘工作台）

如图10所示，卡盘工作台12具有从下方支撑半导体晶片22的支撑部位12A。支撑部位12A俯视观察呈圆形形状，在支撑部位12A形成有多个未图示的吸引孔，所述吸引孔用于隔着切割带26吸附半导体晶片22。

而且，卡盘工作台12在支撑部位12A的下侧具有旋转移动装置24，该旋转移动装置24使支承部位12A沿支撑部位12A的周向旋转移动。

（移动单元）

并且，如图14所示，具有上述的移动单元32，该移动单元32使卡盘工作台12在可承接位置（参照图14）和可切割位置之间移动，所述可承接位置是能够承接由搬送单元14搬送的半导体晶片22的位置，所述可切割位置是能够利用切割单元16切割半导体晶片22的位置。

移动单元32使卡盘工作台12在与竖直方向正交的第一方向（图中箭头X方向）移动。而且，移动单元32通过使被配置在可切割位置的卡盘工作台12沿第一方向往复移动，而利用切割单元16来切割半导体晶片22。

另外，关于切割半导体晶片22的工序在后面详述。

（切割单元）

切割单元35配置于在可切割位置配置的卡盘工作台12的竖直方向的上方，如图13、图14所示，切割单元35具有作为第一旋转刀的一例的第一切割单元36、和配置在第一切割单元36的旁边的作为第二旋转刀的一例的第二切割单元38。第一切割单元36和第二切割单元38是相同的结构，因此这里对于第一切割单元36进行具体说明，省略第二切割单元38的说明。

第一切割单元36具有：主轴42，其被圆筒状的机壳40支撑为能够旋转；圆形的刀片46，其借助于在主轴42的末端安装的凸缘44而被固定；以及罩部件70，其从上方覆盖刀片46。

机壳40形成为沿与竖直方向和第一方向正交的第二方向（图中箭头Y方向）延伸的圆筒状。并且，机壳40的基端侧具有支撑机壳40的基端部的驱动单元48。

该驱动单元48使机壳40在竖直方向（Z方向）和第二方向（Y方向）移动，并且经主轴42使用于切割半导体晶片22的刀片46旋转。

具体而言，在竖直方向（Z方向），驱动单元48使机壳40移动到工作位置（参照图6的（A））和退避位置（参照图6的（B）），所述工作位置是能够利用刀片46切割半导体晶片22的位置，所述退避位置是使刀片46从半导体晶片22退避的位置。

具体而言，在第二方向（Y方向），驱动单元48使第一切割单元36沿第二方向移动，从而改变第二方向上的半导体晶片22的切割位置（参照图4的（A））。

与该第一切割单元36所具有的各部件同样地，第二切割单元38具有：机壳50、主轴52、凸缘54、刀片56、驱动单元58以及罩部件72。

（喷出单元）

用于喷出切削液的喷出单元60具有作为第一喷出部件的一例的第一喷出单元62、和作为第二喷出部件的一例的第二喷出单元64，该第一喷出单元62朝向第一切割单元36喷出切削液，该第二喷出单元64朝向第二切割单元38喷出切削液。

第一喷出单元62和第二喷出单元64是相同的结构，因此这里对于第一喷出单元62进行具体说明。

如图2、图3所示，第一喷出单元62具有：喷出管72A和喷出管72B，它们朝向刀片46的表面和背面喷出切削液；喷出管74，其朝向刀片46的外周端面喷出切削液；以及一对喷出管76，它们朝向半导体晶片22的被刀片46切割的切割部位喷出切削液。而且，喷出管72A、72B、喷出管74、以及喷出管76固定于罩部件70，并随着第一切割单元36的移动而一起移动。

如图3所示，从第二方向观察，喷出管72A、72B被配置成沿第一方向延伸，喷出管72A被配置成与刀片46的表面（配置有凸缘44的一侧的面）对置，喷出管72B被配置成与刀片46的背面对置。

如图2所示，在喷出管72A、72B以与刀片46的表面或者背面对置的方式形成有多个开孔73。而且，在喷出管72A、72B中流动的切削液从喷出管72A、72B的末端部和开孔73朝向刀片46的表面和背面喷出。

如图2、图3所示，喷出管74的末端部与刀片46的外周端面对置。由此，在喷出管74中流动的切削液从喷出管74的末端部朝向刀片46的外周端面喷出。

如图2所示，一对喷出管76在第二方向上以隔着喷出管74的方式配置。而且，如图3所示，喷出管76的末端部与半导体晶片22的被刀片46切割的切割部位对置。由此，在喷出管76中流动的切削液从喷出管76的末端部朝向半导体晶片22的切割部位喷出。

而且，如图1所示，在喷出管72A、72B、喷出管74和喷出管76连接有阀78A、78B、阀80和阀82，经阀78A、78B、阀80和阀82而向喷出管72A、72B、喷出管74和喷出管76供给切削液。而且，各阀的开闭由后述的作为控制部件的一例的控制部84控制。

与该第一喷出单元62同样地，第二喷出单元64具有；喷出管86A、86B、喷出管88和喷出管90、以及阀92A、92B、阀94和阀96。

（计数部件）

上述第一切割单元36以预先确定的总切割次数（在一张半导体晶片22中沿第一方向切割的总计次数）一边旋转一边切割在支持部件12A固定的半导体晶片22。而且，在晶片切割装置10具有计数部件34（参照图5），在第一切割单元36切割半导体晶片22时，该计数部件34计算相对于上述总切割次数剩余的剩余切割次数。

（控制部）

晶片切割装置10具有：旋转移动装置24（参照图10），其使卡盘工作台12的支撑部位12A旋转移动；移动单元32（参照图14），其使卡盘工作台12沿第一方向移动；驱动单元48，其设置于第一切割单元36；驱动单元58（参照图13），其设置于第二切割单元38；以及控制部84，其控制各阀的开闭（参照图5）。

并且，如图5所示，该控制部84基于由计数部件34计算出的剩余切割次数，控制阀92A、92B、阀94和阀96，使切削液从第二喷出单元64喷出。

另外，对于控制部84对各部件的控制，在后述的发光元件30的制造工序（制造方法）中说明。

（作用）

接下来，对于晶片切割装置10的作用，根据利用晶片切割装置10制造发光元件30的制造工序（制造方法）进行说明。在下面的说明中使用的附图中，适当省略部件地进行记载以易于理解各工序。

以预先规定的规定间隔（图4所示的间隔H）形成有多列发光点30A的列的板状的半导体晶片22经切割带26被支撑于基本环28（参照图12），并且如图14所示，该半导体晶片22装载在收纳盒18中。

（准备工序）

卡盘工作台12预先配置在可承接位置。搬送单元14通过基本环28而将装载在收纳盒18的最上层的半导体晶片22拿起，并向配置在可承接位置的卡盘工作台12搬送。

搬送至卡盘工作台12的半导体晶片22被吸附固定在卡盘工作台12的支撑部位12A。另外，在该状态下，半导体晶片22在支撑部位12A被固定成：由半导体晶片22制造出（切割出）的发光元件30的长边方向沿着第一方向。

（第一切割工序）

在准备工序中，在半导体晶片22被固定在卡盘工作台12之后，利用第一切割单元36切割半导体晶片22，从而形成发光元件30的长边方向的边缘。另外，第一切割单元36和第二切割单元38预先配置在退避位置。

具体而言，控制部84控制驱动单元48，如图6的（A）所示，使第一切割单元36移动到工作位置。

而且，控制部84控制驱动单元48和移动单元32，如图6的（A）所示，使刀片46向箭头方向旋转，并使卡盘工作台12向第一方向中的一侧（图中左侧）移动。由此，从第一方向中的一侧（图中左侧）朝向另一侧（图中右侧）形成排列在第一方向上的发光元件30的长边方向的边缘（切割次数为1）。

发光元件30的长边方向的一边形成后，控制部84控制驱动单元48和移动单元32，使第一切割单元36移动到退避位置，并且使卡盘工作台12向第一方向中的另一侧移动。

第一切割单元36移动到退避位置之后，控制部84控制驱动单元48，使退避位置的第一切割单元36向第二方向中的一侧（图8的（A）所示的右侧）移动以改变半导体晶片22的切割位置。

然后，如上所述，控制部84如图6的（A）所示地使第一切割单元36向工作位置移动，并且使卡盘工作台12向第一方向中的一侧（图中左侧）移动。由此，从第一方向中的一侧（图中左侧）朝向另一侧（图中右侧）形成发光元件30的长边方向的边缘（切割次数为2）。

反复进行该步骤，从而如图8的（A）所示，从第二方向中的另一侧（图中左侧）依次形成发光元件30的长边方向的边缘。也就是说，在形成发光元件30的长边方向的边缘的第一切割工序中，第一切割单元36的刀片46旋转，第一切割单元36成为切割状态，第二切割单元38的刀片56的旋转停止，第二切割单元38成为切割休止状态。由此，发光元件30的长边方向的边缘30B、30C全部形成。

这里，当利用第一切割单元36切割半导体晶片22时，在切割半导体晶片22而形成发光元件30的沿发光点30A的列的一个边缘30B（参照图11）之后，相对于一个边缘30B隔开上述的规定间隔（图11所示的间隔H）地切割半导体晶片22，从而形成发光元件30的比一个边缘30B离发光点30A远的另一边缘30C（参照图11）（参照图4）。

另一方面，在第一切割单元36处于切割状态且第二切割单元38处于切割休止状态时，如图1所示，控制部84控制阀78A、78B、阀80和阀82的开闭，使得从构成第一喷出单元62的各喷出管74、76、78喷出切削液。

而且，控制部84控制阀92A、92B、阀94和阀96的开闭，在由计数部件34计算出的剩余切割次数达到所确定的（预定）次数以前，使切削液停止从构成第二喷出单元64的各喷出管喷出。此外，控制部84控制阀92A、92B、阀94和阀96的开闭，在由计数部件34计算出的剩余切割次数达到所确定的次数之后，使切削液从构成第二喷出单元64的各喷出管朝向切割休止状态的第二切割单元38喷出。也即是说，在剩余切割次数达到了所确定的次数之后，使切削液从构成第二喷出单元64的各喷出管朝向切割休止状态的第二切割单元38喷出。

（第二切割工序）

在第一切割工序中，在第一切割单元36对半导体晶片22切割了总切割次数而形成了发光元件30的长边方向的边缘之后，利用第二切割单元38形成发光元件30的短边方向的边缘。

具体而言，控制部84控制驱动单元48，使第一切割单元36移动到退避位置，并且控制移动单元32，使卡盘工作台12向第一方向中的另一侧（图14所示的右侧）移动，使半导体晶片22离开切割单元35。而且，控制部84控制旋转移动装置24，使卡盘工作台12旋转90度。

然后，控制部84控制驱动单元58，如图6的（B）所示，使第二切割单元38移动到工作位置。

而且，控制部84控制驱动单元58和移动单元32，如图6的（B）所示，使刀片56向箭头方向旋转，并使卡盘工作台12向第一方向中的一侧（图中左侧）移动。由此，从第一方向中的一侧（图中左侧）朝向另一侧（图中右侧）形成发光元件30的短边方向的边缘30D（参照图11）。

发光元件30的短边方向的一边形成后，控制部84控制驱动单元58和移动单元32，使第二切割单元38移动到退避位置，并且使卡盘工作台12向第一方向中的另一侧移动。

并且，控制部84控制驱动单元48，使退避位置的第二切割单元38向第二方向中的一侧（图8的（B）所示的右侧）移动以改变半导体晶片22的切割位置。

另外，如上所述，控制部84如图6的（B）所示地使第二切割单元38向工作位置移动，并且使卡盘工作台12向第一方向中的一侧（图中左侧）移动。由此，从第一方向中的一侧（图中左侧）朝向另一侧（图中右侧）形成发光元件30的短边方向的边缘30D。

这里，如图8的（B）所示，从半导体晶片22的第二方向的中央侧朝向第二方向中的一侧（图中右侧）依次形成发光元件30的短边方向的边缘30D。因此，在图8的（B）所示的半导体晶片22的右侧，形成发光元件30的短边方向的边缘30D。

当在如图8的（B）所示的半导体晶片22的右侧形成发光元件30的短边方向的边缘30D（参照图11）后，控制部84控制驱动单元58和移动单元32，使第二切割单元38移动到退避位置，并且使卡盘工作台12向第一方向中的另一侧移动。

然后，控制部84控制旋转移动装置24，使卡盘工作台12旋转180度。由此，在半导体晶片22中，形成了发光元件30的短边方向的边缘30D的范围在第二方向被调换。

而且，控制部84控制驱动单元58，如图7的（A）所示，使第二切割单元38移动到工作位置。

并且，反复进行与上述相同的工序，从而如图9的（A）所示，从半导体晶片22的第二方向的中央侧向第二方向中的一侧（图中右侧）依次形成发光元件30的短边方向的边缘30D。由此，发光元件30的短边方向的边缘30D全部形成。

发光元件30的边缘30B、30C、30D（参照图11）全部形成后，控制部84控制驱动单元48和驱动单元58，如图7的（B）、图9的（B）所示，使第一切割单元36和第二切割单元38移动到退避位置。像这样，通过利用晶片切割装置10切割半导体晶片22，制造出多个发光元件30。

这里，当第一切割单元36处于切割休止状态且第二切割单元38处于切割状态时，控制部84控制阀92A、92B、阀94和阀96的开闭，使得切削液从构成第二喷出单元64的各喷出管喷出。

也就是说，在第一切割工序中，当剩余切割次数达到了所确定的切割次数之后，从构成第二喷出单元64的各喷出管继续喷出切削液。

如上述说明那样，当第一切割单元36处于切割状态且第二切割单元38处于切割休止状态时，在由计数部件34计算出的剩余切割次数达到所确定的次数以前，控制部84使切削液停止从构成第二喷出单元64的各喷出管喷出，而在剩余切割次数达到了所确定的次数之后，控制部84使切削液从第二喷出单元64喷出。

由此，当利用第二切割单元38切割半导体晶片22时，由于刀片56的温度在预先确定的范围内，因此与使切削液一直喷出的情况相比抑制了切削液的消耗，而且，当使处于切割休止状态的第二切割单元38成为切割状态时，抑制了切割位置的偏移。

并且，通过抑制切割位置的偏移，发光元件30的外形的尺寸波动被抑制，从而发光元件30的外形的尺寸在允许范围内。

并且，在第一切割工序中，在形成发光元件30的沿发光点30A的列的一个边缘30B（参照图11）之后，相对于一个边缘30B隔开规定间隔（如图4、图11所示的间隔H）地切割半导体晶片22，从而形成发光元件30的比一个边缘30B离发光点30A远的另一边缘30C（参照图11）。

这样，形成比一个边缘30B离发光点30A的列远的另一边缘30C地将发光元件30从半导体晶片22切离，由此，在形成另一边缘30C时，即使从半导体晶片22切离的一侧的发光元件30抖动，由于刀片46和发光点30A相距很远，因而抑制了发光点30A的损伤。

并且，如图8的（B）所示，发光元件30的短边方向的边缘30D从半导体晶片22的第二方向的中央侧向第二方向中的一侧（图中右侧）依次形成。

因此，如图10所示，通过切割半导体晶片22而产生的不需要的比发光元件30小的碎片102（参照图9的（B））不会向第二切割单元38的凸缘54侧飞散，而是向机壳50侧飞散。由于不会发生向凸缘54侧飞散并碰撞到凸缘54的倾斜面54A而弹回到半导体晶片22的情况，因此抑制了发光点30A的损伤。

另外，对于特定的实施方式详细地说明了本发明，但本发明不限于所述实施方式，对于本领域技术人员来说能够在本发明的范围内采用其他各种实施方式是显而易见的。例如，在上述实施方式中，在由计数部件34计算出的剩余切割次数达到了所确定的次数之后，控制部84使切削液从构成第二喷出单元64的各喷出管朝向切割休止状态的第二切割单元38喷出，但也可以是在剩余切割次数达到了所确定的次数之后，在使切削液从构成第二喷出单元64的各喷出管喷出时，控制部84控制驱动单元58而使刀片56旋转。这样，通过使切割休止状态下的第二切割单元38的刀片56旋转，从而刀片56整体的温度均一地处于预先确定的范围内。

此外，在上述实施方式中，计数部件34计算剩余切割次数，但也可以是计算已经切割半导体晶片的已切割次数。

此外，在上述实施方式中，每个喷出管分别具备阀，但也可以是第一喷出单元62和第二喷出单元64各具备一个阀。

此外，在上述实施方式中，通过使第一切割单元36向第二方向中的一侧移动，而在第一切割工序中，在形成发光元件30的沿发光点30A的列的一个边缘30B之后，形成发光元件30的比一个边缘30B离发光点30A远的另一边缘30C（参照图4），但如图15所示，在发光点110A与本实施方式的情况对称地配置的情况下，也可以是在使第一切割单元36从第二方向中的一侧向另一侧移动而形成发光元件110的沿发光点110A的列的一个边缘110B之后，形成发光元件110的比一个边缘110B离发光点110A远的另一边缘110C。

Claims

1.一种晶片切割装置，其具备：

第一旋转刀，其以预先确定的总切割次数一边旋转一边对固定于固定台的半导体晶片进行切割；

第二旋转刀，在所述第一旋转刀以所述总切割次数切割了所述半导体晶片之后，所述第二旋转刀一边旋转一边对固定于所述固定台的所述半导体晶片进行切割；

第一喷出部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液；

第二喷出部件，其用于朝向所述第二旋转刀喷出切削液；

计数部件，在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时，所述计数部件计算相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算所述第一旋转刀已经切割了所述半导体晶片的已切割次数；以及

控制部件，其控制切削液从所述第二喷出部件的喷出，在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到预定次数以前，所述控制部件使切削液停止从所述第二喷出部件喷出，在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了预定次数之后，所述控制部件使切削液从所述第二喷出部件喷出。

2.一种晶片切割装置，其具备：

第二喷出部件，其用于朝向所述第二旋转刀喷出切削液；

控制部件，其控制切削液从第二喷出部件的喷出以及所述第二旋转刀的旋转，在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者已切割次数达到预定次数以前，所述控制部件使切削液停止从所述第二喷出部件喷出并且使所述第二旋转刀停止旋转，在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了预定次数之后，所述控制部件使切削液从所述第二喷出部件喷出，并且使所述第二旋转刀旋转。

3.一种半导体元件的制造方法，其具备：

准备工序，将形成有多个半导体元件的半导体晶片固定于权利要求1或权利要求2所述的晶片切割装置所具备的固定台；以及

切割工序，使用所述晶片切割装置所具备的第一旋转刀和第二旋转刀切割所述半导体晶片，从而从所述半导体晶片切割出半导体元件。