CN103390603A - 引线框架和使用该引线框架的半导体装置封装件 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于半导体装置的引线框架和使用该引线框架的半导体装置封装件。所述引线框架包括封装主体和引线单元,封装主体具有内部空间,内部空间被构造成安装半导体装置,引线单元被设置成向半导体装置施加电压。引线单元包括内引线和外引线,内引线嵌入在封装主体中并具有其中将要安装半导体装置的区域,各个外引线分别连接到内引线。每个外引线从封装主体突出,并且均具有接触印刷电路板(PCB)的接触部。引线框架还包括设置在封装主体的外侧面上并且支撑外引线的支撑结构。

Description

引线框架和使用该引线框架的半导体装置封装件
本申请要求于2012年5月7日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0048315号韩国专利申请的优先权权益,上述申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思涉及一种其上将要安装半导体装置的用于半导体装置的引线框架,以及一种使用该引线框架的半导体装置封装件。
背景技术
制造半导体装置封装件,以在半导体装置封装件中安装半导体芯片,使半导体芯片和引线彼此连接并且使半导体芯片附于印刷电路板(PCB)。半导体装置封装件用于保护半导体芯片免受外部环境影响,将端子电连接到PCB,并且将半导体芯片中产生的热传递到外部。
半导体装置封装件的引线框架组件用于安装半导体装置,并且包括连接到外部电压源从而将电压施加到半导体装置的正极和负极的引线。对于这样的引线框架组件,已经提出了各种设计。当设计引线框架时,便于将半导体装置封装件安装在PCB上以及半导体装置封装件的尺寸可以是重要的考虑因素。具体地讲,需要将整个制造工艺中(包括半导体装置封装件正在经历分选和封装操作时,直至完成半导体装置封装件制造)保持电结合部的可靠性考虑在内的结构的设计。
发明内容
根据本发明构思的一个方面,提供了一种引线框架。所述引线框架包括:封装主体,具有内部空间,所述内部空间被构造成安装半导体装置;引线单元,被设置成向半导体装置施加电压,并包括内引线和外引线,内引线嵌入在封装主体中并具有其中将要安装半导体装置的区域,各个外引线分别连接到内引线,外引线均从封装主体突出并且均具有接触印刷电路板(PCB)的接触部;以及支撑结构,设置在封装主体的外侧面上并且支撑外引线。
引线单元可以包括第一引线单元和第二引线单元,第一引线单元可以包括第一内引线和第一外引线。第二引线单元可以包括第二内引线和第二外引线,第一外引线和第二外引线可沿封装主体的外侧面弯曲。
封装主体的外侧面可以包括:左侧面;右侧面,面对左侧面;前侧面,连接左侧面和右侧面;后侧面,面对前侧面;以及底侧面,连接左侧面和右侧面并且连接前侧面和后侧面。
第一外引线可以从左侧面突出,可以弯曲,可以到达左侧面的其中左侧面与底侧面接合的端部,并可以从左侧面的所述端部弯曲以远离左侧面延伸。第二外引线可以从右侧面突出,可以弯曲,可以到达右侧面的其中右侧面与底侧面接合的端部,并可以从右侧面的所述端部弯曲以远离右侧面延伸。
支撑结构可以包括:第一阻挡件,从左侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第一外引线之间;以及第二阻挡件,从右侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第二外引线之间。
第一外引线可以从左侧面突出,可以弯曲,并且可以延伸到前侧面,第二外引线可以从右侧面突出,可以弯曲,并且可以延伸到前侧面。
支撑结构可以包括:第一阻挡件,从前侧面突出并且设置在底侧面在其上延伸的表面和第一外引线之间;以及第二阻挡件,从前侧面突出并且设置在底侧面在其上延伸的表面和第二外引线之间。
第一外引线可以从左侧面突出,可以弯曲,并且可以延伸到底侧面,第二外引线可以从右侧面突出,可以弯曲,并且可以延伸到底侧面。
支撑结构可以包括:第一阻挡件,从底侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第一外引线之间;以及第二阻挡件,从底侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第二外引线之间。
引线单元可以包括从由铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)和金(Au)组成的组选择的一种。
支撑结构可以设置成以预定距离平行于外引线。
支撑结构可以不比每个外引线的接触部更加突出。
封装主体可以包括热塑性树脂或者热固性树脂。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种半导体装置封装件,所述半导体装置封装件包括:半导体装置;封装主体,具有半导体装置能够安装在其中的内部空间。半导体封装件还可以包括引线单元,引线单元被设置成向半导体装置施加电压并包括内引线,内引线嵌入在封装主体中并具有其中将要安装半导体装置的区域。各个外引线可以分别连接到内引线,外引线均从封装主体突出并且均具有接触印刷电路板(PCB)的接触部。支撑结构可以被设置在封装主体的外侧面上以支撑外引线。
封装主体的外侧面可以包括:左侧面;右侧面,面对左侧面;前侧面,连接左侧面和右侧面;后侧面,面对前侧面;以及底侧面,连接左侧面和右侧面并且连接前侧面和后侧面,引线单元可以包括第一引线单元和第二引线单元,第一引线单元可以包括第一内引线和第一外引线,第二引线单元可以包括第二内引线和第二外引线,第一外引线和第二外引线可沿封装主体的外侧面弯曲,第一外引线可以从左侧面突出,可以弯曲,可以到达左侧面的其中左侧面与底侧面接合的端部,并可以从左侧面的所述端部弯曲以远离左侧面延伸,第二外引线可以从右侧面突出,可以弯曲,可以到达右侧面的其中右侧面与底侧面接合的端部,并可以从右侧面的所述端部弯曲以远离右侧面延伸。
支撑结构可以包括:第一阻挡件,从左侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第一外引线之间;以及第二阻挡件,从右侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第二外引线之间。
半导体装置可以包括发光装置。
半导体装置封装件还可以包括:荧光体,设置在发光装置的至少一个表面上以控制从发光装置发射的光的颜色;以及包封构件,包封发光装置和荧光体以保护发光装置。
第一内引线和第二内引线中的一个可以接触发光装置的P电极,第一内引线和第二内引线中的另一个可以接触发光装置的N电极。
外引线可以包括从由铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)和金(Au)组成的组选择的一种。
支撑结构可以设置在每个外引线的一侧。
支撑结构可以不比每个外引线的接触部更加突出。
封装主体可以包括热塑性树脂或者热固性树脂。
根据另一方面,提供了一种引线框架,所述引线框架包括封装主体和引线单元,封装主体具有被构造成安装半导体装置的内部空间,引线单元被构造成向半导体装置施加电压。引线单元包括内引线和外引线,内引线嵌入在封装主体中并具有其中将要安装半导体装置的区域,各个外引线分别连接到内引线,外引线均从封装主体突出并且均具有接触印刷电路板(PCB)的接触部。引线框架还包括支撑结构,该支撑结构一体地设置在封装主体的外侧面上,并包括与外引线的侧部直接相邻并接触所述侧部的边缘部。
附图说明
从下面结合附图进行的详细描述,本发明构思的示例性实施例将被更加清楚地理解,其中:
图1A是根据本发明构思实施例的引线框架的透视图;
图1B是图1A中示出的引线框架沿线A-A’截取的剖视图;
图2是根据本发明构思另一个实施例的引线框架的透视图;
图3A是根据本发明构思另一个实施例的引线框架的局部透视图;
图3B是图3A中示出的引线框架沿线A-A’截取的剖视图;以及
图4至图6示出根据本发明构思其它实施例的具有各种形状的半导体装置的半导体装置封装件。
具体实施方式
在下面的详细描述中,通过示例的方式阐述了许多具体细节,以提供对相关教导的彻底的理解。然而,本领域技术人员应当清楚,在没有这样的细节的情况下,可以实践本教导。在其它情况下,已经相对上位地描述了公知的方法、工序、组件和/或电路,而没有细节,以避免使本教导的多个方面不必要地模糊。
如在此使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意和所有组合。
下文将通过参照附图解释实施例来详细描述本发明构思。附图中相同的标号表示相同的元件。为了解释的清晰,会夸大元件的尺寸或者厚度。
在本申请中,当描述引线框架或者半导体装置封装件的结构时将提及的方向和位置关系以附图为基础,并且当没有清楚地提及方向和位置关系时,将参照相关的附图。
图1A是根据本发明构思实施例的引线框架100的透视图,图1B是图1A中示出的引线框架100沿线A-A’截取的剖视图。
参照图1A和图1B,引线框架100包括:封装主体110,具有其中可以安装半导体装置(未示出)的内部空间;以及引线单元,被设置成向半导体装置施加电压。引线单元包括内引线,内引线嵌入在封装主体110中并且具有其中安装半导体装置的区域。引线单元还包括外引线,各个外引线分别连接到内引线。外引线均从封装主体110突出,并且均具有接触印刷电路板(PCB)的接触部。引线框架还包括设置在封装主体110的外侧面上的支撑结构。支撑结构用于支撑外引线。
封装主体110被构造为固定并保护将要安装在半导体装置封装件中的半导体装置。此外,封装主体110固定并支撑用于将电压施加到半导体装置的引线单元。
封装主体110可以由电绝缘并且可以注射成型的材料形成。例如,封装主体110可以由诸如液晶聚合物、聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)等的公知的热塑性树脂形成。例如,封装主体110可以由热固性树脂形成。
取决于半导体装置的目的和设计,封装主体110可以具有诸如六面体、圆柱体、多棱柱等的各种形状,本发明构思的多个方面不限于此。
图1A和图1B示出封装主体110的示例性形状。详细地说,封装主体110的外侧面包括:左侧面110a;右侧面110b,面对左侧面110a;前侧面110c,连接左侧面110a和右侧面110b;后侧面110e,面对前侧面110c;以及底侧面110d,连接左侧面110a和右侧面110b并且连接前侧面110c和后侧面110e。
引线单元包括彼此分隔开预定距离的第一引线单元120和第二引线单元130。第一引线单元120包括第一内引线122和第一外引线121,第二引线单元130包括第二内引线132和第二外引线131。第一引线单元120的第一外引线121和第二引线单元130的第二外引线131可以沿封装主体110的外侧面弯曲。第一引线单元120的第一内引线122和第二引线单元130的第二内引线132连接到封装主体110内部的半导体装置,第一引线单元120的第一外引线121和第二引线单元130的第二外引线131从封装主体110突出。
引线单元用于向半导体装置提供电力并且散发在半导体装置中产生的热。因此,第一引线单元120和第二引线单元130可以由具有高导电率和高导热率的材料形成,例如,铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)或者通过用Ag或Au镀覆Cu或Al形成的材料。此外,引线单元可以具有单层结构或者多层结构,本发明构思的多个方面不限于此。
第一外引线121和第二外引线131安装在PCB上,并且电力被提供到第一外引线121和第二外引线131。在这种情况下,第一外引线121和第二外引线131可以是弯曲的,或者以各种形状并且根据第一外引线121和第二外引线131在PCB中的位置等形成以减小半导体装置封装件的尺寸。因此,外引线可以由可以弯曲的软材料形成。外引线的长度、宽度或者厚度可以根据半导体装置的使用而改变。
参照图1A和图1B,第一外引线121从封装主体110的左侧面110a突出,弯曲,并且到达封装主体110的左侧面110a的端部,在该端部中,封装主体110的左侧面110a接合封装主体110的底侧面110d。然后,第一外引线121从左侧面110a的端部再次弯曲以远离左侧面110a延伸。第二外引线131从封装主体110的右侧面110b突出,弯曲,并且到达封装主体110的右侧面110b的端部,在该端部中,封装主体110的右侧面110b接合底侧面110d。第二外引线131从右侧面110b的端部再次弯曲以远离封装主体的右侧面110b延伸。
在这种情况下,第一外引线121的第一接触部120a和第二外引线131的第二接触部130a设置在封装主体110的底侧面110d在其上延伸的表面上,因此封装主体110的底侧面110d被安装在PCB上。即,第一外引线121的第一接触部120a和第二外引线131的第二接触部130a电连接到PCB,并且电压被提供到第一接触部120a和第二接触部130a。
支撑结构防止外引线由于外部冲击而变形。支撑结构可以与封装主体110形成为一体。此外,支撑结构可以具有从封装主体110突出的阻挡件的形状。
参照图1A和图1B,支撑结构包括第一阻挡件141和第二阻挡件142。第一阻挡件141防止第一外引线121变形,第二阻挡件142防止第二外引线131变形。例如,如果在批量生产工艺的某阶段过程中(例如,在工艺检查操作、转移操作、封装操作等过程中),半导体装置封装件受到外部冲击,则支撑结构用于防止外引线变形。
第一阻挡件141从封装主体110突出,并且可以设置在封装主体110的后侧面110e在其上延伸的表面和第一外引线121之间,或者可以设置在封装主体110的前侧面110c在其上延伸的表面和第一外引线121之间。可选择地,第一阻挡件可以设置在封装主体110的后侧面110e在其上延伸的表面和第一外引线121之间,以及封装主体110的前侧面110c在其上延伸的表面和第一外引线121之间。此外,第二阻挡件142从封装主体110突出,并且可以设置在封装主体110的后侧面110e在其上延伸的表面和第二外引线131之间,或者可以设置在封装主体110的前侧面110c在其上延伸的表面和第二外引线131之间,或者可以设置在封装主体110的后侧面110e在其上延伸的表面和第二外引线131之间以及封装主体110的前侧面110c在其上延伸的表面和第二外引线131之间。
可以考虑到外引线的最终形状来形成第一阻挡件141和第二阻挡件142。阻挡件和外引线之间的距离可以是考虑到工艺误差的最小值。例如,第一阻挡件141和第一外引线121之间的距离和/或第二阻挡件142和第二外引线131之间的距离可以在大约0.1mm和大约0.3mm之间。
此外,第一阻挡件141和第二阻挡件142可以不比第一外引线121和第二外引线131的第一接触部120a和第二接触部130a更加突出,其中,在第一接触部120a和第二接触部130a上,外引线安装在PCB上。即,第一阻挡件141的底面可以在与第一外引线121的第一接触部120a相同的平面内,或者可以在比第一外引线121的第一接触部120a高的平面上,第二阻挡件142的底面可以在与第二外引线131的第二接触部130a相同的平面内,或者可以在比第二外引线131的第二接触部130a高的平面上。
图2是根据本发明构思另一个实施例的引线框架200的透视图。
参照图2,第一外引线221从封装主体110的左侧面110a突出,弯曲,并且延伸到封装主体110的前侧面110c。第二外引线231从封装主体110的右侧面110b突出,弯曲,并且延伸到封装主体110的前侧面110c。
更详细地,第一外引线221从封装主体110的左侧面110a的下部突出。该外引线弯曲,并且沿着左侧面110a延伸到左侧面110a的上部。然后,该外引线在左侧面110a的上部弯曲,并且到达封装主体110的左侧面110a与封装主体110的前侧面110c接合的端部。然后,该外引线在左侧面110a的该端部处弯曲,并且沿着封装主体110的前侧面110c延伸。
此外,第二外引线231从封装主体110的右侧面110b的下部突出,并且弯曲。第二外引线沿着右侧面110b延伸到右侧面110b的上部,然后在右侧面110b的上部弯曲。然后,第二外引线到达封装主体110的右侧面110b与封装主体110的前侧面110c接合的端部。第二外引线在右侧面110b的该端部处弯曲,并且沿着封装主体110的前侧面110c延伸。
当设置在引线框架200的前侧面110c处的外部端子电连接到PCB时,可以形成第一外引线221和第二外引线231的该结构。因此,接触PCB的第一外引线221的第一接触部220a和第二外引线231的第二接触部230a设置在引线框架200的前侧面110c处。
在第一外引线221和第二外引线231的该结构中,第一阻挡件241从封装主体110的前侧面110c突出以支撑第一外引线221,并且第一阻挡件241设置在封装主体110的底侧面110d在其上延伸的表面和第一外引线221之间。同样地,第二阻挡件242从封装主体110的前侧面110c突出以支撑第二外引线231,并且第二阻挡件242设置在封装主体110的底侧面110d在其上延伸的表面和第二外引线231之间。
外引线与第一阻挡件241和第二阻挡件242之间的距离可以是考虑到工艺误差的最小值。此外,第一阻挡件241不比第一外引线221的第一接触部220a更加突出,第二阻挡件242不比第二外引线231的第二接触部230a更加突出。第一阻挡件241和第二阻挡件242的前面可以分别与第一外引线221的第一接触部220a和第二外引线231的第二接触部230a处于相同的平面内。
图3A是根据本发明构思另一个实施例的引线框架300的局部透视图,图3B是图3A中示出的引线框架300沿线A-A’截取的剖视图。
参照图3A和图3B,第一外引线321从封装主体110的左侧面110a突出,弯曲,并且延伸到封装主体110的底侧面110d。第二外引线331从封装主体110的右侧面110b突出,弯曲,并且延伸到封装主体110的底侧面110d。
更详细地,第一外引线321从封装主体110的左侧面110a突出,向封装主体110的底侧面110d弯曲,延伸到左侧面110a与底侧面110d接合的端部,在左侧面110a的该端部处弯曲,并且沿着封装主体110的底侧面110d延伸。
此外,第二外引线331从封装主体110的右侧面110b突出,向封装主体110的底侧面110d弯曲,延伸到右侧面110b与底侧面110d接合的端部,在右侧面110b的该端部处弯曲,并且沿封装主体110的底侧面110d延伸。
当引线框架300的底侧面110d接触PCB时,可以形成第一外引线321和第二外引线331的该结构。在第一外引线321和第二外引线331的该结构中,第一阻挡件341可以设置在封装主体110的前侧面110c在其上延伸的表面和第一外引线321之间,或者设置在封装主体110的后侧面110e在其上延伸的表面和第一外引线321之间,或者设置在封装主体110的前侧面110c在其上延伸的表面和第一外引线321之间以及封装主体110的后侧面110e在其上延伸的表面和第一外引线321之间,从而保护并且支撑第一外引线321。同样地,第二阻挡件342可以设置在封装主体110的前侧面110c在其上延伸的表面和第二外引线331之间,或者设置在封装主体110的后侧面110e在其上延伸的表面和第二外引线331之间,或者设置在封装主体110的前侧面110c在其上延伸的表面和第二外引线331之间以及封装主体110的后侧面110e在其上延伸的表面和第二外引线331之间,从而保护并且支撑第二外引线331。
此外,第一阻挡件341可以不比第一外引线321的第一接触部320a更加突出,第二阻挡件342可以不比第二外引线331的第二接触部330a更加突出,第一阻挡件341和第二阻挡件342的底面可以分别与第一外引线321的第一接触部320a和第二外引线331的第二接触部330a处于相同的平面内。
第一外引线321的第一接触部320a的相对于封装主体110的底侧面110d的高度和第二外引线331的第二接触部330a的相对于封装主体110的底侧面110d的高度可以是彼此相似的。
可以通过压缩成型和注射成型制造引线框架,从而以批量生产的方式制造半导体装置封装件。然而,在本说明书中,制造引线框架的方法不受限制。
图4至图6示出根据本发明构思的其它实施例的半导体装置封装件400、500和600。
参照图4,半导体装置封装件400包括引线框架100(见图1)和安装在引线框架上的半导体装置。在图4中,作为半导体装置的发光二极管(LED)芯片410安装在引线框架100中。LED芯片410具有各种化合物半导体的P,N结结构作为发光结构。根据形成LED芯片410时使用的材料,LED芯片410被构造成发射蓝光、绿光、红光等。此外,LED芯片410可以用荧光层涂覆以发射各种颜色的光。此外,半导体装置封装件400可以包括保护LED芯片410并且使光透过以向外发射光的包封构件。包封构件可以由例如硅树脂或耐热环氧树脂形成。
在图4中,使用裸片键合(die bonding)将LED芯片410安装在引线框架100上。将LED芯片410的第一电极411连接到引线框架100的第一内引线122,并且使用引线键合将LED芯片410的第二电极412连接到引线框架100的第二内引线132。LED芯片410的第一电极411和第二电极412均可以是P电极或者N电极。
在图5中,使用裸片键合将LED芯片510安装在引线框架100上。使用引线键合将LED芯片510的第一电极511和第二电极512各自分别连接到引线框架100的第一内引线122和第二内引线132。
在图6中,使用倒装芯片键合将LED芯片610的第一电极611和第二电极612各自分别连接到引线框架100的第一内引线122和第二内引线132。
尽管图4中示出的半导体装置封装件400示出了LED芯片410安装在其上的引线框架100的形状,但这只是示例。本发明构思的多个方面不限于此,可以使用其它半导体装置,并且可以使用从上述引线框架100、200和300选择的一个引线框架或者其它类型的引线框架。
如上所述,在使用根据本发明构思一个或多个实施例的上述引线框架的半导体装置封装件中,阻挡件形成在封装主体上,从而可以防止由外力引起的外引线的变形。因此,可以提高半导体装置封装件的工艺良率并且可以降低生产成本。此外,当半导体装置封装件安装在PCB上时,可以减少当半导体封装件没有适当设置时会出现的缺陷。
尽管参照本发明构思的示例性实施例已经具体地示出和描述了本发明构思,但是将理解的是,在不脱离权利要求的精神和范围的情况下,在此可以做出形式和细节方面的各种改变。

Claims (20)

1.一种引线框架,所述引线框架包括:
封装主体,具有内部空间,所述内部空间被构造成安装半导体装置;
引线单元,被设置成向半导体装置施加电压,并包括内引线和外引线,内引线嵌入在封装主体中并具有其中将要安装半导体装置的区域,各个外引线分别连接到内引线,外引线均从封装主体突出并且均具有接触印刷电路板的接触部;以及
支撑结构,设置在封装主体的外侧面上并且支撑外引线。
2.根据权利要求1所述的引线框架,其中,引线单元包括第一引线单元和第二引线单元,以及
第一引线单元包括第一内引线和第一外引线,
第二引线单元包括第二内引线和第二外引线,以及
第一外引线和第二外引线沿封装主体的外侧面弯曲。
3.根据权利要求2所述的引线框架,其中,封装主体的外侧面包括:
左侧面;
右侧面,面对左侧面;
前侧面,连接左侧面和右侧面;
后侧面,面对前侧面;以及
底侧面,连接左侧面和右侧面并且连接前侧面和后侧面。
4.根据权利要求3所述的引线框架,其中,第一外引线从左侧面突出,弯曲,到达左侧面的其中左侧面与底侧面接合的端部,并从左侧面的所述端部弯曲以远离左侧面延伸,以及
第二外引线从右侧面突出,弯曲,到达右侧面的其中右侧面与底侧面接合的端部,并从右侧面的所述端部弯曲以远离右侧面延伸。
5.根据权利要求4所述的引线框架,其中,支撑结构包括:
第一阻挡件,从左侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第一外引线之间;以及
第二阻挡件,从右侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第二外引线之间。
6.根据权利要求3所述的引线框架,其中,第一外引线从左侧面突出,弯曲,并且延伸到前侧面,以及
第二外引线从右侧面突出,弯曲,并且延伸到前侧面。
7.根据权利要求6所述的引线框架,其中,支撑结构包括:
第一阻挡件,从前侧面突出并且设置在底侧面在其上延伸的表面和第一外引线之间;以及
第二阻挡件,从前侧面突出并且设置在底侧面在其上延伸的表面和第二外引线之间。
8.根据权利要求3所述的引线框架,其中,第一外引线从左侧面突出,弯曲,并且延伸到底侧面,以及
第二外引线从右侧面突出,弯曲,并且延伸到底侧面。
9.根据权利要求8所述的引线框架,其中,支撑结构包括:
第一阻挡件,从底侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第一外引线之间;以及
第二阻挡件,从底侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第二外引线之间。
10.根据权利要求1所述的引线框架,其中,支撑结构不比每个外引线的接触部更加突出。
11.根据权利要求1所述的引线框架,其中,封装主体包括热塑性树脂或者热固性树脂。
12.一种半导体装置封装件,所述半导体装置封装件包括:
半导体装置;
封装主体,具有内部空间,半导体装置能够安装在所述内部空间中;
引线单元,被设置成向半导体装置施加电压,并包括内引线和外引线,内引线嵌入在封装主体中并具有其中将要安装半导体装置的区域,各个外引线分别连接到内引线,外引线均从封装主体突出并且均具有接触印刷电路板的接触部;以及
支撑结构,设置在封装主体的外侧面上并且支撑外引线。
13.根据权利要求12所述的半导体装置封装件,其中,封装主体的外侧面包括:
左侧面;
右侧面,面对左侧面;
前侧面,连接左侧面和右侧面;
后侧面,面对前侧面;以及
底侧面,连接左侧面和右侧面并且连接前侧面和后侧面,以及
引线单元包括第一引线单元和第二引线单元,以及
第一引线单元包括第一内引线和第一外引线,
第二引线单元包括第二内引线和第二外引线,以及
第一外引线和第二外引线沿封装主体的外侧面弯曲,以及
第一外引线从左侧面突出,弯曲,到达左侧面的其中左侧面与底侧面接合的端部,并从左侧面的所述端部弯曲以远离左侧面延伸,以及
第二外引线从右侧面突出,弯曲,到达右侧面的其中右侧面与底侧面接合的端部,并从右侧面的所述端部弯曲以远离右侧面延伸。
14.根据权利要求13所述的半导体装置封装件,其中,支撑结构包括:
第一阻挡件,从左侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第一外引线之间;以及
第二阻挡件,从右侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第二外引线之间。
15.根据权利要求14所述的半导体装置封装件,其中,半导体装置包括发光装置。
16.一种引线框架,所述引线框架包括:
封装主体,具有内部空间,所述内部空间被构造成安装半导体装置;
引线单元,被构造成向半导体装置施加电压,并包括内引线和外引线,内引线嵌入在封装主体中并具有其中将要安装半导体装置的区域,各个外引线分别连接到内引线,外引线均从封装主体突出并且均具有接触印刷电路板的接触部;以及
支撑结构,一体地设置在封装主体的外侧面上,并包括与外引线的侧部直接相邻并接触所述侧部的边缘部。
17.根据权利要求16所述的引线框架,其中,引线单元包括第一引线单元和第二引线单元,以及
第一引线单元包括第一内引线和第一外引线,
第二引线单元包括第二内引线和第二外引线,以及
第一外引线和第二外引线沿封装主体的外侧面弯曲。
18.根据权利要求17所述的引线框架,其中,支撑结构包括:
第一阻挡件,从封装主体的底侧面突出并且设置在封装主体的后侧面在其上延伸的表面和第一外引线之间;以及
第二阻挡件,从底侧面突出并且设置在后侧面在其上延伸的表面和第二外引线之间。
19.根据权利要求16所述的引线框架,其中,支撑结构不比每个外引线的接触部更加突出。
20.根据权利要求16所述的引线框架,其中,封装主体包括热塑性树脂或者热固性树脂。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI555233B (zh) * 2014-03-28 2016-10-21 Built-in regulator chip of the flip-chip LED components
US9601673B2 (en) 2014-11-21 2017-03-21 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components including LED dies that are directly attached to lead frames
JP6332253B2 (ja) 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
DE102016101652A1 (de) * 2016-01-29 2017-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit Seitenkontakten
US10514131B2 (en) 2016-07-06 2019-12-24 Epistar Corporation Light-emitting apparatus
KR102415812B1 (ko) 2017-09-22 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR102559569B1 (ko) * 2018-02-01 2023-07-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
CN108305926B (zh) * 2018-02-08 2020-02-07 开发晶照明(厦门)有限公司 Led支架、led模组、以及led支架的制造方法
US10914018B2 (en) * 2019-03-12 2021-02-09 Infineon Technologies Ag Porous Cu on Cu surface for semiconductor packages

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020163001A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
KR100904152B1 (ko) * 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지

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