CN103376642A - 光掩模坯料及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供光掩模坯料及其制造方法。本发明的目的是提供一种光掩模坯料，其中存在很少的翘曲并且其中在光掩模制造工序结束后翘曲变化量也小。首先，沉积相移膜(S101)，接着，在260℃至320℃的温度范围内对所述相移膜进行热处理四小时以上(S102)，并且然后在其上进行闪光照射处理(S103)。在上述处理后在所述相移膜上沉积遮光膜(S104)，由此获得光掩模坯料(S105)。

Description

光掩模坯料及其制造方法
技术领域
本发明涉及光掩模坯料，并且更特别地涉及用于制造在半导体集成电路、CCD(电荷耦合装置)、液晶显示器(LCD)用滤色器、磁头等的微制造中使用的光掩模的光掩模坯料。
背景技术
在近年来的半导体加工技术领域中，需要电路图案的日益小型化以伴随大规模集成电路的日益集成化。为了实现这种小型化，关于使构成这种电路的布线图案的细线化技术以及使用于构成单元(cell)的层之间的布线的接触孔图案小型化的技术的需要也变得更严重。因此，在用于形成这些布线图案和接触孔图案的光刻用光掩模的制造中，也需要能够以更高的精确度写入更微细的电路图案的技术。
已知如果在将已经绘画在光掩模上的图案投射到抗蚀膜上时，发生光掩模形状的变化，则图案投射位置的精确度会下降并得到有缺陷的产品。已经明确了，必须控制光掩模的衬底形状以解决这个问题(专利文献1：日本特开2003-50458号公报)。专利文献1报道了，通过使用具有特定表面形状的衬底作为用于制造光掩模的衬底，能够在通过抽吸将光掩模固定在曝光装置的掩模载台上时，抑制表面形状的变化。
通常，将重点放在光掩模用透明衬底和光掩模坯料的平坦性上。当将光学膜如遮光膜或相移膜(phase shift film)沉积在光掩模用透明衬底上时，控制光学膜中的应力，使得衬底形状不改变。关于用于抑制“翘曲”，即衬底表面形状的变化的发生的技术存在很多报道(例如，专利文献2：日本特开2004-199035号公报)。
此外，为了应对图案的进一步细化，实际上使用液浸曝光或双重图案化以及将其组合的技术。在此，术语“液浸曝光”是指通过利用折射率比空气(折射率为1.00)更高的液体(例如折射率为1.44的纯水)填充半导体曝光装置的透镜和作为曝光对象的衬底(例如，硅晶片)之间的空间来提高图案精确度的方法。术语“双重图案化”是指其中在将一个电路图案分成两个低密度电路图案之后进行曝光的方法，其中将上述两个图案依次转印到衬底上。即，在转印一个电路图案之后，在第一个电路图案的线之间转印另一个电路图案，由此实现更高的分辨率。
例如，在对应于hp32的双重图案化所用的光掩模中，当使涂覆在衬底上的抗蚀剂曝光时，要求约3nm至约4nm作为叠加精确度。除了这种对高的叠加精确度的要求之外，因为曝光的光是波长为193nm的短波长光并且由此焦深(DOF)较浅，所以还要求光掩模具有高度的平坦性以实现非常精确的图案化。
可利用相移法作为提高分辨率而不使焦深变浅的一个方法。根据相移法，使用在其上形成图案，使得在通过相移部分的光和通过透明部分的光之间的相位差为约180°的光掩模(相移掩模)。通过相移部分的光和通过透明部分的光相互干涉而形成具有相反相的透射光。相移法使用透射光的相信息来改善分辨率性能。应注意，相移掩模的类型包括Levenson型掩模和半色调型掩模。半色调相移掩模具有比较简单的结构并被广泛使用。
将具有由氧化硅化钼(MoSiO)、氮氧化硅化钼(MoSiON)或氮化硅化钼(MoSiN)制成的相移膜的掩模用作半色调相移掩模(专利文献3：日本特开07-140635号公报)。
通过用电子束蚀刻法或光刻法在相移掩模坯料的主面上形成图案而形成这种相移掩模。更具体地，在相移掩模坯料的相移膜上涂覆抗蚀剂，通过电子束或紫外线将期望的抗蚀剂部位曝光，此后将抗蚀剂显影以获得抗蚀剂图案，由此将在期望部位处的相移膜曝光。随后，通过利用抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻而除去相移膜的曝光部位，从而曝光衬底面，并然后将抗蚀剂图案剥离以获得相移掩模。
一般来说，在光掩模坯料中，通过溅射形成功能性透明膜如相移膜。然而，即使当将在安装在所用曝光装置上时表现高度平坦性的透明衬底用于制造光掩模坯料时，在膜沉积工序期间也在膜中产生应力，并且所述应力造成衬底的应变并引起光掩模坯料的翘曲。另外，当在光掩模制造工序期间释放已经在相移膜等中积累的应力时，由于应力的释放，衬底的翘曲状态从选择的透明衬底的初始状态发生变化。
当在光掩模制造工序期间发生这种衬底的翘曲量变化时，其导致曝光时光掩模平坦性的损失，并且关于图案曝光的有效DOF下降并成为引起分辨率失效的因素。
如果在使得功能性透明膜如相移膜内的应力变成与其它功能性膜中相同的水平的条件下进行膜沉积，则不产生上述问题。然而，这是非常困难的，且实际上不可能找到满足功能性透明膜所需要的各种特性，并且同时也是沉积低应力膜的条件的膜沉积条件。因此，在满足功能性透明膜所需要的各种特性的条件下沉积膜之后，必须提供降低膜应力的其它步骤。
从外部施加能量作为降低这种膜内应力的手段是已知的。可使用加热板、加热器、卤素灯、红外灯等作为特定能量施加手段。当使用这些手段时，如果在功能性透明膜中累积了大量应力，则必须施加非常大量的热能以充分释放应力。然而，如果施加的热能的量太大，则功能性透明膜的特性改变并且所述功能性透明膜不能实施其原有的功能。
可借助于激光退火通过瞬时施加热能来避免这个缺点。然而，因为激光是单一波长的光，所以存在其效果取决于功能性透明膜所具有的相对于激光波长的光吸收率的问题(专利文献4：日本特开2002-229183号公报)。
为了解决这个问题，已知以预定的能量密度照射源自闪光灯的光以降低功能性透明膜的应力的方法(专利文献2：日本特开2004-199035号公报)。根据这种方法，通过将源自闪光灯的光的照射能量的量控制为适当的量，也可以使得作为功能性透明膜的半色调相移膜的翘曲量等于或小于±0.05μm(专利文献5：日本特开2005-331554号公报)。另外，在形成这种具有小翘曲量的半色调相移膜之后，沉积作为其它功能性膜的遮光膜和防反射膜以形成用作光掩模坯料的层压体。
发明内容
当前最新水平的光掩模坯料所要求的平坦性(翘曲量)是在其中以光掩模坯料的主面中央为中心且一边为132mm的矩形区域内的±0.05μm的测量值，并且更严格的要求是±0.03μm的平坦性。在此，将其中衬底因在膜中积累的应变而以凹形翘曲的情况作为压缩应力的情况，并且用“-”(负)表示翘曲量。另外，将其中衬底因在膜中积累的应变而以凸形翘曲的情况作为拉伸应力的情况，并且用“+”(正)表示翘曲量。
此外，为了精确地形成微细图案，必须提高光掩模等的叠加精确度，并且必须将在利用光掩模坯料制造光掩模的过程期间发生的翘曲变化抑制为小量。
迄今为止，在制造光掩模的过程中，即使当沉积具有例如约0.4μm的大的膜应力的功能性透明膜时，也认为如果由源自闪光灯的光施加适量的照射能量并且也形成半色调相移膜，则可将翘曲量抑制为小量并且可充分抑制在其上形成有图案的光掩模中半色调相移膜的翘曲变化量。然而，在将这种产品实际用作光掩模时，发现源自光掩模坯料的半色调相移膜的翘曲变化量为±0.06μm。
本发明人进行了集中研究以明确上述问题的原因，并查明其原因是当在光掩模坯料上形成抗蚀剂图案以用于光掩模的图案形成时所施加的热历史。另外，本发明人发现，当形成相移膜时，在对相移膜进行闪光照射处理之前或者之后，有必要在等于或大于热历史的温度下进行一定时间以上的热处理。本发明人发现，通过进行热处理，使半色调相移膜的翘曲变化量减少一半以上，并且因此发现，当将由包含该半色调相移膜的层压体形成的光掩模坯料用于光掩模时，半色调相移膜的翘曲变化量相对于常规的翘曲变化量为一半以下。
本发明的目的是提供一种光掩模坯料，其具有高度的平坦性(即，低程度的翘曲)并且其中在光掩模制造工序结束后翘曲变化量小。
为了解决上述问题，本发明的光掩模坯料是如下光掩模坯料，其中在对曝光的光透明的衬底上形成有包含至少一种功能性透明膜的层压体，其中在如下步骤中的任一个步骤之后，对所述层压体进行至少一次热处理：沉积所述功能性透明膜的步骤；在沉积所述功能性透明膜之后进行至少一次闪光照射处理的步骤；以及在其上形成与所述功能性透明膜不同的功能性膜的层以形成所述层压体的步骤。
在所述光掩模坯料中，在光掩模制造工序结束后所述功能性透明膜的翘曲变化量在±0.05μm内，并且由此可降低制造光掩模时的翘曲变化量。
所述翘曲变化量是在其中以所述光掩模坯料的主面中央为中心且一边为132mm的矩形区域内的测量值。
根据一个方面，所述功能性透明膜包括半色调相移膜。
本发明制造光掩模坯料的方法是制造其中在对曝光的光透明的衬底上形成有包含至少一种功能性透明膜的层压体的光掩模坯料的方法，所述方法包括：在衬底上沉积至少一种功能性透明膜的步骤；在其中所述功能性透明膜在所述衬底上的翘曲量绝对值为0.1μm以上的情况下进行闪光照射处理的步骤；以及在其上形成与所述功能性透明膜不同的功能性膜的层以形成层压体的步骤；所述方法还包括在三个步骤中的任一个步骤之后进行至少一次热处理的步骤。
优选地，在260℃至320℃的温度范围内将所述热处理进行四小时以上。
此外，优选地，在所述进行闪光照射处理的步骤中，单次照射的时间为一秒以下。
另外，优选地，进行所述热处理和所述闪光照射处理的条件使得在进行所述热处理的步骤和进行所述闪光照射处理的步骤之后所述功能性透明膜在所述衬底上的翘曲量在±0.05μm内。
包含所述功能性透明膜的所述层压体在所述衬底上的翘曲量是在其中以所述光掩模坯料的主面中央为中心且一边为132mm的矩形区域内的测量值。
根据一个方面，所述层压体包括半色调相移膜。
根据本发明，在如下步骤中的任一个步骤之后，进行至少一次热处理：沉积功能性透明膜的步骤；在沉积功能性透明膜之后进行至少一次闪光照射处理的步骤；以及在其上形成与所述功能性透明膜不同的功能性膜的层以形成层压体的步骤。因此，有效地进行了其中已积累应力的功能性透明膜的应力释放。结果，可提供一种光掩模坯料，其具有高度的平坦性(即，具有很少的翘曲)并且其中在光掩模制造工序结束后翘曲变化量也小。
附图说明
图1是说明本发明的光掩模坯料制造工序的实例的流程图(对功能性透明膜的热处理和闪光照射处理)；
图2是说明本发明的光掩模坯料制造工序的实例的流程图(对功能性透明膜的闪光照射处理和热处理)；以及
图3是说明本发明的光掩模坯料制造工序的实例的流程图(对功能性透明膜的闪光照射处理，以及形成其它功能性膜之后的热处理)；
具体实施方式
下文中，将参照附图对本发明的光掩模坯料和制造光掩模坯料的方法进行说明。
如上所述，为了精确地形成微细图案，必须提高光掩模等的叠加精确度，并且必须将在利用光掩模坯料制造光掩模的过程期间产生的翘曲变化量抑制为小量。本发明人对于这个问题进行了研究，并且发现，为了有效地从包含其中已经积累应力的功能性透明膜的层压体中释放应力，有效的是对于功能性透明膜，除了进行闪光照射之外，还进行热处理。
即，根据本发明制造光掩模坯料的方法，当制造其中在对曝光的光透明的衬底上形成有包含至少一种功能性透明膜的层压体的光掩模坯料时，在进行如下三个步骤中的任一个步骤之后，进行至少一次热处理：在衬底上沉积至少一种功能性透明膜的步骤；在其中功能性透明膜在衬底上的翘曲量绝对值为0.1μm以上的情况下进行闪光照射处理的步骤；以及在其上形成与所述功能性透明膜不同的功能性膜的层以形成层压体的步骤。尽管功能性透明膜在衬底上的翘曲量绝对值的上限没有特别规定，但已经确认，即使当翘曲量的绝对值为0.4μm时，也具有效果。
图1是说明本发明的光掩模坯料制造工序的实例的流程图。图1图解说明了制造光掩模坯料的实例，在所述光掩模坯料中在对曝光的光透明的衬底上形成有包含作为功能性透明膜的相移膜和作为其它功能性膜的遮光膜的层压体。在图1中，对以下情况图解说明了工序流程：在前述膜中，相移膜在衬底上的翘曲量绝对值为0.1μm以上，并且将热处理和闪光照射处理各自进行一次以释放相移膜中的应力。
首先，沉积相移膜(S101)。接着，对所述相移膜进行热处理(S102)，然后进行闪光照射处理(S103)。在经历上述应力释放处理的相移膜上沉积遮光膜(S104)，并获得光掩模坯料(S105)。
下文说明进行热处理和闪光照射处理的条件等，并且关于进行这些处理的阶段和方式可具有各种模式。
图2是说明本发明的光掩模坯料制造工序的另一实例的流程图。根据图2，首先，沉积相移膜(S101)。接着，对所述相移膜进行闪光照射处理(S103)和热处理(S102)。在经历上述应力释放处理的相移膜上沉积遮光膜(S104)，并获得光掩模坯料(S105)。
图3是说明本发明的光掩模坯料制造工序的还一个实例的流程图。根据图3，首先，沉积相移膜(S101)。接着，对所述相移膜进行闪光照射处理(S103)，并且然后沉积遮光膜以获得层压体(S104)。对所述层压体进行热处理(S102)，并获得光掩模坯料(S105)。
优选在260℃至320℃的温度范围内将上述热处理进行两小时以上，且更优选进行四小时以上。如果处理温度低于260℃，则功能性透明膜内部的应力释放会不充分，而如果处理温度高于320℃，则存在会积累等于或大于所释放应力的量的应力的风险。更优选地，所述温度范围为285℃至315℃。通过在这种温度下进行热处理，能够将由在形成抗蚀剂图案时施加的热历史所产生的衬底中的翘曲变化量抑制在±0.05μm，并且更优选±0.03μm的范围内。
应注意，尽管惰性气体如氮气是用于热处理的基础气氛，但是在形成层压体后进行热处理的情况下，例如，如果在其中氮气中的氧含量在16%和24%之间的气氛中进行热处理，则可以适度地氧化最外表面并可增强耐化学性。如果气氛中的氧含量低于16%，则耐化学性的增强效果会不充分，而如果氧含量超过24%，则存在可能产生表面粗糙度的风险。
关于闪光照射处理，如果单次照射的时间太长，则存在衬底本身的形状会改变的风险。因此，单次照射的时间优选为一秒以下，更优选10毫秒以下，并且进一步优选1毫秒以下。应注意，单次照射时间的下限通常为0.1毫秒。另外，优选在其中将衬底保持在50℃和300℃之间的温度下的状态中进行闪光照射。在闪光照射处理期间以这种方式加热的原因是使在进行连续闪光照射处理时保持室内温度恒定并使工序稳定化。
对于作为用于应力释放的对象的各功能性透明膜，相对于闪光的吸收效率不同。因此，必须根据功能性透明膜的组成等进行调节以获得适当的闪光照射能量密度。
基于本发明人进行的研究结果，发现当功能性透明膜为半色调相移膜时，当所述半色调相移膜相对于KrF准分子激光具有5%至7%的透射率时，合适的闪光照射能量密度范围为5.5J/cm2至16.5J/cm2。
当所述半色调相移膜相对于KrF准分子激光具有18%至32%的透射率时，合适的闪光照射能量密度范围为16.8J/cm2至31.0J/cm2。
当所述半色调相移膜相对于ArF准分子激光具有5%至7%的透射率时，合适的闪光照射能量密度范围为14.7J/cm2至27.5J/cm2。
当所述半色调相移膜相对于ArF准分子激光具有18%至32%的透射率时，合适的闪光照射能量密度范围为21.0J/cm2至36.0J/cm2。
闪光照射的气氛可以是惰性气体如氩气、氮气，或者包含惰性气体如氩气、氮气以及氧气中的两种以上的混合气体。此外，还可以在真空或空气中进行闪光照射。从防止粒子散射的观点来看，优选在真空中进行闪光照射。
当在本发明的实践中进行闪光照射处理时，可以以单次闪光或者可分成多次闪光而完成膜的照射。
在图1至图3中，尽管图解说明了其中将热处理(S102)和闪光照射处理(S103)各自进行一次的实例，但是可进行多次热处理和闪光照射处理。
作为对曝光的光透明的衬底的实例，可提及由合成石英玻璃、氟化钙等制成的衬底。
沉积在对曝光的光透明的衬底上的功能性透明膜的种类包括例如对源自闪光灯的光透明的蚀刻停止膜和相移膜。其它功能性膜的种类包括相对于源自闪光灯的光具有遮光效果的遮光膜和防反射膜。光掩模坯料包括层压体，所述层压体包含这些功能性透明膜中的至少一种和与所述功能性透明膜不同的功能性膜(其它功能性膜)。
这些功能性透明膜对闪光是半透明的。在闪光照射处理时，相关的功能性透明膜可吸收部分闪光并减小膜的应力。
在形成在衬底上的包含功能性透明膜和其它功能性膜的层压体中，相对于构成层压体的功能性膜的曝光波长，各光密度的总和优选为2.5以上，并且更优选3.0以上。
尽管可将已知的方法用于在衬底上沉积功能性膜，但优选通过溅射进行沉积。当膜必须包含轻元素如氧、氮或碳时，优选反应性溅射法。应注意，溅射气体可以是在惰性气体如氩气中添加有氧、氮或者包含氧、氮或碳的气体如氧化氮或氧化碳等所得的气体。
溅射加工可以使用直流(DC)电源或射频(RF)电源。可使用磁控溅射系统或常规的溅射系统。膜沉积装置可以是通过(passing)型或片材型。
在其中功能性透明膜为半色调相移膜的情况下，一般来说，可将半色调相移膜分成相对于曝光波长的透射率为约6%的低透射率型，和相对于曝光波长的透射率在18%和32%之间的高透射率型。
半色调相移膜可以是非晶硅膜，含有氧、氮或碳的金属化合物膜等。通常，优选包含如下单层或多层的半色调相移膜，所述单层或多层包含硅、除硅之外的金属、以及选自氧、氮和碳中的一种或多种元素。
半色调相移膜中含有的除硅之外的金属的实例包括W、Mo、Ti、Ta、Zr、Hf、Nb、V、Co、Cr和Ni。其中，基于Mo的膜具有优异的耐化学性并且对于降低膜内应力具有显著效果。其具体实例包括由如下构成的半色调相移膜：氧化硅化钼(MoSiO)、氮化硅化钼(MoSiN)、碳化硅化钼(MoSiC)、氮氧化硅化钼(MoSiON)、碳氧化硅化钼(MoSiOC)、或碳氮氧化硅化钼(MoSiONC)。
优选地，半色调相移膜的厚度通常在30至200nm的范围内，并且特别优选50至130nm的范围，但所述范围根据使用半色调相移掩模时的曝光波长、相移膜的透射率、相移量等而变化。
进行上述热处理步骤和闪光照射处理步骤的条件使得在进行两个步骤后功能性透明膜在衬底上的翘曲量在±0.05μm内。可将通过上述制造方法获得的相移掩模的半色调相移膜的翘曲变化量抑制在±0.05μm内。
[实施例]
下文中，通过实施例和比较例对本发明光掩模坯料的制造方法进行详细说明。
[相移膜沉积]
通过反应性DC溅射技术在厚度为0.25英寸的6英寸见方的石英衬底上沉积厚度为
Figure BDA00003112285300121
的由MoSiON构成的半色调相移膜以作为功能性透明膜。对MoSiON膜的组成进行调节以在使用ArF准分子激光(波长193nm)作为曝光的光时提供约180°的相位差和约5%的透射率。在下文中说明具体的成膜条件。
将氩气、氧气和氮气用作溅射气体，并且将室内部的气压调节为0.05Pa。将两种靶，即Mo靶和Si靶用作靶，并在30rpm下旋转衬底的同时进行膜沉积。关于ESCA分析，半色调相移膜具有Mo:Si:O:N=1:4:1:4(原子比)的组成。
在其中以衬底的主面中央为中心且一边为132nm的矩形区域内评价沉积MoSiON膜之后衬底上的翘曲。MoSiON膜相对于衬底侧形成为凹形，所述膜中积累的应变为压缩应力，并且翘曲量为-0.4μm。应注意，在下文中，可以将相对于衬底侧以凹形形成的功能性透明膜描述为其中积累压缩应力的膜，而可以将相对于衬底侧以凸形形成的功能性透明膜描述为其中积累拉伸应力的膜。
[实施例1]
在将其上沉积有上述MoSiON膜的衬底保持在80℃温度下的状态中，在使得MoSiON膜的翘曲在±0.05μm内的条件下照射源自闪光灯的光(S103)。此时的闪光能量密度为每单位面积19J/cm2，并且照射时间为0.1至10毫秒。通过调节施加至灯的电压来进行闪光能量密度的控制。
随后，在300℃下进行热处理6小时(S102)。此时的气氛为80%氮气和20%氧气。此时，半色调相移膜的翘曲量为+0.03μm。
在闪光照射处理和热处理之后，将基于铬的遮光膜和基于氧化铬的防反射膜层压到MoSiON膜上(S104)，从而获得半色调相移光掩模坯料(S105)。
通过旋涂法在由此获得的光掩模坯料上涂覆EB抗蚀剂至150nm的膜厚度，并进行预焙烧(在100℃下进行10分钟)以除去残留在膜中的溶剂。
在将该抗蚀膜曝露于电子束之后，进行后焙烧(在120℃下进行5分钟)。在氢氧化四甲基铵(TMAH)的碱性水溶液中使抗蚀膜显影以形成抗蚀剂图案。在形成抗蚀剂图案之后，在140℃下进行热处理6分钟。在抗蚀剂图案形成之后，在光掩模坯料上形成图案以获得半色调型相移掩模。
以这种方式制造的光掩模的半色调相移膜的翘曲量为+0.02μm。即，在光掩模制造工序结束后，半色调相移膜的翘曲变化量为-0.01μm。将这些结果总结在表1中。
[实施例2]
在300℃下对其上沉积有上述MoSiON膜的衬底进行热处理6小时(S102)。此时的气氛为80%氮气和20%氧气。
随后，在其中将MoSiON膜保持在80℃的温度下的状态中，在使得MoSiON膜的翘曲在±0.05μm内的条件下照射源自闪光灯的光(S103)。此时的闪光能量密度为每单位面积19J/cm2，并且照射时间为0.1至10毫秒。此时，半色调相移膜的翘曲量为+0.02μm。
此后，通过与实施例1中相同的步骤制造光掩模。所述光掩模的半色调相移膜的翘曲量为-0.01μm。即，在光掩模制造工序结束后，半色调相移膜的翘曲变化量为-0.03μm。将这些结果总结在表1中。
[比较例1]
在将其上沉积有上述MoSiON膜的衬底保持在80℃温度下的状态中，在使得MoSiON膜的翘曲在±0.05μm内的条件下照射源自闪光灯的光。此时的闪光能量密度为每单位面积19J/cm2，并且照射时间为0.1至10毫秒。此时，半色调相移膜的翘曲量为-0.01μm。
此后，通过与实施例1和2中相同的步骤制造光掩模。所述光掩模的半色调相移膜的翘曲量为-0.07μm。即，在光掩模制造工序结束后，半色调相移膜的翘曲变化量为-0.06μm。将这些结果总结在表1中。
[表1]
上述结果表明，对于包含其中积累应力的功能性透明膜的层压体，可以通过除了闪光照射之外，还进行热处理来减少应力的变化量。
如上所述，根据本发明，对于包含其中积累应力的功能性透明膜的层压体，将热处理和闪光照射处理各自进行至少一次。结果，可提供一种光掩模坯料，其具有高度的平坦性(即，具有很少翘曲)，并且其中在光掩模制造工序结束后翘曲变化量也小。

Claims (10)

1.一种光掩模坯料，其中在对曝光的光透明的衬底上形成有包含至少一种功能性透明膜的层压体，其中：
在如下步骤中的任一个步骤之后，对所述层压体进行至少一次热处理：沉积所述功能性透明膜的步骤；在沉积所述功能性透明膜之后进行至少一次闪光照射处理的步骤；以及在其上形成与所述功能性透明膜不同的功能性膜的层以形成所述层压体的步骤。
2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中，在所述光掩模坯料中，在光掩模制造工序结束后，所述功能性透明膜的翘曲变化量在±0.05μm内。
3.根据权利要求2所述的光掩模坯料，其中所述翘曲变化量是在其中以所述光掩模坯料的主面中央为中心且一边为132mm的矩形区域内的测量值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光掩模坯料，其中所述功能性透明膜包含半色调相移膜。
5.一种制造光掩模坯料的方法，在所述光掩模坯料中在对曝光的光透明的衬底上形成有包含至少一种功能性透明膜的层压体，所述方法包括：
在衬底上沉积至少一种功能性透明膜的步骤；
在其中所述功能性透明膜在所述衬底上的翘曲量绝对值为0.1μm以上的情况下进行闪光照射处理的步骤；以及
在其上形成与所述功能性透明膜不同的功能性膜的层以形成层压体的步骤；
所述方法还包括在所述三个步骤中的任一个步骤之后进行至少一次热处理的步骤。
6.根据权利要求5所述的制造光掩模坯料的方法，其中在260℃至320℃的温度范围内将所述热处理进行四小时以上。
7.根据权利要求5或6所述的制造光掩模坯料的方法，其中在所述进行闪光照射处理的步骤中，单次照射的时间为一秒以下。
8.根据权利要求5或6所述的制造光掩模坯料的方法，其中进行所述热处理和所述闪光照射处理的条件使得在进行所述热处理的步骤和进行所述闪光照射处理的步骤之后所述功能性透明膜在所述衬底上的翘曲量在±0.05μm内。
9.根据权利要求5或6所述的制造光掩模坯料的方法，其中包含所述功能性透明膜的所述层压体在所述衬底上的翘曲量是在其中以所述光掩模坯料的主面中央为中心且一边为132mm的矩形区域内的测量值。
10.根据权利要求5或6所述的制造光掩模坯料的方法，其中所述功能性透明膜包含半色调相移膜。
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