CN103302752A - 切削方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供切削方法，其能高精度控制被加工物的完成厚度。所述切削方法用具有切削刃的刀具切削构件对被加工物进行切削，其特征在于，具备：保持步骤，用卡盘工作台保持被加工物；被加工物厚度计算步骤，在实施保持步骤后，用具有接触针的高度位置检测构件对卡盘工作台的保持面的高度位置和保持在卡盘工作台的被加工物的上表面高度位置进行检测，计算出被加工物厚度；冷却液供给步骤，始终向接触针提供冷却液；和切削步骤，在实施被加工物厚度计算步骤后，根据被加工物的上表面高度位置而将刀具切削构件的切削刃定位在预定高度，旋转切削刃并使刀具切削构件和卡盘工作台在水平方向相对移动，用该刀具切削构件对被加工物的上表面进行回转切削。

Description

切削方法
技术领域
本发明涉及利用刀具对晶片等被加工物进行回转切削的切削方法。
背景技术
在用于实现半导体器件的轻薄短小化的技术中有各种各样的技术。作为一个示例，在形成于半导体晶片的器件表面形成多个高度大约10～100μm的被称为凸点的金属凸起物，使这些凸点与形成于配线基板的电极相对而直接进行接合，这被称为倒装焊接（flip chip bonding）的安装技术已实用化。
形成于半导体晶片的器件表面的凸点通过电镀或钉头凸点（stud bump）这样的方法而形成。因此，各个凸点的高度不均一，这样很难直接将多个凸点全部均一地与配线基板的电极接合。
此外，为了实现高密度配线，存在一种在凸点与配线基板之间夹着各向异性导电性薄膜（ACF）而进行接合的集成电路安装技术。采用该安装技术的情况下，若凸点的高度不够，则导致接合不良，因此需要一定以上的凸点高度。
因此，优选将形成于半导体晶片的表面的多个凸点切削成所希望的高度。作为将凸点切削成所希望的高度的方法，在例如日本特开2004-319697号公报中提出了采用刀轮来削取凸点的方法。
刀轮具备轮基座和刀具单元，所述刀具单元包括配设于轮基座的切削刃，在一边使刀轮旋转一边在切削刃与被加工物抵接的状态下使刀轮和被加工物滑动，从而完成切削。
为了对半导体晶片等被加工物高精度地进行切削而将其减薄，在切削时采用接触式的高度位置检测器对卡盘工作台的保持面的上表面高度和被加工物的上表面高度位置进行检测，根据检测出的被加工物的上表面高度位置而将切削刃定位在预定高度，对被加工物进行回转切削，将被加工物减薄至预定的厚度（参见日本特开2007-059523号公报）。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2004-319697号公报
专利文献2：日本特开2007-059523号公报
发明内容
另外，存在这样的问题：当高度位置检测器由于随着装置运转的发热及室温的温度变化等而发生热膨胀时，无法高精度地控制被加工物的完成厚度。
本发明正是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供能够高精度地控制被加工物的完成厚度的切削方法。
根据本发明，提供一种切削方法，其利用具有切削刃的刀具切削构件对被加工物进行切削，该切削方法的特征在于，该切削方法具备：保持步骤，利用卡盘工作台保持被加工物；被加工物厚度计算步骤，在实施所述保持步骤后，利用具有接触针的高度位置检测构件对该卡盘工作台的保持面的高度位置和保持在该卡盘工作台上的被加工物的上表面高度位置进行检测，从而计算出被加工物的厚度；冷却液供给步骤，始终向该接触针供给冷却液；以及切削步骤，在实施所述被加工物厚度计算步骤后，根据该被加工物的上表面高度位置而将刀具切削构件的切削刃定位在预定高度，旋转该切削刃并使该刀具切削构件和该卡盘工作台在水平方向相对移动，利用该刀具切削构件对被加工物的上表面进行回转切削。
根据本发明的切削方法，由于始终向接触针提供冷却液，因此能够防止高度位置检测器随着切削装置运转所伴随的发热及室温的温度变化而发生热膨胀，能够准确地检测出被加工物的上表面高度位置，从而将被加工物切削成预定厚度。
附图说明
图1是适合于实施本发明的切削方法的切削装置的立体图。
图2是沿图1的箭头A方向的视图。
标号说明
2：切削装置；
16：刀具切削单元；
30：刀轮；
32：刀具；
40：卡盘工作台；
72：第一高度位置检测器；
74：第二高度位置检测器；
74a：接触针；
76、78：冷却液供给喷嘴。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。参照图1，示出了适合于实施本发明的切削方法的切削装置2的立体图。切削装置2的外壳4由水平外壳部分6和垂直外壳部分8构成。
在垂直外壳部分8固定有沿上下方向延伸的一对导轨12、14。刀具（切削工具，cutting tool）切削单元16安装成能够沿着该一对导轨12、14在上下方向移动。刀具切削单元16经支承部20而安装于沿着一对导轨12、14在上下方向移动的移动基座18。
刀具切削单元16包括：主轴箱22，其安装于支承部20；主轴24，其能够旋转地容纳在主轴箱22中；以及伺服马达26，其用于旋转驱动主轴24。
在主轴24的末端部固定有轮座28，具有刀具32的刀轮30安装于该轮座28。在刀具32的末端具有由金刚石形成的切削刃。
切削装置2具备刀具切削单元进给机构34，该刀具切削单元进给机构34用于沿着一对导轨12、14而在上下方向移动刀具切削单元16。刀具切削单元进给机构34由滚珠丝杠36和固定于滚珠丝杠36的一端部的脉冲马达38构成。当脉冲驱动脉冲马达38时，滚珠丝杠36进行旋转，移动基座18经容纳在移动基座18的内部的滚珠丝杠36的螺母而沿上下方向移动。
在水平外壳部分6的凹部10中配设有卡盘工作台40。卡盘工作台40借助于未图示的卡盘工作台移动机构而在Y轴方向移动。标号44、46是波纹管。与卡盘工作台40相邻地配设有切削液供给喷嘴42，该切削液供给喷嘴42用于朝向切削中的被加工物和刀轮30供给切削液。
在外壳4的水平外壳部分6配设有：第一盒48；第二盒50；被加工物搬送机械手52；具有多个定位销56的临时放置工作台54；用于将被加工物从临时放置工作台54搬入到卡盘工作台40上的被加工物搬入构件58；用于将被加工物从卡盘工作台40搬出的被加工物搬出构件60；以及清洗单元62。并且，在外壳4的前方设置有供操作员输入切削加工条件等的操作面板64。
在水平外壳部分6跨过凹部10地配设有门型框架70，卡盘工作台40能够通过门型框架70的下方的空间。
在门型框架70安装有第一高度位置检测器72和第二高度位置检测器74。在第一和第二高度位置检测器72、74的末端分别具有接触针，例如利用第一高度位置检测器72检测卡盘工作台40的保持面的高度位置，利用第二高度位置检测器74检测被保持在卡盘工作台40上的被加工物的上表面高度位置。
如图1和图2所示，在门型框架70安装有冷却液供给喷嘴78，该冷却液供给喷嘴78用于朝向第二高度位置检测器74的接触针74a供给冷却液。同样地，在门型框架70还安装有冷却液供给喷嘴76，该冷却液供给喷嘴76用于朝向第一高度位置检测器72的接触针供给冷却液。
冷却液供给喷嘴76、78与冷却液供给源80连接。从冷却液供给喷嘴76、78在切削装置2运转中始终朝向第一和第二高度位置检测器72、74的接触针供给冷却液79。
下面，对如上述那样构成的切削装置2的切削作业进行说明。通过被加工物搬送机械手52的上下动作和进退动作来搬送容纳在第一盒48中的被加工物，并将其放置在临时放置工作台54上。
利用多个定位销56对放置在临时放置工作台54上的被加工物进行中心找正后，通过被加工物搬入构件58的回转动作将该被加工物放置在定位于被加工物搬入搬出区域的卡盘工作台40上，并利用卡盘工作台40对其进行吸引保持。
然后，将卡盘工作台40移动到第一和第二高度位置检测器72、74的下方，利用第一高度位置检测器72检测与卡盘工作台40的保持面的高度位置处于同一平面的框体的上表面位置，并且利用第二高度位置检测器74检测被加工物的上表面高度位置。
并且，通过从被加工物的上表面高度位置减去卡盘工作台40的保持面的上表面高度位置，从而计算出被加工物的厚度。另外，关于对卡盘工作台的保持面的高度位置的检测，只要在建立时实施一次即可，无需针对每件被加工物都实施。
在该高度位置检测步骤中，由于从冷却液供给喷嘴76、78始终朝向接触针喷出冷却液，因此能够防止高度位置检测器72、74随着切削装置2运转所伴随的发热及室温的温度变化而发生热膨胀，能够准确地检测出卡盘工作台40的保持面的高度位置和被加工物的上表面高度位置。
通过从被加工物的上表面高度位置减去卡盘工作台40的保持面的高度位置而计算出被加工物的厚度，根据计算出的被加工物的厚度来设定被保持在卡盘工作台40上的被加工物的目标切削高度。
设定目标切削高度后，在图1中驱动卡盘工作台移动机构而在Y轴方向上将卡盘工作台40移动到里侧（右侧）后，驱动刀具切削单元进给机构34而将刀具32的切削刃移动到所设定的目标切削高度，使其切入被加工物。
并且，一边将卡盘工作台40拉到Y轴方向近前侧，一边对保持在卡盘工作台40上的被加工物实施回转切削。一边从切削液供给喷嘴42提供切削液一边实施切削加工。
在切削加工结束后，根据需要而使卡盘工作台40回到与第一和第二高度位置检测器72、74对置的位置，利用第二高度位置检测器74检测切削后的被加工物的高度位置，并确认被加工物是否被切削至了所希望的厚度。
如以上详细描述的那样，根据本发明的切削方法，由于始终对第一和第二高度位置检测器72、74的接触针进行冷却，因此能够防止第一和第二高度位置检测器72、74随着切削装置2运转所伴随的发热及室温的温度变化而发生热膨胀，能够准确地检测出被加工物的上表面高度位置，从而将被加工物切削成所希望的厚度。

Claims (1)

1.一种切削方法，其利用具有切削刃的刀具切削构件对被加工物进行切削，该切削方法的特征在于，
该切削方法具备：
保持步骤，利用卡盘工作台保持被加工物；
被加工物厚度计算步骤，在实施该保持步骤后，利用具有接触针的高度位置检测构件对该卡盘工作台的保持面的高度位置和保持在该卡盘工作台上的被加工物的上表面高度位置进行检测，从而计算出被加工物的厚度；
冷却液供给步骤，始终向该接触针供给冷却液；以及
切削步骤，在实施该被加工物厚度计算步骤后，根据该被加工物的上表面高度位置而将刀具切削构件的切削刃定位在预定高度，旋转该切削刃并使该刀具切削构件和该卡盘工作台在水平方向相对移动，利用该刀具切削构件对被加工物的上表面进行回转切削。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107249817A (zh) * 2015-11-10 2017-10-13 Abb瑞士股份有限公司 用于机加工的方法和系统以及机器人系统
CN111435640A (zh) * 2019-01-11 2020-07-21 株式会社迪思科 被加工物的加工方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5945182B2 (ja) * 2012-07-23 2016-07-05 株式会社ディスコ バイト切削装置
JP5921373B2 (ja) * 2012-07-27 2016-05-24 株式会社ディスコ バイト切削装置
JP2016078214A (ja) * 2014-10-22 2016-05-16 株式会社ディスコ バイト切削装置
CN104551253A (zh) * 2014-11-14 2015-04-29 湖北永金精密机械设备股份有限公司 法兰油槽专机
JP6751301B2 (ja) * 2016-03-14 2020-09-02 株式会社ディスコ 研削装置
CN111376052A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 云南全控机电有限公司 一种径向垂直旋转的加工设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63256358A (ja) * 1987-04-10 1988-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 研削寸法測定装置
US20040208718A1 (en) * 2003-04-15 2004-10-21 Kazuhisa Arai Machine for processing electrodes formed on a plate-like workpiece
KR20050007820A (ko) * 2003-07-11 2005-01-21 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 시스템
US6861619B1 (en) * 2000-02-07 2005-03-01 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement
JP2007059523A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の加工方法および加工装置
CN101407040A (zh) * 2008-11-11 2009-04-15 广东工业大学 一种带有研磨盘冷却机构的平面研磨机
CN102034697A (zh) * 2009-10-01 2011-04-27 硅电子股份公司 用于半导体晶片抛光的方法
CN102315143A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 东京毅力科创株式会社 基板处理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63256359A (ja) * 1987-04-10 1988-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 研削寸法測定装置
KR100303396B1 (ko) * 1998-05-26 2001-11-30 윤종용 반도체장치제조용웨이퍼그라인딩장치
JP4847070B2 (ja) * 2005-08-26 2011-12-28 株式会社岡本工作機械製作所 二点式インプロセスゲ−ジ機器を備える基板研削装置
JP2009054920A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの加工方法
JP5335250B2 (ja) * 2008-01-29 2013-11-06 株式会社ディスコ ウエーハの切削加工方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63256358A (ja) * 1987-04-10 1988-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 研削寸法測定装置
US6861619B1 (en) * 2000-02-07 2005-03-01 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement
US20040208718A1 (en) * 2003-04-15 2004-10-21 Kazuhisa Arai Machine for processing electrodes formed on a plate-like workpiece
KR20050007820A (ko) * 2003-07-11 2005-01-21 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 시스템
JP2007059523A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の加工方法および加工装置
CN101407040A (zh) * 2008-11-11 2009-04-15 广东工业大学 一种带有研磨盘冷却机构的平面研磨机
CN102034697A (zh) * 2009-10-01 2011-04-27 硅电子股份公司 用于半导体晶片抛光的方法
CN102315143A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 东京毅力科创株式会社 基板处理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107249817A (zh) * 2015-11-10 2017-10-13 Abb瑞士股份有限公司 用于机加工的方法和系统以及机器人系统
CN107249817B (zh) * 2015-11-10 2020-04-24 Abb瑞士股份有限公司 用于机加工的方法和系统以及机器人系统
US10946498B2 (en) 2015-11-10 2021-03-16 Abb Schweiz Ag Method and system for machining, and a robot system
CN111435640A (zh) * 2019-01-11 2020-07-21 株式会社迪思科 被加工物的加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013184276A (ja) 2013-09-19
KR20130103366A (ko) 2013-09-23

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