CN103296151A - 一种降低led外延翘曲应力的方法 - Google Patents

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潘尧波
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Abstract

本发明提供一种降低LED外延翘曲应力的方法，在蓝宝石衬底上外延一GaN缓冲层，而后在GaN缓冲层上三维生长GaN层，形成具有岛状表面的GaN外延片；降温后，在岛状表面的GaN外延片上外延包括GaN层和Al1-xGaxN层的双层薄膜，然后多次重复外延双层薄膜，以形成所述岛状表面GaN外延片上的超晶格；在超晶格上二维生长GaN层，完成在蓝宝石衬底上GaN基础层的制备。本发明采用超晶格插入层结构，调节释放二维生长的GaN外延层与蓝宝石衬底之间的翘曲应力，进而改善外延片生长发光层时的翘曲程度，从而降低生长发光层后外延片中心部分和边缘部分的波长差，改善外延片的波长均匀性，进而提高外延片的波长良品率。

Description

一种降低LED外延翘曲应力的方法
技术领域
本发明涉及LED芯片制造领域，特别是涉及一种降低LED外延翘曲应力的方法。
背景技术
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机物化学气相沉积)是在气相外延(Vapour Phase Epitaxy，VPE)生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD设备中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用灯丝加热石墨盘(衬底基片在石墨盘上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
利用MOCVD设备生长GaN外延层，一般需要将蓝宝石衬底置入MOCVD设备反应室进行反应。由于蓝宝石和GaN之间的晶格存在失配，在生长时会产生位错，影响结晶质量。为了尽量减小这些位错的影响，在生长高纯度GaN单晶作为后续所需发光层的基础层时，一般需要先在蓝宝石上生长一层GaN缓冲层，然后在高温高压的条件下进行GaN单晶三维生长(岛状生长，Volmer-Weber生长模式)，再改变至高温低压的生长条件，使GaN单晶从三维生长向二维生长(逐层生长，Frank-van der Merwe生长模式)转变，其中，三维生长向二维生长转变过程中的生长条件对GaN晶体内的应力分布有着重要的影响。
目前利用MOCVD设备生长GaN外延层，尤其是使用图形衬底(Patterned SapphireSubstrate，PSS)时，由于蓝宝石和GaN之间的晶格失配以及热形变差产生的应力会使外延片发生翘曲现象，翘曲使得在后续生长发光层时，外延片中心位置比边缘更靠近或紧挨石墨盘的表面，从而使中心部分温度高于边缘部分，最终导致生长发光层后的外延片中心部分的发光波长要比边缘部分短。当生长大尺寸外延片时，由于面积较大，将加剧外延片中心部分和边缘部分的波长差，使外延片的波长均匀性降低，这将对后续的芯片制成以及分选工作造成时间和成本的大幅增加，同时也将导致外延片的波长良品率大幅度下降。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种降低LED外延翘曲应力的方法，用于解决现有技术中蓝宝石衬底和GaN外延之间的晶格失配以及热形变差产生的应力使GaN外延片发生翘曲现象，而造成加剧外延片生长发光层时外延翘曲的程度，降低外延片的波长均匀性，导致外延片的波长良品率大幅度下降的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种降低LED外延翘曲应力的方法，该方法至少包括以下步骤：
1)提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上外延一GaN缓冲层，而后在所述GaN缓冲层上再进行三维生长GaN层，形成具有岛状表面的GaN外延片；
2)在所述岛状表面的GaN外延片上外延双层薄膜，所述双层薄膜包括GaN层和Al1-xGaxN层，然后多次重复外延所述双层薄膜，以形成所述岛状表面GaN外延片上的超晶格；
3)在所述超晶格上进行二维生长GaN层，以完成在所述蓝宝石衬底上GaN基础层的制备。
可选地，所述步骤2)中双层薄膜为GaN/Al1-xGaxN双层薄膜，所述GaN/Al1-xGaxN双层薄膜为Al1-xGaxN层位于GaN层之上。
可选地，所述步骤2)中双层薄膜为Al1-xGaxN/GaN双层薄膜，所述Al1-xGaxN/GaN双层薄膜为GaN层位于Al1-xGaxN层之上。
可选地，采用金属有机化学气相沉积进行外延；所述步骤1)的GaN缓冲层的外延条件是温度为500～600℃和压强为400～600Torr，所述步骤1)的三维生长GaN层的条件是温度为900～1000℃和压强为400～600Torr，所述步骤2)的外延条件是温度为600～900℃和压强为50～450Torr，所述步骤3)的二维生长GaN层的条件是温度为1050～1150℃和压强为100～300Torr。
可选地，所述蓝宝石衬底为图形化衬底。
可选地，多次重复外延所述双层薄膜时，所述重复次数范围是2～50次。
可选地，所述Al1-xGaxN层中Ga组分x为0.01＜x＜1。
可选地，所述Al1-xGaxN层与GaN层的外延时间比值在0.01～10之间。
可选地，外延所述超晶格总时间为1～10min。
如上所述，本发明的一种降低LED外延翘曲应力的方法，具有以下有益效果：
利用MOCVD设备生长LED芯片最初所需的GaN基础层，由三维生长向二维生长转变过程中，本发明采用超晶格插入层结构，调节释放二维生长的GaN外延层与蓝宝石衬底之间的翘曲应力，进而改善外延片生长发光层时的翘曲程度，从而降低生长发光层后的外延片中心部分和边缘部分的波长差，改善外延片的波长均匀性，进而提高外延片的波长良品率。
附图说明
图1至图3显示为本发明一种降低LED外延翘曲应力的方法在实施例一中结构示意图。
图4显示为本发明一种降低LED外延翘曲应力的方法在实施例二中结构示意图。
元件标号说明
1             蓝宝石衬底
2             GaN缓冲层
3             三维生长的GaN层
401、402’    GaN层
402、401’    Al1-xGaxN层
40～44        GaN/Al1-xGaxN双层薄膜
40’～49’    Al1-xGaxN/GaN双层薄膜
4             超晶格
5             二维生长的GaN层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图4。需要说明的是，以下具体实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
如图1至图3所示，本发明提供一种降低LED外延翘曲应力的方法，该方法至少包括以下步骤：
如图1所示，首先执行步骤1)，提供一蓝宝石衬底1，所述衬底为图形化衬底(PatternedSapphire Substrate，PSS)，衬底图形为三角形排列的圆锥形高包结构，圆锥高包底部直径为2.4μm，圆锥高包的高度为1.5μm，相邻圆锥高包间隔0.6μm(占空比为0.8)，采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，当温度为500～600℃和压强为400～600Torr时，在所述蓝宝石衬底1上外延(二维生长，逐层生长，Frank-van der Merwe生长模式)一GaN缓冲层2，而后当温度为900～1000℃和压强为400～600Torr时，在所述GaN缓冲层上再进行三维生长(岛状生长，Volmer-Weber生长模式)GaN层3，形成具有岛状表面的GaN外延片。具体地，在本实施例一中，外延GaN缓冲层2的优选温度为550℃，优选压强为500Torr；三维生长GaN层3的优选温度为950℃，优选压强为500Torr。
需要说明的是，所述蓝宝石衬底可以不选择图形化蓝宝石衬底，但是采用图形化衬底时，后续步骤中调节释放所需二维生长的GaN外延层与蓝宝石衬底之间的翘曲应力效果更明显，因此本实施例选择图形化蓝宝石衬底。接着执行步骤2)。
如图2所示，在步骤2)中，当温度为600～900℃和压强为50～450Torr时，采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，在所述岛状表面的GaN外延片上外延(二维生长)一GaN层401，而后在所述GaN层401上外延(二维生长)一Ga组分为x的Al1-xGaxN层402，其中，Ga组分为x由外延时Al和Ga的原子数值比来控制，0.01＜x＜1，优选0.8＜x＜1，以形成GaN/Al1-xGaxN双层薄膜40，然后多次重复外延(本实施例一中的以n为周期进行周期外延，即周期二维生长)所述GaN/Al1-xGaxN双层薄膜40，其中周期n的范围是2≤n≤50，且n为整数，以形成所述岛状表面GaN外延片上的超晶格4，其中，以n为周期进行周期外延形成所述岛状表面GaN外延片上的所述超晶格4的总时间为1～10min。具体地，在本实施例一中，优选温度为800℃，优选压强为100Torr。
需要特别说明的是，为了便于理解，在本实施例一中，具体的实施过程以所述周期n＝5为例进行简化说明，但并非将所述周期n局限于本实施例一中的n＝5，n也可以取值为3，10等等，因此，在本实施例一中，如图2所示，所述超晶格4包括所述GaN/Al1-xGaxN双层薄膜40至44；另外，周期外延时，各个双层薄膜中，所述Al1-xGaxN的Ga组分x保持一致，其中0.01＜x＜1，优选0.8＜x＜1，在本实施例一中，x＝0.93为优选值。
需要说明的是，所述GaN层401的厚度和所述Al1-xGaxN层402的厚度由外延时间t401和t402来控制，且外延时间与Ga组分x无关，其中，t401和t402的比值在0.01～10之间，具体地，在本实施例一中t401∶t402＝5∶1，t401＝50s，t402＝10s；周期外延时，各个双层薄膜厚度相等，且各个双层薄膜中，所述GaN层的厚度取值相等，所述Al1-xGaxN层的厚度取值相等，即周期外延时，各个双层薄膜中，外延GaN层的时间取值相等，外延Al1-xGaxN层的时间取值相等，且外延GaN层的时间与外延Al1-xGaxN层的时间比值相等，均在0.01～10之间，也就是外延各个双层薄膜的时间相等，具体地，在本实施例一中，n＝5时，外延各个双层薄膜40～44时，外延GaN层的时间与外延Al1-xGaxN层的时间比值均为5，外延各个双层薄膜40～44的时间均为1min，外延所述双层薄膜40～44以形成超晶格4的总时间为5min。
由于三维生长向二维生长转变过程中的生长条件对GaN晶体内的应力分布有着重要的影响，因此由三维生长向二维生长转变过程中，本发明在现有技术的缓冲层基础上采用超晶格插入层结构，该插入层结构更好地调节释放后续二维生长的GaN外延层与蓝宝石衬底之间的翘曲应力。接着执行步骤3)。
如图3所示，在步骤3)中，当温度为1050～1150℃和压强为100～300Torr时，在所述超晶格上进行二维生长GaN层5，以完成在所述蓝宝石衬底上GaN基础层的制备，即本发明在现有技术中的GaN缓冲层上采用超晶格插入层结构，为后续外延发光层及制备波长较均匀的LED芯片提供改进的基础层。具体地，在本实施例一中，优选温度为1100℃，优选压强为200Torr。
利用MOCVD设备生长LED芯片最初所需的GaN基础层，由三维生长向二维生长转变过程中，本发明在现有技术的缓冲层基础上采用超晶格插入层结构，该插入层结构更好地调节释放二维生长的GaN外延层与蓝宝石衬底之间的翘曲应力，进而改善外延片生长发光层时的翘曲程度，从而降低生长发光层后的外延片中心部分和边缘部分的波长差，改善外延片的波长均匀性，进而提高外延片的波长良品率。
实施例二
实施例二与实施例一采用基本相同的技术方案，不同之处在于：①二者在制备超晶格时，虽然所述超晶格的双层薄膜均包含GaN层和Al1-xGaxN层，但所述GaN层和所述Al1-xGaxN层的上下位置不同，在实施例一中，所述双层薄膜为所述GaN/Al1-xGaxN双层薄膜，即各GaN/Al1-xGaxN双层薄膜中Al1-xGaxN层位于GaN层之上，而在本实施例二中，所述双层薄膜为Al1-xGaxN/GaN双层薄膜，即各Al1-xGaxN/GaN双层薄膜中GaN层位于Al1-xGaxN层之上；②二者制备的超晶格内双层薄膜的周期外延的次数不同，在实施例一中，周期外延所述GaN/Al1-xGaxN双层薄膜5次，而在本实施例二中，周期外延所述Al1-xGaxN/GaN双层薄膜10次；③二者外延各个双层薄膜的时间不同，且各个双层薄膜中Al1-xGaxN层与GaN层的外延时间比不同，在实施例一中，外延各个所述GaN/Al1-xGaxN双层薄膜的时间为1min，Al1-xGaxN层与GaN层的外延时间比为1∶5，而在本实施例二中，外延各个所述Al1-xGaxN/GaN双层薄膜的时间为0.5min，Al1-xGaxN层与GaN层的外延时间比为5∶1。
请参阅图4，本发明提供一种降低LED外延翘曲应力的方法，该方法至少包括以下步骤：
首先执行与实施例一相同的步骤1)。接着执行与实施例一基本相同的步骤2)。不同之处在于，如图4所示，在本实施例二的步骤2)中，超晶格4’的双层薄膜为Al1-xGaxN/GaN双层薄膜40’～49’，仅以图4中的双层薄膜40’为例进行说明，在所述Al1-xGaxN/GaN双层薄膜40’中，GaN层402’位于Ga组分为x的Al1-xGaxN层401’之上，外延所述Al1-xGaxN层401’的时间t401’＝25s，外延所述GaN层402’的时间t402’＝5s，外延所述Al1-xGaxN/GaN双层薄膜40’的时间为30s，以周期n＝10进行周期外延(二维生长)，外延所述Al1-xGaxN/GaN双层薄膜40’～49’以形成超晶格4’的总时间为5min。接着执行与实施例一相同的步骤3)。
综上所述，利用MOCVD设备生长LED芯片最初所需的GaN基础层，由三维生长向二维生长转变过程中，本发明一种降低LED外延翘曲应力的方法，在现有技术的缓冲层基础上采用超晶格插入层结构，更好地调节释放二维生长的GaN外延层与蓝宝石衬底之间的翘曲应力，进而改善外延片生长发光层时的翘曲程度，从而降低生长发光层后的外延片中心部分和边缘部分的波长差，改善外延片的波长均匀性，进而提高外延片的波长良品率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
1)提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上外延一GaN缓冲层，而后在所述GaN缓冲层上再进行三维生长GaN层，形成具有岛状表面的GaN外延片；
2)在所述岛状表面的GaN外延片上外延双层薄膜，所述双层薄膜包括GaN层和Al1-xGaxN层，然后多次重复外延所述双层薄膜，以形成所述岛状表面GaN外延片上的超晶格；
3)在所述超晶格上进行二维生长GaN层，以完成在所述蓝宝石衬底上GaN基础层的制备。
2.根据权利要求1所述的降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于：所述步骤2)中双层薄膜为GaN/Al1-xGaxN双层薄膜，所述GaN/Al1-xGaxN双层薄膜为Al1-xGaxN层位于GaN层之上。
3.根据权利要求1所述的降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于：所述步骤2)中双层薄膜为Al1-xGaxN/GaN双层薄膜，所述Al1-xGaxN/GaN双层薄膜为GaN层位于Al1-xGaxN层之上。
4.根据权利要求1所述的降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于：采用金属有机化学气相沉积进行外延；所述步骤1)的GaN缓冲层的外延条件是温度为500～600℃和压强为400～600Torr，所述步骤1)的三维生长GaN层的条件是温度为900～1000℃和压强为400～600Torr，所述步骤2)的外延条件是温度为600～900℃和压强为50～450Torr，所述步骤3)的二维生长GaN层的条件是温度为1050～1150℃和压强为100～300Torr。
5.根据权利要求1所述的降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于：所述蓝宝石衬底为图形化衬底。
6.根据权利要求1所述的降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于：多次重复外延所述双层薄膜时，所述重复次数范围是2～50次。
7.根据权利要求1所述的降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于：所述Al1-xGaxN层中Ga组分x为0.01＜x＜1。
8.根据权利要求1所述的降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于：所述Al1-xGaxN层与GaN层的外延时间比值在0.01～10之间。
9.根据权利要求1所述的降低LED外延翘曲应力的方法，其特征在于：外延所述超晶格总时间为1～10min。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104091868A (zh) * 2014-06-12 2014-10-08 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN104393125A (zh) * 2014-12-17 2015-03-04 安徽三安光电有限公司 一种发光元件的制备方法
CN105390577A (zh) * 2015-10-26 2016-03-09 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管外延片及其制作方法
CN105679898A (zh) * 2016-01-25 2016-06-15 山东浪潮华光光电子股份有限公司 具有翘曲调节结构层的led外延结构及其生长方法
CN105720159A (zh) * 2016-03-09 2016-06-29 太原理工大学 一种高发光效率氮化镓基led外延片的制备方法
CN105789396A (zh) * 2016-04-28 2016-07-20 厦门乾照光电股份有限公司 一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片制作方法
CN105870279A (zh) * 2016-04-28 2016-08-17 厦门乾照光电股份有限公司 一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片
CN106783533A (zh) * 2016-11-11 2017-05-31 上海芯元基半导体科技有限公司 含Al氮化物半导体结构及其外延生长方法
CN107946419A (zh) * 2017-09-26 2018-04-20 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109390440A (zh) * 2018-09-03 2019-02-26 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种发光二极管的外延片及制备方法
CN109545926A (zh) * 2018-11-30 2019-03-29 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109920851A (zh) * 2019-01-23 2019-06-21 华灿光电（浙江）有限公司 Hemt外延结构及其制备方法
CN112366263A (zh) * 2020-07-21 2021-02-12 安徽三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200515623A (en) * 2003-10-31 2005-05-01 Epitech Corp Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
CN1659715A (zh) * 2002-08-19 2005-08-24 Lg伊诺特有限公司 氮化物半导体led和其制造方法
CN101060076A (zh) * 2007-05-14 2007-10-24 武汉大学 一种GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法
CN101471400A (zh) * 2007-12-27 2009-07-01 深圳市方大国科光电技术有限公司 蓝宝石衬底同温双缓冲层制备方法
JP4681684B1 (ja) * 2009-08-24 2011-05-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1659715A (zh) * 2002-08-19 2005-08-24 Lg伊诺特有限公司 氮化物半导体led和其制造方法
TW200515623A (en) * 2003-10-31 2005-05-01 Epitech Corp Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
CN101060076A (zh) * 2007-05-14 2007-10-24 武汉大学 一种GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法
CN101471400A (zh) * 2007-12-27 2009-07-01 深圳市方大国科光电技术有限公司 蓝宝石衬底同温双缓冲层制备方法
JP4681684B1 (ja) * 2009-08-24 2011-05-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104091868B (zh) * 2014-06-12 2018-03-06 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN104091868A (zh) * 2014-06-12 2014-10-08 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
WO2016095794A1 (zh) * 2014-12-17 2016-06-23 厦门市三安光电科技有限公司 一种发光元件的制备方法
CN104393125A (zh) * 2014-12-17 2015-03-04 安徽三安光电有限公司 一种发光元件的制备方法
US10014436B2 (en) 2014-12-17 2018-07-03 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for manufacturing a light emitting element
CN104393125B (zh) * 2014-12-17 2017-05-10 安徽三安光电有限公司 一种发光元件的制备方法
CN105390577B (zh) * 2015-10-26 2018-05-22 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管外延片及其制作方法
CN105390577A (zh) * 2015-10-26 2016-03-09 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管外延片及其制作方法
CN105679898B (zh) * 2016-01-25 2018-11-30 山东浪潮华光光电子股份有限公司 具有翘曲调节结构层的led外延结构及其生长方法
CN105679898A (zh) * 2016-01-25 2016-06-15 山东浪潮华光光电子股份有限公司 具有翘曲调节结构层的led外延结构及其生长方法
CN105720159A (zh) * 2016-03-09 2016-06-29 太原理工大学 一种高发光效率氮化镓基led外延片的制备方法
CN105720159B (zh) * 2016-03-09 2018-01-09 太原理工大学 一种高发光效率氮化镓基led外延片的制备方法
CN105789396A (zh) * 2016-04-28 2016-07-20 厦门乾照光电股份有限公司 一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片制作方法
CN105870279A (zh) * 2016-04-28 2016-08-17 厦门乾照光电股份有限公司 一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片
CN105870279B (zh) * 2016-04-28 2018-08-21 厦门乾照光电股份有限公司 一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片
CN105789396B (zh) * 2016-04-28 2018-09-04 厦门乾照光电股份有限公司 一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片制作方法
CN106783533A (zh) * 2016-11-11 2017-05-31 上海芯元基半导体科技有限公司 含Al氮化物半导体结构及其外延生长方法
CN106783533B (zh) * 2016-11-11 2020-01-07 上海芯元基半导体科技有限公司 含Al氮化物半导体结构及其外延生长方法
CN107946419A (zh) * 2017-09-26 2018-04-20 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109390440A (zh) * 2018-09-03 2019-02-26 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种发光二极管的外延片及制备方法
CN109545926A (zh) * 2018-11-30 2019-03-29 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109920851A (zh) * 2019-01-23 2019-06-21 华灿光电（浙江）有限公司 Hemt外延结构及其制备方法
CN112366263A (zh) * 2020-07-21 2021-02-12 安徽三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法
CN112366263B (zh) * 2020-07-21 2022-07-08 安徽三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法

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