CN112575378A - 一种在hpve生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法 - Google Patents

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张海涛
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Abstract

本发明公开了涉及氮化镓生产制备方法相关技术领域，且公开了一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，包括以下步骤：(1)、采用以下衬底或复合衬底中的一种：(I)、Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；(II)、带有Sputtering AlN的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；(III)、带有MOCVD GaN薄膜的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；将衬底或复合衬底置入HVPE装置内进行加工。该在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，首先在低温时形成低密度低覆盖的氮化镓晶核，升温退火后形成高质量的小晶体。然后进行二维生长，在界面处形成空隙层，用于吸收生长时的应力。这样的一次或多次插入层为获得高质量低翘曲以及界面自动剥离的自支撑氮化镓生长提供了模板。

Description

一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法
技术领域
本发明涉及氮化镓生产制备方法相关技术领域，具体为一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法。
背景技术
GaN是第三代宽禁带半导体的典型代表，已被广泛应用于半导体照明，并在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景。用于氮化镓生长的最理想衬底自然是氮化镓单晶材料，这样的同质外延(即外延层和衬底是同一种材料)可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。由于高熔融温度和极高的解离压力，通常用于GaAs或Si的常规方法，例如Czochraslski或Bridgman技术，不能生长氮化物体单晶材料(Bulk GaN)。
学术界和工业界已深入研究GaN体材料晶体的各种生长方法，包括氢化物相蒸气外延(HVPE)，氨热法(Ammonothermal)，钠融法(Na-flux)，高压溶液生长(HPSG)，和其他生长方法或组合。目前基本上所有的商业化GaN衬底(晶圆，基片)都是通过HVPE制造的。但是其尺寸通常还是局限在2寸。更大的尺寸比如4英寸受到了曲率半径的限制。其它如Ammonothermal和Na-flux等技术仍处于开发阶段，主要原因可能还是过程太过复杂良率太低而成本太过昂贵。
HVPE是一种高速的气相沉积法。通常在HVPE中，载气(氮气，氢气或氮氢混合气)携带HCl流经加热到800℃以上的液态镓生长GaCl，再流动到1000℃左右的生长区与NH3混合在衬底比如蓝宝石上沉积生长GaN晶体。由于异质生长，晶格常数和热膨胀数造成的应力会引起氮化镓在长厚时或冷却时开裂，为了避免这两个问题并提高晶体质量，通常在蓝宝石表面先用MOCVD薄膜生长几微米并进行各种界面处理，一方面减少生长时的起始缺陷并形成应力屈服型衬底(Complaint Substrate)，从而使GaN生长的临界厚度CriticalThickness尽可能大比如达到几百微米甚至几个毫米；另一方面造成所谓的弱界面，这样可以在降温时由于热膨胀数不同引入的Sheer Stress来造成GaN和蓝宝石或其他衬底的自动剥离。
通常这些插入层实施在异质衬底和HVPE生长前的界面，然而现有技术中采用的插入层工艺各不相同，有采用MOCVD和Ti涂层氮化相结合，在蓝宝石表面形成的GaN薄层具有高密度并均匀分布的纳米空隙，在这上面生长的GaN在冷却时在孔洞处形成GaN与蓝宝石的剥离；采用SiO2或SiN做掩模(mask)，在起始阶段通过控制3维和2维生长来形成空隙，并利用多步ELOG法来提高晶体质量，从而得到较高质量GaN衬底，而中镓则采用激光法是MOCVDGaN/sapphire template界面形成一柔性的弱键和层，从而使得HVPE法生长在上面上的GaN在降温过程中由于弱连接能够从模板上分离；或采用先在蓝宝石衬底上直接生长纳米管结构，或者是通过一种光电化学的腐蚀方法来得到纳米线阵，再用HVPE法生长大厚度的GaN晶体后利用纳米层柔性链接的性质使HVPE GaN厚膜与基底分离。镓特和则采用了可以促进GaN分解的Mask使在界面处形成空隙(孔洞)从而造成剥离。这些方法本质是通过插入一个在异质衬底界面上的过渡层，达到降低生长时的位错和应力的目的，并使生长的氮化镓在降温时与蓝宝石容易剥离。
以上工业上常采用的插入层方法在实际生产中存在一些缺点：
(1)、氮化镓的制备方法所采用加工设备成本较高，需要昂贵的设备和指标过程如光刻机或MOCVD，增加了企业生产成本；
(2)、现有技术中氮化镓的制备需要多个设备及加工工序，降低了氮化镓中间产物的生产质量，多个设备的使用降低了产品加工过程中的控制性，降低了产品的生产质量；
(3)、采用一个插入层时，对于大尺寸掩模通常有位错密度分布问题，如采用多次插入层，则大大提高成本；
(4)、晶体吸收应力的效果不是非常显著。
因此发明人设计了一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，在HVPE装置中一站式生长氮化镓大厚度体材料，能高质量高重复低成本的制备自支撑氮化镓单晶。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，可一次或多次插入层为获得高质量低翘曲以及界面自动剥离的自支撑氮化镓生长提供模板，解决了现有工业生产中氮化镓采用多次插入层成本较高吸收应力效果不明显的问题。
(二)技术方案
本发明提供如下技术方案：一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，包括以下步骤：
(1)、采用以下衬底或复合衬底中的一种：
(I)、Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；
(II)、带有Sputtering AlN的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；
(III)、带有MOCVD GaN薄膜的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；
将衬底或复合衬底置入HVPE装置内进行加工；
(2)、对于(1)中的I类衬底，在1000-1100℃环境下通过H2和N2混合气体对Al2O3表面清洗，在高温环境下通入NH3进行氮化，对于步骤(1)中的II类、III类复合衬底可省略高温清洗及氮化过程；
(3)、插入层的第一步，HVPE装置内采用300-500℃低温环境生长GaN晶核，同时在该温度环境下，HVPE系统内HCl和NH3产生化学反应生成NH4Cl固体，NH4Cl固体与GaN晶核竞争覆盖在衬底上(如蓝宝石)；
(4)、插入层的第二步，HVPE装置内升温至1000℃以上再退火，提高GaN晶核质量，同时NH4Cl固体在高温环境下(＞500℃)分解升华；
(5)、GaN晶核在中高温(800-1000℃)环境下进行二维生长，在GaN晶核二维生长之后，可以进行步骤(3)-步骤(4)的多次插入层的重复操作；
(6)、GaN晶核在HVPE装置内高温环境下(＞1000℃)生长为氮化镓体材料，生长速度在100um/hr以上。
优选的，所述步骤(1)中的(II)类复合衬底采用带有10-100nm Sputtering AlN的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底，所述述步骤(1)中的(III)类复合衬底采用带有0.2～10um MOCVDGaN薄膜的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底。
优选的，所述步骤(2)中NH3氮化衬底材料，NH3的导入气压为0.05-0.5MPa，氮化时间为0.2-0.5min。
优选的，所述步骤(3)中GaN晶核在衬底上的覆盖率低于60％，最优覆盖率小于20％，GaN晶核层的厚度在50nm-2000nm，最优厚度为100nm左右。
优选的，所述步骤(5)中的GaN晶核层V/III＜10，最优比值小于20；生长速度＜50um/hr,最优生长速度为10um/hr，GaN晶核层的厚度范围为1-10um。
优选的，所述步骤(3)中异质衬底或异质复合衬底上，GaN晶核在300-500℃低温下与NH4Cl粉末共生形成一个具有一定覆盖率、分布均匀、厚度一致的三维晶核或晶柱层。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，具备以下有益效果：
1、该在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，在插入层的第一步中，利用低V/III比和低温生长大的柱状结构成核岛，其能够有效地推动半导体薄膜高温高V/III比时的侧向生长，利于成核岛的合并，并进一步减少位错的产生，利用HVPE环境下低温形成的NH4Cl进行部分衬底覆盖,低温使部分衬底表面被固体NH4Cl覆盖，这样进一步降低了整体表面的成核密度。
2、该在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，在插入层的第二步中，侧向生长被加强的情况下生长顶部的GaN层，直到岛特征完全合并并得到光滑平坦的表面，这里没有使用任何类型的掩膜，不粗糙化，不刻蚀，也不在GaN表面产生沟槽，仅仅通过改变生长室内的工作压力，生长速度，温度，V/III比例来实现二维生长，从而合并且形成空隙。
3、该在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，在HVPE中生长GaN以产生岛特征和平滑表面的步骤(3)和步骤(4)可以被重复几次，位错缺陷并不从柱的侧壁有明显的传播，所以横向生长的柱侧壁是相对无缺陷的，而且，在第二次插入层以上，在柱顶明显的垂直生长有可能被NH4Cl掩模所覆盖并阻止，故相对无缺陷横向生长自侧壁发生至掩模上。柱顶的明显成核亦被优先阻止，因此，几次插入层实施后的氮化镓半导体层是相对无缺陷的，同时没有位错密度不均匀的问题，提高温度后NH4Cl分解，选择合适条件进行二维侧向生长，实现类似PENDO悬空合并，促进位错转向，用以提高生长后的晶体质量。
4、该在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，采用了原位并可多次实施的低成本插入层工艺，其中最关键的是成核时温度足够低使得NH4Cl固体和GaN共生沉积在衬底上，升温使NH4Cl分解挥发，从而GaN晶核只有部分覆盖衬底，以及利用生长条件促进二维生长形成界面处的空隙，二维生长时自然形成空隙，这些空隙一方面可以作为位错的湮灭点(位错终止在这些自由内表面)，另一方面更重要的是可以释放生长时的应力，以上两步法的插入层在HVPE设备中在不同衬底上的一次或多次地实施，便于多次实施，实现位错阻断，消除位错密度的不均匀性，工艺简单步骤少良率高成本低。
5、该在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，首先在低温时形成低密度低覆盖的氮化镓晶核，升温退火后形成高质量的小晶体。然后进行二维生长，在界面处形成空隙层，用于吸收生长时的应力。这样的一次或多次插入层为获得高质量低翘曲以及界面自动剥离的自支撑氮化镓生长提供了模板。
6、该在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，提出了悬空生长降位错和空隙插入降应力相结合实施，在同一HVPE反应器中实现，作为一种小尺度空洞掩埋插入层的工艺技术，是HVPE领域的一个突破。
附图说明
图1为本发明氮化镓低温成核生长示意图；
图2为本发明氮化镓升温退火及中高温二维生长示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)、采用以下衬底或复合衬底中的一种：
(I)、Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；
(II)、带有10-100nm Sputtering AlN的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；
(III)、带有0.2～10um MOCVD GaN薄膜的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；
将衬底或复合衬底置入HVPE装置内进行加工。
(2)、对于(1)中的I类衬底，在1000-1100℃环境下通过H2和N2混合气体对Al2O3表面清洗，在高温环境下通入NH3进行氮化，NH3的导入气压为0.05-0.5MPa，氮化时间为0.2-0.5min，对于步骤(1)中的II类、III类复合衬底可省略高温清洗及氮化过程；
(3)、插入层的第一步，HVPE装置内采用300-500℃低温环境生长GaN晶核，同时在该温度环境下，HVPE系统内HCl和NH3产生化学反应生成NH4Cl固体，NH4Cl固体与GaN晶核竞争覆盖在衬底上(如蓝宝石)，GaN晶核在衬底上的覆盖率低于60％，最优覆盖率小于20％，GaN晶核层的厚度在50nm-2000nm，最优厚度为100nm左右，GaN晶核在300-500℃低温下与NH4Cl粉末共生形成一个具有一定覆盖率、分布均匀、厚度一致的三维晶核或晶柱层；
(4)、插入层的第二步，HVPE装置内升温至1000℃以上再退火，提高GaN晶核质量，同时NH4Cl固体在高温环境下(＞500℃)分解升华；
(5)、GaN晶核在中高温(800-1000℃)环境下进行二维生长，GaN晶核层V/III＜10，最优比值小于20；生长速度＜50um/hr,最优生长速度为10um/hr，GaN晶核层的厚度范围为1-10um，在GaN晶核二维生长之后，可以进行步骤(3)-步骤(4)的多次插入层的重复操作；
(6)、GaN晶核在HVPE装置内高温环境下(＞1000℃)生长为氮化镓体材料，生长速度在100um/hr以上。
本发明的有益效果是：首先在低温时形成低密度低覆盖的氮化镓晶核，升温退火后形成高质量的小晶体。然后进行二维生长，在界面处形成空隙层，用于吸收生长时的应力。这样的一次或多次插入层为获得高质量低翘曲以及界面自动剥离的自支撑氮化镓生长提供了模板。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)、采用以下衬底或复合衬底中的一种：
(I)、Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；
(II)、带有Sputtering AlN的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；
(III)、带有MOCVD GaN薄膜的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底；
将衬底或复合衬底置入HVPE装置内进行加工；
(2)、对于(1)中的I类衬底，在1000-1100℃环境下通过H2和N2混合气体对Al2O3表面清洗，在高温环境下通入NH3进行氮化，对于步骤(1)中的II类、III类复合衬底可省略高温清洗及氮化过程；
(3)、插入层的第一步，HVPE装置内采用300-500℃低温环境生长GaN晶核，同时在该温度环境下，HVPE系统内HCl和NH3产生化学反应生成NH4Cl固体，NH4Cl固体与GaN晶核竞争覆盖在衬底上(如蓝宝石)；
(4)、插入层的第二步，HVPE装置内升温至1000℃以上再退火，提高GaN晶核质量，同时NH4Cl固体在高温环境下(＞500℃)分解升华；
(5)、GaN晶核在中高温(800-1000℃)环境下进行二维生长，在GaN晶核二维生长之后，可以进行步骤(3)-步骤(4)的多次插入层的重复操作；
(6)、GaN晶核在HVPE装置内高温环境下(＞1000℃)生长为氮化镓体材料，生长速度在100um/hr以上。
2.根据权利要求1所述的一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，其特征在于，所述步骤(1)中的(II)类复合衬底采用带有10-100nm Sputtering AlN的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底，所述述步骤(1)中的(III)类复合衬底采用带有0.2～10um MOCVDGaN薄膜的Al2O3、SCAM、Si、SiC衬底。
3.根据权利要求1所述的一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，其特征在于，所述步骤(2)中NH3氮化衬底材料，NH3的导入气压为0.05-0.5MPa，氮化时间为0.2-0.5min。
4.根据权利要求1所述的一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，其特征在于，所述步骤(3)中GaN晶核在衬底上的覆盖率低于60％，最优覆盖率小于20％，GaN晶核层的厚度在50nm-2000nm，最优厚度为100nm左右。
5.根据权利要求1所述的一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，其特征在于，所述步骤(5)中的GaN晶核层V/III＜10，最优比值小于20；生长速度＜50um/hr,最优生长速度为10um/hr，GaN晶核层的厚度范围为1-10um。
6.根据权利要求1所述的一种在HPVE生长中实现一次或多次空洞掩埋插入层的方法，其特征在于，所述步骤(3)中异质衬底或异质复合衬底上，GaN晶核在300-500℃低温下与NH4Cl粉末共生形成一个具有一定覆盖率、分布均匀、厚度一致的三维晶核或晶柱层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112736173A (zh) * 2021-04-06 2021-04-30 至芯半导体(杭州)有限公司 一种复合衬底、制备方法及半导体器件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111501102A (zh) * 2020-06-02 2020-08-07 无锡吴越半导体有限公司 基于hvpe的自支撑氮化镓单晶及其制备方法
CN111593408A (zh) * 2020-06-02 2020-08-28 无锡吴越半导体有限公司 一种超大尺寸自支撑氮化镓单晶及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111501102A (zh) * 2020-06-02 2020-08-07 无锡吴越半导体有限公司 基于hvpe的自支撑氮化镓单晶及其制备方法
CN111593408A (zh) * 2020-06-02 2020-08-28 无锡吴越半导体有限公司 一种超大尺寸自支撑氮化镓单晶及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112736173A (zh) * 2021-04-06 2021-04-30 至芯半导体(杭州)有限公司 一种复合衬底、制备方法及半导体器件

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