CN103293812A - 一种阵列基板及其修复方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其修复方法和显示装置，用于解决现有技术中存在的一旦栅极引线及源极引线受到损坏便无法修复，只能采用产品报废的方式处理，造成较大浪费的问题。本发明实施例的阵列基板包括位于显示区域内的多条栅线和数据线，位于非显示区域内且分别与栅线和栅极驱动IC连接的栅极引线，以及位于非显示区域内且分别与数据线和源极驱动IC连接的源极引线，其中，该阵列基板还包括：至少一条与栅极引线位于同一层，且位于与源极引线对应的位置上的第一修复线；和/或，至少一条与源极引线位于同一层，且位于与栅极引线对应的位置上的第二修复线。

Description

一种阵列基板及其修复方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列（array）基板及其修复方法和显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD主要包括液晶显示面板、时序控制器以及驱动集成电路（Integrated Circuit，集成电路），其中，TFT-LCD的液晶显示面板由成盒在一起的阵列基板、彩膜基板以及位于其中的液晶分子组成，阵列基板上的显示区域内形成有多条纵横交错的栅线和数据线、以及多个显示单元，每个显示单元对应一个TFT，通过TFT可控制对应的显示单元内液晶分子的反转，从而达到显示图像的目的；TFT-LCD的驱动IC包括源极驱动IC（Data Driver IC）及栅极驱动IC（Gate Driver IC）。
栅极驱动IC通过栅线将驱动信号传送至每个TFT的栅极，以控制每行TFT的打开和关闭；源极驱动IC在TFT打开时，通过数据线将驱动信号传送至每列TFT的源极，以控制每个TFT源极的输入电压，完成对像素充电达到显示的目的。栅极驱动IC的驱动信号经由位于阵列基板的非显示区域内的栅极引线传送至显示区域内的栅线，而源极驱动IC的驱动信号经由位于阵列基板的非显示区域内的源极引线传送至显示区域内的数据线，其中，栅极引线及源极引线统称为显示区外围引线（Fan-out line）。
在实际的生产过程中，阵列基板一般都需要经过多次构图工艺完成，而每一次构图工艺中一般都包括掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，极易对栅极引线及源极引线造成损坏，以形成短路；另外，由于阵列基板的源极引线上面没有彩膜基板的保护，只覆盖有很薄的绝缘保护（Passivation，PVX）层及部分UV胶（一种用来封装IC的胶，主要通过紫外（ultralviolet，UV）光来进行固化），极易受到划伤和腐蚀以形成断路；由于栅极引线及源极引线多采用单层金属走线，一旦受到损坏便无法修复，只能采用产品报废的方式处理，造成较大的浪费，从而提高了生产成本。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板及其修复方法和显示装置，用于解决现有技术中存在的一旦栅极引线及源极引线受到损坏便无法修复，只能采用产品报废的方式处理，造成较大浪费的问题。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括位于显示区域内的多条栅线和数据线，位于非显示区域内且分别与所述栅线和栅极驱动集成电路IC连接的栅极引线，以及位于非显示区域内且分别与所述数据线和源极驱动IC连接的源极引线，其中，所述阵列基板还包括：
至少一条与所述栅极引线位于同一层，且位于与所述源极引线对应的位置上的第一修复线；和/或，
至少一条与所述源极引线位于同一层，且位于与所述栅极引线对应的位置上的第二修复线。
优选的，每条所述第一修复线对应一条不同的所述源极引线。
进一步，每条所述第一修复线的两端设置为悬空状态。
优选的，每条所述第二修复线对应一条不同的所述栅极引线。
进一步，每条所述第二修复线的两端设置为悬空状态。
优选的，若所述栅极驱动IC设置于所述阵列基板上，所述阵列基板还包括：
至少一条分别与所述栅极驱动IC和外部印制电路板PCB连接的栅极外围布线PLG；以及
至少一条与所述源极引线位于同一层，且位于与所述PLG对应的位置上的第三修复线。
优选的，每条所述第三修复线对应一条不同的所述PLG。
进一步，每条所述第三修复线的两端设置为悬空状态。
本发明实施例提供了一种阵列基板的修复方法，包括：
若确定阵列基板的任一源极引线发生断路，在所述阵列基板上的与所述源极引线发生断路的两端相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使所述源极引线对应的第一修复线与所述源极引线熔接在一起，其中，所述第一修复线与所述阵列基板的栅极引线位于同一层且位于与所述源极引线对应的位置上；
若确定所述阵列基板的任一栅极引线发生断路，在所述阵列基板上的与所述栅极引线发生断路的两端相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使所述栅极引线对应的第二修复线与所述栅极引线熔接在一起，其中，所述第二修复线与所述源极引线位于同一层且位于与所述栅极引线对应的位置上。
进一步，所述方法还包括：
若检测到所述阵列基板的任一PLG发生断路，在所述阵列基板上的与所述PLG发生断路的两端相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使所述PLG对应的第三修复线与所述PLG熔接在一起，其中，所述第三修复线与所述源极引线位于同一层且位于与所述PLG对应的位置上。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述阵列基板。
本发明实施例中，由于在栅极引线所在的结构层中与源极引线对应的位置上还设置有第一修复线，从而在源极引线发生断路时，能够使用与该发生断路的源极引线位置对应的第一修复线对该源极引线进行修复，使源极驱动IC的驱动信号能够经由该发生断路的源极引线及与其对应的第一修复线传送至相应的数据线；和/或，由于在源极引线所在的结构层中与栅极引线对应的位置上还设置有第二修复线，从而在栅极引线发生断路时，能够使用与该发生断路的栅极引线位置对应的第二修复线对该栅极引线进行修复，使栅极驱动IC的驱动信号能够经由该发生断路的栅极引线及与其对应的第二修复线传送至相应的栅线。
附图说明
图1为本发明提供的实施例一中的阵列基板的俯视结构示意图；
图2为本发明提供的实施例二中的阵列基板的俯视结构示意图；
图3为本发明提供的实施例三中对阵列基板进行修复的示意图；
图4为本发明提供的实施例四中对阵列基板进行修复的示意图；
图5为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的流程示意图；
图6为本发明实施例提供的阵列基板的局部结构的俯视示意图；
图7为图6所示的阵列基板的A-A方向的剖面结构示意图。
具体实施方式
本发明通过与栅极引线位于同一层且位于与源极引线对应的位置上的第一修复线，和/或，与源极引线位于同一层且位于与栅极引线对应的位置上的第二修复线，对发生断路的栅极引线和/或源极引线进行及时修复，从而解决了现有技术中存在的一旦栅极引线及源极引线受到损坏便无法修复的问题。
本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：
位于显示区域内的多条栅线和数据线，位于非显示区域内且分别与栅线和栅极驱动IC连接的栅极引线，以及位于非显示区域内且分别与数据线和源极驱动IC连接的源极引线，其中，栅极引线及源极引线统称为显示区外围引线（Fan-out line）；
至少一条与栅极引线位于同一层，且位于与源极引线的对应位置上的第一修复线；和/或，至少一条与源极引线位于同一层，且位于与栅极引线的对应位置上的第二修复线。
由于栅极、栅线、栅极引线及第一修复线所在的结构层，与源极、数据线、源极引线及第二修复线所在的结构层之间还设置有栅绝缘层进行绝缘，因此两个结构层中的金属线不会产生干扰。
本发明实施例中，由于在栅极引线所在的结构层中与源极引线对应的位置上还设置有第一修复线，从而在源极引线发生断路时，能够使用与该发生断路的源极引线位置对应的第一修复线对该源极引线进行修复，使源极驱动IC的驱动信号能够经由该发生断路的源极引线及与其对应的第一修复线传送至相应的数据线；
和/或，
本发明实施例中，由于在源极引线所在的结构层中与栅极引线对应的位置上还设置有第二修复线，从而在栅极引线发生断路时，能够使用与该发生断路的栅极引线位置对应的第二修复线对该栅极引线进行修复，使栅极驱动IC的驱动信号能够经由该发生断路的栅极引线及与其对应的第二修复线传送至相应的栅线。
优选的，每条第一修复线对应一条不同的源极引线，即第一修复线的数量与源极引线的数量相同，且第一修复线与源极引线一一对应。
为了不改变现有源极驱动IC的结构，优选的，每条第一修复线的两端设置为悬空状态，即每条第一修复线的两端不与任何结构连接，而处于悬空状态。
需要说明的是，本发明实施例不对第一修复线的宽度进行限定，第一修复线的宽度可以与源极引线的宽度相同，也可以大于源极引线的宽度，还可以小于源极引线的宽度；优选的，第一修复线的宽度不大于源极引线的宽度。
优选的，每条第二修复线对应一条不同的栅极引线，即第二修复线的数量与栅极引线的数量相同，且第二修复线与栅极引线一一对应。
为了不改变现有栅极驱动IC的结构，优选的，每条第二修复线的两端设置为悬空状态，即每条第二修复线的两端不与任何结构连接，而处于悬空状态。
需要说明的是，本发明实施例不对第二修复线的宽度进行限定，第二修复线的宽度可以与栅极引线的宽度相同，也可以大于栅极引线的宽度，还可以小于栅极引线的宽度；优选的，第二修复线的宽度不大于栅极引线的宽度。
进一步，若栅极驱动IC设置于该阵列基板上，则该阵列基板还包括：
至少一条分别与栅极驱动IC和外部印制电路板（Print Circuit Board，PCB）连接的栅极外围布线（Peripheral layout Gate，PLG）；以及
至少一条与源极引线位于同一层，且位于与PLG对应的位置上的第三修复线。
其中，外部PCB主要用于为驱动IC提供各种控制信号，如TTL（Transistor-to-Transistor Logic）信号、低压差分信号（Low Voltage DifferentialSignaling，LVDS）、时序控制信号等。
本发明实施例中，由于在源极引线所在的结构层中与PLG对应的位置上还设置有第三修复线，从而在PLG发生断路时，能够使用与该发生断路的PLG位置对应的第三修复线对该PLG进行修复，使外部PCB的驱动信号能够经由该发生断路的PLG及与其对应的第三修复线传送至相应的栅极驱动IC。
优选的，每条第三修复线对应一条不同的PLG，即第三修复线的数量与PLG的数量相同，且第三修复线与PLG一一对应。
为了不改变现有栅极驱动IC及外部PCB的结构，优选的，每条第三修复线的两端设置为悬空状态，即每条第三修复线的两端不与任何结构连接，而处于悬空状态。
需要说明的是，本发明实施例不对第三修复线的宽度进行限定，第三修复线的宽度可以与PLG的宽度相同，也可以大于PLG的宽度，还可以小于PLG的宽度；优选的，第三修复线的宽度不大于PLG的宽度。
在制作过程中，不同显示装置中源极驱动IC及栅极驱动IC的封装方式有可能不同，其位置也有可能不同。目前常见的两种栅极驱动IC及源极驱动IC的封装方式包括：COF（Chip On Film）方式及COG（Chip On Glass）方式；其中，COF方式是指将栅极驱动IC及源极驱动IC分别封装于相应的挠性电路板上，COG方式是指将栅极驱动IC及源极驱动IC分别封装于阵列基板的相应位置上；
源极驱动IC一般都设置于显示面板的X方向（即与栅线平行的方向）上，无论源极驱动IC采用COF方式还是COG方式封装，均只需要在阵列基板设置用于与数据线连接的源极引线；而栅极驱动IC一般都设置于显示面板的Y方向（即与数据线平行的方向）上，若栅极驱动IC采用COF方式封装，则只需在阵列基板设置用于与栅线连接的栅极引线；若栅极驱动IC采用COG方式封装，则除了需要在阵列基板设置用于与栅线连接的栅极引线之外，还需要设置PLG，外部PCB通过PLG连接栅极驱动IC。
本发明实施例提供的阵列基板可以应用于各种类型的TFT-LCD显示面板，如扭曲向列（Twisted Nematic，TN）型、边缘场开关（Fringe Field Switching，FFS）型、平面转换（In-Plane Switching，IPS）型、垂直对准（Vertical Aligment，VA）型等显示面板。
下面结合说明书附图对本发明实施例的阵列基板的结构进行详细描述。
实施例一、本实施例中，显示装置的栅极驱动IC及源极驱动IC均采用COF封装，本实施例提供的阵列基板的结构可参见图1所示，阵列基板1上形成有多条栅线10和数据线20，以及栅极驱动IC11和源极驱动IC21，其中，栅线10与栅极驱动IC11之间通过与栅线10同层设置的栅极引线12连接，数据线20与源极驱动IC21之间通过与数据线20同层设置的源极引线22连接；
该阵列基板的栅线10及栅极引线12所在的结构层中，与源极引线22对应的位置上还设置有第一修复线220，用于在任一源极引线22发生断路时，及时对该发生断路的源极引线22进行修复；
该阵列基板的数据线20及源极引线22所在的结构层中，与栅极引线12对应的位置上还设置有第二修复线120，用于在任一栅极引线12发生断路时，及时对该发生断路的栅极引线12进行修复。
需要说明的是，图1中各走线的粗细只是为了便于区分不同的信号线，并不代表其实际宽度。
实施例二、本实施例中，显示装置的栅极驱动IC及源极驱动IC均采用COG封装，本实施例提供的阵列基板的结构可参见图2所示，阵列基板1上形成有多条栅线10和数据线20，以及栅极驱动IC11和源极驱动IC21，其中，栅线10与栅极驱动IC11之间通过与栅线10同层设置的栅极引线12连接，数据线20与源极驱动IC21之间通过与数据线20同层设置的源极引线22连接，栅极驱动IC11通过PLG13与外部PCB连接；
该阵列基板的栅线10及栅极引线12所在的结构层中，与源极引线22对应的位置上还设置有第一修复线220，用于在任一源极引线22发生断路时，及时对该发生断路的源极引线22进行修复；
该阵列基板的数据线20及源极引线22所在的结构层中，与栅极引线12对应的位置上还设置有第二修复线120，用于在任一栅极引线12发生断路时，及时对该发生断路的栅极引线12进行修复；
该阵列基板的数据线20及源极引线22所在的结构层中，与PLG13对应的位置上还设置有第三修复线130，用于在任一PLG13发生断路时，及时对该发生断路的PLG13进行修复。
需要说明的是，图2中各走线的粗细只是为了便于区分不同的信号线，并不代表其实际宽度。
基于上述阵列基板，本发明实施例还提供了一种阵列基板的修复方法，该方法包括：
若检测到阵列基板的任一源极引线发生断路，则在该阵列基板上的与该源极引线发生断路的两端相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使该源极引线对应的第一修复线与该源极引线熔接在一起，从而使源极驱动IC的驱动信号能够经由该发生断路的源极引线及与其熔接在一起的第一修复线传送至相应的数据线，其中，第一修复线与阵列基板的栅极引线位于同一层且位于与源极引线对应的位置上；
若检测到阵列基板的任一栅极引线发生断路，在该阵列基板上的与该栅极引线发生断路的两端相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使该栅极引线对应的第二修复线与该栅极引线熔接在一起，从而使栅极驱动IC的驱动信号能够经由该发生断路的栅极引线及与其熔接在一起的第二修复线传送至相应的栅线，其中，第二修复线与阵列基板的源极引线位于同一层且位于与栅极引线对应的位置上。
进一步，若检测到该阵列基板的任一PLG发生断路，在该阵列基板上的与该PLG发生断路的两端相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使该PLG对应的第三修复线与该PLG熔接在一起，从而使外部PCB的信号能够经由该发生断路的PLG及与其熔接在一起的第三修复线传送至相应的栅极驱动IC，其中，第三修复线与阵列基板的源极引线位于同一层且位于与PLG对应的位置上。
下面结合说明书附图对本发明实施例提供的阵列基板的修复方法进行详细说明。
实施例三、本实施例中，检测到用于连接数据线20与源极驱动IC21的源极引线22发生了断路，参见图3所示，则对该发生断路的源极引线22的修复方法如下：
在与该源极引线发生断路的两端（M端及N端）相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使该源极引线对应的第一修复线220与该源极引线22熔接在一起，从而使源极驱动IC21的驱动信号能够经由该发生断路的源极引线22及与其熔接在一起的第一修复线220传送至相应的数据线20。
需要说明的是，图3中源极引线及第一修复线的粗细只是为了便于区分不同的走线，并不代表其实际宽度；
栅极引线发生断路后的修复方法与源极引线发生断路后的修复方法相似，此处不再一一列举说明。
实施例四、本实施例中，检测到该阵列基板1中的用于连接外部PCB与栅极驱动IC11的PLG13发生了断路，参见图4所示，则对该发生断路的PLG13的修复方法如下：
在与该PLG13发生断路的两端（M端及N端）相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使该PLG对应的第三修复线130与该PLG13熔接在一起，从而使外部PCB的信号能够驱动信号能够经由该发生断路的PLG13及与其熔接在一起的第三修复线130传送至相应的栅极驱动IC11。
需要说明的是，图4中PLG及第三修复线的粗细只是为了便于区分不同的走线，并不代表其实际宽度。
基于上述阵列基板，本发明实施例还提供了该阵列基板的制造方法，参见图5所示，该方法包括以下步骤：
步骤51、在衬底基板（如玻璃基板）上沉积一层栅极金属，并通过一次沟通工艺在显示区域内形成TFT的栅极和栅线，以及在非显示区域内形成栅极引线以及第一修复线，其中，第一修复线位于与源极引线对应的位置上，且两端悬空设置；
具体的，采用溅射工艺沉积栅极金属层，并通过掩膜（mask）及湿法刻蚀工艺形成栅极、栅线、栅极引线以及第一修复线。
优选的，若栅极驱动IC采用COG方式封装，则步骤51具体为：
在衬底基板（如玻璃基板）上沉积一层栅极金属，并通过一次沟通工艺在显示区域内形成TFT的栅极和栅线，以及在非显示区域内形成栅极引线、PLG以及第一修复线。
步骤52、在完成步骤51之后的衬底基板上沉积栅绝缘层（Gate Insulator，GI）薄膜，以形成栅绝缘层，该栅绝缘层能够起到保护步骤51所形成的各结构，以及使步骤51形成的各结构与其他层结构之间绝缘的作用；
具体的，采用溅射工艺沉积栅绝缘层薄膜。
步骤53、在完成步骤52之后的衬底基板上沉积有源层薄膜（如非晶硅），并通过一次沟通工艺在显示区域内形成TFT的有源层（active）；
具体的，采用等离子增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD）有源层薄膜，并通过mask及湿法刻蚀工艺形成有源层。
步骤54、在完成步骤53之后的衬底基板上沉积源/漏（S/D）金属薄膜，并通过一次沟通工艺在显示区域内形成TFT的源/漏极和数据线，以及在非显示区域内形成源极引线以及第二修复线，其中，第二修复线位于与栅极引线对应的位置上，且两端悬空设置；
具体的，采用溅射工艺沉积S/D金属层，并通过mask及湿法刻蚀工艺形成源/漏极、数据线、源极引线以及第二修复线。
优选的，若栅极驱动IC采用COG方式封装，则步骤54具体为：
在完成步骤53之后的衬底基板上沉积S/D金属薄膜，并通过一次沟通工艺在显示区域内形成TFT的源/漏极和数据线，以及在非显示区域内形成源极引线、第二修复线及第三修复线，其中，第二修复线位于与栅极引线对应的位置上，且两端悬空设置；第三修复线位于与PLG对应的位置上，且两端悬空设置。
步骤55、在完成步骤54之后的衬底基板上依次形成PVX层（即绝缘保护层）及像素电极层；
其中，像素电极一般采用氧化铟锡（Indium-Tin Oxide，ITO）、铟锌氧化物（Indium Zinc Oxide，IZO）、铟镓锌氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）等。
需要说明的是，由于PVX层、像素电极层以及后续结构层的制作过程与现有阵列基板的制作类似，此处不再赘述。
图6中示出了阵列基板中PLG及其对应的第三修复线的局部结构的俯视图，图6所示的阵列基板包括位于非显示区域且与栅极引线同层设置的PLG13以及与源极引线同层设置且位于与PLG13对应的位置上的第三修复线130，该PLG13用于连接外部PCB与栅极驱动IC，该第三修复线130用于在PLG13发生断路时对PLG13进行修复，其中，每条PLG13对应一条第三修复线130；图7中示出了图6的A-A方向的剖面示意图，图7所示的阵列基板依次包括衬底基板71、PLG13、栅绝缘层72、第三修复线130以及PVX层73（即绝缘保护层）。
需要说明的是，阵列基板中的栅极引线及其对应的第二修复线的局部结构图、源极引线及其对应的第一修复线的局部结构图，与上述阵列基板中的源极引线及其对应的第一修复线的局部结构图类似，此处不再一一列举说明。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例提供的阵列基板。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种阵列基板，包括位于显示区域内的多条栅线和数据线，位于非显示区域内且分别与所述栅线和栅极驱动集成电路IC连接的栅极引线，以及位于非显示区域内且分别与所述数据线和源极驱动IC连接的源极引线，其特征在于，所述阵列基板还包括：
至少一条与所述栅极引线位于同一层，且位于与所述源极引线对应的位置上的第一修复线；和/或，
至少一条与所述源极引线位于同一层，且位于与所述栅极引线对应的位置上的第二修复线。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每条所述第一修复线对应一条不同的所述源极引线。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，每条所述第一修复线的两端设置为悬空状态。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每条所述第二修复线对应一条不同的所述栅极引线。
5.如权利要求1或4所述的阵列基板，其特征在于，每条所述第二修复线的两端设置为悬空状态。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，若所述栅极驱动IC设置于所述阵列基板上，所述阵列基板还包括：
至少一条分别与所述栅极驱动IC和外部印制电路板PCB连接的栅极外围布线PLG；以及
至少一条与所述源极引线位于同一层，且位于与所述PLG对应的位置上的第三修复线。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，每条所述第三修复线对应一条不同的所述PLG。
8.如权利要求6或7所述的阵列基板，其特征在于，每条所述第三修复线的两端设置为悬空状态。
9.一种阵列基板的修复方法，其特征在于，所述方法包括：
若检测到阵列基板的任一源极引线发生断路，在所述阵列基板上的与所述源极引线发生断路的两端相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使所述源极引线对应的第一修复线与所述源极引线熔接在一起，其中，所述第一修复线与所述阵列基板的栅极引线位于同一层且位于与所述源极引线对应的位置上；
若检测到所述阵列基板的任一栅极引线发生断路，在所述阵列基板上的与所述栅极引线发生断路的两端相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使所述栅极引线对应的第二修复线与所述栅极引线熔接在一起，其中，所述第二修复线与所述源极引线位于同一层且位于与所述栅极引线对应的位置上。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若检测到所述阵列基板的任一PLG发生断路，在所述阵列基板上的与所述PLG发生断路的两端相对应的位置上，分别进行激光打点处理，以使所述PLG对应的第三修复线与所述PLG熔接在一起，其中，所述第三修复线与所述源极引线位于同一层且位于与所述PLG对应的位置上。
11.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括如权利要求1～8任一项所述的阵列基板。
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