CN103255417B - 一种酸性钼铝钼蚀刻液及其制备工艺 - Google Patents

一种酸性钼铝钼蚀刻液及其制备工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN103255417B
CN103255417B CN201110420806.2A CN201110420806A CN103255417B CN 103255417 B CN103255417 B CN 103255417B CN 201110420806 A CN201110420806 A CN 201110420806A CN 103255417 B CN103255417 B CN 103255417B
Authority
CN
China
Prior art keywords
molybdenum
acid
etching liquid
aluminium
acetic acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110420806.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103255417A (zh
Inventor
戈士勇
沈翠芬
盛建伟
袁晓蕾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGYIN RUNMA ELECTRONIC MATERIAL CO Ltd
Original Assignee
JIANGYIN RUNMA ELECTRONIC MATERIAL CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGYIN RUNMA ELECTRONIC MATERIAL CO Ltd filed Critical JIANGYIN RUNMA ELECTRONIC MATERIAL CO Ltd
Priority to CN201110420806.2A priority Critical patent/CN103255417B/zh
Publication of CN103255417A publication Critical patent/CN103255417A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103255417B publication Critical patent/CN103255417B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种新型酸性钼铝钼蚀刻液以及其制备工艺。该新型酸性钼铝钼蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、金属硝酸盐、阳离子表面活性剂和纯水。该蚀刻液制备工艺包括常温常压下保持配料罐搅拌器转速,向配料罐中依次加入磷酸、醋酸、硝酸、硝酸钾、纯水和阳离子表面活性剂,充分搅拌后通入过滤器过滤制成钼铝钼蚀刻液。本发明中的钼铝钼蚀刻液颗粒度小,纯度高,对不同金属的蚀刻速度基本一致,反应稳定;调整硝酸的浓度,使蚀刻速度可控;使用该蚀刻液蚀刻后的基板表面整洁,无残留,无金属间分层现象,剩余线条平整,蚀刻角度保持在40~60°之间。

Description

一种酸性钼铝钼蚀刻液及其制备工艺
技术领域
本发明涉及一种金属材料的化学蚀刻用组合物及其制备工艺,具体涉及一种酸性钼铝钼蚀刻液和制备工艺。
背景技术
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻,其中,湿蚀刻是采用化学试剂,经由化学反应达到蚀刻的目的。现有技术中钼铝钼蚀刻液呈酸性,主要由磷酸、硝酸和醋酸经搅拌混匀过滤制得,上述蚀刻液已广泛应用于薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)等行业用作面板过程中钼层和铝层的蚀刻中。但在试剂蚀刻钼铝钼材料过程中,往往难以控制蚀刻角度和不同金属层的蚀刻量,影响产品的良率。
近年来,人们对液晶显示器的需求量不断增加的同时,对产品的质量和画面精度也提出了更高的要求,而蚀刻的效果能直接导致电路板制造工艺的好坏,影响高密度细导线图像的精度和质量。若要满足人们对图像精度和质量提出的更高要求,本领域技术人员就有必要对现有的钼铝钼蚀刻液的相关技术做出进一步改进。
发明内容
本发明的目的之一在于克服现有钼铝钼蚀刻液技术中的不足,设计一种高品质、低成本的钼铝钼蚀刻液配置方案。
本发明的第二个目的在于配合本发明酸性钼铝钼蚀刻液组份,设计一种简洁、合理的钼铝钼蚀刻液制备工艺。
为实现上述目的,本发明的技术方案钼铝钼蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、阳离子表面活性剂、金属硝酸盐和纯水,所述钼铝钼蚀刻液的原料重量百分比分别为:磷酸60%~75%、醋酸5%~15%、硝酸1%~10%、金属硝酸盐0.1%~2%、阳离子表面活性剂0.001%~0.5%、其余为纯水。
其中,所述金属硝酸盐为硝酸钾,所述硝酸钾纯度高于99.5%。
其中,所述磷酸、醋酸、硝酸浓度分别为:磷酸83%~87%、醋酸99.5%~99.8%、硝酸65%~68%。
其中,所述阳离子表面活性剂为聚丙烯酰胺、苯扎氯铵和苯扎溴铵中的至少一种。
其中,所述钼铝钼蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.3μm的不超过100个,杂质阳离子不超过30ppb,杂质阴离子不超过0.05ppb。
本发明的技术方案还包括一种钼铝钼蚀刻液的制备工艺,其特征在于,所述制备工艺包括如下加工步骤:
第一步:将强酸性阳离子交换树脂分别加入到磷酸、醋酸和硝酸中,搅拌混合,然后滤出强酸性阳离子交换树脂;
第二步:将磷酸、醋酸、硝酸、硝酸钾、表面活性剂和纯水六种原料按上述配比称重配置;
第三步:将磷酸加入配料罐中,搅拌下加入醋酸,将磷酸和醋酸搅拌均匀后,搅拌下加入硝酸,将磷酸、醋酸和硝酸混合均匀;
第四步:往混匀的磷酸、醋酸和硝酸中加入硝酸钾搅拌,然后加入纯水,充分搅拌;
第五步:往第四步所得的混合物中加入表面活性剂,充分搅拌;
第六步:将混合物通入过滤器中过滤,得到所述钼铝钼蚀刻液。
其中,所述强酸性阳离子交换树脂为强酸性苯乙烯系阳离子交换树脂。
其中,所述强酸性阳离子交换树脂与所述磷酸、醋酸和硝酸的质量比为0.2~0.3。
其中,所述过滤的次数大于两次,所述过滤器的微滤膜孔径为0.03~0.10μm,所述过滤在每立方米空气中颗粒度大于0.5μm的不超过100个的百级净化环境中进行。
其中,所述搅拌为机械搅拌或磁力搅拌,所述钼铝钼蚀刻液的制备是在常温、常压的状态下进行。
本发明的优点和有益效果在于:本发明在现有磷酸、醋酸、硝酸混合而成的钼铝钼蚀刻液中添加阳离子表面活性剂和硝酸钾,并经本发明中所述钼铝钼蚀刻液的制备工艺混合均匀,所得蚀刻液与带有光阻图形的基板能充分接触并均匀地渗透至光刻胶底部,与现有钼铝钼蚀刻液相比,该蚀刻液对不同金属的蚀刻速度基本一致,反应稳定;调整硝酸的浓度,使蚀刻速度可控;在10万倍的扫描电镜观察下,蚀刻后的基板表面整洁,无残留,无金属间分层现象,剩余线条平整,蚀刻角度保持在40~60°之间。
具体实施方式
下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
(1)酸性钼铝钼蚀刻液组成及制备
酸性钼铝钼蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、阳离子表面活性剂、金属硝酸盐和纯水,所述钼铝钼蚀刻液的原料重量百分比分别为:磷酸60%、醋酸8%、硝酸7%、金属硝酸盐1%、阳离子表面活性剂0.5%、其余为纯水。
其中,金属硝酸盐为硝酸钾,所述硝酸钾纯度高于99.5%。
其中,所述磷酸、醋酸、硝酸浓度分别为:磷酸84%、醋酸99.5%、硝酸68%。
其中,阳离子表面活性剂为聚丙烯酰胺。
其中,所述钼铝钼蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.3μm的为800个,杂质阳离子为20ppb,杂质阴离子为0.03ppb。
一种酸性钼铝钼蚀刻液的制备工艺,包括如下加工步骤:
第一步:将强酸性阳离子交换树脂分别加入到磷酸、醋酸和硝酸中,搅拌混合,然后滤出强酸性阳离子交换树脂;
第二步:将磷酸、醋酸、硝酸、硝酸钾、表面活性剂和纯水六种原料按上述配比称重配置;
第三步:将磷酸加入配料罐中,搅拌下加入醋酸,将磷酸和醋酸搅拌均匀后,搅拌下加入硝酸,将磷酸、醋酸和硝酸混合均匀;
第四步:往混匀的磷酸、醋酸和硝酸中加入硝酸钾搅拌,然后加入纯水,充分搅拌;
第五步:往第四步所得的混合物中加入表面活性剂,充分搅拌;
第六步:将混合物通入过滤器中过滤,得到所述钼铝钼蚀刻液。
其中,强酸性阳离子交换树脂为强酸性苯乙烯系阳离子交换树脂。
其中,所述强酸性阳离子交换树脂与所述磷酸、醋酸和硝酸的质量比为0.2。
其中,所述过滤的次数大于两次,所述过滤器的微滤膜孔径为0.03~0.10μm,所述过滤在每立方米空气中颗粒度大于0.5μm的不超过100个的百级净化环境中进行。
其中,所述搅拌为机械搅拌或磁力搅拌,所述钼铝钼蚀刻液的制备是在常温、常压的状态下进行。
(2)蚀刻操作
将钼铝钼基板浸渍于上述钼铝钼蚀刻液组合物中,蚀刻温度25℃,蚀刻时间90秒,用超纯水漂洗3分钟,最后用高纯氮气干燥。
(3)蚀刻结果
将蚀刻后的基板在扫描式电子显微镜(SEM)的观察下,钼/铝导线的边缘平整,基板表面干净且无金属残留,蚀刻角度在40~60°之间。
实施例2
酸性钼铝钼蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、阳离子表面活性剂、金属硝酸盐和纯水,所述钼铝钼蚀刻液的原料重量百分比分别为:磷酸65%、醋酸11%、硝酸4%、金属硝酸盐0.3%、阳离子表面活性剂0.1%、其余为纯水。
其中,金属硝酸盐为硝酸钾,所述硝酸钾纯度高于99.5%。
其中,所述磷酸、醋酸、硝酸浓度分别为:磷酸84%、醋酸99.5%、硝酸68%。
其中,阳离子表面活性剂为苯扎氯铵。
其中,所述钼铝钼蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.3μm的为700个,杂质阳离子为25ppb,杂质阴离子为0.02ppb。
蚀刻液的制备同实施例1,区别在于,强酸性阳离子交换树脂与所述磷酸、醋酸和硝酸的质量比为0.25。
蚀刻操作及蚀刻结果同实施例1。
实施例3
酸性钼铝钼蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、阳离子表面活性剂、金属硝酸盐和纯水,所述钼铝钼蚀刻液的原料重量百分比分别为:磷酸70%、醋酸15%、硝酸1%、金属硝酸盐0.1%、阳离子表面活性剂0.001%、其余为纯水。
其中,金属硝酸盐为硝酸钾,所述硝酸钾纯度高于99.5%。
其中,所述磷酸、醋酸、硝酸浓度分别为:磷酸84%、醋酸99.5%、硝酸68%。
其中,阳离子表面活性剂为苯扎溴铵。
其中,所述钼铝钼蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.3μm的为500个,杂质阳离子为20ppb,杂质阴离子为0.03ppb。
蚀刻液的制备同实施例1,区别在于,强酸性阳离子交换树脂与所述磷酸、醋酸和硝酸的质量比为0.3。
蚀刻操作及蚀刻结果同实施例1。
实施例4
酸性钼铝钼蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、阳离子表面活性剂、金属硝酸盐和纯水,所述钼铝钼蚀刻液的原料重量百分比分别为:磷酸75%、醋酸5%、硝酸10%、金属硝酸盐2%、阳离子表面活性剂0.01%、其余为纯水。
其中,金属硝酸盐为硝酸钾,所述硝酸钾纯度高于99.5%。
其中,所述磷酸、醋酸、硝酸浓度分别为:磷酸84%、醋酸99.5%、硝酸68%。
其中,阳离子表面活性剂为聚丙烯酰胺。
其中,所述钼铝钼蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.3μm的为700个,杂质阳离子为25ppb,杂质阴离子为0.02ppb。
蚀刻液的制备同实施例1,区别在于,强酸性阳离子交换树脂与所述磷酸、醋酸和硝酸的质量比为0.25。
蚀刻操作及蚀刻结果同实施例1。
上述实施例制成的酸性钼铝钼蚀刻液,其原料的物理化学性能指标可控制在:
浓度为85.5%的磷酸,优等品,其指标如下:
1.1物理特性
特性 控制为
含量(%) 85.5
颗粒(≥0.5um,个/ml) ≤100
色度(Hazen), ≤10
挥发性酸(以HAC计);PPm ≤10
过锰酸还原性物质(以H3PO3计);PPm ≤50
氯化物(Cl);PPm ≤0.5
硫酸盐(SO4);PPm ≤2
硝酸盐(NO3);PPm ≤0.1
1.2微量杂质
杂质ppb max 控制为
钙(Ca) 100
镉(Cd) 100
钴(Co) 100
铜(Cu) 20
铁(Fe) 100
钾(K) 100
镁(Mg) 20
锰(Mn) 10
钠(Na) 100
镍(Ni) 50
铅(Pb) 20
锌(Zn) 100
浓度为99.8%的醋酸,优等品,其指标如下:
1.1物理特性
特性 控制为
醋酸wt% 99.8
色度(Hazen) ≤10
还原高猛酸钾物质(以0计) ≤0.002
乙酸酐(%) ≤0.01
Cl(ppm) ≤0.5
PO4(ppm) ≤0.5
SO4(ppm) ≤0.5
颗粒>0.5um(个/ml) ≤100
1.2微量杂质
杂质ppm max 控制为
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
浓度为61.5%的硝酸,优等品,其指标如下:
1.1物理特性
特性 控制为
硝酸wt% 61.5
色度(Hazen) ≤5
Cl(ppm) ≤0.5
PO4(ppm) ≤0.5
SO4(ppm) ≤0.5
颗粒>0.1um(个/ml) ≤250
颗粒>0.2um(个/ml) ≤50
1.2微量杂质
杂质ppm max 控制为
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种酸性钼铝钼蚀刻液的制备工艺,其特征在于,所述制备工艺包括如下加工步骤:
第一步:将强酸性阳离子交换树脂分别加入到磷酸、醋酸和硝酸中,搅拌混合,然后滤出强酸性阳离子交换树脂;
第二步:将磷酸、醋酸、硝酸、硝酸钾、表面活性剂和纯水六种原料按配比称重配置;
第三步:将磷酸加入配料罐中,搅拌下加入醋酸,将磷酸和醋酸搅拌均匀后,搅拌下加入硝酸,将磷酸、醋酸和硝酸混合均匀;
第四步:往混匀的磷酸、醋酸和硝酸中加入硝酸钾搅拌,然后加入纯水,充分搅拌;
第五步:往第四步所得的混合物中加入表面活性剂,充分搅拌;
第六步:将混合物通入过滤器中过滤,得到所述钼铝钼蚀刻液;
所述钼铝钼蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、阳离子表面活性剂、金属硝酸盐和纯水,所述钼铝钼蚀刻液的原料重量百分比分别为:磷酸60%~75%、醋酸5%~15%、硝酸1%~10%、金属硝酸盐0.1%~2%、阳离子表面活性剂0.001%~0.5%、其余为纯水;所述阳离子表面活性剂为聚丙烯酰胺、苯扎氯铵和苯扎溴铵中的至少一种;所述金属硝酸盐为硝酸钾,所述硝酸钾纯度高于99.5%;所述磷酸、醋酸、硝酸浓度分别为:磷酸83%~87%、醋酸99.5%~99.8%、硝酸65%~68%;所述钼铝钼蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.3μm的不超过100个,杂质阳离子不超过30ppb,杂质阴离子不超过0.05ppb。
2.如权利要求1所述的钼铝钼蚀刻液的制备工艺,其特征在于,所述强酸性阳离子交换树脂为强酸性苯乙烯系阳离子交换树脂。
3.如权利要求2所述的钼铝钼蚀刻液的制备工艺,其特征在于,所述强酸性阳离子交换树脂与所述磷酸、醋酸和硝酸的质量比为0.2~0.3。
4.如权利要求3所述的钼铝钼蚀刻液的制备工艺,其特征在于,所述过滤的次数大于两次,所述过滤器的微滤膜孔径为0.03~0.10μm,所述过滤在每立方米空气中颗粒度大于0.5μm的不超过100个的百级净化环境中进行。
5.如权利要求4所述的钼铝钼蚀刻液的制备工艺,其特征在于,所述搅拌为机械搅拌或磁力搅拌,所述钼铝钼蚀刻液的制备是在常温、常压的状态下进行。
CN201110420806.2A 2011-12-16 2011-12-16 一种酸性钼铝钼蚀刻液及其制备工艺 Active CN103255417B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110420806.2A CN103255417B (zh) 2011-12-16 2011-12-16 一种酸性钼铝钼蚀刻液及其制备工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110420806.2A CN103255417B (zh) 2011-12-16 2011-12-16 一种酸性钼铝钼蚀刻液及其制备工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103255417A CN103255417A (zh) 2013-08-21
CN103255417B true CN103255417B (zh) 2016-01-20

Family

ID=48959615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110420806.2A Active CN103255417B (zh) 2011-12-16 2011-12-16 一种酸性钼铝钼蚀刻液及其制备工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103255417B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107587135A (zh) * 2016-07-08 2018-01-16 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种钼铝钼蚀刻液
CN109594079B (zh) * 2017-09-30 2021-02-12 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种钼铝共用蚀刻液及蚀刻方法
CN111334298B (zh) * 2020-02-26 2021-10-01 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种钼铝钼和ITO/Ag/ITO兼容蚀刻液及制备方法
CN111423883B (zh) * 2020-03-03 2021-11-05 江苏中德电子材料科技有限公司 一种有源矩阵有机发光二极体显示器用阳极蚀刻液
CN113421916B (zh) * 2021-05-27 2024-03-01 重庆惠科金渝光电科技有限公司 金属导电薄膜的制备方法、薄膜晶体管以及显示装置
CN114774922B (zh) * 2022-04-01 2022-11-15 肇庆微纳芯材料科技有限公司 一种钼铝金属蚀刻液及其制备方法与蚀刻方法
CN116144364A (zh) * 2022-12-07 2023-05-23 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种面板行业用igzo/铝兼容蚀刻液及其制备方法
CN115948746B (zh) * 2022-12-30 2024-04-30 浙江奥首材料科技有限公司 一种Al/Mo蚀刻液、其制备方法与应用

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI282377B (en) * 2003-07-25 2007-06-11 Mec Co Ltd Etchant, replenishment solution and method for producing copper wiring using the same
TWI364072B (en) * 2004-03-18 2012-05-11 Dongjin Semichem Co Ltd Etching composition
KR20070017762A (ko) * 2005-08-08 2007-02-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법
WO2009111719A2 (en) * 2008-03-07 2009-09-11 Advanced Technology Materials, Inc. Non-selective oxide etch wet clean composition and method of use
CN102181867A (zh) * 2011-04-11 2011-09-14 江阴市润玛电子材料有限公司 一种新型酸性钼铝蚀刻液和制备工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN103255417A (zh) 2013-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103255417B (zh) 一种酸性钼铝钼蚀刻液及其制备工艺
CN102181867A (zh) 一种新型酸性钼铝蚀刻液和制备工艺
CN102732252A (zh) 一种新型王水系ito蚀刻液及制备方法
CN102732253A (zh) 一种三氯化铁系ito蚀刻液及其制备方法
CN102286288B (zh) 一种醋酸系ito蚀刻液和制备工艺
CN101559964B (zh) 片状碳酸锶粒子的制备方法
US8597519B2 (en) Fluorine adsorbent/desorbent applicable in electrolytic solution for zinc electro-refining and method for removing fluorine using the fluorine adsorbent/desorbent
CN101565778B (zh) 一种从钨酸盐和钼酸盐的混合溶液中沉淀分离钨钼的方法
CN109023371A (zh) 一种柔性面板用钼铝钼及ito兼容蚀刻液及其制备工艺
CN102925896B (zh) 高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液及其制备工艺
CN101570348A (zh) 一种致密晶型氢氧化钴的制备方法
KR20150023041A (ko) 비정질 무기 음이온 교환체, 전자 부품 밀봉용 수지 조성물 및 비정질 비스무트 화합물의 제조 방법
US20120024027A1 (en) Water purification material, water purification method, phosphate fertilizer precursor, and method for manufacturing a phosphate fertilizer precursor
CN102001880A (zh) 微量元素混合肥料的生产工艺
CN102978649B (zh) 一种高纯氧化镓的制备方法
CN101318689A (zh) 单斜晶系晶态氧化铜的制备方法及用途
CN104692461A (zh) 一种高纯粉状氧化钒的制备方法
CN101041496B (zh) 含氟离子的排水的处理方法及排水处理剂
CN101337744B (zh) 一种无磷缓蚀阻垢剂及其合成方法
CN103163744A (zh) 一种新型有机光刻胶剥离液及其制备工艺
CN101671838A (zh) 一种电子级高纯甲基磺酸亚锡溶液的制备方法
WO2020088273A1 (zh) 一种提高磷酸二铵的表面玻璃感的方法
KR101473716B1 (ko) 갈륨 손실을 최소화한 고순도 구형 산화갈륨 제조방법
CN101597075B (zh) 一种氧化铝生产直接脱硫的方法
CN105523579A (zh) 一种氧化铟锡粉末的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant