CN103226425B - Ogs电容触摸屏盖板玻璃的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子产品的触摸屏切割加工方法，主要涉及一种OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法。OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，包括以下制作步骤：步骤1：先在大片OGS强化玻璃板上制作厚度为20-30毫米的保护层再对所述保护层依次进行烘烤干燥、曝光、显影、坚膜处理；步骤2：将经过步骤1处理的所述大片OGS强化玻璃板浸入温度为21-25℃的蚀刻液中进行蚀刻处理以将所述大片OGS强化玻璃板蚀刻成小片OGS强化玻璃板。采用该加工方法可以同时将大片OGS强化玻璃板蚀刻出单个小片OGS，且蚀刻后无需修复处理，蚀刻后的单个小片OGS尺寸精度高，成品率高。
Description
技术领域
本发明涉及电子产品的触摸屏切割加工方法，主要涉及一种OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法。
背景技术
传统的电容触摸屏采用二片玻璃组成，一片是具有感应电容及其电路构成的传感器平板玻璃，另一片是作为视的硬度要求较高的保护玻璃。而OGS技术是一种转型的显示触摸技术，其主要采用一片玻璃代替两片玻璃（或一片玻璃与一片薄膜）的方案，即将电容传感器直接制作在视窗（盖板玻璃）上。为加工方便，通常先在一大块强化后的玻璃上制作很多小片OGS,然后再将小片的单个OGS切割成下来，切割过程中会造成玻璃边缘的机械损伤，因此必须对切割后的小片OGS玻璃进行修复处理，如专利公开号为102736813A（2012-10-17）的中国专利公开了一种带电容式触摸功能的盖板硅铝玻璃的生产工艺，该工艺需要对切割后的单个OGS，此方法不仅工序复杂，而且在切割过程中需要大量异性切割机和CNC设备，生产成本高，而且切割过程容易产生玻璃破损，造成产品成品率不高。
发明内容
本发明的目的是提供一种OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，该加工方法可以同时将大片OGS强化玻璃板蚀刻出单个小片OGS，且蚀刻后无需修复处理，蚀刻后的单个小片OGS尺寸精度高，成品率高。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，包括以下制作步骤：步骤1：先在大片OGS强化玻璃板上制作厚度为20-30毫米的保护层再对所述保护层依次进行烘烤干燥、曝光、显影、坚膜处理，以在所述大片OGS强化玻璃板上形成后续制备小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形；步骤2：将经过步骤1处理的所述大片OGS强化玻璃板浸入温度为21-25℃的蚀刻液中进行蚀刻处理以将所述大片OGS强化玻璃板蚀刻成小片OGS强化玻璃板；所述蚀刻液包括质量分数为5-15%的HF，质量分数为2-4%的CH3COOH，质量分数为0.1-0.5%的活性剂；在所述蚀刻处理过程中通入臭氧，每一升所述蚀刻液中每分钟通入的臭氧量为1.5-3L。
本发明采用蚀刻技术代替切割技术将所述大片OGS强化玻璃板蚀刻成小片OGS强化玻璃，整个过程自动化进行，可以同时将几块大片OGS强化玻璃板进行蚀刻，大大提高了生产效率；此外，所述小片OGS强化玻璃采用蚀刻技术蚀刻后边缘光滑，使蚀刻后小片OGS强化玻璃的尺寸精度大大提高，使蚀刻后小片OGS强化玻璃的强度无影响，提高了蚀刻后小片OGS强化玻璃的质量；最后整个过程无需切割，因此也无需切割设备，大大降低了生产成本。本发明的步骤1和步骤2紧密配合，工艺之间相互衔接，以保证本发明所要的蚀刻效果。
在步骤1中，先在大片OGS强化玻璃板上制作厚度为20-30毫米的保护层再对所述保护层依次进行烘烤干燥、曝光、显影、坚膜处理，该厚度的保护层不仅可以对不需要蚀刻部位起到充分的保护作用，同时还能满足在后续烘烤干燥、曝光、显影、坚膜处理后在所述大片OGS强化玻璃板上形成后续制备小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形。通过该步骤形成的蚀刻图形，可以满足OGS用不同厚度玻璃蚀刻的需要，同时与步骤2相配合，保证本发明的蚀刻速率。因为不同厚度的玻璃，在蚀刻液中宽度以及深度方向的蚀刻速率不同，且同一厚度玻璃在宽度和深度方向的蚀刻速率也不同，因此本发明人通过长期研究，才得到步骤1和步骤2的加工工艺。步骤2中，所述大片OGS强化玻璃板浸入温度为21-25℃的蚀刻液中进行蚀刻处理以将所述大片OGS强化玻璃板蚀刻成小片OGS强化玻璃板，同时根据本发明人长期研究获得能实现本发明效果的所述蚀刻液不仅包括质量分数为5-15%的氢氟酸，质量分数为2-4%的乙酸，质量分数为0.1-0.5%的活性剂，还包括在所述蚀刻处理过程中每升蚀刻液内每分钟通入1.5-3L的臭氧。本发明人蚀刻液中加入的氢氟酸对玻璃具有很强的蚀刻作用，沿着本发明步骤1形成的蚀刻图形进行蚀刻就能很容易完成蚀刻段本发明的大片OGS强化玻璃板，但是在生产过程中发现如果只采用氢氟酸或者氢氟酸浓度过高会对玻璃的产生过强的腐蚀作用而导致蚀刻后的玻璃边缘不平整；因此本发明人在氢氟酸中加入乙酸并调整它们的比例，使不影响蚀刻速率的情况下保证蚀刻后玻璃边缘的平整即保证切割后小片OGS的尺寸精确度。除此之外，为了进一步提高生产效率，再向上述每升蚀刻液内每分钟通入1.5-3L的臭氧，该速率配合本发明其它成分的浓度以及反应时的温度，可以保证蚀刻过程中有稳定的双氧水产生，进而加速反应的进行。最后，本发明人经过研究发现加入0.1-0.5%的活性剂可以对本发明需要处理的大片OGS强化玻璃板起到足够的润湿作用，更进一步保证了蚀刻的效率，提高蚀刻后小片OGS强化玻璃边缘尺寸的精确度。
作为优选，步骤1中所述保护层为丝网印刷的保护层或钢板印刷的保护层。
作为优选，步骤1中所述烘烤干燥的时间为25-40分钟，温度为130-150℃。烘烤干燥的工艺参数可以保证后续曝光、显影以及坚膜的质量。
作为优选，步骤1中所述烘烤干燥为红外炉烘烤干燥。
作为优选，步骤2中所述活性剂为碱金属表面活性剂。碱金属表面活性剂能对本发明OGS用强化玻璃板起到很好的润湿作用，保证蚀刻液与本发明大片OGS需要切割处的充分接触，使蚀刻更加均匀高效。
作为优选，步骤2中所述活性剂为十二烷基苯磺酸钠。
作为优选，步骤2中所述蚀刻处理的时间为1.5-3小时。该蚀刻处理的时间1.5-3小时可以保证本发明蚀刻后的蚀刻效果。
作为优选，步骤2中所述大片OGS强化玻璃板的蚀刻速率为0.04-0.08厘米/小时。该速率是由本发明的工艺步骤及工艺参数保证的，可以使本发明大片OGS强化玻璃板的平均蚀刻速率为0.04-0.08厘米/小时即保证蚀刻后产品的质量以及控制蚀刻的自动化工艺，为批量生产保证产品质量的稳定性和可控性。本发明平均蚀刻速率是经过多次试验后得到的平均蚀刻速率，包括了深度方向和宽度方向等各个与所述蚀刻液接触的大片OGS强化玻璃板表面的平均蚀刻速率。
作为优选，步骤2中所述大片OGS强化玻璃板厚度为0.3-0.7厘米，蚀刻宽度为0.5-1.1厘米。该工艺参数也是发明人经过长期研究所得，以保证蚀刻后的边缘质量以及强度。
作为优选，步骤2中所述大片OGS强化玻璃板厚度为0.3-0.7厘米，蚀刻宽度为0.5-1.0厘米。该工艺参数也是发明人经过长期研究所得，以保证蚀刻后的边缘质量以及强度。
与现有技术相比，本发明具有的优点和效果如下：
1、本发明采用蚀刻技术代替切割技术将所述大片OGS强化玻璃板蚀刻成小片OGS强化玻璃，整个过程自动化进行，可以同时将几块大片OGS强化玻璃板进行蚀刻，大大提高了生产效率；
2、本发明所述小片OGS强化玻璃采用蚀刻技术，蚀刻后边缘光滑使蚀刻后的小片OGS强化玻璃的尺寸精度大大提高，对蚀刻后小片OGS强化玻璃的强度无影响，提高了蚀刻后小片OGS强化玻璃的质量；
3、本发明整个过程无需切割，因此也无需切割设备，大大降低了生产成本；本发明的步骤1和步骤2紧密配合，工艺之间相互衔接，以保证本发明所要的蚀刻效果。
附图说明
图1是本发明OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法中大片OGS强化玻璃板切割成单个小片OGS示意图；
图2是本发明OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法步骤一中各个工艺示意图；
图3是本发明OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法步骤二中蚀刻工艺示意图；
图4是本发明OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法中大片OGS强化玻璃板正反面完成坚膜的示意图；
图5是本发明OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法中大片OGS强化玻璃板蚀刻过程示意图。
图中：1-大片OGS强化玻璃板、2-制作保护层、3-烘烤干燥、4-曝光、5-显影、6-坚膜、7-蚀刻、8-正反面完成坚膜、9-蚀刻过程。
具体实例方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清晰明白，一下结合实施案例，对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用与限定本发明。
实施例1
第一步：先在厚度为0.3厘米的大片OGS强化玻璃板正反面中其中一面上钢板印刷厚度为20毫米的耐酸性保护层再对所述耐酸性保护层依次进行烘烤干燥处理，烘烤干燥采用红外炉烘烤干燥，烘烤干燥的时间为25分钟，温度为130℃，烘烤干燥后进行曝光、显影、坚膜处理，以在所述大片OGS强化玻璃板的其中一面上形成后续蚀刻小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形；在所述大片OGS强化玻璃板的另一面采用同样工艺步骤处理以在另一面形成后续蚀刻小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形；
第二部：将经过第一步处理的所述大片OGS强化玻璃板浸入温度为21℃的蚀刻液中进行蚀刻处理以将所述大片OGS强化玻璃板蚀刻成小片OGS强化玻璃板；所述蚀刻液包括质量分数为5%的HF，质量分数为2%的CH3COOH，质量分数为0.1%的十二烷基苯磺酸钠；在所述蚀刻处理过程中通入臭氧，通入的速率为1.5L/min，蚀刻处理的时间为1.5小时，蚀刻速率为0.04厘米/小时，蚀刻形成的蚀刻宽度为0.5厘米。
实施例2
同实施例1，不同的是第一步中所述大片OGS强化玻璃板的厚度为0.4-0.5厘米；第二步中蚀刻形成的蚀刻宽度为0.6-0.7厘米。
实施例3
同实施例1，不同的是第一步中大片OGS强化玻璃板正反面中其中一面上丝网印刷厚度为25毫米的耐酸性保护层。
实施例4
同实施例1
不同的是，第一步中：，先在厚度为0.7厘米的大片OGS强化玻璃板正反两面丝网印刷厚度为20-30毫米的耐酸性保护层再对所述耐酸性保护层依次进行烘烤干燥处理，烘烤干燥采用红外炉烘烤干燥，烘烤干燥的时间为25-40分钟，温度为130-150℃，烘烤干燥后进行曝光、显影、坚膜处理，以在所述大片OGS强化玻璃板的其中一面上形成后续蚀刻小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形。
实施例5
第一步：先在厚度为0.6厘米的大片OGS强化玻璃板正反面中其中一面上钢板印刷厚度为25毫米的耐酸性保护层再对所述耐酸性保护层依次进行烘烤干燥处理，烘烤干燥采用红外炉烘烤干燥，烘烤干燥的时间为30分钟，温度为140℃，烘烤干燥后进行曝光、显影、坚膜处理，以在所述大片OGS强化玻璃板的其中一面上形成后续蚀刻小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形；在所述大片OGS强化玻璃板的另一面采用同样工艺步骤处理以在另一面形成后续蚀刻小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形；
第二部：将经过第一步处理的所述大片OGS强化玻璃板浸入温度为22℃的蚀刻液中进行蚀刻处理以将所述大片OGS强化玻璃板蚀刻成小片OGS强化玻璃板；所述蚀刻液包括质量分数为10%的氢HF，质量分数为3%的CH3COOH，质量分数为0.3%的十二烷基苯磺酸钠；在所述蚀刻处理过程中通入臭氧，通入的速率为2L/min，蚀刻处理的时间为2小时，蚀刻速率为0.06厘米/小时，蚀刻形成的蚀刻宽度为0.8厘米。
实施例6
第一步：先在厚度为0.5厘米的大片OGS强化玻璃板正反面中其中一面上钢板印刷厚度为30毫米的耐酸性保护层再对所述耐酸性保护层依次进行烘烤干燥处理，烘烤干燥采用红外炉烘烤干燥，烘烤干燥的时间为40分钟，温度为150℃，烘烤干燥后进行曝光、显影、坚膜处理，以在所述大片OGS强化玻璃板的其中一面上形成后续蚀刻小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形；在所述大片OGS强化玻璃板的另一面采用同样工艺步骤处理以在另一面形成后续蚀刻小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形；
第二部：将经过第一步处理的所述大片OGS强化玻璃板浸入温度为25℃的蚀刻液中进行蚀刻处理以将所述大片OGS强化玻璃板蚀刻成小片OGS强化玻璃板；所述蚀刻液包括质量分数为15%的HF，质量分数为4%的CH3COOH，质量分数为0.5%的十二烷基苯磺酸钠；在所述蚀刻处理过程中通入臭氧，通入的速率为3L/min，蚀刻处理的时间为3小时，蚀刻速率为0.08厘米/小时，蚀刻形成的蚀刻宽度为0.9-1.1厘米。
Claims (7)
1.OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，其特征在于包括以下制作步骤：
步骤1：先在大片OGS强化玻璃板上制作厚度为20-30毫米的保护层再对所述保护层依次进行烘烤干燥、曝光、显影、坚膜处理，以在所述大片OGS强化玻璃板上形成后续制备小片OGS强化玻璃板时所需的蚀刻图形；
步骤2：将经过步骤1处理的所述大片OGS强化玻璃板浸入温度为21-25℃的蚀刻液中进行蚀刻处理以将所述大片OGS强化玻璃板蚀刻成小片OGS强化玻璃板；所述蚀刻液包括质量分数为5-15%的HF，质量分数为2-4%的CH3COOH，质量分数为0.1-0.5%的活性剂；所述活性剂为碱金属表面活性剂或十二烷基苯磺酸钠；
在所述蚀刻处理过程中通入臭氧，每一升所述蚀刻液中每分钟通入的臭氧量为1.5-3L；
所述大片OGS强化玻璃板的平均蚀刻速率为0.04-0.08厘米/小时。
2.如权利要求1所述OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，其特征在于：步骤1中所述保护层为丝网印刷的保护层或钢板印刷的保护层。
3.如权利要求2所述OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，其特征在于：步骤1中所述烘烤干燥的时间为25-40分钟，温度为130-150℃。
4.如权利要求3所述OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，其特征在于：步骤1中所述烘烤干燥为红外炉烘烤干燥。
5.如权利要求4所述OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，其特征在于：步骤2中所述蚀刻处理的时间为1.5-3小时。
6.如权利要求5所述OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，其特征在于：步骤2中所述大片OGS强化玻璃板厚度为0.3-0.7mm，蚀刻宽度为0.5-1.1mm。
7.如权利要求6所述OGS电容触摸屏盖板玻璃的加工方法，其特征在于：步骤2中所述大片OGS强化玻璃板厚度为0.3-0.7mm，蚀刻宽度为0.5-1.0mm。
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Chen Huanjie Inventor before: Zhu Zhiqiang |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240905 Address after: 330000 floors 4-6, building 2, Nanchang high tech electronic information industrial park, No. 888, Yaohu West Sixth Road, Nanchang high tech Industrial Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province Patentee after: Jiangxi Huashi photoelectric Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 518000 building 22, the second industrial zone, shapuwei Industrial Avenue, Songgang street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: SHENZHEN HUASHI OPTOELECTRONIC CO.,LTD. Country or region before: China |