CN103215617B - 一种减轻边缘效应的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种减轻边缘效应的方法，包括如下步骤：S10：在金属掩模板原有大开口干膜图形内，曝光出一个环形区域，形成一个辅助小开口；S11：通过显影将环形区域内部的未曝光干膜洗去，暴露出芯模表面，在环形内部的芯模上也沉积上金属材料。本发明减轻边缘效应的方法减轻了大开口边缘效应，提高了板面质量，避免了印刷过程中渗锡现象以及印刷过程中锡膏厚度不均的现象。满足了产品对边缘效应的要求，并且对开口大小没有影响，大大提高了产品质量。
Description
技术领域
本发明属于电铸技术领域，尤其涉及一种减轻边缘效应的方法。
背景技术
目前，电子元器件高精度的特性，对用以转移材料的金属掩模的厚度一致性提出了非常严格的要求，因为在高精密制造研究领域，即使是掩模厚度很小偏差也会导致转移材料的偏差转移、错位转移或金属掩模板的形变导致产品或掩模的报废。因此多孔电铸模板开口处边缘效应已成为电铸技术领域所必须解决的问题。
所谓边缘效应是指，理想平板电容器的电场线是直线的，但实际情况下，在靠近边缘地方的会变弯，越靠边缘处越弯得厉害如图2中的大开口边缘电流线30。电镀过程中，在阴阳极边缘处弯的最厉害，这种电力线弯曲现象叫做边缘效应。在微电铸领域，阴极表面存在大量的通孔图形，基于边缘效应理论，任何一个通孔图形的边缘处，电力线在通孔边缘处弯曲最为厉害，相应的边缘处电流线密度也最大，在相同电沉积的时间条件下，通孔边缘处的镀层厚度由于电流密度较大而较非边缘处厚。
随着科技的发展，高精密的金属掩模板的种类也越来越丰富，具有小至几十微米，大至几十厘米开口的金属掩模板。但越特殊的图形，解决边缘效应的技术难度也就越高。
开口越大，边缘效应越严重，对于金属掩模板的应用也就限制很大。在印刷线路板时，边缘效应严重的话，开口边缘厚度会远远超过镀层掩模板厚度，并且其边缘效应不均匀。如图1所示，当下锡膏时，那些大开口边缘效应严重的地方3不均匀，容易造成渗锡6或锡膏厚度不均现象，严重影响产品质量。
因此，业界急需探索出一种方案，以解决上述现有技术中存在的问题。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种减轻边缘效应的方法，减轻大开口边缘效应，提高了板面质量，避免印刷过程中渗锡现象；避免印刷过程中锡膏厚度不均的现象。
为实现上述目的，本发明的技术方案为：
一种减轻边缘效应的方法，包括如下步骤：
S10：在金属掩模板原有大开口干膜图形内，曝光出一个环形区域，形成一个辅助小开口；
S11：通过显影将环形区域内部的未曝光干膜洗去，暴露出芯模表面，在环形内部的芯模上也沉积上金属材料。
进一步地，在步骤S10：中，所述环形区域宽度为5～10mm。
进一步地，在步骤S10中，通过辅助小开口，干膜图形边缘处的电流密度线分散到了具有辅助小开口的两条边缘线上，从而有效减轻原有大开口边缘电流线处的边缘效应。
本发明减轻边缘效应的方法减轻了大开口边缘效应，提高了板面质量，避免了印刷过程中渗锡现象以及印刷过程中锡膏厚度不均的现象。满足了产品对边缘效应的要求，并且对开口大小没有影响，大大提高了产品质量。
附图说明
图1是现有技术边缘效应导致渗锡现象示意图。
图2是现有技术无辅助图形设计的大开口图示。
图3是本发明带有辅助图形设计的大开口图示。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明减轻边缘效应的方法，其包括如下步骤：
S10：在金属掩模板原有大开口干膜图形内，曝光出一个环形区域，形成一个辅助小开口。
S11：通过显影将环形区域内部的未曝光干膜洗去，暴露出芯模表面，在环形内部的芯模上也沉积上金属材料。
请参照图3所示，在金属掩模板原有大开口干膜图形内，曝光出一个环形区域66，形成一个辅助小开口33，环形区域宽度为5～10mm。通过显影将环形区域内部的未曝光干膜洗去，暴露出芯模表面，在环形内部的芯模上也沉积上金属材料，完成电铸后，环形区域内部的沉积材料不会跟着电铸层一起剥离下来，而是留在芯模上，不会对电铸层上的原有图形产生影响。
通过本发明方法，原有的大开口干膜图形边缘处的电流密度线分散到了具有辅助小开口的两条边缘线44和55上，有效减轻原有大开口边缘电流线处的边缘效应，得到符合要求的开口效果，提高印刷质量。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种减轻边缘效应的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S10：在金属掩模板原有大开口干膜图形内，曝光出一个环形区域，形成一个辅助小开口；
S11：通过显影将环形区域内部的未曝光干膜洗去，暴露出芯模表面，在环形内部的芯模上也沉积上金属材料。
2.如权利要求1所述的减轻边缘效应的方法，其特征在于：在步骤S10中，所述环形区域宽度为5～10mm。
3.如权利要求2所述的减轻边缘效应的方法，其特征在于：在步骤S10中，通过辅助小开口，干膜图形边缘处的电流密度线分散到了具有辅助小开口的两条边缘线上，从而有效减轻原有大开口边缘电流线处的边缘效应。
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