CN103214268B - 一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,在C/C复合材料表面制备了多孔SiC纳米线层,利用SiC纳米超高的强度和弹性模量以及其于SiC涂层基体的良好结合力,有效提高了SiC涂层的断裂韧性,从而降低了SiC涂层高温磨损率,有利于增强涂层的耐磨性能。添加SiC纳米线后,SiC涂层在800℃下的磨损率从1.51×10-3mm3·N-1·m-1降低至1.83×10-4mm3·N-1·m-1,降低了一个数量级。
Description
技术领域
本发明涉及一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,具体涉及一种在炭/炭(C/C)复合材料或者石墨材料表面制备SiC纳米线增强SiC耐磨涂层的方法。
背景技术
C/C复合材料具有低密度、高比强、高比模、低热膨胀系数、耐热冲击等一系列优异性能,尤其是这种材料的强度随温度的升高不降反升的独特性能,使其作为热结构件使用具有其他材料无法比拟的优势。然而,C/C复合材料在高温氧化气氛中极容易被氧化。带有SiC涂层的C/C复合材料克服了C/C复合材料在高温有氧环境下极易氧化的缺点,充分发挥了C/C复合材料低密度、高比强度、低热膨胀系数、高温性能好等优点。这种材料有望在高温活动部件中(如活塞、高温阀、高温轴承等)获得应用。然而,文献1“Tribological behaviors of SiC/h-BN composite coating at elevatedtemperatures,Chen Zishan,Li Hejun,Fu Qiangang,Qiang Xinfa,Tribology International56(2012)58-65”提出采用包埋法制备SiC耐磨涂层,但在800℃下C/C复合材料表面的SiC涂层与SiC配副对摩过程中由于脆性断裂而导致涂层剥落失效。
发明内容
要解决的技术问题
为了避免现有技术的不足之处,本发明提出一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,以克服现有的C/C复合材料表面SiC涂层在高温下容易脆性断裂而导致涂层剥落失效的缺陷。
技术方案
一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,其特征在于步骤如下:
步骤1、预处理C/C复合材料:将C/C复合材料采用砂纸打磨抛光,然后依次分别用水和无水乙醇超声清洗15-20min,在空气中晾干或者烘干;
步骤2、在C/C复合材料表面制备多孔SiC纳米线层:分别称取质量百分比为10-20%的Si粉,15-30%的C粉,55-75%的SiO2粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2-4小时;
步骤3:然后将步骤2制备好的粉料放入石墨坩埚中,并将步骤1处理的C/C复合材料用碳绳捆绑后悬挂在石墨坩埚内的粉料上方,将石墨坩埚放入真空加热炉中,以5-10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600-1700℃,保温1-3小时;随后关闭电源自然冷却至室温,得到含SiC纳米线的C/C复合材料;全程氩气保护;
步骤4、在含SiC纳米线的C/C复合材料表面制备SiC涂层:称取质量百分比为10-20%的Si粉,80-90%的C粉,5-15%的Al2O3粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2-4小时后烘干;
步骤5:将步骤4制备的粉料铺于石墨坩埚底部,接着将含SiC纳米线的C/C复合材料放入坩埚里粉料表面,再在上面铺满步骤4制备的粉料直至将SiC纳米线的C/C复合材料没与粉料之中;
步骤6:将石墨坩埚放入空加热炉中,以氩气作为保护气体,以5-10℃/min升温速度将炉温从室温升至1800-2100℃,保温1-3小时;随后关闭电源自然冷却至室温。
所述的Si粉的纯度为99.5%、粒度为300目。
所述的C粉的纯度为99%,粒度为320目。
所述的SiO2粉的纯度为分析纯、粒度为300目。
所述的Al2O3粉的纯度为分析纯、粒度为300目。
有益效果
本发明提出的一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,在C/C复合材料表面原位生长SiC纳米线,纳米线的添加使涂层的断裂韧性提高,降低SiC涂层在高温摩擦过程中的脆性断裂,进而提高涂层的耐磨性能。
本发明的有益效果:在C/C复合材料表面制备了多孔SiC纳米线层,利用SiC纳米超高的强度和弹性模量以及其于SiC涂层基体的良好结合力,有效提高了SiC涂层的断裂韧性,从而降低了SiC涂层高温磨损率,有利于增强涂层的耐磨性能。添加SiC纳米线后,SiC涂层在800℃下的磨损率从1.51×10-3mm3·N-1·m-1降低至1.83×10-4mm3·N-1·m-1,降低了一个数量级。
附图说明
图1:实施例1所制备的SiC纳米线多孔层结构表面SEM照片;
图2:实施例1所制备的SiC纳米线增强SiC涂层的表面SEM照片;
图3:实施例1所制备的SiC纳米线增强SiC涂层的断面SEM照片;
图4:实施例1所制备的SiC纳米线增强SiC涂层与未添加SiC纳米线的SiC涂层在800℃下的磨损率。
具体实施方式
现结合实施例、附图对本发明作进一步描述:
实施例1:
1)将C/C复合材料加工成36mm×8mm的圆块状试样,打磨抛光后清洗,放入烘箱中烘干备用。
2)称取15gSi粉,25g的C粉和60g的SiO2粉。置于松脂球磨罐中,取不同数量和直径的玛瑙球放入球磨罐中,在球磨机上进行球磨混合处理2h,作为粉料备用。
3)将粉料放入石墨坩埚中,使其粉料厚度为坩埚深度的五分之一,再将烘后的C/C复合材料试样用一束炭绳捆绑后悬挂在粉料上方,然后将石墨坩埚放入石墨作为发热体的真空加热炉中。将炉腔内真空度抽至1kPa,然后通氩气至常压。此过程反复三次。之后以5℃/min的升温速率将炉温升至1500℃,保温2小时。随后关闭电源自然冷却至室温,全程通氩气保护,随后取出坩埚,得到表面含有SiC纳米线的C/C复合材料试样。
4)分别称取100g C粉,20g Si粉和10g Al2O3粉,使用球磨机碾磨1小时混合均匀,首先将配好的粉料的一半放入石墨坩埚中,再放入表面含有SiC纳米线的C/C复合材料试样,然后将另一半粉料覆盖在试样表面,置于高温加热炉中之后将炉温升到2100℃,升温速率为7℃/min,保温1小时,全程氩气保护。冷却后取出,得到表面制备有SiC纳米线增强SiC涂层的C/C试样。
本发明所制备的SiC纳米线增强SiC涂层在800℃的摩擦磨损实验中,磨损率为1.83×10-4mm3·N-1·m-1,相比未添加SiC纳米线的SiC涂层的磨损率(1.51×10-3mm3·N-1·m-1)降低了一个数量级。
实施例2:
1)取等温化学气相渗透法制成的密度为1.67-1.76g/cm3的碳/碳复合材料,将其加工成薄片后依次用400#、800#、1500#砂纸依次打磨抛光后至试样尺寸32mm×6mm。依次分别用自来水、丙酮、无水乙醇和蒸馏水超声清洗,于空气中晾干。清洗时,使用的超声波频率均为20KHZ,超声波的功率均为100W,清洗时间均为25min。
2)分别称取10g的Si粉,25g的C粉和70g的SiO2粉。置于松脂球磨罐中,取不同数量不同直径的玛瑙球放入松脂球磨罐中,在行星式球磨机上进行球磨混合处理4h,作为粉料备用。
3)将粉料放入石墨坩埚中,使其粉料厚度为石墨坩埚深度的五分之一,再将烘干后的C/C复合材料用一束3K炭纤维捆绑后悬挂在粉料表面的上方,然后将石墨坩埚放入真空反应炉中。抽真空30分钟后使真空度达到1kPa,保真空30分钟,观察真空表指示是否变化,如无变化,说明系统密封完好。通氩气至常压。此过程重复三次。之后将炉温升至1600℃,升温速率为5℃/min,然后保温2小时。随后关闭电源自然冷却至室温,整个过程中通氩气保护。随后取出石墨坩埚,清理C/C复合材料上的炭纤维得到表面含有SiC纳米线的C/C复合材料。
4)分别称取110g C粉,20g Si粉和5g Al2O3粉,使用球磨机碾磨2小时混合均匀,首先将配好的粉料的一半放入石墨坩埚中,再放入表面含有SiC纳米线的C/C复合材料试样,然后将另一半粉料覆盖在试样表面,置于高温加热炉中之后将炉温升到2100℃,升温速率为7℃/min,保温2小时,全程氩气保护。冷却后取出,得到表面制备有SiC纳米线增强SiC涂层的C/C试样。
本发明所制备的SiC纳米线增强SiC涂层在800℃的摩擦磨损实验中,磨损率为1.65×10-4mm3·N-1·m-1,相比未添加SiC纳米线的SiC涂层的磨损率(1.51×10-3mm3·N-1·m-1)降低了一个数量级。
实施例3:
1)将尺寸为36mm×8mm C/C复合材料分别用400号、800号和1000号的砂纸依次打磨抛光后用无水乙醇洗涤干净,于烘箱中烘干备用。
2)分别称取15g的Si粉,30g的C粉和75g的SiO2粉。置于松脂球磨罐中,取不同数量不同直径的玛瑙球放入松脂球磨罐中,在行星式球磨机上进行球磨混合处理3h,作为粉料备用。
3)将粉料放入石墨坩埚中,使其粉料厚度为石墨坩埚深度的五分之一,再将烘后的C/C复合材料用一束3K炭纤维捆绑后悬挂在粉料表面的上方,然后将石墨坩埚放入真空反应炉中。抽真空30分钟后使真空度达到1kPa,保真空30分钟,观察真空表指示是否变化,如无变化,说明系统密封完好。通氩气至常压。此过程重复三次。之后将炉温升至1650℃,升温速率为7℃/min,然后保温3小时。随后关闭电源自然冷却至室温,整个过程中通氩气保护。随后取出石墨坩埚,清理C/C复合材料上的炭纤维得到表面含有SiC纳米线的C/C复合材料。
4)分别称取120g C粉,25g Si粉和10g Al2O3粉,使用球磨机碾磨2小时混合均匀,首先将配好的粉料的一半放入石墨坩埚中,再放入表面含有SiC纳米线的C/C复合材料试样,然后将另一半粉料覆盖在试样表面,置于高温加热炉中之后将炉温升到2100℃,升温速率为7℃/min,保温2小时,全程氩气保护。冷却后取出,得到表面制备有SiC纳米线增强SiC涂层的C/C试样。
本发明所制备的SiC纳米线增强SiC涂层在800℃的摩擦磨损实验中,磨损率为1.57×10-4mm3·N-1·m-1,相比未添加SiC纳米线的SiC涂层的磨损率(1.51×10-3mm3·N-1·m-1)降低了一个数量级。
Claims (5)
1.一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,其特征在于步骤如下:
步骤1、预处理C/C复合材料:将C/C复合材料采用砂纸打磨抛光,然后依次分别用水和无水乙醇超声清洗15-20min,在空气中晾干或者烘干;
步骤2、在C/C复合材料表面制备多孔SiC纳米线层:分别称取质量百分比为10-20%的Si粉,15-30%的C粉,55-75%的SiO2粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2-4小时;
步骤3:然后将步骤2制备好的粉料放入石墨坩埚中,并将步骤1处理的C/C复合材料用碳绳捆绑后悬挂在石墨坩埚内的粉料上方,将石墨坩埚放入真空加热炉中,以5-10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600-1700℃,保温1-3小时;随后关闭电源自然冷却至室温,得到含SiC纳米线的C/C复合材料;全程氩气保护;
步骤4、在含SiC纳米线的C/C复合材料表面制备SiC涂层:称取质量百分比为10-20%的Si粉,80-90%的C粉,5-15%的Al2O3粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2-4小时后烘干;
步骤5:将步骤4制备的粉料铺于石墨坩埚底部,接着将含SiC纳米线的C/C复合材料放入坩埚里粉料表面,再在上面铺满步骤4制备的粉料直至将SiC纳米线的C/C复合材料没于粉料之中;
步骤6:将石墨坩埚放入真空加热炉中,以氩气作为保护气体,以5-10℃/min升温速度将炉温从室温升至1800-2100℃,保温1-3小时;随后关闭电源自然冷却至室温。
2.根据权利要求1所述纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,其特征在于:所述的Si粉的纯度为99.5%、粒度为300目。
3.根据权利要求1所述纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,其特征在于:所述的C粉的纯度为99%,粒度为320目。
4.根据权利要求1所述纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,其特征在于:所述的 SiO2粉的纯度为分析纯、粒度为300目。
5.根据权利要求1所述纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,其特征在于:所述的Al2O3粉的纯度为分析纯、粒度为300目。
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