CN103208475A - 封装基板及其制法 - Google Patents

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黄培彰
刘文芳
余丞博
吴明豪
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Xinxing Electronics Co Ltd
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    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

一种封装基板及其制法，该封装基板的制法通过于该封装基板的预开口区中埋设剥离材，接着仅需沿该预开口区的边缘进行切割，即可将剥离材及其上方的材质一并移除而形成开口，借以缩短工艺时间，以利于量产。

Description

封装基板及其制法
技术领域
本发明涉及一种封装基板的制法，尤指一种具有供放置电子组件的开口的封装基板的制法。
背景技术
随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为降低封装高度以满足产品微小化(或薄化)的需求，遂提供一具有开口的封装基板中，再将电子组件嵌埋于该开口中，而此种封装件不仅能缩减整体半导体装置的体积，且能提升电性功能，遂成为一种封装的趋势。
请参阅图1A及图1B，其为现有制作光电路板(Opto-electricalcircuit board，OECB)的封装基板1的制法。如图1A所示，于一具有波导线路(wave guide)13的线路板10上定义出预开口区A，再借由CO2激光，烧灼移除该预开口区A上的材质。如第1B图所示，当完全移除该预开口区A上的材质后，即形成开口100，以放置耦合组件(coupledevice，CD)，以供电性连接该波导线路13。其中，该开口100的长度为7.5mm，而宽度为3.5mm。
然而，现有封装基板1的制法中，于制作该开口100时，需以激光烧灼该预开口区A上的所有材质，因局限于激光设备的功能与线路板10的材质，导致工艺时间冗长，约需耗费2分钟，所以不符合量产的效益。
此外，以激光烧灼该预开口区A上的所有材质，因激光每一次的烧灼范围不一，而使部分区域会重复烧灼，所以该开口100的孔壁100a容易呈现倾斜或凹凸不平的壁面，以致于当放置耦合组件(图未示)时，会降低该耦合组件传输效率。
因此，如何克服上述现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺失，本发明的主要目的在于提供一种封装基板及其制法，以缩短工艺时间，利于量产。
本发明所提供的封装基板的制法，通过于该芯层的预开口区上形成剥离材，再于该芯层及剥离材上依序形成波导线路与增层结构，接着沿该预开口区的边缘进行切割，以借由该剥离材一并移除该剥离材及其上的材质，而形成开口。
依前述制法，本发明还提供一种封装基板，其开口的孔壁垂直于该波导线路。
由上可知，本发明封装基板及其制法，主要借由将剥离材设于该预开口区上，以于切割工艺时，仅需沿该预开口区的边缘进行切割，即可将剥离材及其上方的材质一并移除而形成开口，所以相比于现有技术，本发明的制法不用烧灼该预开口区上方的全部材质，因而可缩短工艺时间，以利于量产。
此外，本发明仅需沿该预开口区的边缘进行激光切割，而无需完全烧灼该预开口区上方的材质，所以相比于现有技术，本发明的激光切割不会重复烧灼同一处，因而该开口的孔壁垂直于该波导线路，可避免电子组件碰撞该开口的孔壁。
附图说明
图1A至图1B为现有封装基板的制法的剖视示意图；
图2A至图2C为本发明封装基板的制法的局部放大剖面示意图；
其中，图2A’为本发明封装基板(未形成增层结构)的整版面上视示意图；以及
图3为本发明封装基板的制法的整版面剖面示意图。
主要组件符号说明
1，2        封装基板
10          线路板
100，200    开口
100a，200a        孔壁
13，23，23’      波导线路
20                芯层
20a               第一表面
20b               第二表面
21                第一图案化线路层
210               导电通孔
22                剥离材
24                增层结构
240，240’        介电层
241               第二图案化线路层
241’             金属层
242               导电盲孔
25                金属箔
A                 预开口区。
具体实施方式
以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，也当视为本发明可实施的范畴。
请参阅图2A至图2C，其为本发明封装基板2的制法的剖视示意图。
如图2A及图2A’所示，首先，提供一具有相对的第一表面20a与第二表面20b的芯层20，该芯层20的第一与第二表面20a，20b上具有一第一图案化线路层21，且该芯层20中具有至少一导电通孔210(如图3所示)以电性连接该第一与第二表面20a，20b上的第一图案化线路层21，并于该芯层20的第一表面20a上定义出至少一预开口区A。再于该预开口区A上的第一表面20a与第一图案化线路层21上形成剥离材22。接着，于该芯层20的第一表面20a、第一图案化线路层21及剥离材22上形成波导线路(wave guide)23。
于本实施例中，如图2A’所示(省略第一图案化线路层21)，于基板整版面(panel)上定义出多个预开口区A，以放置电子组件(图未示)，如耦合组件(couple device，CD)。
接着，于该芯层20的第一与第二表面20a，20b、第一图案化线路层21及剥离材22上形成增层结构24，该增层结构24具有至少一介电层240、形成于该介电层240上的第二图案化线路层241、及设于该介电层240中并电性连接该第一与第二图案化线路层21，241的多个导电盲孔242。
于本实施例中，该剥离材22为胶材或离型材，如：多晶莫来石纤维(PMF)，且有关剥离材的种类繁多，并无特别限制；又于该预开口区A上方的介电层240中并无任何第二图案化线路层241的线路，仅于最外层具有金属层241’。
如图2B所示，借由激光方式，于该增层结构24上沿对应该预开口区A的边缘进行切割。
如图2C所示，借由该剥离材22与该芯层20、第一图案化线路层21分离，一并移除该剥离材22及其上的材质(如图2B所示的波导线路23’的部分材质、介电层240’与金属层241’)，而形成开口200，以外露出该芯层20的部分第一表面20a与第一图案化线路层21的部分表面。
本发明封装基板2的制法，借由将剥离材22设于该预开口区A上，当切割工艺完成后，该剥离材22即与该芯层20、第一图案化线路层21分离，以顺势移除其上方的材质，所以相比于现有技术，本发明仅需沿该预开口区A的边缘进行激光切割，而无须烧灼该预开口区A上方的全部材质，因而制作该开口200的时间约5秒内，致使工艺时间大幅缩短。
此外，本发明仅需沿该预开口区A的边缘进行激光切割，也就是切割一圈，而无需烧灼该预开口区A上方的全部材质，所以相比于现有技术，本发明的激光切割不会重复烧灼同一处，因而该开口200的孔壁200a垂直于该波导线路23，以利于后续放置电子组件，以可避免电子组件碰撞该开口200的孔壁200a。
请一并参阅图3，于本实施例中，该增层结构24为先预制的线路板，以上、下压合的方式结合至基板本体(可由该芯层20、第一图案化线路层21、剥离材22及波导线路23组成)上，且该增层结构24的外侧以金属箔25辅助压合。
此外，该金属箔25可为铜箔，且于压合工艺后，供制作线路(第二图案化线路层241)或作为金属层241’。另外，有关形成增层结构24的方式种类繁多，并不限于上述，特此述明。
本发明还提供一种封装基板2，包括：具有相对的第一与第二表面20a，20b的芯层20、形成于该芯层20的第一与第二表面20a，20b上的第一图案化线路层21、形成于该芯层20的第一表面20a及第一图案化线路层21上的波导线路23、形成于该芯层20的第一与第二表面20a，20b、第一图案化线路层21及波导线路23上的增层结构24。
所述的封装基板2于该芯层20的第一表面20a上方的增层结构24上形成开口200，以外露出该芯层20的部分第一表面20a与第一图案化线路层21的部分表面，且该开口200的孔壁200a垂直于该波导线路23。
所述的增层结构24具有至少一介电层240、形成于该介电层240上的第二图案化线路层241、及设于该介电层240中并电性连接该第一与第二图案化线路层21，241的多个导电盲孔242。
综上所述，本发明封装基板及其制法，借由将剥离材设于该预开口区上，所以仅需沿该预开口区的边缘进行切割，即可将剥离材及其上方的材质一并移除而形成开口，不仅缩短工艺时间以符合量产的效益，且因该开口的孔壁垂直于该波导线路而可避免电子组件损坏。
上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。

Claims (10)

1.一种封装基板，其包括：
芯层；
第一图案化线路层，其形成于该芯层表面；
波导线路，其形成于该芯层及第一图案化线路层的部分表面上；以及
增层结构，其形成于该芯层、第一图案化线路层及波导线路上，且该增层结构上形成有开口，以外露出该芯层与第一图案化线路层的部分表面，该开口的孔壁垂直于该波导线路。
2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该开口位于该波导线路的两端，且该开口的口径大于欲放置的电子组件。
3.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该增层结构具有至少一介电层、形成于该介电层上的第二图案化线路层、及设于该介电层中并电性连接该第一与第二图案化线路层的多个导电盲孔。
4.一种封装基板的制法，其包括：
提供一表面具有第一图案化线路层的芯层，该芯层的部分表面上具有预开口区；
于该芯层的预开口区上形成剥离材；
于该芯层、第一图案化线路层及剥离材上形成波导线路；
于该芯层、第一图案化线路层、剥离材及波导线路上形成增层结构；
于该增层结构上沿对应该预开口区的边缘进行切割，以借由该剥离材移除其上的材质；以及
移除该剥离材而形成开口，以外露出该芯层与第一图案化线路层的部分表面。
5.根据权利要求4所述的封装基板的制法，其特征在于，该开口的口径大于欲放置的电子组件。
6.根据权利要求4所述的封装基板的制法，其特征在于，该剥离材为胶材或离型材。
7.根据权利要求4所述的封装基板的制法，其特征在于，于该增层结构上沿对应该预开口区的边缘进行切割，以借由该剥离材移除其上的材质，而移除的材质为该波导线路的部分材质与增层结构的部分材质。
8.根据权利要求4所述的封装基板的制法，其特征在于，该增层结构具有至少一介电层、形成于该介电层上的第二图案化线路层、及设于该介电层中并电性连接该第一与第二图案化线路层的多个导电盲孔。
9.根据权利要求4所述的封装基板的制法，其特征在于，该切割工艺以激光方式进行。
10.根据权利要求4所述的封装基板的制法，其特征在于，该开口的孔壁垂直于该波导线路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2011099820A2 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Lg Innotek Co., Ltd. Pcb with cavity and fabricating method thereof
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