CN103187223A - 带电粒子束系统中的漂移控制 - Google Patents

带电粒子束系统中的漂移控制 Download PDF

Info

Publication number
CN103187223A
CN103187223A CN2012105778532A CN201210577853A CN103187223A CN 103187223 A CN103187223 A CN 103187223A CN 2012105778532 A CN2012105778532 A CN 2012105778532A CN 201210577853 A CN201210577853 A CN 201210577853A CN 103187223 A CN103187223 A CN 103187223A
Authority
CN
China
Prior art keywords
charged particle
particle beam
attemperating unit
temperature
sample room
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012105778532A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103187223B (zh
Inventor
C.M.斯米特
J.A.M.范登厄特拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FEI Co
Original Assignee
FEI Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FEI Co filed Critical FEI Co
Publication of CN103187223A publication Critical patent/CN103187223A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103187223B publication Critical patent/CN103187223B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/16—Vessels; Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/002—Cooling arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/0203—Protection arrangements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

本发明的名称为带电粒子束系统中的漂移控制。本发明涉及一种用于减少带电粒子束系统中的漂移的方法和设备。所述方法包括：提供包括带电粒子束、透镜系统以及样品室的带电粒子束镜筒；在所述透镜系统与所述样品室之间布置温控装置以控制所述透镜系统与所述样品室之间的热传递；以及控制所述温控装置的温度以减少或者消除所述样品室内的样品的位置相对于所述带电粒子束的位置的热漂移。

Description

带电粒子束系统中的漂移控制
技术领域
本发明涉及一种准确地定位诸如电子束、离子束或激光束的射束的方法，以用于执行射束处理来创建、修改或者对显微结构进行成像。
背景技术
带电粒子束、激光束以及中性粒子束被用在诸如半导体电路和微电机组件的制作的各种微细加工应用中。术语“微细加工”被用来包括创建和改造具有数十微米或更小的尺寸的结构，包括纳米加工工艺。“处理”样品指的是对样品上的结构的微细加工。随着越来越小的结构被制作，必须更精确地导引射束。
需要准确射束定位的半导体制造的一方面是用于透射电子显微镜的薄样品提取。这样的样品被用于监测半导体制造工艺。被称为薄片的、薄的垂直样品被提取来提供结构的垂直截面。
透射电子显微镜(TEM)允许观测者对纳米级的或更小的极小特征进行成像。在TEM中，宽射束冲击样品并且透射通过样品的电子被聚焦以形成样品的图像。
在扫描透射电子显微镜(STEM)中，一次电子束被聚焦为细小的点，并且该点跨样品表面被扫描。透射通过样品的电子由在样品远侧的电子检测器收集，并且图像上的每个点的强度对应于在一次射束冲击表面上的对应点时所收集的电子的数量。这个技术能够允许观测者对一纳米以下尺寸的特征进行成像。
对于TEM和STEM两者，在制备薄样品的同时进行射束定位是重要的，因为射束必须不蚀刻掉所关心的特征，但样品必须足够地薄以允许一次射束中的多数电子行进通过该样品并且在对面的位置离开。样品的厚度通常小于100 nm。
因此，需要电子显微镜和微细加工应用中的准确射束放置。然而，已经发现的是，射束在样品上的冲击点趋向于随时间漂移。也就是说，当操作者指示系统将射束定位在点P1处时，在短时间之后该射束实际上最终落在点P2处。点P1与P2的坐标之间的差被称为漂移。包括射束漂移、镜台漂移以及样品漂移的漂移可以是由热不稳定性引起的，所述热不稳定性引起样品被定位在其上的镜台或生成并聚焦射束的元件的轻微移动。
图1示出了在用于成像或微细加工的典型带电粒子束系统中使用的现有技术的带电粒子束镜筒的图。带电粒子源102提供诸如电子或离子的带电粒子，其被用来形成射束。聚束透镜系统104从源102引出带电粒子，将带电粒子形成为射束103并且向样品113导引射束103。样品113通过样品支架112和镜台110被保持在镜筒100的样品室115中的固定位置上。物镜透镜系统106基于射束103中的带电粒子与样品113的交互而产生样品113的图像。在诸如TEM的一些带电粒子系统中，射束3中的带电粒子中的一些穿过样品113并且通过投影透镜系统114被投影到处于镜筒100底部的观察装置116上。
图2示出了现有技术的带电粒子束镜筒的物镜透镜系统和样品室的截面视图。物镜透镜106包括多个线圈202a-202c，其围绕带电粒子束103的轴形成电磁体。物镜透镜106的线圈202a-202c通常紧靠样品室115被定位。当样品室115的温度发生变化时，镜台110和样品支架112的位置相对于电磁体的磁极改变，这会引起热漂移。这种热漂移主要由位于样品室115附近的物镜透镜106的线圈202a-202c引起。线圈202a-202c携带电流以产生物镜透镜106通过其进行操作的磁场。如果系统的放大率改变，则安培匝数的量也改变，这会导致功率耗散的改变并且由此导致线圈温度的改变，线圈通常紧靠样品室115被安装，并且热传导将使样品室115的温度改变。虽然所述漂移可能是小的，但由于更小的结构被制作或成像，所以漂移会变得更显著。
用于防止热漂移的一个方法是通过用停滞空气层使物镜线圈与样品室彼此绝热来减少它们之间的热传递，所述停滞空气可以是良好的热绝热体。但即使是停滞空气层，也不足以防止漂移。其他方法包括使用恒定功率透镜。但是，使用恒定功率透镜会产生额外的功率耗散、过大尺寸的线圈、能量和冷却水的缠绕(spooling)以及能够提供具有小于百万分之一(“PPM”)的误差的电压的昂贵且极稳定的电源。例如，具有1 PPM误差(即0.001伏特)的、1000伏特的电源提供了在999.999伏特与1000.001伏特之间的稳定电压。
用于对热漂移进行补偿的另一方法是改变水或冷却液的流动来控制线圈的温度。然而，线圈温度不是均匀的，或者更确切地说外侧线圈温度会发生变化。因此，改变水或冷却液的流动来控制线圈的温度在减少热漂移方面还不是有效的。
用于对热漂移进行补偿的又一方法是使用射束偏转。当带电粒子束开始漂移时，带电粒子束能够通过射束镜筒内的偏转板或透镜被偏转而使射束往回移动到正确的对准位置。然而，偏转射束以对热漂移进行补偿降低了射束的性能。更好的方法将是减少或者消除热漂移的成因而不是对它进行补偿。
发明内容
本发明的目的是控制物镜线圈与样品室之间的热传递以减少或者消除带电粒子束系统中的热漂移。
在一个优选实施例中，本发明提供了用于减少带电粒子束系统中的漂移的方法。所述方法包括：提供包括带电粒子束、透镜系统以及样品室的带电粒子束镜筒；在所述透镜系统与所述样品室之间布置温控装置以控制所述透镜系统与所述样品室之间的热传递；以及控制所述温控装置的温度以减少或者消除所述样品室内的样品的位置相对于所述带电粒子束的位置的热漂移。
在另一实施例中，本发明提供了用于减少带电粒子束系统中的漂移的设备。所述设备包括：温控装置，其被布置在带电粒子束镜筒的透镜系统与所述带电粒子束镜筒的样品室之间；以及与所述温控装置热通信的温度控制器，所述温度控制器包括用于控制所述透镜系统与所述样品室之间的热传递以减少或者消除带电粒子束的热漂移的装置。
在又一实施例中，本发明提供了带电粒子束系统。所述带电粒子束系统包括：带电粒子源；聚焦镜筒，所述聚焦镜筒包括透镜系统；样品室，所述样品室包括样品；以及温控装置，其被布置在所述透镜系统与所述样品室之间以控制所述透镜系统与所述样品室之间的热传递。
前文已经相当广泛地概述了本发明的特征和技术优点，以使得下面对本发明的详细描述可以被更好地理解。本发明的附加特征和优点将在下文中被描述。本领域的技术人员应理解的是，所公开的概念和具体实施例可以作为用于修改或者设计用于执行本发明的相同目的的其他结构的基础而被容易地利用。本领域的技术人员还应认识到，这样的等效构造不背离如在所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围。
附图说明
为了更彻底地理解本发明及其优点，现对结合附图进行的以下描述进行参考，在附图中：
图1示出了在用于成像或微细加工的典型带电粒子束系统中使用的现有技术的带电粒子束镜筒的图；
图2示出了现有技术的带电粒子束镜筒的物镜透镜系统和样品室的截面视图；
图3示出了根据本发明的一个或多个实施例的带电粒子束镜筒的物镜透镜系统和样品室的截面视图；
图4示出了适合于实现本发明的一个或多个实施例的带电粒子束系统的图。
具体实施方式
本发明的优选实施例控制物镜线圈与样品室之间的热传递以减少或者消除带电粒子束系统中的热漂移。带电粒子束可以包括但不限于电子显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、扫描透射电子显微镜(STEM)、聚焦离子束系统(FIB)或包括一个以上的带电粒子束镜筒的多束系统。热传递能够通过利用线圈与样品室之间的低热传导性而被控制，并且以使得热传递始终是相同量的方式稳定或向其增加少量热。用于控制热传递的简单且非常有效的方式是将温控装置放置在物镜线圈与样品室之间，使得温控装置与这两个元件都绝热。温控装置优选地被维持在恒定温度。温控装置优选地被定位成阻挡物镜线圈之间的辐射热传递。样品室与温控装置之间的连接是低热传导性连接。以这种方式，样品室由被维持在恒定温度的温控元件包围。
在本发明的一个实施例中，热控或稳定的高导热性圆板(disc)能够被放置在样品室与物镜线圈之间以减少漂移。高导热性圆板能够与外部装置热连接，所述外部装置诸如为在带电粒子束镜筒外部的冷却和/或加热系统。冷却和/或加热系统能够被控制以将高导热性圆板维持在恒定温度。与用于减少热漂移的现有技术方法相比，以这种方式减少热漂移能够大大地降低所需要的成本和功率。例如，根据本发明的实施例来控制高导热性圆板的温度可能需要如两瓦特那样少的功率，并且消除了对于昂贵的恒定电源的需求。进一步地，根据本发明的实施例来控制高导热性圆板的温度能够减少用于数据时间的等待时间和由于漂移补偿而导致的等待时间。
图3示出了根据本发明的一个或多个实施例的带电粒子束镜筒的物镜透镜系统与样品室的截面视图。温控装置302被布置在物镜透镜系统106与样品室115之间。温控装置302使物镜透镜系统106与样品室115彼此热隔离。温控装置302控制产生自线圈202a-202c中的电流的热向样品室115的传递。即使当线圈中的电流被改变以改变系统的放大率时，控制热向样品室115的传递也使样品室115、镜台110以及样品支架112的温度能够在带电粒子束系统的操作期间保持基本上恒定。在操作期间使镜台110和样品支架112维持在基本上恒定的温度减少或者消除了由镜台110和样品支架112相对于带电粒子束103的位置的膨胀或收缩所引起的漂移。
温控装置302能够由能够导引由物镜透镜系统106的线圈202a-202c产生的热远离样品室115的任何热稳定材料或任何导热材料制成。优选地，温控装置302被安装在物镜透镜系统106与样品室110之间的光路径上，以减少或者消除物镜透镜系统106与样品室110之间的辐射和/或传导热传递。温控装置302优选地与样品室110绝热以减少由于传导和对流而导致的热传递。例如，温控装置302能够由在样品室110与温控装置302之间的空间中的用高R空气填充的空气间隙来绝热。
图4示出了适合于实现本发明的一个或多个实施例的带电粒子束镜筒400的图。带电粒子源102提供被用来形成射束的诸如电子或离子的带电粒子。聚束透镜系统104从源102引出带电粒子，使所述带电粒子形成为射束103，并且向样品113导引射束103。样品113通过样品支架112和镜台110被保持在镜筒400内的固定位置上。物镜透镜系统106基于射束103中的带电粒子与样品113的交互来产生样品113的图像。在诸如TEM的一些带电粒子系统中，射束103中的带电粒子中的一些穿过样品113并且通过投影透镜系统114而被投影到处于镜筒400底部的观测装置116上。
温控装置302被布置在物镜透镜系统106与样品室115之间，以控制物镜透镜系统106与包括镜台110、样品支架112以及样品113的样品室115之间的热传递。温控装置302优选地与温度控制器410热耦合。温度控制器410是能够被选择性地用作为用于由物镜透镜系统106的线圈产生的废热的散热装置(heat sink)的装置。通过选择性地将由物镜透镜系统106的线圈所产生的废热导引到温度控制器410而不是样品室115，样品室115能够被维持在基本上恒定的温度，从而减少或者消除了样品113的位置相对于带电粒子束103的位置的热漂移。温度控制器410使温控装置302优选地维持在不少于7摄氏度并且不超过35摄氏度的温度，更优选地在不少于12摄氏度并且不超过30摄氏度的温度，以及最优选地在不少于17摄氏度并且不超过25摄氏度的温度。温度控制器410使温控装置302优选地维持在不超过样品室的温度的5摄氏度并且不少于样品室的温度的5摄氏度的温度。温度控制器410使温控装置302最优选地维持在与样品室的温度相同的温度。
在可替换的实施例中，温度控制器410还能够被选择性地用作为热源。通过选择性地将由温度控制器410产生的热导引到样品室115，样品室115能够被更迅速地提高到操作温度，由此减少用于收集数据的等待时间。温度控制器410优选地是在带电粒子镜筒400外部的装置。
例如，温度控制器410可以是引导来自温控装置302的废热并且借助于对流或强制规定将所述废热排出到环境空气中的散热器。可替换地，温度控制器410能够包括能够从温控圆板302接收足够的废热以使样品室115维持在基本上恒定的温度的冷却系统或制冷系统。温度控制器410优选地包括恒温器或类似装置以调节温控圆板302的温度。调节温控圆板302的温度包括从温控圆板302去除废热。调节温控圆板302的温度还能够包括将由温度控制器410产生的热供应给温控圆板302。
对于具有被直接安装在样品室115下方的透镜系统108的、诸如TEM系统的带电粒子束系统，温控装置402被布置在透镜系统108与样品室115之间以控制透镜系统108与样品室115之间的热传递。如果样品室115需要与透镜或作为系统中的热漂移的源的其他发热元件热隔离，则温控装置302和温控装置402二者皆能够被用在相同的系统中。
如在本文中所使用的那样，术语“基本上恒定的温度”意指无变化的温度，或变化足够地小使得在系统中不存在由于温度变化而导致的热漂移的温度，或变化足够地小使得由于温度变化而导致的系统中的热漂移对于正由系统执行的分析而言在可接受的范围内的温度。在优选实施例中，热漂移不大于每分钟0.5纳米。在更优选的实施例中，热漂移不大于每分钟0.1纳米。
根据本发明的一些实施例，一种用于减少带电粒子束系统中的漂移的方法包括：提供包括带电粒子束、透镜系统以及样品室的带电粒子束镜筒；在透镜系统与样品室之间布置温控装置以控制透镜系统与样品室之间的热传递；以及控制温控装置的温度以减少或者消除布置在样品室内的样品的位置相对于带电粒子束的位置的热漂移。
在一些实施例中，控制温控装置的温度还包括使温控装置维持在基本上恒定的温度。而在一些实施例中，控制温控装置的温度还包括使温控装置维持在样品室的温度的5摄氏度以内的温度。在一些实施例中，控制温控装置的温度还包括使温控装置维持在与样品室的温度基本上相同的温度。
在一些实施例中，使温控装置维持在基本上恒定的温度还包括使所述温控装置维持在17摄氏度与25摄氏度之间。
在一些实施例中，粒子束的热漂移不超过每分钟0.5纳米。而在一些实施例中，粒子束的热漂移不超过每分钟0.1纳米。
在一些实施例中，控制温控装置的温度还包括将热从温控装置导引到散热装置。而在一些实施例中，控制温控装置的温度还包括将热从热源导引到温控装置。
在一些实施例中，用于减少带电粒子束系统中的漂移的方法还包括将绝热空气层布置在样品室与温控装置之间。
在一些实施例中，带电粒子束系统包括电子显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜或聚焦离子束系统。
根据本发明的一些实施例，一种用于减少带电粒子束系统中的漂移的设备包括：温控装置，其被布置在带电粒子束镜筒的透镜系统与该带电粒子束镜筒的样品室之间；以及与温控装置热通信的温度控制器，其包括用于控制透镜系统与样品室之间的热传递以减少或者消除带电粒子束系统的热漂移的装置。
在一些实施例中，温度控制器包括恒温器和散热装置。在一些实施例中，散热装置包括在带电粒子束系统外部并且将废热排出到环境空气中的散热器。而在一些实施例中，散热装置包括在带电粒子束系统外部的冷却单元或制冷单元。
在一些实施例中，用于减少带电粒子束系统中的漂移的设备还包括在样品室与温控装置之间的绝热空气层。在一些实施例中，带电粒子束系统包括电子显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜或聚焦离子束系统。
根据本发明的一些实施例，带电粒子束系统包括带电粒子源、包括透镜系统的聚焦镜筒、包括样品的样品室以及布置在透镜系统与样品室之间以控制所述透镜系统与所述样品室之间的热传递的温控装置。
在一些实施例中，带电粒子束系统还包括与温控装置热通信以控制所述温控装置的温度的温度控制器。而在一些实施例中，温度控制器包括恒温器和散热装置。在一些实施例中，散热装置包括在带电粒子束系统外部并且将废热排出到环境空气中的散热器。在一些实施例中，散热装置包括在带电粒子束系统外部的冷却单元或制冷单元。
在一些实施例中，带电粒子束系统还包括布置在样品室与温控装置之间的绝热空气层。而在一些实施例中，带电粒子束系统包括电子显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜或聚焦离子束系统。
尽管已经对本发明及其优点进行了详细描述，但应理解的是，能够在本文中进行各种变化、替换和改造而不背离如所附权利要求限定的本发明的精神和范围。此外，本申请的范围不是旨在被限于在本说明书中所描述的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法和步骤的具体实施例。如本领域的普通技术人员从本发明的公开内容中将容易地理解的那样，可以根据本发明利用执行与在本文中所描述的对应实施例基本上相同的功能或者实现与其基本上相同的结果的当前存在的或以后将开发的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这样的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤包括在它们的范围内。

Claims (24)

1. 一种用于减少带电粒子束系统中的漂移的方法，所述带电粒子束系统包括带电粒子源、用于容纳样品的样品室以及用于将带电粒子束聚焦到样品上的透镜系统，所述带电粒子束系统包括在所述透镜系统与所述样品室之间的温控装置，所述方法包括控制所述温控装置的温度以减少或者消除布置在所述样品室内的样品的位置相对于所述带电粒子束的位置的热漂移。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，控制所述温控装置的温度还包括使所述温控装置维持在基本上恒定的温度。
3. 根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，控制所述温控装置的温度还包括使所述温控装置维持在所述样品室的温度的5摄氏度以内的温度。
4. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，控制所述温控装置的温度还包括使所述温控装置维持在与所述样品室的温度基本上相同的温度。
5. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，使所述温控装置维持在基本上恒定的温度包括使所述温控装置维持在17摄氏度与25摄氏度之间。
6. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述粒子束的漂移不超过每分钟0.5纳米。
7. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述粒子束的漂移不超过每分钟0.1纳米。
8. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，控制所述温控装置的温度还包括将热从所述温控装置导引到散热装置。
9. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，控制所述温控装置的温度还包括将热从热源导引到所述温控装置。
10. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其还包括将绝热空气层布置在所述样品室与所述温控装置之间。
11. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述带电粒子束系统包括电子显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜或聚焦离子束系统。
12. 一种用于减少带电粒子束系统中的漂移的设备，所述设备包括：
温控装置，其被布置在带电粒子束镜筒的透镜系统与所述带电粒子束镜筒的样品室之间；以及
与所述温控装置热通信的温度控制器，所述温度控制器包括用于控制所述透镜系统与所述样品室之间的热传递以减少或者消除带电粒子束的热漂移的装置。
13. 根据权利要求12所述的设备，其中，所述温度控制器包括恒温器和散热装置。
14. 根据权利要求13所述的设备，其中，所述散热装置包括在所述带电粒子束系统外部并且将废热排出到环境空气中的散热器。
15. 根据权利要求12或权利要求13所述的设备，其中，所述散热装置包括在所述带电粒子束系统外部的冷却单元或制冷单元。
16. 根据权利要求12至15中任一项所述的设备，其还包括布置在所述样品室与所述温控装置之间的绝热空气层。
17. 根据权利要求12至16中任一项所述的设备，其中，所述带电粒子束系统包括电子显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜或聚焦离子束系统。
18. 一种带电粒子束系统，其包括：
带电粒子源；
聚焦镜筒，所述聚焦镜筒包括透镜系统；
样品室，所述样品室包括样品；以及
温控装置，其被布置在所述透镜系统与所述样品室之间以控制所述透镜系统与所述样品室之间的热传递。
19. 根据权利要求18所述的系统，其还包括与所述温控装置热通信以控制所述温控装置的温度的温度控制器。
20. 根据权利要求19所述的系统，其中，所述温度控制器包括恒温器和散热装置。
21. 根据权利要求20所述的系统，其中，所述散热装置包括在所述带电粒子束系统外部并且将废热排出到环境空气中的散热器。
22. 根据权利要求20所述的系统，其中，所述散热装置包括在所述带电粒子束系统外部的冷却单元或制冷单元。
23. 根据权利要求18至22中任一项所述的系统，其还包括布置在所述样品室与所述温控装置之间的绝热空气层。
24. 根据权利要求18至23中任一项所述的系统，其中，所述带电粒子束系统包括电子显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜或聚焦离子束系统。
CN201210577853.2A 2011-12-27 2012-12-27 带电粒子束系统中的漂移控制 Active CN103187223B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161580504P 2011-12-27 2011-12-27
US61/580504 2011-12-27
US61/580,504 2011-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103187223A true CN103187223A (zh) 2013-07-03
CN103187223B CN103187223B (zh) 2018-11-16

Family

ID=47563069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210577853.2A Active CN103187223B (zh) 2011-12-27 2012-12-27 带电粒子束系统中的漂移控制

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8618478B2 (zh)
EP (1) EP2610889A3 (zh)
JP (1) JP6262428B2 (zh)
CN (1) CN103187223B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9633819B2 (en) * 2011-05-13 2017-04-25 Fibics Incorporated Microscopy imaging method and system
US8766213B2 (en) 2012-09-07 2014-07-01 Fei Company Automated method for coincident alignment of a laser beam and a charged particle beam
EP2811288B1 (en) 2013-06-06 2016-08-10 Fei Company Method for electron tomography
JP2015153763A (ja) * 2014-02-10 2015-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689850A (ja) * 1992-09-09 1994-03-29 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置
JPH11238483A (ja) * 1997-12-12 1999-08-31 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置
JP2001084935A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Hitachi Ltd 電子顕微鏡
US6414323B1 (en) * 1999-03-12 2002-07-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam apparatus and method of controlling charged particle beam
JP2007335134A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Hitachi High-Technologies Corp 走査電子顕微鏡
CN101383261A (zh) * 2007-09-04 2009-03-11 采钰科技股份有限公司 扫描式电子显微镜
JP2010113843A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Shimadzu Corp 荷電粒子ビーム装置及びその対物レンズのコンタミネーション防止装置
US20110204229A1 (en) * 2009-05-15 2011-08-25 Frederick H Schamber Electron microcope whith integrated detector(s)

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2788139B2 (ja) 1991-09-25 1998-08-20 株式会社日立製作所 電子線描画装置
JP3221797B2 (ja) 1994-06-14 2001-10-22 株式会社日立製作所 試料作成方法及びその装置
US5916424A (en) 1996-04-19 1999-06-29 Micrion Corporation Thin film magnetic recording heads and systems and methods for manufacturing the same
US5942805A (en) 1996-12-20 1999-08-24 Intel Corporation Fiducial for aligning an integrated circuit die
US5847821A (en) 1997-07-10 1998-12-08 Advanced Micro Devices, Inc. Use of fiducial marks for improved blank wafer defect review
US6424734B1 (en) 1998-04-03 2002-07-23 Cognex Corporation Fiducial mark search using sub-models
JP3648384B2 (ja) 1998-07-03 2005-05-18 株式会社日立製作所 集束イオンビーム加工方法及び加工装置
JP2000133567A (ja) 1998-10-23 2000-05-12 Advantest Corp 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
TW460755B (en) 1998-12-16 2001-10-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus
JP2000277045A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP4137329B2 (ja) 2000-01-11 2008-08-20 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 集束イオンビーム加工方法
US6322672B1 (en) 2000-03-10 2001-11-27 Fei Company Method and apparatus for milling copper interconnects in a charged particle beam system
US6838380B2 (en) 2001-01-26 2005-01-04 Fei Company Fabrication of high resistivity structures using focused ion beams
WO2002071031A1 (en) 2001-03-01 2002-09-12 Moore Thomas M Total release method for sample extraction from a charged particle instrument
US7104687B2 (en) * 2001-06-07 2006-09-12 Hitachi Medical Corporation X-ray diagnosis apparatus having a common cooler
US7160475B2 (en) 2002-11-21 2007-01-09 Fei Company Fabrication of three dimensional structures
JP2004253232A (ja) 2003-02-20 2004-09-09 Renesas Technology Corp 試料固定台
JP4520426B2 (ja) 2005-07-04 2010-08-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビームのビームドリフト補正方法及び電子ビームの描画方法
NL1029982C2 (nl) 2005-09-19 2007-03-20 Fei Co Werkwijze voor het instellen van de werkingssfeer van een toestelcomponent op een vooraf vastgesteld element.
US7625679B2 (en) 2005-09-23 2009-12-01 Applied Materials, Inc. Method of aligning a particle-beam-generated pattern to a pattern on a pre-patterned substrate
US7660687B1 (en) 2006-05-25 2010-02-09 Kla-Tencor Corporation Robust measurement of parameters
US7880155B2 (en) 2006-06-15 2011-02-01 Brooks Automation, Inc. Substrate alignment apparatus comprising a controller to measure alignment during transport
WO2008049134A2 (en) 2006-10-20 2008-04-24 Fei Company Method for s/tem sample analysis
US7880151B2 (en) 2008-02-28 2011-02-01 Fei Company Beam positioning for beam processing
JP2009218474A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Jeol Ltd ビーム位置ドリフト抑制方法、ビーム寸法ドリフト抑制方法及び荷電粒子ビーム描画装置。

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689850A (ja) * 1992-09-09 1994-03-29 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置
JPH11238483A (ja) * 1997-12-12 1999-08-31 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置
US6414323B1 (en) * 1999-03-12 2002-07-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam apparatus and method of controlling charged particle beam
JP2001084935A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Hitachi Ltd 電子顕微鏡
JP2007335134A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Hitachi High-Technologies Corp 走査電子顕微鏡
CN101383261A (zh) * 2007-09-04 2009-03-11 采钰科技股份有限公司 扫描式电子显微镜
JP2010113843A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Shimadzu Corp 荷電粒子ビーム装置及びその対物レンズのコンタミネーション防止装置
US20110204229A1 (en) * 2009-05-15 2011-08-25 Frederick H Schamber Electron microcope whith integrated detector(s)

Also Published As

Publication number Publication date
US8618478B2 (en) 2013-12-31
EP2610889A2 (en) 2013-07-03
EP2610889A3 (en) 2015-05-06
JP2013138007A (ja) 2013-07-11
US20130200270A1 (en) 2013-08-08
CN103187223B (zh) 2018-11-16
JP6262428B2 (ja) 2018-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102914554B (zh) 在etem中研究样品的方法
JP5128640B2 (ja) イオン供給源
CN103187223A (zh) 带电粒子束系统中的漂移控制
JP6043476B2 (ja) イオン源およびそれを用いたイオンビーム装置
EP1970935B1 (en) Lens coil cooling of a magnetic lens
JP4676714B2 (ja) 永久磁気レンズおよび静電レンズを備える粒子光学装置
EP2012341B1 (en) Modular gas ion source
Christ-Koch et al. Laser photodetachment on a high power, low pressure rf-driven negative hydrogen ion source
US10366858B2 (en) Ion beam device
JP4719628B2 (ja) 走査電子顕微鏡
US10269533B2 (en) Anti-contamination trap, and vacuum application device
JPH10177952A (ja) 電子線を用いた転写装置
JP6161430B2 (ja) 電子レンズ及び荷電粒子線装置
JP6370085B2 (ja) イオンビーム装置
JP2012018790A (ja) 電子銃の駆動方法、電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
US5736742A (en) Objective lens and charged particle beam system
JP2005340719A (ja) ステージ機構
JP2005333114A (ja) 電子ビーム描画装置、および電子ビーム描画方法
JP6116307B2 (ja) 集束イオンビーム装置
TWI761811B (zh) 功率單元及將功率供應至一電流源負載件之方法
WO2015136635A1 (ja) 試料観察方法及び荷電粒子線装置
Swiech et al. Real-time imaging of surface evolution driven by variable-energy ion irradiation
JP6568627B2 (ja) イオンビーム装置
WO2002061812A1 (fr) Dispositif d'exposition a des faisceaux electroniques et lentille a electrons
TW202320117A (zh) 用於電磁線圈之均勻冷卻之系統及方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant