JPH0689850A

JPH0689850A - 電子ビーム露光装置

Info

Publication number: JPH0689850A
Application number: JP4240758A
Authority: JP
Inventors: Yoshihisa Daikyo; 義久大饗; Juichi Sakamoto; 樹一坂本; Akio Yamada; 章夫山田; Hiroshi Yasuda; 洋安田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-09-09
Filing date: 1992-09-09
Publication date: 1994-03-29

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は電子ビーム露光装置に関し、微細パ
ターンの露光を実現することを目的とする。【構成】電子レンズ４５は、電磁レンズコイル４３、
電磁偏向コイル４４、及び電子レンズ４５を一定温度に
保つ補償用発熱手段４６を有する。この電子レンズ４５
に、熱吸収手段５０を設ける。熱吸収手段５０は、電磁
偏向コイル４４、補償用発熱手段４６、及び電磁レンズ
コイル４３が発生する熱を吸収して、電子レンズ４５か
ら試料４２への輻射熱を抑えるよう構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子ビーム露光装置に係
り、電子ビームを収束させ、偏向させて、試料上に微細
パターンを形成する電子ビーム露光装置に関する。

【０００２】近年、半導体集積回路装置は増々高密度化
の傾向があり、これに対応すべく、ビームを利用して高
密度露光を実現することを目的とする電子ビーム露光装
置が種々提案されている。

【０００３】こゝで、説明の便宜上、本出願人が先に提
案したブランキングアパーチャ方式の電子ビーム露光装
置１について、図７を参照して説明する。

【０００４】２は電子銃、３〜７は電子ビームを収束す
る磁界形の電子レンズ、８はブランキングアパーチャア
レイである。

【０００５】９はステージであり、最終段の電子レンズ
７の真下に位置しており、この上にウェハ１０が固定し
てある。ステージ９が配される部分は、真空である。

【０００６】電子銃２から電子ビーム１１が放射され
る。この電子ビーム１１は、ブランキングアパーチャア
レイ８を通過して、ブランキングアパーチャの電極の信
号の印加の有無によって、オン・ビーム１２とオフ・ビ
ーム１３とに分かれる。

【０００７】オフ・ビーム１３は、遮蔽板１４によって
途中で遮蔽される。

【０００８】オン・ビーム１２は、ウェハ１０まで達す
る。

【０００９】オン・ビーム１２は電子レンズ７によって
収束され、ウェハ１０上に照射される。

【００１０】１５は電磁偏向コイルであり、主偏向手段
を構成する。

【００１１】１６は静電偏向電極であり、副偏向手段を
構成する。

【００１２】オン・ビーム１２が電磁偏向コイル１５に
よって大きく偏向され、静電偏向電極１６によって小さ
く偏向されて、ウェハ１０上の一のチップに相当する領
域内を走査して、所定のパターンが露光される。

【００１３】この露光動作が、ウェハ１０の他のチップ
領域についても同様に行われる。

【００１４】一のウェハ１０の全体についての露光に
は、大体、数１０分かかる。

【００１５】露光精度は、露光の開始から終了まで高く
保たれている必要がある。

【００１６】このように、露光が数１０分かかるとする
と、高い露光精度を維持するには、電子レンズが発生す
る熱の影響も十分に考慮する必要がある。

【００１７】

【従来の技術】図８は、本出願人が先に、特願平４−４
１９５号、発明の名称「荷電粒子ビーム露光方法及び装
置」で提案した電子ビーム露光装置の要部である最終段
の電子レンズ（図７中、符号７で示す電子レンズに相当
する）７Ａの部分を示す。

【００１８】同図中、図７に示す構成部分と対応する部
分には同一符号を付す。

【００１９】２１は電磁レンズコイル、２２はヨーク、
２３はポールピースである。

【００２０】電磁偏向コイル１５は、図８に示すよう
に、セラミック製の筒状のコイル支持部２６の外面に取
り付けてある。

【００２１】電磁偏向コイル１５は電流を流されて発熱
する。静電偏向電極１６は発熱しない。

【００２２】２５は補償用発熱体であり、コイル支持部
２６の内部であって、電極偏向コイル１５に近い位置に
設けてある。

【００２３】２７は制御回路であり、電磁偏向コイル１
５から単位時間当りに発生する熱量の変化を補償するよ
うに、補償用発熱体２５を発熱させる。

【００２４】ウェハ露光時、電子ビームを偏向させるた
めに電磁偏向コイル１５に電流が流される。

【００２５】この電流によって、電磁偏向コイル１５
は、発熱する。

【００２６】電磁偏向コイル１５の単位時間当りの発熱
量Ｑ₁は、例えば図１０中、符号Ｑ ₁で示すように変化
する。

【００２７】補償用発熱体２５は、制御回路２７によっ
てこれに流れる電流を制御され、その単位時間当りの発
熱量Ｑ₂は、図１０中、符号Ｑ₂で示すように、即ち発
熱量Ｑ₁の変化を補償するように変化せしめられる。

【００２８】これにより、電磁偏向コイル１５の発熱量
Ｑ₁と、補償用発熱体２５の発熱量Ｑ₂との総和Ｑ
₀は、図１０中符号Ｑ₀で示すように、一定となる。

【００２９】このため、コイル支持部２６の温度、ポー
ルピース２３の温度は一定となり、コイル支持部３６、
ポールピース２３は露光開始後に熱膨張し、その後は熱
膨張した状態に保たれる。

【００３０】図１１は、ウェハ上の電子ビームの位置の
変動の測定結果を示す。

【００３１】オフセット位置ずれ量は、図１１（Ａ）に
線Ｉで示すように、露光開始後約６分経過するまでは、
徐々に増すけれども、その後は０．４μｍで一定とな
る。

【００３２】ローテーション方向の位置ずれ量は、図１
１（Ｂ）に線IIで示すように、露光開始後約６分経過す
るまでは徐々に増すけれども、その後は０．３μｍで一
定となる。

【００３３】ゲイン方向の位置ずれ量は、図１１（Ｃ）
に線III で示すように、露光開始後約６分経過するまで
は徐々に増すけれども、その後は０．１μｍで一定とな
る。上記より分かるように、露光を開始して約６分経過
した後は、電子ビームの位置ずれは変化しなくなり、電
子ビームによるウェハ１０の露光は精度良く行われる。

【００３４】

【発明が解決しようとする課題】上記の電子ビーム露光
装置２０においては、ずれ量は０．２〜０．４μｍとい
うサブミクロン、オーダに抑えられている。

【００３５】しかし、半導体装置の高密度化が進むと、
上記程度の僅かなずれも問題となってくる。

【００３６】本発明者は、上記のサブミクロンオーダの
ずれの原因が、以下の点にあると考えた。

【００３７】電子レンズ７Ａの内部の温度が高いこ
と。

【００３８】上記との関係で、電子レンズ７Ａか
らウェハ１０への輻射熱が多く、ウェハ１０が熱膨張す
ること。

【００３９】そこで、本発明は、電子レンズの温度を低
くすると共に、電子レンズからウェハへの熱輻射を抑え
ることにより、電子ビームとウェハとの相対的なずれ量
を実質上零として、微細パターンの露光を実現した電子
ビーム露光装置を提供することを目的とする。

【００４０】

【課題を解決するための手段】請求項１の電子ビーム露
光装置４０は、図１に示すように、電子ビーム４１を試
料４２上に縮小投影すべく該電子ビーム４１を収束させ
る電磁レンズコイル４３、及び上記電子ビーム４１を上
記試料４２上所望の位置を照射すべく偏向させる電磁偏
向コイル４４とを有する電子レンズ７Ｂの内部に、上記
電磁偏向コイル４４の発熱量の変化を補償するように発
熱する補償用発熱手段４６を有する構成の電子ビーム露
光装置であって、上記電磁偏向コイル４４、上記補償用
発熱手段４６及び上記電磁レンズコイル４３が発生する
熱４７を吸収する熱吸収手段５０を有する構成としたも
のである。

【００４１】請求項２の電子ビーム露光装置４０Ａは、
図２に示すように、電子ビーム４１を試料４２上に縮小
投影すべく該電子ビーム４１を収束させる電磁レンズコ
イル４３、及び上記電子ビーム４１を上記試料４２上所
望の位置を照射すべく偏向させる電磁偏向コイル４４と
を有する電子レンズ７Ｂの内部に、上記電磁偏向コイル
４４の発熱量の変化を補償するように発熱する補償用発
熱手段４６を有する構成の電子ビーム露光装置であっ
て、上記電子レンズ４５から上記試料４２に向う輻射熱
５１を遮蔽する輻射熱遮蔽手段５２を有する構成とした
ものである。

【００４２】請求項３記載の電子ビーム露光装置４０Ｂ
は、図３に示すように、電子ビーム４１を試料４２上に
縮小投影すべく該電子ビーム４１を収束させる電磁レン
ズコイル４３、及び上記電子ビーム４１を上記試料４２
上所望の位置を照射すべく偏向させる電磁偏向コイル４
４とを有する電子レンズ７Ｂの内部に、上記電磁偏向コ
イル４４の発熱量の変化を補償するように発熱する補償
用発熱手段４６を有する構成の電子ビーム露光装置であ
って、上記電子レンズコイル４３、上記電磁偏向コイル
４４及び上記補償用発熱手段４６が発生する熱４７，４
８，４９を吸収する熱吸収手段５０と、上記電子レンズ
４５から上記試料４２に向う輻射熱５１を遮蔽する輻射
熱遮蔽手段５２とを有する構成としたものである。

【００４３】

【作用】請求項１の熱吸収手段５０を設けた構成は、電
子レンズ７Ｂの温度を下げて、電子レンズ７Ｂからの輻
射熱の発生を抑制するように作用する。

【００４４】請求項２の輻射熱遮蔽手段５６を設けた構
成は、電子レンズ７Ｂから発生した輻射熱５１が試料４
２にまで到達することを防止するように作用する。

【００４５】請求項３の熱吸収手段５０を設けた構成
は、電子レンズ７Ｂの温度を下げて、電子レンズ４５か
らの輻射熱の発生を抑制するように作用する。輻射熱遮
蔽手段５６を設けた構成は、電子レンズ７Ｂから発生し
た輻射熱５１が試料４２にまで到達することを防止する
ように作用する。

【００４６】

【実施例】図４は、図３に示す原理構成に対応する実施
例である。同図中、図３及び図７に示す部分と実質上対
応する部分には同一符号を付す。図４は、電子ビーム露
光装置４０Ｂの要部である図７中、最下の電子レンズ７
Ｂの部分を示す。

【００４７】同図中、左側半分は主に作用を示す。

【００４８】また、符号５９で示す部分が真空空間であ
る。

【００４９】Ｉ．熱吸収手段５０の構成６０は略環状のフレームであり、非磁性で且つ良熱伝導
体である銅製であり、筒状の外周壁部６０ａと、同じく
筒状の内周壁部６０ｂと、外周壁部６０ａと内周壁部６
０ｂとの間の環状底板部６０ｃとよりなる。

【００５０】このフレーム６０は、熱の伝導路として機
能する。

【００５１】特に、環状底板部６０ｃは、後述する輻射
熱の発生を抑制するように機能する。

【００５２】また、この環状底板部６０ｃは、比較的多
くの熱が流れるため、十分な厚さｔとしてある。

【００５３】外周壁部６０ａの外周の幅広の浅い凹部６
０ａ_-1には、冷媒流路を形成する銅パイプ６１が複数タ
ーン巻き付けてあり、符号６２で示すように、フレーム
６０とろう付けしてある。

【００５４】このフレーム６０は、鉄製のヨーク２２Ａ
内に組込まれて、ねじ６３により、ヨーク２２Ａの下部
リターンヨーク部２２Ａａに固定してある。

【００５５】上部リターンヨーク部２２Ａｂは、独立し
た部材であり、ねじ６４により、フレーム６０の外周壁
部６０ａに固定してあり、フレーム６０の上側を塞いで
いる。

【００５６】ポールピース２３Ａは、下部リターンヨー
ク部２２Ａａ及び上部リターンヨーク部２２Ａｂの端に
密着していると共に、フレーム６０の内周壁部６０ｂに
密着して固定してある。

【００５７】２１Ａは電磁レンズコイルであり、フレー
ム６０内に設けてある。

【００５８】この電磁レンズコイル２１Ａは、巻枠治具
に巻き付けて固め、その後巻枠より取り外したものを、
フレーム６０内に嵌合させて組立てたものである。この
組立方法は、電線を直接フレーム６０内に巻き付ける場
合に比べて、組立てし易い。

【００５９】６５は冷媒タンクである。冷媒６６は、例
えば、純水又はヘリウムガスである。

【００６０】６７はポンプであり、冷媒６６を常に一定
量送り出す。送り出す量を変動させると、これが原因で
フレーム６０が振動し、ビームがウェハ上位置ずれを起
こしてしまう。そこで、冷媒６６の給送量は一定として
ある。

【００６１】ポンプ６７により給送された冷媒は、フレ
ーム６０に巻き付いている銅パイプ６１内を通ってフレ
ーム６０の周囲を複数回流れ、このときフレーム６０の
熱を吸収する。熱を吸収した冷媒は、タンク６５に戻さ
れる。

【００６２】６８は温度制御装置であり、冷媒６６の温
度を所定の温度に制御する。

【００６３】II. 輻射熱遮蔽手段５２の構成７０は円板状の輻射熱遮蔽板であり、外周部に環状のリ
ブ７０ａを有する。

【００６４】この輻射熱遮蔽板７０は、環状リブ７０ａ
をねじ７１により、ヨーク２２Ａの下部リターンヨーク
部２２Ａａにねじ止めしてあり、真空空間５９内に取り
付けてある。

【００６５】この輻射熱遮蔽板７０は、真空シール筒７
２の下端の鍔状の真空壁７２ａを、これに対して寸法ａ
離れて、覆っている。

【００６６】また耐真空壁２６Ａａの下面には、シート
状の反射電子検出器７３が固定してある。

【００６７】上記遮蔽板７０は、この検出器７３に対し
ても寸法ｂ離間している。

【００６８】遮蔽板７０には、オン・ビーム１２が通過
するための孔７０ｂ及びウェハ１０からの反射電子を通
すための孔７０ｂが形成してある。

【００６９】また、真空シール筒７２とポールピース２
３Ａとの間の筒状の空間内に、電磁偏向コイル４４及び
補償用発熱体２５Ａが設けてある。

【００７０】補償用発熱体２５Ａには、制御回路２７Ａ
が接続してある。

【００７１】制御回路２７Ａは、パターン発生部９０、
ＤＡＣ９１，９２、アナログ演算回路９３、補償用発熱
体駆動回路９６により構成される。

【００７２】次に、動作について説明する。

【００７３】パターン発生部９０は、パターンデータを
発生し、そのＸ方向成分をデジタル・アナログ変換器９
１、そのＹ方向成分をデジタル・アナログ変換器９２に
供給すると共に、偏向データをアナログ演算回路９３に
も供給する。

【００７４】デジタル・アナログ変換器９１，９２は、
アナログ量に変換した偏向データを電磁偏向コイル駆動
回路９４，９５に供給し、電磁偏向コイル４４を駆動す
る駆動電流回路を発生させる。

【００７５】デジタル・アナログ変換器９１，９２の出
力信号は、アナログ演算回路９３にも供給され、アナロ
グ演算回路９３はａ（１−ｂＸ²−ｃＹ²）^1/2に相当
する制御信号を補償用ヒータ駆動回路９６に供給する。
補償用発熱体駆動回路９６は一定値から電磁偏向コイル
４４で発生する熱量を差し引いた熱量に相当する電流を
発生し、補償用発熱体２５Ａに供給する。

【００７６】ポールピース２３Ａには、電磁偏向コイル
４４の発熱量Ｑ₁と補償用発熱体２５Ａの発熱量Ｑ₂と
の飽和の熱量、即ち図５中、符号Ｑ₀で示すように、一
定とはなるものの高い熱量が作用して、ポールピース２
３Ａは高い温度Ｔ₁となってしまう。

【００７７】しかし、熱吸収手段５０が設けてあること
により、熱が冷媒６６に吸収され、ポールピース２３Ａ
の温度は低く抑えられる。

【００７８】即ち、電磁偏向コイル４４からの輻射熱８
０及び発熱補償体２５Ａからの輻射熱８１は、ポールピ
ース２３Ａによってとらえられ、最初に、符号８２で示
すようにポールピース２３Ａ内を伝導し、次いで符号８
３で示すように、フレーム６０内を伝導して、銅パイプ
６１に到り、循環している冷媒６６に吸収される。

【００７９】また、レンズコイル２１Ａが発生する熱８
４も、符号８３で示すように、フレーム６０内を伝導し
て、冷媒６６に吸収される。

【００８０】これにより、電子レンズ７Ｂ自体の温度
が、Ｔ₁より低い温度Ｔ₂となる。

【００８１】この結果、電子レンズ７Ｂの下面からウェ
ハ１０に向かって放射される輻射熱８５の量が少なくな
る。

【００８２】また、この輻射熱８５についてみると、こ
の輻射熱８５は輻射熱遮蔽板７０によって捕捉され、ウ
ェハ１０には到らない。

【００８３】輻射熱８５を捕捉した遮蔽板７０の熱は、
熱伝導によって、遮蔽板７０自体を符号８６で示すよう
に伝わり、次いで、ヨーク２２Ａの下部リターンヨーク
２２Ａａ内を符号８７で示すように伝わってフレーム６
０に到り、符号８３で示すようにフレーム６０内を伝わ
って冷媒６６により吸収される。

【００８４】このように、遮蔽板７０の熱はすみやかに
吸収されるため、遮蔽板７０の温度は低く保たれ、遮蔽
板７０からウェハ１０に向って発せられる輻射熱は問題
とはならない。

【００８５】以上により、電子レンズ７Ｂはウェハ１０
へ輻射熱を殆ど及ぼさない状態となる。

【００８６】これにより、ウェハ１０は、露光中、電子
レンズ７Ｂから輻射熱を殆ど受けず、熱変形を起こさな
い。

【００８７】露光開始時から、ウェハ上の電子ビームの
位置変動を測定したところ、図６（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）に示す結果を得た。

【００８８】オフセット位置ずれ量は、同図（Ａ）に線
Ｉａで示すように、露光開始時から略零であり、一定で
あった。

【００８９】ローテーション方向の位置ずれ量は、同図
（Ｂ）に線IIａで示すように、露光開始時から略零であ
り、一定であった。

【００９０】ゲイン方向の位置ずれを量も、同図（Ｃ）
に線IIIa で示すように、露光開始時から略であり、一
定であった。

【００９１】上記の測定結果から、ウェハ１０の全部の
チップ領域に対する電子ビーム露光が、精度良く行われ
ることが分かる。

【００９２】

【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、電子レンズが従来に比べて低い温度とされるた
め、電子レンズからウェハへの輻射熱の量を小さく抑え
ることが出来、これによって、ウェハが熱変形すること
を効果的に抑えることが出来、従って、電子ビームとウ
ェハとの相対的な位置ずれを実質上無くすることが出
来、微細パターンを高精度に露光することが出来る。

【００９３】請求項２の発明によれば、電子レンズから
発生した輻射熱がウェハにまで到しないようにすること
が出来、従って、電子ビームとウェハとの相対的な位置
ずれを実質上無くすることが出来、微細パターンを高精
度に露光することが出来る。請求項３の発明によれば、
電子レンズが従来に比べて低い温度とされ、電子レンズ
からウェハに向う輻射熱の量を小さく抑えることが出来
ると共に、この輻射熱がウェハにまで到しないようにす
ることが出来る。これによって、請求項１又は２の発明
に比べて、ウェハが熱変形をより生じないようにするこ
とが出来、従って、電子ビームとウェハとの相対的な位
置ずれを無くすることが出来、微細パターンをより高精
度に露光することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の電子ビーム露光装置の原理図で
ある。

【図２】本発明の第２の電子露光装置の原理図である。

【図３】本発明の第３の電子露光装置の原理図である。

【図４】本発明の一実施例の電子ビーム露光装置の要部
を示す図である。

【図５】電磁偏向コイルの部分の発熱量の変化及び電子
レンズの温度を示す図である。

【図６】ウェハ露光時のビーム位置変動の測定結果示す
図である。

【図７】本出願人が先に提案したブランキングアパーチ
ャ方式の電子ビーム露光装置の全体構成図である。

【図８】本出願人が先に提案した電子ビーム露光装置の
要部を示す図である。

【図９】図８中、電磁偏向コイル及び補償用発熱体の部
分を示す図である。

【図１０】電子偏向コイルの部分の発熱量の変化を示す
図である。

【図１１】ウェハ露光時のビーム位置変動の測定結果を
示す図である。

【符号の説明】

２電子銃７Ｂ電子レンズ２１Ａ電磁レンズコイル２２Ａヨーク２２Ａａ下部リターンヨーク２２Ａｂ上部リターンヨーク２３Ａポールピース２５Ａ補償用発熱体２７Ａ制御回路４０，４０Ａ，４０Ｂ電子ビーム露光装置４１電子ビーム４２試料４３電磁レンズコイル４４電磁偏向コイル４６補償用発熱手段４７，４８，４９熱５０熱吸収手段５１輻射熱５６輻射熱遮蔽手段５９真空空間６０ａ外周壁部６０ａ_-1 凹部６０ｂ内周壁部６０ｃ環状底板部６１銅パイプ６２ろう付け部６３，６４ねじ６５冷媒タンク６６冷媒６７ポンプ６８温度制御装置７０輻射熱遮蔽板７０ａ環状リブ７１ねじ７２真空シール筒７２ａ耐真空壁７３反射電子検出器８０電磁偏向コイルからの輻射熱８１発熱補償体からの輻射熱８２，８３フレーム内を伝導する熱８５電子レンズ下面からの輻射熱８６遮蔽板内を伝導する熱８７下部リターンヨーク内を伝導する熱。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｊ 37/141 Ｂ 37/305 9172−5Ｅ (72)発明者安田洋神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子ビーム（４１）を試料（４２）上に
縮小投影すべく該電子ビーム（４１）を収束させる電磁
レンズコイル（４３）、及び上記電子ビーム（４１）を
上記試料（４２）上所望の位置を照射すべく偏向させる
電磁偏向コイル（４４）とを有する電子レンズ（７Ｂ）
の内部に、上記電磁偏向コイル（４４）の発熱量の変化
を補償するように発熱する補償用発熱手段（４６）を有
する構成の電子ビーム露光装置であって、上記電磁偏向コイル（４４）、上記補償用発熱手段（４
６）及び上記電磁レンズコイル（４３）が発生する熱を
吸収する熱吸収手段（５０）を有する構成としたことを
特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項２】電子ビーム（４１）を試料（４２）上に
縮小投影すべく該電子ビーム（４１）を収束させる電磁
レンズコイル（４３）、及び上記電子ビーム（４１）を
上記試料（４２）上所望の位置を照射すべく偏向させる
電磁偏向コイル（４４）とを有する電子レンズ（７Ｂ）
の内部に、上記電磁偏向コイル（４４）の発熱量の変化
を補償するように発熱する補償用発熱手段（４６）を有
する構成の電子ビーム露光装置であって、上記電子レンズ（７Ｂ）から上記試料に向う輻射熱（５
１）を遮蔽する輻射熱遮蔽手段（５２）を有する構成と
したことを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項３】電子ビーム（４１）を試料（４２）上に
縮小投影すべく該電子ビームを収束させる電磁レンズコ
イル（４３）、及び上記電子ビーム（４１）を上記試料
（４２）上所望の位置を照射すべく偏向させる電磁偏向
コイル（４４）とを有する電子レンズ（７Ｂ）の内部
に、上記電磁偏向コイル（４４）の発熱量の変化を補償
するように発熱する補償用発熱手段（４６）を有する構
成の電子ビーム露光装置であって、上記電子偏向コイル（４４）、上記補償用発熱手段（４
６）及び上記電子レンズコイル（４３）が発生する熱を
吸収する熱吸収手段（５０）と、上記電子レンズ（７Ｂ）から上記試料に向う輻射熱（５
１）を遮蔽する輻射熱遮蔽手段（５２）とを有する構成
としたことを特徴とする電子ビーム露光装置。