JP4223699B2

JP4223699B2 - パターニングされたエミッタを用いた露光装置及びその露光方法

Info

Publication number: JP4223699B2
Application number: JP2001189758A
Authority: JP
Inventors: 仁 ▲景▼ 柳
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd; Virginia Tech Intellectual Properties Inc
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd; Virginia Tech Intellectual Properties Inc
Priority date: 2000-07-19
Filing date: 2001-06-22
Publication date: 2009-02-12
Anticipated expiration: 2021-06-22
Also published as: US6476402B1; US6566666B2; CN1591190A; US20020012860A1; JP2002075858A; CN1176405C; CN100339768C; US20030006381A1; CN1333482A; US6740895B2

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターニングされたエミッタを用いた露光装置及びその露光方法に係り、特に所望のパターンが形成されたエミッタから基板に電子を放出させてこのパターン像を所定の投影倍率で基板に投影し露光を行なうものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、パターニングされたエミッタを用い、その強誘電性スイッチングによって基板上にリソグラフィを施す装置は、パターニングされた強誘電体からなるエミッタをスイッチングして電子を放出させ、この放出された電子で基板上に設けられた電子線感光レジストを露光することにより、前記エミッタが有する所望のパターンの像を前記基板上に露光するものであった。
【０００３】
しかしながら、このような強誘電性スイッチングによってエミッタから電子が放出される際、マスクによりパターニングされてエミッタ上に形成された電極が、このエミッタから放出された電子の一部を吸収するという問題があった。さらに、エミッタが電極に接続されていない場合には、電子放出の信頼性が損なわれるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記問題点を解決するために、本発明は、真空中で、赤外線、レーザ、またはヒータによって加熱されて電子を放出し、かつマスクにより所望のパターンが形成されてなる焦電性または強誘電性のエミッタを用いた、露光装置及びその露光方法を提供する。
すなわち、本発明の課題は、露光装置のエミッタがマスクによってパターニングされ、このようなエミッタから放出された電子が基板上の電子線感光レジストを露光して、このエミッタに形成されたパターンと同一のパターンを基板上に露光することが可能なパターニングされたエミッタを用いた露光装置及びその露光方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は、マスクにより所望のパターンが形成されたエミッタから基板に向けて電子を放出させ、前記パターンの像を投影倍率を１：１として基板に投影して露光を行なう、パターニングされたエミッタを用いた露光装置であって、基板を保持する基板ホルダに対して所定距離で離されて配置され、かつ前記基板ホルダと対向する面にマスクにより所望のパターンが形成され、なおかつ焦電性または強誘電性の材料からなる平板型エミッタと、前記平板型エミッタを加熱するための加熱源と、前記平板型エミッタから放出された電子の経路を制御するために、前記エミッタ及び基板ホルダの外部に配置された磁石または直流磁場発生装置とを備えることを特徴とするパターニングされたエミッタを用いた露光装置を提供する。
【０００６】
前記本発明に係るパターニングされたエミッタを用いた露光装置において、前記加熱源は、赤外線またはレーザ光を遠隔操作により発生させて加熱を行なう遠隔加熱装置、あるいは電気抵抗加熱を用いた接触式加熱板である。また、前記加熱源は、望ましくは、相転移温度またはそれ以上の温度に加熱可能に形成される。なお、本発明にあっては、相転移温度またはそれ以上の温度とは、相転移温度（Ｔｐ）近傍またはそれ以上の温度を意味する。
【０００７】
また、前記課題を解決するために、本発明は、マスクにより所望のパターンが形成されたエミッタから基板に向けて電子を放出させ、前記パターンの像を投影倍率をｘ：１として基板に投影して露光を行なう、パターニングされたエミッタを用いた露光装置であって、基板を保持する基板ホルダに対し所定距離で離されて配置され、かつマスクにより所望のパターンが前記基板ホルダと対向する面に形成され、なおかつ焦電性または強誘電性の材料からなる平板型エミッタと、前記平板型エミッタを加熱するための加熱源と、前記平板型エミッタから放出された電子の経路を制御するために、前記エミッタ及び基板ホルダとの間に配置された偏向装置とを備えることを特徴とするパターニングされたエミッタを用いた露光装置を提供する。
【０００８】
前記本発明に係るエミッタを用いた露光装置において、前記加熱源は、赤外線またはレーザ光を遠隔操作により発生させて加熱を行なう遠隔加熱装置、または電気抵抗加熱を用いた接触式加熱板である。また、前記加熱源は、望ましくは、前記エミッタを相転移温度またはそれ以上の温度まで加熱可能に形成される。そして、前記偏向装置は、前記エミッタから放出された電子を偏向させる偏向板と、前記偏向板の間に配置されて前記放出された電子を集束させる磁気レンズと、前記磁気レンズにより集束された電子を通過させ、前記集束された電子から離脱した電子をフィルタリングするためのダイアフラムとを備える。
【０００９】
さらに、前記課題を解決するために、本発明は、マスクにより所望のパターンが形成されたエミッタから基板に向けて電子を放出させ、前記パターンの像を投影倍率を１：１として基板に投影して露光を行なう、パターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法であって、基板を保持する基板ホルダと対向する面に所望のパターンがマスクにより形成されたエミッタに基板を露出させる段階と、前記エミッタから所定の電子の経路に沿って放出された電子を前記基板に照射可能にするように、エミッタと基板との間に電圧を印加する段階と、前記エミッタ及びホルダの外部に配置された磁石または直流磁場発生装置を用いて前記電子の経路を制御する段階と、前記エミッタを加熱する段階とを備えることを特徴とするパターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法を提供する。
【００１０】
前記本発明に係る露光方法において、エミッタを加熱する段階は、赤外線、レーザ及び電気抵抗ヒータの中から選択された少なくとも一つによって前記エミッタを加熱する段階を含む。また、前記エミッタを加熱する段階は、望ましくは、前記エミッタを相転移温度またはそれ以上の温度まで加熱する段階を含む。
【００１１】
そして、前記課題を解決するために、本発明は、マスクにより所望のパターンが形成されたエミッタから基板に向けて電子を放出させ、前記パターンの像を投影倍率をｘ：１として基板に投影して露光を行なう、パターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法であって、基板を保持する基板ホルダに対向する面に所望のパターンがマスクにより形成されたエミッタに基板を露出させる段階と、前記エミッタから所定の電子の経路に沿って放出された電子を前記基板に照射可能にするように、エミッタと基板との間に電圧を印加する段階と、偏向装置を用いて、前記エミッタから基板に向けて放出された電子の経路を制御する段階と、前記エミッタを加熱する段階とを含むことを特徴とするパターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法を提供する。
【００１２】
前記本発明に係る露光方法において、前記エミッタを加熱する段階は、赤外線、レーザ及び電気抵抗ヒータの中から選択された少なくとも一つによって前記エミッタを加熱する段階を含む。また、前記エミッタを加熱する段階は、望ましくは、前記エミッタを相転移温度またはそれ以上の温度に加熱する段階を含む。そして、前記電子の経路を制御する段階は、前記エミッタから放出された電子を偏向させる段階と、磁気レンズを用いて前記放出された電子を集束する段階と、前記集束段階の後に電子の焦点経路から外れた電子をフィルタリングするために、前記放出された電子を、ダイアフラムを通過させる段階とを含む。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき、本発明に係るパターニングされたエミッタを用いた露光装置及びその露光方法について詳細に説明する。
本発明に係るパターニングされたエミッタを用いた露光装置にあっては、焦電性または強誘電性の材料からなるエミッタをマスクによりパターニングし、続いて加熱することにより、このマスクでコーティングされた部分からは電子が放出されず、マスクでコーティングされずにエミッタの表面が露出した部分のみから電子が放出されるため、エミッタに予めマスクによりパターニングされた所望のパターンの像を基板に投影して露光することが可能となる。
【００１４】
その際、前記エミッタから放出された電子は、エミッタと基板との間の経路に沿って平行に直進せずにある一定の広がりを有して進行する電子ビームの形態を呈する場合があるため、この電子ビームの直進性が低下することがある。その結果、エミッタにマスクにより形成された所望のパターンを、基板上に高い解像度で結像して露光することが困難となる。かかるパターンの露光の解像度の低下を防止するために、本発明にあっては、磁石または直流磁場発生装置を用いて前記電子ビームの直進性を適宜に調節することができる。このとき、望ましくは、前記エミッタから放出される電子の量を充分に確保するために、このエミッタをその相転移温度またはそれ以上の温度まで加熱する。
【００１５】
このように、本発明に係る露光装置にあっては、従来の強誘電性エミッタをスイッチングすることによって電子を放出する代わりに、焦電性エミッタまたは強誘電性エミッタを加熱することによって電子を放出するように構成されている。図１に示されるように、焦電性または強誘電性の材料から形成されたエミッタ３は、真空中において、赤外線、レーザ光、または電気抵抗ヒータの加熱器からなる加熱源（図示省略）から放射された熱１を受けると電子を放出する。
【００１６】
また、エミッタ３の表面には、予め所望のパターンがマスクによりパターニングされており、前記加熱源（図示省略）から放射された熱１を受けた際に、マスク４でコーティングされた部分からは電子が放出されず、マスク４でコーティングされずにエミッタ３の表面が露出した部分からのみ電子が放出される。したがって、エミッタ３の表面にマスクによりパターニングされたパターンの像がそのまま基板６に投影される。
【００１７】
このとき、エミッタ３から放出された電子ビーム７は平行に直進するビームとはならず、ある一定の広がりを有して直進する場合があり、その結果、エミッタ３の表面にマスク４によりパターニングされたパターンの結像が悪化してしまう。かかるパターンの結像の悪化を防止するべく、磁石または直流磁場発生装置（電磁石またはコイルなどの直流磁場を発生させる装置）８を用いて電子ビーム７の直進性を適切に調節する。また、望ましくは、エミッタ３から放出される電子の量を充分に確保するために、エミッタ３の相転移温度ＴｐまたはＴｐ以上の温度まで加熱する。
【００１８】
そして、図１に示すように、エミッタ３の表面にマスク４によりパターニングされたパターンを、投影倍率を１：１として基板６の表面に投影させる、本発明に係る露光装置にあっては、エミッタマウント２に搭載されたエミッタ３及びマスク４よりなるエミッタ構造体と、基板ホルダ６１の上に載置された基板６とに電子線感光レジスト５が塗布されてなる基板が、永久磁石または直流磁場発生装置８、８'の間に配置される。
【００１９】
また、基板６とエミッタ３との間に電源９から所定の電圧が印加される。なお、このとき、基板６及びエミッタ３に対して電源９から印加される電圧は、前記基板ホルダ６１及びエミッタマウント２を通じて印加される。そして、エミッタ３から放出された電子ビーム７を基板６に投影するべく、基板６が陽極として作用するように構成されている。エミッタ３は、加熱源（図示省略）から放射された赤外線またはレーザ光からなる熱１により遠隔操作での輻射によって加熱を行なうか、あるいはエミッタ３と電気抵抗ヒータを用いた加熱板（図示省略）との物理的接触によって加熱を行なう手段を採用することができる。なお、この電気抵抗ヒータは、エミッタマウント２に備えることが可能である。また、前記加熱板の表面に、たとえば、タンタル（Ｔａ）からなる薄膜、または金属酸化物からなる薄膜をコーティングすれば、化学的、物理的に安定で、かつ熱伝導性に優れる保護膜を備えた前記加熱板を具現化することができる。
【００２０】
また、図２に示されるように、エミッタ３の表面にマスク４によりパターニングされたパターンを投影倍率をｘ：１として基板６の表面に投影させる、本発明に係る露光装置に含まれる偏向装置にあっては、エミッタマウント２に搭載されたエミッタ３及びマスク４よりなるエミッタ構造体の前方に偏向板１１、磁気レンズ１２及びダイアフラム１３を設けることにより、エミッタ３から放出された電子ビーム７が、基板６に向かって進行する過程で適切に屈折しながら、基板６の表面に前記パターンが縮小されたパターンを露光することができる。このとき、基板ホルダ６１とエミッタマウント２との間に、所定の電圧が印加される。
【００２１】
このような構成を有する、本発明に係るエミッタを用いた露光装置の動作原理は、以下の通りである。
すなわち、図１に示すように、まず、予め所望のパターンにコーティングされたマスク４が設けられたエミッタ構造体を真空中で加熱すると、マスク４がコーティングされていない部位から電子ビーム７が放出される。このとき、エミッタ３と基板６との間に電源９により所定の電圧を印加して電場を形成すれば、電子ビーム７は基板６に向かって進行する。
【００２２】
このようにしてエミッタ３から放出された電子の運動を、電場の向きに平行なベクトル成分と、電場の向きに垂直であるベクトル成分とで表示することができる。図１に示されるように、この電場の向きと平行な磁場の向きを有する磁界を外部に形成すると、前記電場及び磁場の内側にある電子は螺旋運動をする。すなわち、磁場の向きと平行な電子運動のベクトル成分は、そのまま磁場と平行に運動し、電場の向きと垂直な電子運動のベクトル成分は回転運動をする。このような電子の平行運動成分及び回転運動成分が合成されて、エミッタ３から放出された電子は螺旋運動をするようになる。
【００２３】
したがって、このような螺旋運動はある一定の周期を有する。そして、前記螺旋運動の周期の整数倍となる距離に基板６をおけば、エミッタ３のパターンが正確に投影倍率が１：１で基板６に投影されるようになる。これが、本発明に含まれるマスクによりパターニングされたエミッタのパターンを、基板の表面に投影倍率を１：１として投影させる原理であり、本発明に係るパターニングされたエミッタを用いた露光装置及びその露光方法は、この原理に基づくものである。通常、前記磁場と、エミッタ３及び基板６の間の距離とを固定した状態で、電圧（電場）を適宜に調節することによって、正確な前記パターンの像が得られる。
【００２４】
また、本発明に係るエミッタを用いた露光装置によって、本発明に含まれるエミッタにマスクによりパターニングされた所望のパターンを、投影倍率を１：１として基板の表面に投影し、露光する露光方法は、図１に示されるように、前記所望のパターンが基板ホルダ６１に対向する面に形成されたエミッタ３に基板６を露出させる段階と、エミッタ３から所定の電子の経路に沿って放出された電子を基板６に向けて照射可能とするべく、エミッタ３と基板６との間に電源９により所定の電圧を印加する段階と、エミッタ３及び基板ホルダ６１の外部に配置された磁石または直流磁場発生装置８、８'を用いて前記電子の経路を制御する段階と、エミッタ３を加熱する段階とを備えて構成される。また、前記エミッタを加熱する段階は、赤外線、レーザと電気抵抗ヒータの中から選択された少なくとも一つによってエミッタ３を加熱する段階を含む。さらに、前記エミッタを加熱する段階は、エミッタ３をその相転移温度またはそれ以上の温度まで加熱する段階を含むことが望ましく、このように構成すれば、エミッタ３から放出される電子の量が充分に得られるようになる。
【００２５】
また、図２に示されるように、本発明に含まれるエミッタ３にパターニングされた所望のパターン４を基板６の表面に投影倍率をｘ：１として投影する場合には、エミッタ構造体の前方に偏向板１１と、磁気レンズ１２とを設けることによって、ある一定の広がりを有して進行する電子ビーム７を集束しながら、エミッタ３に設けられた所望のパターンを基板６に縮小させて投影することが可能となる。
【００２６】
このとき、基板６にエミッタに設けられた所望のパターンを明確に投影するために、穴部が形成されたダイアフラム１３を使用することができる。すなわち、通常、基板６の上にエミッタ３のパターンを縮小して形成するようにするには、比較的大きな面積よりも比較的小さな面積のエミッタ３が必要とされ、エミッタマウント２に搭載されたエミッタ３及びマスク４よりなるエミッタ構造体を局部的に加熱して露光を行なう必要があるのに対し、ダイアフラム１３を使用すれば、エミッタ３のパターンの面積によらず、エミッタ構造体の全面を加熱しても、エミッタ３のパターンの全体が基板６の上に縮小されて投影されるようになる。
【００２７】
さらに、望ましくは、加熱する温度は、エミッタ３から放出される電子の量を充分に得るようにするために、エミッタ３の相転移温度Ｔｐあるいはそれ以上の温度まで加熱するようにすると都合がよい。基板６へのエミッタ３のパターンの投影が繰り返し行なわれる場合、エミッタ３の加熱過程及び冷却過程が繰り返されることとなる。この場合、量産工程のために、望ましくは、図３に示されるように、エミッタ３の相転移温度Ｔｐ未満で近傍の温度まで冷却し、かつその相転移温度Ｔｐを越えた近傍の温度まで加熱する方式が採用される。これは、エミッタ３から放出される電子の量は、エミッタ３が動作を開始する最低温度からエミッタ３の相転移温度までの範囲で変化するエミッタ３の自発分極の割合に比例するためである。なお、エミッタ３が動作を開始する最低温度は、常温まで考慮することができるが、常温よりも相当高い温度で相転移が終了する場合もあるため、通常は常温まで考慮する必要がない。
【００２８】
本発明に係るエミッタを用いた露光装置で、エミッタ３に形成された所望のパターンを基板の表面に投影倍率をｘ：１として露光する方法は、図２に示されるように、前記所望のパターンが基板ホルダ６１に対向する面に形成されたエミッタ３に対して基板６を露出させる段階と、エミッタ３から経路に沿って放出された電子７を前記基板６に照射可能に、エミッタ３と基板６との間に電源９により所定の電圧を印加する段階と、偏向装置１１を用いて、エミッタ構造体から基板６に向かって放出された電子７の経路を制御する段階と、エミッタ３を加熱する段階とを備える。
【００２９】
前記加熱は、赤外線、レーザ光及び電気抵抗ヒータの中から選択された少なくとも一つで加熱することができる。また、前記エミッタを加熱する段階は、エミッタ３をその相転移温度近傍またはそれ以上の温度まで加熱する。前記電子７の経路を制御する段階はエミッタ３から放出された電子７を偏向させる段階と、磁気レンズ１２を用いてエミッタ３から放出された電子を集束する段階と、この集束段階の後に電子の焦点経路から離脱した電子７をフィルタリングするべく、この放出された電子７をダイアフラム１３を通過させる段階とを含んでもよい。
【００３０】
【実施例】
つぎに、本発明に係るパターニングされたエミッタを用いた露光装置及びその露光方法の実施例について説明する。
所定の真空度に保持することが可能な真空装置の内部に、予め電子線感光レジストを塗布した基板とＢａＴｉＯ₃からなるエミッタとを所定の距離で離れた位置に配置し、前記エミッタを電気抵抗ヒータであるｎ＋タイプのＳｉ加熱パッドと物理的に接触させ、前記基板とエミッタとの間に、所定の直流磁場を形成するための電磁石を前記真空装置の外部に配置すると共に、所定の直流電圧を印加することが可能なように構成された露光装置を用いて、前記エミッタの上にマスクによって３０μｍの幅で画かれた所望のパターンを所定の基板の上に露光した。
【００３１】
この露光は以下のようにして行なった。すなわち、前記基板とエミッタとの距離を２．５ｍｍとし、前記加熱パッドに直流電流を印加して加熱パッドを加熱することにより前記エミッタの加熱を行なった。そして、４ｋＶの直流電圧を、前記基板と前記加熱パッドとの間に印加した。なお、前記真空装置の内部の真空度を２．６６×１０^-3Ｐａ（２×１０^-5Ｔｏｒｒ）以下に保持した。そして、前記基板とエミッタとに０．２７テスラの直流磁場を作用させた。このようにして前記エミッタの上に３０μｍの幅で画かれた所望のパターンを、基板の上に極めて鮮明に露光することができた。
【００３２】
なお、前記実施例は単に例示的なものに過ぎず、前記実施例の他にも、択一的な実施例が本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で実現することが可能であることは言うまでもない。よって、本発明の属する技術分野の当業者によって選択され得る、あらゆる実施の形態が可能である。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明した通りに構成される、本発明に係るパターニングされたエミッタを用いた露光装置及びその露光方法によれば、焦電性または強誘電性の材料からなるエミッタにマスクをコーティングすることによって所望のパターンを形成し、このエミッタを加熱するとマスクでコーティングされた部分からは電子が放出されず、マスクでコーティングされずにエミッタの表面が露出した部分のみから電子が放出される。このため、エミッタの上にマスクにより形成された所望のパターンの像を、そのまま基板に投影して露光することが可能となる。
【００３４】
そして、前記エミッタから放出される電子ビームを、ある一定の広がりを有して進行させずに、前記エミッタと基板との間の経路に平行して進行させるために、磁石または直流磁場を発生させる装置や、偏向装置を用いることができる。その結果として、前記エミッタにマスクによって形成された所望のパターンを投影倍率を１：１として基板の上に投影して露光するか、あるいは前記パターンを投影倍率をｘ：１として基板の上に投影し露光することが可能なエミッタを用いた露光装置及びその露光方法が提供される。また、本発明は、所望のパターンにエッチングが施されるエッチング対象基板に好適なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るパターニングされたエミッタを用いた露光装置の構成を模式的に示した断面図であって、投影倍率を１：１としてエミッタのパターンを基板に投影して行なわれる露光に用いられるものである。
【図２】本発明に係るパターニングされたエミッタを用いた露光装置の構成を模式的に示した断面図であって、投影倍率をｘ：１としてエミッタのパターンを基板に投影して行なわれる露光に用いられるものである。
【図３】焦電性材料または強誘電性材料からなるエミッタの相転移温度近傍において、これらの材料の典型的な相転移温度と、誘電定数、自発分極との関係をそれぞれ示したグラフである。
【符号の説明】
１加熱源
２エミッタマウント
３エミッタ
４マスク
５電子線感光レジスト
６基板
７電子ビーム
８、８’ 磁石または直流磁場発生装置
９電圧源
１１偏向板
１２磁気レンズ
１３ダイアフラム
６１基板ホルダ

Claims

マスクにより所望のパターンが形成されたエミッタから基板に向けて電子を放出させ、前記パターンの像を投影倍率を１：１として基板に投影して露光を行なう、パターニングされたエミッタを用いた露光装置であって、
基板を保持する基板ホルダに対して所定距離で離されて配置され、かつ前記基板ホルダと対向する面にマスクにより所望のパターンが形成され、なおかつ焦電性または強誘電性の材料からなる平板型エミッタと、
前記平板型エミッタを加熱するための加熱源であって、前記平板型エミッタに接触され、タンタルまたは金属酸化膜からなる薄膜でコーティングされた、電気抵抗ヒータを有する加熱源と、
前記平板型エミッタから放出された電子の経路を制御するために、前記エミッタ及び基板ホルダの外部に配置された磁石または直流磁場発生装置とを備えることを特徴とするパターニングされたエミッタを用いた露光装置。
前記加熱源は、前記エミッタをその相転移温度またはそれ以上の温度まで加熱可能に形成されたことを特徴とする請求項１に記載のパターニングされたエミッタを用いた露光装置。
マスクにより所望のパターンが形成されたエミッタから基板に向けて電子を放出させ、前記パターンの像を投影倍率をｘ：１として基板に投影して露光を行なう、パターニングされたエミッタを用いた露光装置であって、
基板を保持する基板ホルダに対し所定距離で離されて配置され、かつマスクにより所望のパターンが前記基板ホルダと対向する面に形成され、なおかつ焦電性または強誘電性の材料からなる平板型エミッタと、
前記平板型エミッタを加熱するための加熱源であって、前記平板型エミッタに接触され、タンタルまたは金属酸化膜からなる薄膜でコーティングされた、電気抵抗ヒータを有する加熱源と、
前記平板型エミッタから放出された電子の経路を制御するために、前記エミッタ及び基板ホルダとの間に配置された偏向装置とを備えることを特徴とするパターニングされたエミッタを用いた露光装置。
前記加熱源は、前記エミッタをその相転移温度またはそれ以上の温度まで加熱可能に形成されたことを特徴とする請求項３に記載のパターニングされたエミッタを用いた露光装置。
前記偏向装置は、前記エミッタから放出された電子を偏向させる偏向板と、
前記偏向板の間に配置されて前記放出された電子を集束させる磁気レンズと、
前記磁気レンズによって集束された電子を通過させ、前記集束された電子から離脱した電子をフィルタリングするためのダイアフラムとを備えることを特徴とする請求項３に記載のパターニングされたエミッタを用いた露光装置。
マスクにより所望のパターンが形成されたエミッタから基板に向けて電子を放出させ、前記パターンの像を投影倍率を１：１として基板に投影して露光を行なう、パターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法であって、
基板を保持する基板ホルダと対向する面に所望のパターンがマスクにより形成されたエミッタに基板を露出させる段階と、
前記エミッタから所定の電子の経路に沿って放出された電子を前記基板に照射可能にするように、エミッタと基板との間に電圧を印加する段階と、
前記エミッタ及びホルダの外部に配置された磁石または直流磁場発生装置を用いて前記電子の経路を制御する段階と、
前記エミッタに接触され、タンタルまたは金属酸化膜からなる薄膜でコーティングされた、電気抵抗ヒータを有する加熱源を用いて前記エミッタを加熱する段階とを備えることを特徴とするパターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法。
前記エミッタを加熱する段階は、前記エミッタをその相転移温度またはそれ以上の温度まで加熱する段階を含むことを特徴とする請求項６に記載のパターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法。
マスクにより所望のパターンが形成されたエミッタから基板に向けて電子を放出させ、前記パターンの像を投影倍率をｘ：１として基板に投影して露光を行なう、パターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法であって、
基板を保持する基板ホルダに対向する面に所望のパターンがマスクにより形成されたエミッタに基板を露出させる段階と、
前記エミッタから所定の電子の経路に沿って放出された電子を前記基板に照射可能にするように、エミッタと基板との間に電圧を印加する段階と、
偏向装置を用いて、前記エミッタから基板に向けて放出された電子の経路を制御する段階と、
前記エミッタに接触され、タンタルまたは金属酸化膜からなる薄膜でコーティングされた、電気抵抗ヒータを有する加熱源を用いて前記エミッタを加熱する段階とを含むことを特徴とするパターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法。
前記エミッタを加熱する段階は、前記エミッタをその相転移温度またはそれ以上の温度に加熱する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載のパターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法。
前記電子の経路を制御する段階は、
前記エミッタから放出された電子を偏向させる段階と、
磁気レンズを用いて前記放出された電子を集束する段階と、
前記集束段階の後に電子の焦点経路から外れた電子をフィルタリングするために、前記電子を、ダイアフラムを通過させる段階とを含むことを特徴とする請求項８に記載のパターニングされたエミッタを用いた露光装置の露光方法。