CN103178206A - 用于三轴磁传感器的刻蚀方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于三轴磁传感器的刻蚀方法，包括：在衬底上形成氧化物层，在氧化物层中形成沟槽，在氧化物层上依次形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层，以在沟槽中也形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层的叠层；在氮化钽层上形成沟槽填充材料层，使得沟槽中完全填充有沟槽填充材料；在沟槽填充材料层上形成深紫外光刻胶，并且形成深紫外光刻胶的图案，从而留下与沟槽一侧的侧壁位置相对应的深紫外光刻胶部分；利用深紫外光刻胶部分作为掩膜对沟槽填充材料层进行刻蚀，从而留下与深紫外光刻胶部分相对应的沟槽填充材料部分；利用深紫外光刻胶部分和沟槽填充材料部分作为掩膜对氮化钽层进行刻蚀，从而留下覆盖有深紫外光刻胶部分的沟槽侧壁上的氮化钽部分。

Description

用于三轴磁传感器的刻蚀方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种用于三轴磁传感器的刻蚀方法。
背景技术
在三轴磁传感器的制造过程中，需要执行一种刻蚀工艺，其中将沟槽侧壁上的磁性材料保留下来而去除其它部分上的磁性材料。
图1至图3示出了根据现有技术的用于三轴磁传感器的刻蚀方法的示意图。
如图1至图3所示，在根据现有技术的用于三轴磁传感器的刻蚀方法中，首先在衬底1上形成氧化物层2，随后在氧化物层2中形成沟槽；此后在形成沟槽的氧化物层2上依次形成氮化硅层3、镍铁合金层4和氮化钽层5，从而在沟槽中也形成氮化硅层3、镍铁合金层4和氮化钽层5的叠层（如图1所示）。
此后，在氮化钽层5上形成深紫外光刻胶，并且形成深紫外光刻胶的图案，从而留下与沟槽一侧的侧壁位置相对应的深紫外光刻胶部分6（如图2所示）。
最后，利用深紫外光刻胶部分6对氮化钽层5进行刻蚀，从而留下覆盖有深紫外光刻胶部分6的沟槽一侧的侧壁位置上的氮化钽部分51（如图3所示）。
随后，可去除深紫外光刻胶部分6。
但是，由于三轴磁传感器中的沟槽深度很大，大约为3um，从而容易出现沟槽内的深紫外光刻胶未完全显影的情况，还可能出现期望留下光刻胶的沟槽侧壁上没有光刻胶的情况。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够针对三轴磁传感器中的沟槽深度很大的沟槽进行良好刻蚀从而留下侧壁上的磁性材料的刻蚀方法。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种用于三轴磁传感器的刻蚀方法，其包括：
第一步骤：在衬底上形成氧化物层，随后在氧化物层中形成沟槽，此后在形成沟槽的氧化物层上依次形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层，从而在沟槽中也形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层的叠层；
第二步骤：在氮化钽层上形成沟槽填充材料层，从而使得沟槽中完全填充有沟槽填充材料；
第三步骤：在沟槽填充材料层上形成深紫外光刻胶，并且形成深紫外光刻胶的图案，从而留下与沟槽一侧的侧壁位置相对应的深紫外光刻胶部分；
第四步骤：利用深紫外光刻胶部分作为掩膜对沟槽填充材料层进行刻蚀，从而留下与深紫外光刻胶部分相对应的沟槽填充材料部分；
第五步骤：利用深紫外光刻胶部分和沟槽填充材料部分作为掩膜对氮化钽层进行刻蚀，从而留下覆盖有深紫外光刻胶部分的沟槽侧壁上的氮化钽部分。
优选地，在所述第五步骤中，利用Cl2/O2气体组合执行刻蚀。
优选地，所述第五步骤中，Cl2/O2气体组合中的Cl2与O2的分子数比为1：1。
优选地，所述沟槽的深度不小于3um。
优选地，在沟槽底部中形成的沟槽填充材料层的厚度为3.6um。
优选地，沟槽填充材料层为有机物。
优选地，深紫外光刻胶部分的厚度为1.2um。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1至图3示出了根据现有技术的用于三轴磁传感器的刻蚀方法的示意图。
图4至图7示意性地示出了根据本发明实施例的用于三轴磁传感器的刻蚀方法。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图4至图7示意性地示出了根据本发明实施例的用于三轴磁传感器的刻蚀方法。
具体地说，根据本发明实施例的用于三轴磁传感器的刻蚀方法包括：
第一步骤：在衬底1上形成氧化物层2，随后在氧化物层2中形成沟槽，此后在形成沟槽的氧化物层2上依次形成氮化硅层3、镍铁合金层4和氮化钽层5，从而在沟槽中也形成氮化硅层3、镍铁合金层4和氮化钽层5的叠层，如图1所示。
例如，所述沟槽的深度不小于3um。
第二步骤：在氮化钽层5上形成沟槽填充材料层7，从而使得沟槽中完全填充有沟槽填充材料，如图4所示。
优选地，在沟槽底部中形成的沟槽填充材料层7的厚度为3.6um；这样，如果所述沟槽的深度为3um，则非沟槽部分的氮化钽层5上的沟槽填充材料层7的厚度为0.6um。
优选地，沟槽填充材料层7为有机物。实际上，形成沟槽填充材料层7目的在于把深沟槽填平，而后便于光刻形成所需要的图案。
第三步骤：在沟槽填充材料层7上形成深紫外光刻胶，并且形成深紫外光刻胶的图案，从而留下与沟槽一侧的侧壁位置相对应的深紫外光刻胶部分8，如图5所示。
优选地，深紫外光刻胶部分8的厚度为1.2um。
第四步骤：利用深紫外光刻胶部分8作为掩膜对沟槽填充材料层7进行刻蚀，从而留下与深紫外光刻胶部分8相对应的沟槽填充材料部分71，如图6所示。
第五步骤：利用深紫外光刻胶部分8和沟槽填充材料部分71作为掩膜对氮化钽层5进行刻蚀，从而留下覆盖有深紫外光刻胶部分8的沟槽侧壁上的氮化钽部分51，如图7所示。
优选地，在所述第五步骤中，利用Cl2/O2气体组合执行刻蚀。进一步优选地，Cl2/O2气体组合中的Cl2与O2的分子数比为1：1；由此可以实现刻蚀过程中沟槽填充材料部分71与深紫外光刻胶部分8的选择比约为3：1，从而实现良好的刻蚀效果。
根据本发明实施例的用于三轴磁传感器的刻蚀方法针对三轴磁传感器中的沟槽深度很大的沟槽进行良好刻蚀，从而留下侧壁上的形状完整的磁性材料。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (7)

1.一种用于三轴磁传感器的刻蚀方法，其特征在于包括：
第一步骤：在衬底上形成氧化物层，随后在氧化物层中形成沟槽，此后在形成沟槽的氧化物层上依次形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层，从而在沟槽中也形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层的叠层；
第二步骤：在氮化钽层上形成沟槽填充材料层，从而使得沟槽中完全填充有沟槽填充材料；
第三步骤：在沟槽填充材料层上形成深紫外光刻胶，并且形成深紫外光刻胶的图案，从而留下与沟槽一侧的侧壁位置相对应的深紫外光刻胶部分；
第四步骤：利用深紫外光刻胶部分作为掩膜对沟槽填充材料层进行刻蚀，从而留下与深紫外光刻胶部分相对应的沟槽填充材料部分；
第五步骤：利用深紫外光刻胶部分和沟槽填充材料部分作为掩膜对氮化钽层进行刻蚀，从而留下覆盖有深紫外光刻胶部分的沟槽侧壁上的氮化钽部分。
2.根据权利要求1所述的用于三轴磁传感器的刻蚀方法，其特征在于，在所述第五步骤中，利用Cl2/O2气体组合执行刻蚀。
3.根据权利要求2所述的用于三轴磁传感器的刻蚀方法，其特征在于，所述第五步骤中，Cl2/O2气体组合中的Cl2与O2的分子数比为1：1。
4.根据权利要求1或2所述的用于三轴磁传感器的刻蚀方法，其特征在于，所述沟槽的深度不小于3um。
5.根据权利要求1或2所述的用于三轴磁传感器的刻蚀方法，其特征在于，在沟槽底部中形成的沟槽填充材料层的厚度为3.6um。
6.根据权利要求1或2所述的用于三轴磁传感器的刻蚀方法，其特征在于，沟槽填充材料层为有机物。
7.根据权利要求1或2所述的用于三轴磁传感器的刻蚀方法，其特征在于，深紫外光刻胶部分的厚度为1.2um。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103400934A (zh) * 2013-07-24 2013-11-20 上海宏力半导体制造有限公司 3d磁传感器的形成方法
CN103400935A (zh) * 2013-07-24 2013-11-20 上海宏力半导体制造有限公司 3d磁传感器的形成方法
CN103730570A (zh) * 2014-01-07 2014-04-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 磁传感器的形成方法
CN104280696A (zh) * 2013-07-03 2015-01-14 上海矽睿科技有限公司 三轴传感器及其制备工艺
CN104370266A (zh) * 2013-08-12 2015-02-25 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽中感应材料的成膜方法
CN104422906A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 上海矽睿科技有限公司 一种磁传感器及其制备工艺
CN104422907A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 上海矽睿科技有限公司 一种磁传感装置及其制备方法
CN104422905A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 上海矽睿科技有限公司 磁传感器及其制备工艺
CN104459575A (zh) * 2013-09-12 2015-03-25 上海矽睿科技有限公司 一种磁传感装置及该磁传感装置的制备工艺
CN104576923A (zh) * 2014-12-29 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 3damr传感器z方向磁电阻感应薄膜图形定义方法
CN104555894A (zh) * 2013-10-17 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽中感应材料的成膜方法
CN104555893A (zh) * 2013-10-17 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 在深沟槽中形成感应材料膜的方法
CN104627954A (zh) * 2015-01-31 2015-05-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于mems传感器的刻蚀方法
CN104793154A (zh) * 2014-01-21 2015-07-22 上海矽睿科技有限公司 磁传感装置及其制备工艺
CN104891428A (zh) * 2015-04-17 2015-09-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 三轴各向异性磁阻的制造方法
CN104916775A (zh) * 2015-04-17 2015-09-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种3d磁传感器的制作方法
CN104914385A (zh) * 2014-03-10 2015-09-16 上海矽睿科技有限公司 一种磁传感装置及该装置的制备方法
CN105174207A (zh) * 2015-08-11 2015-12-23 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种三轴磁传感器的制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6008103A (en) * 1998-02-27 1999-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Method for forming trench capacitors in an integrated circuit
US6271142B1 (en) * 1999-07-29 2001-08-07 International Business Machines Corporation Process for manufacture of trench DRAM capacitor buried plates
US6673696B1 (en) * 2003-01-14 2004-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Post trench fill oxidation process for strained silicon processes
CN101452873B (zh) * 2007-12-06 2010-08-11 上海华虹Nec电子有限公司 浅沟槽隔离工艺方法

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104280696A (zh) * 2013-07-03 2015-01-14 上海矽睿科技有限公司 三轴传感器及其制备工艺
CN103400934A (zh) * 2013-07-24 2013-11-20 上海宏力半导体制造有限公司 3d磁传感器的形成方法
CN103400935A (zh) * 2013-07-24 2013-11-20 上海宏力半导体制造有限公司 3d磁传感器的形成方法
CN103400935B (zh) * 2013-07-24 2016-09-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 3d磁传感器的形成方法
CN103400934B (zh) * 2013-07-24 2016-08-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 3d磁传感器的形成方法
CN104370266A (zh) * 2013-08-12 2015-02-25 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽中感应材料的成膜方法
CN104370266B (zh) * 2013-08-12 2016-04-13 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽中感应材料的成膜方法
CN104422905A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 上海矽睿科技有限公司 磁传感器及其制备工艺
CN104422905B (zh) * 2013-08-29 2018-05-01 上海矽睿科技有限公司 磁传感器及其制备工艺
CN104422907B (zh) * 2013-08-29 2017-09-29 上海矽睿科技有限公司 一种磁传感装置及其制备方法
CN104422906A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 上海矽睿科技有限公司 一种磁传感器及其制备工艺
CN104422907A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 上海矽睿科技有限公司 一种磁传感装置及其制备方法
CN104459575A (zh) * 2013-09-12 2015-03-25 上海矽睿科技有限公司 一种磁传感装置及该磁传感装置的制备工艺
CN104555894B (zh) * 2013-10-17 2016-08-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽中感应材料的成膜方法
CN104555894A (zh) * 2013-10-17 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽中感应材料的成膜方法
CN104555893A (zh) * 2013-10-17 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 在深沟槽中形成感应材料膜的方法
CN104555893B (zh) * 2013-10-17 2017-06-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 在深沟槽中形成感应材料膜的方法
CN103730570A (zh) * 2014-01-07 2014-04-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 磁传感器的形成方法
CN103730570B (zh) * 2014-01-07 2016-08-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 磁传感器的形成方法
CN104793154A (zh) * 2014-01-21 2015-07-22 上海矽睿科技有限公司 磁传感装置及其制备工艺
CN104914385A (zh) * 2014-03-10 2015-09-16 上海矽睿科技有限公司 一种磁传感装置及该装置的制备方法
CN104576923B (zh) * 2014-12-29 2017-06-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 3damr传感器z方向磁电阻感应薄膜图形定义方法
CN104576923A (zh) * 2014-12-29 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 3damr传感器z方向磁电阻感应薄膜图形定义方法
CN104627954A (zh) * 2015-01-31 2015-05-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于mems传感器的刻蚀方法
CN104916775A (zh) * 2015-04-17 2015-09-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种3d磁传感器的制作方法
CN104891428A (zh) * 2015-04-17 2015-09-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 三轴各向异性磁阻的制造方法
CN104916775B (zh) * 2015-04-17 2017-11-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种3d磁传感器的制作方法
CN105174207A (zh) * 2015-08-11 2015-12-23 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种三轴磁传感器的制造方法

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