CN103400934B - 3d磁传感器的形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种3D磁传感器的形成方法，包括：提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层中的沟槽；形成磁性材料层，磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽底部和侧壁，在磁性材料层上形成TaN层，在TaN层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成填充材料层，填充材料层填充沟槽；在填充材料层上形成图形化的光刻胶层，以图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀填充材料层；以图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述刻蚀阻挡层、TaN层；去除图形化的光刻胶层和剩余填充材料层；去除图形化的光刻胶层和剩余填充材料层之前或之后，刻蚀磁性材料层形成磁阻层。本发明的刻蚀阻挡层阻挡刻蚀所述填充材料层过程中的等离子体对TaN层的轰击，保证3D磁传感器性能良好。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种3D磁传感器的形成方法。
背景技术
磁传感器是可以将各种磁场及其变化的量转变成电信号输出的器件，磁传感器包括巨磁阻传感器（Giant Magneto Resistive Sensor，GMR）、各向异性磁阻传感器（Anisotropic Magneto Resistive Sensor，AMR）等。以各向异性磁阻传感器为例，镍铁合金层作为磁阻层。当外界磁场施加到磁阻层上时，磁阻层的磁畴旋转，使得磁阻层的电阻发生改变，磁阻层电阻的变化就反应在输出电压变化，实现检测外加磁场的目的。
近几年，各向异性磁阻传感器技术的发展，已经历了单轴磁传感器、双轴磁传感器到三轴（3D）磁传感器。在现有技术中，三轴磁传感器以其可全面检测空间X、Y、Z三个方向上的磁信号，而得到普遍应用。
现有技术中，将集成电路技术应用于磁传感器领域，也促进了磁传感器的规模化生产和发展。图1～图4为现有技术的3D磁传感器在制作过程中的剖面结构示意图。
参照图1，在衬底100上形成绝缘层101，在绝缘层101中形成沟槽102；沉积形成氮化硅层103，氮化硅层103覆盖绝缘层101、沟槽102的侧壁和底部，氮化硅层103起到扩散阻挡作用；接着，在氮化硅层103上形成镍铁合金层104，在镍铁合金层104上形成TaN层105，镍铁合金层104作为磁性材料层。
参照图2，形成填充材料层106，填充材料层106覆盖TaN层105并填充沟槽，填充材料层106为后续形成图形化的光刻胶层提供平坦表面；接着，在填充材料层106上形成图形化的光刻胶层107，图形化的光刻胶层107定义磁阻层的位置，所述磁阻层包括：所述沟槽一个侧壁上的磁性材料层、与该侧壁接触的沟槽部分底部上的磁性材料层、与该侧壁接触的部分绝缘层上的磁性材料层。
参照图3，以图形化的光刻胶层107为掩模刻蚀填充材料层106。
参照图4，以图形化的光刻胶层为掩模继续刻蚀TaN层105；接着去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层，之后以剩余的TaN层105为掩模刻蚀镍铁合金层，形成磁阻层108，位于磁阻层108上的TaN层105用于保护磁阻层108，避免磁阻层108直接暴露在空气中而遭到氧化腐蚀。
但是，现有技术形成的3D磁传感器性能不佳。
发明内容
本发明解决的问题是现有技术形成的3D磁传感器性能不佳。
为解决上述问题，本发明提供一种3D磁传感器的形成方法，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成有绝缘层、位于所述绝缘层中的沟槽，所述沟槽的深度小于所述绝缘层的厚度；
形成磁性材料层，所述磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁，在所述磁性材料层上形成TaN层，在所述TaN层上形成刻蚀阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层上形成填充材料层，所述填充材料层填充沟槽；
在所述填充材料层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义磁阻层的位置，以所述图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀所述填充材料层；
以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述刻蚀阻挡层、TaN层；
去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层；
去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层之前或之后，刻蚀所述磁性材料层形成磁阻层。
可选地，所述刻蚀阻挡层为氮化硅层或氮氧化硅层。
可选地，刻蚀所述刻蚀阻挡层、TaN层的方法为干法刻蚀。
可选地，在干法刻蚀所述TaN层时，使用的刻蚀气体为氯气与氧气的混合气体。
可选地，所述磁性材料层为镍铁合金层。
可选地，在形成所述镍铁合金层前，沉积扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁。
可选地，所述填充材料层为有机材料层。
可选地，去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层的方法包括：
使用灰化工艺去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层；
使用湿法刻蚀清除所述灰化工艺中产生的聚合物。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
在等离子体刻蚀去除沟槽周围的绝缘层上的填充材料层后，继续刻蚀去除沟槽中的部分填充材料层时，沟槽周围的TaN层上的刻蚀阻挡层阻挡刻蚀过程中的等离子体对TaN层的轰击，避免TaN层表面的Ta脱离并与等离子体反应生成Ta基聚合物，因此在图形化的光刻胶层上表面和侧面不会沉积Ta基聚合物，相应的TaN层表面不会残留Ta基聚合物，保证3D磁传感器性能良好。
附图说明
图1～图4是现有技术的3D磁传感器在制作过程中的剖面结构示意图；
图5～图11是本发明具体实施例的3D磁传感器在制作过程中的剖面结构示意图。
具体实施方式
经研究分析，造成3D磁传感器性能不佳的原因为：参照图2，填充材料层106覆盖TaN层并填充沟槽，位于沟槽中的填充材料层的厚度D1明显大于沟槽周围的绝缘层上的填充材料层的厚度D2。结合参照图3，由于D1大于D2，在刻蚀填充材料层106时，沟槽周围的绝缘层上的填充材料层较快被去除，暴露沟槽周围的绝缘层上的TaN层。在去除沟槽周围的绝缘层上的填充材料层后，需要继续刻蚀去除沟槽中的填充材料层。在继续刻蚀去除沟槽中的填充材料层的过程中，刻蚀气体经等离子体化后形成的等离子体会轰击沟槽中的填充材料层，也会轰击沟槽周围的绝缘层上暴露的TaN层。在轰击过程中，TaN层表面的部分Ta脱离出来并与等离子体反应生成Ta基聚合物，该Ta基聚合物在图形化的光刻胶层上表面和侧面沉积。在去除图形化的光刻胶层时，该Ta基聚合物不会被去除，而会残留在TaN层表面，这会造成TaN层表面电阻增大，在后续TaN层表面与其他器件连接时，在TaN层表面的连接处的电阻增大，造成信号传递的可靠性降低，造成3D磁传感器的性能不佳。
针对现有技术存在的问题，本发明提出了一种避免Ta基聚合物在图形化的光刻胶层上表面和侧面再沉积的工艺。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参照图5，提供衬底300，在衬底300上形成有绝缘层301、位于绝缘层301中的沟槽302，沟槽302的深度小于绝缘层301的厚度，也就是沟槽302的底部不为衬底300的上表面。沟槽302为形成3D磁传感器的磁阻层提供侧壁，详见下文介绍。
具体地，形成绝缘层301和位于绝缘层301中的沟槽302的方法包括：
在衬底300上形成绝缘层301，绝缘层301的材料为氧化硅，形成绝缘层301的方法为热氧化生长或化学气相沉积工艺，绝缘层301起到磁阻层与衬底之间的绝缘隔离作用；
图形化绝缘层301，在绝缘层301中形成沟槽302，图形化绝缘层301的方法为干法刻蚀。
另外，在具体实施例中，衬底300为硅衬底、锗衬底或者绝缘体上硅衬底等；或者还可以包括其它的材料，例如砷化镓等III-Ⅴ族化合物。
在形成沟槽302后，参照图6，在绝缘层301上形成扩散阻挡层303，扩散阻挡层303覆盖绝缘层301、沟槽302的底部和侧壁，在扩散阻挡层303上形成磁性材料层304，在磁性材料层304上形成TaN层305，在TaN层305上形成刻蚀阻挡层306。
具体地，形成扩散阻挡层303、磁性材料层304、TaN层305和刻蚀阻挡层306的方法包括：
扩散阻挡层303的材料为氮化硅，形成扩散阻挡层303的方法为化学气相沉积，扩散阻挡层303用于阻挡后续磁性材料向绝缘层301中扩散，确保绝缘层301的绝缘隔离作用；
磁性材料层304的材料为镍铁合金或其他可行的磁性材料，形成磁性材料层304的方法为溅射工艺，在形成过程中，扩散阻挡层303阻挡磁性材料向绝缘层301中扩散；
形成TaN层305的方法为溅射工艺或化学气相沉积，TaN层305作为磁性材料层304的保护层；
刻蚀阻挡层306的材料为氮化硅或氮氧化硅，在本实施例中，刻蚀阻挡层306的材料为氮化硅，形成刻蚀阻挡层306的方法为化学气相沉积。
参照图7，在刻蚀阻挡层306上形成填充材料层307，填充材料层307填充满沟槽，便于后续光刻胶图案的形成。
具体地，填充材料层307为有机材料层，有机材料层的表面平坦。填充材料层307填充满沟槽并覆盖沟槽周围的刻蚀阻挡层上表面，为后续形成光刻胶提供平坦表面，确保光刻胶的图案精细。
参照图8,在填充材料层307上形成图形化的光刻胶层308，图形化的光刻胶层308定义磁阻层的位置；以图形化的光刻胶层308为掩模，等离子体刻蚀填充材料层306。
在形成图形化的光刻胶层308的过程中，首先使用旋涂工艺在填充材料层307上均匀地涂上液相光刻胶材料。接着，通过曝光和显影等一系列工艺形成图形化的光刻胶层308。
在本实施例中，刻蚀填充材料层307的方法为等离子体干法刻蚀。由于沟槽中的填充材料层的厚度明显大于沟槽周围的绝缘层301上的填充材料层，这样，沟槽周围的绝缘层301上的填充材料层先遭到去除。之后，继续刻蚀沟槽中填充材料层，在该过程中，等离子体化的刻蚀气体也轰击刻蚀阻挡层306，刻蚀阻挡层306阻挡了刻蚀气体对TaN层305的轰击，在图形化的光刻胶层308的上表面和侧面不会沉积Ta基聚合物。
参照图9，在刻蚀填充材料层307后，以图形化的光刻胶层308为掩模刻蚀所述刻蚀阻挡层306、TaN层305。
在具体实施例中，刻蚀所述刻蚀阻挡层306、TaN层305的方法为干法刻蚀，使用的刻蚀气体为氯气与氧气的混合气体。
参照图10，去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层。去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层的方法包括：使用灰化工艺去除图形化的光刻胶层；使用湿法刻蚀清除灰化过程中产生的聚合物。
参照图11，以剩余的TaN层305为掩模，刻蚀磁性材料层304形成磁阻层309。磁阻层309包括位于沟槽一个侧壁上的磁性材料层、与该侧壁接触的沟槽302部分底部上的磁性材料层、与该侧壁接触的部分绝缘层上的磁性材料层。其中，在磁阻层309中，沟槽一个侧壁上的磁性材料层、与该侧壁接触的沟槽部分底部上的磁性材料层、与该侧壁接触的部分绝缘层上的磁性材料层可以分别感应X、Y、Z三个方向的磁场信号。
在具体实施例中，刻蚀磁性材料层304的方法为等离子体干法刻蚀。在高速等离子体化的刻蚀气体轰击下，磁性材料层304遭到去除，至扩散阻挡层303表面停止。在该过程中，位于TaN层305上的剩余刻蚀阻挡层306也遭到去除。其中，TaN层305用于保护磁性材料层304，避免磁性材料层304暴露在空气中遭到氧化腐蚀。
在其他实施例中，还可以是：在刻蚀TaN层后，接着以图形化的光刻胶层为掩模刻蚀磁性材料层形成磁阻层；在刻蚀磁性材料层后，去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (8)
1.一种3D磁传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成有绝缘层、位于所述绝缘层中的沟槽，所述沟槽的深度小于所述绝缘层的厚度；
形成磁性材料层，所述磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁，在所述磁性材料层上形成TaN层，在所述TaN层上形成刻蚀阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层上形成填充材料层，所述填充材料层填充沟槽；
在所述填充材料层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义磁阻层的位置，以所述图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀所述填充材料层；
以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述刻蚀阻挡层、TaN层；
去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层；
去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层之前或之后，刻蚀所述磁性材料层形成磁阻层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为氮化硅层或氮氧化硅层。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述刻蚀阻挡层、TaN层的方法为干法刻蚀。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，在干法刻蚀所述TaN层时，使用的刻蚀气体为氯气与氧气的混合气体。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述磁性材料层为镍铁合金层。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在形成所述镍铁合金层前，沉积扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述填充材料层为有机材料层。
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层的方法包括：
使用灰化工艺去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层；
使用湿法刻蚀清除所述灰化工艺中产生的聚合物。
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| CN104934362B (zh) * | 2015-04-17 | 2018-05-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 深槽的制作方法 |
| CN105140389B (zh) * | 2015-08-11 | 2018-01-26 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种三轴磁传感器的制造方法 |
| CN105174208B (zh) * | 2015-08-11 | 2017-06-09 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种mems器件的制造方法 |
| CN106335872A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-01-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 沟槽结构及其形成方法和三轴磁传感器的制作方法 |
| CN108231748A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-06-29 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 改善聚合物残留的方法及半导体结构 |
| CN109160487A (zh) * | 2018-08-14 | 2019-01-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mems三轴amr磁力传感器的制造方法 |
| CN110491796B (zh) * | 2019-08-23 | 2021-11-26 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 3d磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法 |
| CN114988348A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-09-02 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mems中磁性材料的刻蚀方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1391269A (zh) * | 2001-06-07 | 2003-01-15 | 矽统科技股份有限公司 | 防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造 |
| US20060006542A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-12 | Han-Choon Lee | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US20070252279A1 (en) * | 2003-01-03 | 2007-11-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device having a silicidation blocking layer |
| CN102054761A (zh) * | 2009-11-10 | 2011-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 双镶嵌结构的形成方法、半导体结构 |
| CN103178206A (zh) * | 2013-02-26 | 2013-06-26 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 用于三轴磁传感器的刻蚀方法 |
-
2013
- 2013-07-24 CN CN201310314998.8A patent/CN103400934B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1391269A (zh) * | 2001-06-07 | 2003-01-15 | 矽统科技股份有限公司 | 防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造 |
| US20070252279A1 (en) * | 2003-01-03 | 2007-11-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device having a silicidation blocking layer |
| US20060006542A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-12 | Han-Choon Lee | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN102054761A (zh) * | 2009-11-10 | 2011-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 双镶嵌结构的形成方法、半导体结构 |
| CN103178206A (zh) * | 2013-02-26 | 2013-06-26 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 用于三轴磁传感器的刻蚀方法 |
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| Publication number | Publication date |
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