CN103165478A - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供半导体芯片的污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序：工序A，准备半导体芯片；工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片；工序C，在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；和工序D，在多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的保护膜而施加的压力，将多个半导体芯片埋入热固化型树脂层；其中，保护膜对水的接触角为90°以下。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法。 
背景技术
近年来，半导体装置的小型化、布线的微细化处于不断开展的趋势中，在狭小的半导体芯片区域(在通过俯视来透视半导体芯片的情况下，为与半导体芯片重合的区域)中不得不配置更多的I/O焊盘、通孔，同时引脚密度(pin density)也在上升。进而，在BGA(Ball Grid Array)封装中，在半导体芯片区域内形成有多个端子，用于形成其他元件的区域受限，因此采用在半导体封装基板上将布线从端子引出至半导体芯片区域外侧的方法。 
在此种状况下，在个别应对半导体装置的小型化、布线的微细化的做法中，由生产线的增设、制造步骤的繁杂化等而导致生产效率降低，并且无法应对低成本化的要求。 
针对于此，为了使半导体封装体的制作低成本化，还提出了在支撑体上配置单片化的多个芯片并将其一并用树脂密封而形成封装体的方法。例如，专利文献1中采用以下方法：在形成于支撑体上的热敏性胶粘剂上排列单片化的多个芯片，以覆盖芯片和热敏性胶粘剂的方式形成塑料制的通用载体(carrier)后，通过加热来剥离埋有芯片的通用载体和热敏性胶粘剂。 
现有技术文献 
专利文献 
专利文献1：美国专利第7202107号 
发明内容
但是，在专利文献1的半导体装置的制造方法中，如上所述需要最终将热敏性胶粘剂和通用载体剥离，因此在通用载体上残留热敏性胶粘剂的残渣，或者热敏性胶粘剂的排气成分以杂质的形成残留在通用载体上而在其清洗上需要耗费时间等等，从而生产效率可能会降低。此外，专利文献1的半导体装置的制造方法中，在暂时固定芯片时使用热敏性胶粘剂之后，最终将其剥离，若能够省略这些工序，则能够进一步提高生产率，在这一点上尚有改善的余地。 
因此，本发明的目的在于，提供半导体芯片的污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。 
本申请发明人等发现通过采用下述方案从而可以解决上述课题，由此完成了本发明。 
即，本发明的特征在于，其是具备半导体芯片的导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序： 
工序A，准备半导体芯片； 
工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片； 
工序C，在上述热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；以及 
工序D，在上述多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的上述保护膜而施加的压力，将上述多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层， 
其中，上述保护膜相对于水的接触角为90°以下。 
根据本发明的半导体装置的制造方法，在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片之后(工序C)，将多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层(工序D)。因此，可以将上述热固化型树脂层作为密封半导体芯片的密封材。此外，由于将半导体芯片配置于热固化型树脂层上后埋入上述热固化型树脂层，因此无需用于暂时固定半导体芯片的片材。此外，无需将用于暂时固定半导体芯片的片材剥离的工序。其结果可以实现制造工序的简化、制造成本的削减。此外，由于将半导体芯片埋入热固化型树脂层，因此无需在半导体芯片粘贴和剥离暂时固定用的片材。其结果可以抑制半导体芯片的污染。 
此外，上述埋入工序D，是通过隔着在上述多个半导体芯片上配置的保护膜而施加的压力，将上述多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层的 工序，上述保护膜相对于水的接触角为90°以下。一般而言，越是疎水性的物质，表面能越小，越形成低摩擦；越是亲水性的物质，表面能越大，越形成高摩擦。根据上述构成，上述保护膜相对于水的接触角为90°以下，亲水性高，因此保护膜与半导体芯片之间的摩擦力变大，在埋入工序D中能够降低两者的差异。其结果可以抑制埋入时的半导体芯片的错位。另外，本发明中规定了保护膜对水的接触角作为保护膜表面的滑动性指标。 
此外，本发明的特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序： 
工序A，准备半导体芯片； 
工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片； 
工序D，将上述多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层。 
根据本发明的半导体装置的制造方法，将多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层(工序D)。因此，可以将上述热固化型树脂层作为密封半导体芯片的密封材。此外，由于将半导体芯片直接埋入热固化型树脂层，因此无需暂时固定半导体芯片的工序和用于暂时固定半导体芯片的片材。其结果可以实现制造工序的简化和制造成本的削减。此外，由于将半导体芯片直接埋入热固化型树脂层，因此无需在半导体芯片粘贴和剥离暂时固定用的片材。其结果可以抑制半导体芯片的污染。 
根据本发明，能够提供污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。 
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图2是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图3是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图4是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图5是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图6是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图7是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图8是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图9是用于说明本发明的其他实施方式1的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图10是用于说明本发明的其他实施方式2的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图11是用于说明本发明的其他实施方式3的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
图12是用于说明本发明的其他实施方式3的半导体装置的制造方法的剖面示意图。 
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式的一个例子。图1～图8是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。以下，首先，在对半导体装置的制造方法进行了说明之后，对利用该制造方法得到的半导体装置进行说明。 
本实施方式的半导体装置的制造方法，是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法至少具备以下工序：工序A(半导体芯片准备工序)，准备半导体芯片；工序B(树脂片准备工序)，准备具有热固化型树脂层的树脂片；工序C(半导体芯片配置工序)，在上述热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；以及工序D(半导体芯片埋入工序)，将上述多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层。 
[半导体芯片准备工序] 
半导体芯片准备工序(工序A)中，准备在电路形成面5a形成有导通构件6的半导体芯片5(参照图1)。利用以往公知的方法，将表面形成有电路的半导体晶片加以切割而进行单片化等，从而可以制作半导体芯片5。作为半导体芯片5的俯视下的形状，根据目标半导体装置进行变更即可，例如可以是一边的长度在1～15mm之间且经独立选择的正方形或矩形等。 
半导体芯片5的厚度，只要根据目标半导体装置的尺寸进行变更即可，例如为30～725μm，优选为50～450μm。 
在半导体芯片5的电路形成面5a形成导通构件6。作为导通构件6，没有特别的限定，可列举焊接突起、引脚、引线等。作为导通构件6的材质，没有特别的限定，可列举例如锡-铅系金属材、锡-银系金属材、锡-银-铜系金属材、锡-锌系金属材、锡-锌-铋系金属材等焊料类(合金)、金系金属材、铜系金属材等。导通构件6的高度也可以根据用途来确定，通常为5～100μm左右。半导体芯片5的电路形成面5a中各个导通构件6的高度可以相同或不同。 
[树脂片准备工序] 
接着，在树脂片准备工序(工序B)中，准备在支撑体2上层叠有热固化型树脂层1的树脂片10(参照图1)。 
(支撑体) 
支撑体2是构成树脂片10的强度基础的材料。支撑体2的材质没有特别的限定，可列举例如：低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(纸)、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素系树脂、硅酮树脂、玻璃、金属(箔)、纸等。其中，从加热时的支撑性的观点出发，优选具有耐热性的材料，例如聚碳酸酯、玻璃、金属(铜箔等)。 
此外，作为支撑体2的材料，可列举上述树脂的交联体等聚合物。上述塑料膜可以在无拉伸的状态下使用，根据需要还可以使用实施了单轴或双轴的拉伸处理而得的塑料膜。 
关于支撑体2的表面，为了提高其与邻接的层的密合性、保持性等，可实施惯用的表面处理例如铬酸处理、臭氧曝露、火焰曝露、高压电击曝露、离子化放射线处理等化学性或物理性的处理，基于底涂剂的涂布处理。 
支撑体2可适当选择使用同种或异种的材料。可以根据需要数种混合后得到的材料。此外，为了对支撑体2赋予抗静电能力，可以在上述的支撑体2上设置由金属、合金、它们的氧化物等形成的厚度为 
Figure BDA00002586240300061
左右的导电性物质的蒸镀层。支撑体2可以为单层或两种以上的多层。 
对支撑体2的厚度没有特别的限制，可以适当地确定，通常为5～200μm左右。 
(热固化型树脂层) 
本实施方式的热固化型树脂层1，填充电路形成面5a侧(图1中为电路形成面5a的下侧)的空间，并且具有密封半导体芯片5的功能。作为热固化型树脂层1的构成材料，可列举并用热塑性树脂和热固化性树脂的材料。此外，还可以单独使用热固化性树脂。 
作为上述热塑性树脂，可列举：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6，6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或者并用两种以上。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、且能够确保半导体芯片的可靠性的丙烯酸树脂。 
作为上述丙烯酸树脂，没有特别的限定，可列举以具有碳原子数30以下、尤其是碳原子数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的一种或两种以上为成分的聚合物等。作为上述烷基，可列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸 基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或二十烷基等。 
此外，作为形成上述聚合物的其他单体，没有特别的限定，可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等各种含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体；或者2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基单体。 
作为上述热固化性树脂，可举出酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂、或热固化性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可以单独使用或并用两种以上。特别优选为腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂。此外，作为环氧树脂的固化剂，优选为酚醛树脂。 
上述环氧树脂只要为通常用作胶粘剂组合物的环氧树脂，则没有特别限定，可以使用例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型或者缩水甘油基胺型等环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用或者并用两种以上。在这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型树脂或四苯基乙烷型环氧树脂。这是由于这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性且耐热性等优异。 
进而，上述酚醛树脂作为上述环氧树脂的固化剂发挥作用，可列举例如：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基酚酚醛清漆树脂、壬基酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲酚型酚醛 树脂、聚对氧基苯乙烯等聚氧基苯乙烯等等。它们可以单独使用或并用两种以上。在这些酚醛树脂中，特别优选为苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是由于能够提高半导体装置的连接可靠性。 
有关上述环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，例如优选以酚醛树脂中的羟基相对于上述环氧树脂成分中的每1当量环氧基为0.5～2.0当量的方式加以配合。更优选为0.8～1.2当量。即，这是由于若两者的配合比例在上述范围之外，则无法进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性容易劣化。 
作为环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂，没有特别限定，可适当从公知的热固化促进催化剂中加以选择使用。热固化促进催化剂可以单独使用或组合使用两种以上。作为热固化促进催化剂，可以使用例如胺系固化促进剂、磷系固化促进剂、咪唑系固化促进剂、硼系固化促进剂、磷-硼系固化促进剂等。 
此外，在热固化型树脂层1中可以适当配合无机填充剂。无机填充剂的配合使导电性的赋予、热传导性的提高、储存弹性模量的调节等成为可能。 
作为上述无机填料，可列举例如：二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类，铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料等金属、或者合金类，以及其他的包含碳等的各种无机粉末等。这些无机填料可以单独使用或并用两种以上。其中，可以优选使用二氧化硅，特别优选使用熔融二氧化硅。 
无机填充剂的平均粒径优选在0.1～30μm的范围内，更优选在0.5～25μm的范围内。另外，本发明中可以组合使用平均粒径不同的无机填充剂。此外，平均粒径是利用分光光度式的粒度分布计(HORIBA制、装置名：LA-910)求得的值。 
上述无机填充剂的配合量优选相对于有机树脂成分100重量份设定为100～1400重量份。特别优选为230～900重量份。在无机填充剂的配合量为100重量份以上时，耐热性、强度提高。此外，通过使无机填充剂的配合量为1400重量份以下，从而可以确保流动性。由此可以防止粘接性、埋入性降低。 
另外，热固化型树脂层1中，除上述无机填充剂以外，还可以根据需要适当配合其他添加剂。作为其他添加剂，可列举例如阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕获剂、炭黑等颜料等等。作为上述阻燃剂，可列举例如三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。它们可以单独使用或并用两种以上。作为上述硅烷偶联剂，可列举例如β-(3，4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。这些化合物可以单独使用或并用两种以上。作为上述离子捕获剂，可举出例如水滑石类、氢氧化铋等。它们可以单独使用或并用两种以上。此外，考虑高温固化时的粘性的提高，还可以添加弹性体成分作为粘度调节用的添加剂。弹性体成分只要是使树脂增粘的物质，则没有特别的限制，但可列举例如聚丙烯酸酯等各种丙烯酸系共聚物；聚苯乙烯-聚异丁烯系共聚物、苯乙烯丙烯酸酯系共聚物等具有苯乙烯骨架的弹性体；丁二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯橡胶(SBR)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、异戊二烯橡胶、丙烯腈橡胶等橡胶质聚合物等。 
此外，热固化型树脂层在120℃下的粘度优选为100～10000Pa·s，进而更优选为500～3000Pa·s。在上述粘度为100Pa·s以上时，可以抑制热固化时表面形状大幅变形。此外，通过使上述粘度为10000Pa·s以下，从而可以抑制树脂的流动性变差而不能充分填充部件的端面的情况。 
对热固化型树脂层1的厚度(在多层时为总厚)没有特别的限定，但若考虑固化后的树脂的强度、导通构件6间的填充性，则优选为100μm以上且1000μm以下。另外，热固化型树脂层1的厚度可以考虑导通构件6的高度而适当地设定。 
(树脂片的制作方法) 
本实施方式的树脂片通过在支撑体2上层叠热固化型树脂层1而得到。 
作为支撑体2的制膜方法，可例示出例如压延制膜法、有机溶剂中的浇注法、密闭体系中的吹塑挤出法、T模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。 
作为形成热固化型树脂层1的工序，可列举例如进行如下工序的方法：在脱模膜上涂布作为热固化型树脂层1的构成材料的胶粘剂组合物溶液而形成涂布层，之后，使上述涂布层干燥。 
作为上述胶粘剂组合物溶液的涂布方法，没有特别的限定，可列举例如使用点涂法、喷泉法(Fountain法)、凹版法等进行涂布的方法。作为涂布厚度，只要适当设定以使干燥涂布层而最终得到的热固化型树脂层1的厚度达到10～100μm的范围内即可。 
作为上述脱模膜，没有特别的限定，可列举例如在脱模膜的与热固化型树脂层1的贴合面上形成硅酮层等脱模涂层的膜。此外，作为脱模膜的基材，可列举例如像玻璃纸之类的纸材、由聚乙烯、聚丙烯、聚酯等形成的树脂膜。 
上述涂布层的干燥，通过对涂布层吹送干燥风来进行。有关该干燥风的吹送，可列举例如以其吹送方向与脱模膜的搬送方向平行的方式进行的方法或者以使其吹送方向与涂布层的表面垂直的方式进行的方法。干燥风的风量没有特别的限定，通常为5～20m/min、优选为5～15m/min。通过使干燥风的风量为5m/min以上，从而可以防止涂布层的干燥变得不充分。另一方面，通过使干燥风的风量为20m/min以下，从而由于使涂布层表面附近的有机溶剂的浓度变得均匀，因此能够使其均匀蒸发。其结果能够形成面内的表面状态均匀的热固化型树脂层1。 
干燥时间可以根据胶粘剂组合物溶液的涂布厚度进行适当设定，通常为1～5min、优选为2～4min的范围内。通过使干燥时间为1min以上，从而能够抑制因未充分进行固化反应而使得未反应的固化成分、残存的溶剂量变多。其结果，能够防止在后续工序中产生排气、空隙的问题。另一方面，通过使干燥时间为5min以内，从而可以抑制固化反应过度进行。其结果可以防止流动性、半导体晶片的导通构件的埋入性降低。 
干燥温度没有特别的限定，通常设定在70～160℃的范围内。但是，在本实施方式中，优选随着干燥时间的推移，使干燥温度阶段性地上升而进行。具体而言，例如可将干燥初期(干燥后不久，1min以下)设定在70℃～100℃的范围内，将干燥后期(超过1min且在5min以下)设定在100～160℃的范围内。由此，能够防止在涂布后不久急剧地提高干燥温度的情况下所发生的涂布层表面的小孔的产生。 
接着，在支撑体2上进行热固化型树脂层1的转印(参照图1)。该转印可以通过压接来进行。贴合温度优选为40～80℃、更优选为50～70℃。此外，贴合压力优选为0.1～0.6MPa、更优选为0.2～0.5MPa。 
上述脱模膜可以在将热固化型树脂层1贴合在支撑体2上之后进行剥离，或者直接作为树脂片10的保护膜使用并在半导体芯片配置到热固化型树脂层1上时进行剥离。由此，可以制造本实施方式的树脂片10。 
另外，有关热固化型树脂层1的形成，可以在将胶粘剂组合物溶液直接涂布在支撑体2上之后在上述干燥条件下干燥涂布膜。由此也可以制造树脂片10。 
[半导体芯片配置工序] 
接着，在半导体芯片配置工序(工序C)中，以上述热固化型树脂层1与上述半导体芯片的电路形成面5a对置的方式，在热固化型树脂层1上配置多个半导体芯片5(参照图1)。半导体芯片5的配置可以使用倒装片焊接机、芯片焊接机等公知的装置。 
半导体芯片5的配置的布局(layout)和配置数，可以根据树脂片10的形状、尺寸、目标半导体装置的生产数等进行适当设定，例如可以以排列成多行且多列的矩阵状的方式进行配置。 
在上述多个半导体芯片5配置到热固化型树脂层1上时，只要至少使导通构件6与热固化型树脂层1接触即可。尤其更优选使电路形成面5a与热固化型树脂层1接触。在至少使导通构件6与热固化型树脂层1接触时，可以将半导体芯片5固定于热固化型树脂层1。 
[半导体芯片埋入工序] 
接着，半导体芯片埋入工序(工序D)中，通过隔着在多个半导体芯片5上配置的保护膜12而施加压力，从而将多个半导体芯片5埋入热固化型树脂层1(参照图2、图3)。埋入可以使用压制成型机、辊成型机并从树脂片10的两侧施加压力来进行。埋入可以采用预先将保护膜12配置于多个半导体芯片5上之后从树脂片10的两侧施加压力(例如通过模具20施加压力)的方法。此外，还可以采用预先将保护膜12配置在压制成型机、辊成型机侧并在加压的同时将保护膜12配置在多个半导体芯片5上的方法。由此可以成为半导体芯片5的与电路形成面5a相反侧的 面5b(背面5b)露出并且使半导体芯片5处于埋入热固化型树脂层1的状态。埋入温度优选为60～150℃、更优选为80～120℃。此外，埋入压力优选为0.02～3MPa、更优选为0.05～1MPa。 
(保护膜) 
作为保护膜12，没有特别的限定，但可列举例如像玻璃纸之类的纸材、由聚乙烯、聚丙烯、聚酯等形成的树脂膜。从防止热固化型树脂层1在半导体芯片的背面留下残浆的观点出发，保护膜12的表面(与热固化型树脂层1及半导体芯片5接触的一侧的面)可以实施惯用的表面处理例如等离子体处理、压花(emboss)处理、喷砂处理等。 
保护膜12对水的接触角为90°以下。上述接触角优选为80°以下。此外，上述接触角越小越优选，例如可以为45°以上且60°以上。保护膜12对水的接触角为90°以下，保护膜12表面的滑动性低，因此保护膜12与半导体芯片5(半导体芯片5的背面5b)之间的摩擦力变大，可以在埋入工序中降低两者的错开。其结果可以抑制埋入时的半导体芯片5的错位。 
[热固化工序] 
接着，在热固化工序中，对热固化型树脂层1进行加热并使其固化。上述热固化工序中的加热温度优选在90～200℃进行，更优选在120～175℃下进行。此外，加热时间优选为30～240分钟，更优选为60～180分钟。 
有关热固化型树脂层的固化前后的半导体芯片间距离的变化，在上述半导体芯片配置工序中将半导体芯片5间的距离配置成5000μm时，优选为20μm以内，更优选为10μm。另外，半导体芯片间距离是指邻接的半导体芯片的端部间的距离。 
[支撑体剥离工序] 
接着，支撑体剥离工序中，从热固化型树脂层1剥离支撑体2(参照图4)。剥离可以使用以往公知的剥离装置来进行。 
[半导体背面用膜贴附工序] 
本实施方式中，进一步优选含有半导体背面用膜贴附工序。半导体背面用膜贴附工序中，从半导体芯片5的背面5b侧贴附半导体背面用膜14(参照图5)。 
半导体背面用膜(本实施方式中为半导体背面用膜14)形成在半导体元件(本实施方式中为半导体芯片5)的背面(本实施方式中为背面5b)，由此发挥保护该半导体元件的功能。另外，上述半导体元件的背面是指与形成有电路的面相反侧的面。 
(半导体背面用膜) 
本实施方式的半导体背面用膜14具有膜状的形态。半导体背面用膜14通常在制成制品的形态中为未固化状态(包括半固化状态)，在贴附于半导体晶片或半导体元件后进行热固化。 
上述半导体背面用膜优选至少由热固化性树脂形成，进而更优选至少由热固化性树脂和热塑性树脂形成。通过至少由热固化性树脂形成，从而可以使半导体背面用膜有效地发挥作为胶粘剂层的功能。 
作为上述热塑性树脂，可列举例如：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6，6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或氟树脂等。热塑性树脂可以单独使用或者并用两种以上。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、且能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸树脂。 
作为上述丙烯酸树脂，没有特别的限定，可列举以具有碳原子数为30以下(优选碳原子数为4～18、进一步优选碳原子数为6～10、特别优选碳原子数为8或9)的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的一种或两种以上为成分的聚合物等。即，本发明中，丙烯酸树脂是指也包括甲基丙烯酸树脂的广义的含义。作为上述烷基，可列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。 
此外，作为用于形成上述丙烯酸树脂的其他单体(烷基的碳原子数为30以下的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)，没有特别的限定， 可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等各种含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体；或者2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基单体等。此外，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本发明的(甲基)均为相同的含义。 
此外，作为上述热固化性树脂，除了环氧树脂、酚醛树脂，可举出氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。热固化性树脂可以单独使用或并用两种以上。作为热固化性树脂，特别优选为腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂。此外，作为环氧树脂的固化剂，可优选使用酚醛树脂。 
作为环氧树脂，没有特别的限定，可以使用例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四羟苯基乙烷型环氧树脂等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或者缩水甘油基胺型环氧树脂等环氧树脂。 
作为环氧树脂，在上述的例示中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四羟苯基乙烷型环氧树脂。这是由于这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性且耐热性等优异。 
进而，上述酚醛树脂作为上述环氧树脂的固化剂发挥作用，可列举例如：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基酚酚醛清漆树脂、壬基酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲酚型酚醛 树脂、聚对氧基苯乙烯等聚氧基苯乙烯等等。酚醛树脂可以单独使用或并用两种以上。在这些酚醛树脂中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是由于能够提高半导体装置的连接可靠性。 
有关环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，例如优选以酚醛树脂中的羟基相对于上述环氧树脂成分中的每1当量环氧基为0.5～2.0当量的方式进行配合。更优选为0.8～1.2当量。即，这是由于若两者的配合比例在上述范围之外，则无法进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性容易劣化。 
作为上述热固化性树脂的含量，优选相对于半导体背面用膜中的全部树脂成分为5重量％以上且90重量％以下、更优选10重量％以上且85重量％以下、进一步优选15重量％以上且80重量％以下。 
作为环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂，没有特别限定，可适当从公知的热固化促进催化剂中加以选择使用。热固化促进催化剂可以单独使用或组合使用两种以上。 
上述热固化促进催化剂的比例优选相对于树脂成分的总量为0.008～0.25重量％、更优选为0.0083～0.23重量％、进一步优选为0.0087～0.22重量％。若热固化促进催化剂的上述比例为0.01重量％以上，则可以适合使热固化性树脂热固化。此外，若热固化促进催化剂的上述比例为0.25重量％以下的比例，则可以抑制长期保存时的固化反应的进行。 
在此，半导体背面用膜可以为单层，也可以为多层层叠而成的层叠膜，但在半导体背面用膜为层叠膜时，热固化促进催化剂的上述比例只要使层叠膜整体相对于树脂成分的总量为0.01～0.25重量％即可。 
作为上述半导体背面用膜，优选利用包含环氧树脂及酚醛树脂的树脂组合物或者包含环氧树脂、酚醛树脂及丙烯酸树脂的树脂组合物来形成。这些树脂的离子性杂质少且耐热性高，因此能够确保半导体元件的可靠性。 
半导体背面用膜14重要的是具有与半导体芯片5的背面5b(电路非形成面)的粘接性(密合性)。半导体背面用膜14例如可以由包含作为热固化性树脂的环氧树脂的树脂组合物来形成。为了预先使半导体背面用膜14进行某种程度的交联，优选的是在制作时添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。由此，使高温下的粘接特性提高，可以实现耐热性的改善。 
半导体背面用膜对半导体晶片(半导体芯片)的粘接力(23℃、剥离角度180度、剥离速度300mm/分钟)优选0.5N/20mm～15N/20mm的范围、更优选0.7N/20mm～10N/20mm的范围。通过使该粘接力为0.5N/20mm以上，从而以优异的密合性贴附于半导体晶片、半导体芯片，可以防止浮动等的发生。 
作为上述交联剂，没有特别的限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，除了例如异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、密胺系交联剂、过氧化物系交联剂之外，还可列举：尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二酰亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等。作为交联剂，优选异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂。此外，上述交联剂可以单独使用或者组合使用两种以上。 
另外，对交联剂的使用量没有特别的限制，可以根据所要交联的程度进行适当选择。具体而言，作为交联剂的使用量，优选例如相对于聚合物成分(特别是具有分子链末端的官能团的聚合物)100重量份通常为7重量份以下(例如0.05重量份～7重量份)。若交联剂的使用量相对于聚合物成分100重量份多于7重量份，则粘接力降低，故不优选。另外，从提高凝聚力的观点出发，交联剂的使用量优选相对于聚合物成分100重量份为0.05重量份以上。 
另外，本发明中还能够利用电子射线、紫外线等的照射来实施交联处理来代替使用交联剂或者与使用交联剂一起利用电子射线、紫外线等的照射来实施交联处理。 
上述半导体背面用膜优选被着色。由此可以发挥优异的标记性及外观性，从而能够成为具有附加价值的外观的半导体装置。这样一来，着色后的半导体背面用膜具有优异的标记性，因此利用印刷方法、激光标记方法等各种标记方法对半导体元件或使用该半导体元件的半导体装置的非电路面侧的面隔着半导体背面用膜进行标记，从而可以赋予其文字信息、图形信息等各种信息。尤其是通过控制着色的颜色，从而可以以优异的视认性观察到利用标记所赋予的信息(文字信息、图形信息等)。 
在使半导体背面用膜14着色的情况下，其着色形态没有特别的限制。例如半导体背面用膜可以是添加有着色剂的单层的膜状物。此外，也可以 是至少层叠有至少由热固化性树脂形成的树脂层和着色剂层的层叠膜。另外，在半导体背面用膜14为树脂层与着色剂层的层叠膜的情况下，作为层叠形态的半导体背面用膜14，优选具有树脂层/着色剂层/树脂层的层叠形态。该情况下，着色剂层的两侧的两个树脂层可以是相同组成的树脂层，也可以是不同组成的树脂层。 
半导体背面用膜14中可以根据需要适当配合其他的添加剂。作为其他的添加剂，除了例如填充剂(填料)、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂，还可列举：增量剂、防老化剂、抗氧化剂、表面活性剂等。 
作为上述填充剂，可以是无机填充剂、有机填充剂中的任一种，优选为无机填充剂。通过配合无机填充剂等填充剂，从而可以实现对半导体背面用膜赋予导电性、热传导性的提高、弹性模量的调节等。另外，半导体背面用膜14可以为导电性，也可以为非导电性。作为上述无机填充剂，可列举例如：二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类，铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料等金属、或者合金类，以及其他的包含碳等的各种无机粉末等。填充剂可以单独使用或并用两种以上。其中，作为填充剂，优选二氧化硅，特别优选熔融二氧化硅。另外，无机填充剂的平均粒径优选为0.1μm～80μm的范围内。无机填充剂的平均粒径例如可以利用激光衍射型粒度分布测定装置来进行测定。 
上述填充剂(尤其是无机填充剂)的配合量优选相对于有机树脂成分100重量份为80重量份以下(0重量份～80重量份)、特别优选为0重量份～70重量份。 
此外，作为上述阻燃剂，可列举例如三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。阻燃剂可以单独使用或并用两种以上。作为上述硅烷偶联剂，可列举例如β-(3，4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶联剂可以单独使用或并用两种以上。作为上述离子捕获剂，可列举例如水滑石类、氢氧化铋等。离子捕获剂可以单独使用或并用两种以上。 
半导体背面用膜14例如可以利用如下的惯用方法形成，即，所述方法为将环氧树脂等热固化性树脂、根据需要的丙烯酸树脂等热塑性树脂、 以及根据需要的溶剂、其他添加剂等混合，制备树脂组合物，并形成为膜状的层的方法。具体而言，例如，利用在适当的隔离件(剥离纸等)上涂布上述树脂组合物而形成树脂层(或胶粘剂层)并使其干燥的方法等，可以形成作为半导体背面用膜的膜状的层(胶粘剂层)。另外，上述树脂组合物可以是溶液，也可以是分散液。 
另外，在半导体背面用膜14由包含环氧树脂等热固化性树脂的树脂组合物形成的情况下，半导体背面用膜在应用于半导体晶片之前的阶段为热固化性树脂未固化或部分固化的状态。 
半导体背面用膜14的厚度(在层叠膜时为总厚度)没有特别的限定，但例如可以从2μm～200μm左右的范围适当选择。进而，上述厚度优选为4μm～160μm左右、更优选为6μm～100μm左右、特别优选为10μm～80μm左右。 
此外，半导体背面用膜14的可见光(波长：400nm～800nm)的光线透过率(可见光透过率)没有特别的限制，但例如优选为20％以下(0％～20％)的范围、更优选为10％以下(0％～10％)、特别优选为5％以下(0％～5％)。在可见光透过率为20％以下时，可以降低由于光线通过给半导体元件带来不良影响的可能性。上述可见光透过率(％)可以利用半导体背面用膜14的树脂成分的种类及其含量、着色剂(颜料、染料等)的种类及其含量、无机填充材的含量等来控制。 
[正面(face)侧加工工序] 
接着，在正面侧加工工序中，对热固化型树脂层1的未贴附半导体背面用膜14的一侧的面进行研磨(参照图6)。例如，可以在将以往公知的背磨带(back grind tape)贴附于半导体背面用膜14后，利用以往公知的背面研磨装置来进行该工序。由此使导通构件6露出。 
另外，对上述半导体背面用膜贴附工序中贴附半导体背面用膜14的情况进行了说明，本发明中可以将背磨带上层叠有半导体背面用膜的背磨带一体型的半导体背面用膜从半导体芯片5的背面5b侧进行贴附。在该情况下，可以省略贴附背磨带的工序。 
[再布线形成工序] 
接着，在再布线形成工序中，在热固化型树脂层1上形成与上述露出的导通构件6连接的再布线8(参照图7)。 
作为再布线的形成方法，例如，利用真空成膜法等公知的方法在露出的导通构件6及热固化型树脂层1上形成金属籽晶(seed)层，并利用半添加法等公知的方法，从而可以形成再布线8。 
上述之后，可以在再布线8及热固化型树脂层1上形成聚酰亚胺、PBO等绝缘层。 
[焊接突起形成工序] 
接着，可以进行在所形成的再布线8上形成焊接突起的焊接突起形成(bumping)加工(未图示)。焊接突起形成加工可以利用焊球、焊镀等公知的方法来进行。焊接突起的材质可以优选使用半导体芯片准备工序中说明的导通构件的材质。 
[切割工序] 
最后，进行具备热固化型树脂层1、半导体芯片5、半导体背面膜14及再布线8等的层叠体的切割(参照图8)。由此，可以得到向芯片区域的外侧引出布线的半导体装置11。通常在利用以往公知的切割片固定上述层叠体后进行切割。切断处的对位可以通过使用红外线(IR)的图像识别来进行。 
本工序中，例如可以采用切入到切割片的、被称为全切割(full cut)的切裁方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别的限定，可以使用以往公知的装置。 
另外，在继切割工序后进行层叠体的扩张(expand)的情况下，该扩张可以使用以往公知的扩张装置进行。扩张装置具有可隔着切割环将层叠膜压向下方的圆环状的外环和直径比外环小的支撑层叠膜的内环。通过该扩张工序，能够防止相邻的半导体装置11彼此接触而造成破损。 
综上，根据本实施方式的半导体装置的制造方法，在热固化型树脂层1上配置多个半导体芯片5后(工序C)，将多个半导体芯片5埋入热固化型树脂层1(工序D)。因此，可以将热固化型树脂层1作为密封半导体芯片5的密封材。此外，由于将半导体芯片5配置于热固化型树脂层1上后埋入热固化型树脂层1，因此无需用于暂时固定半导体芯片的片材。 此外，无需将用于暂时固定半导体芯片的片材剥离的工序。其结果可以实现制造工序的简化、制造成本的削减。此外，由于将半导体芯片5埋入热固化型树脂层1，因此无需在半导体芯片粘贴和剥离暂时固定用的片材。其结果可以抑制半导体芯片的污染。 
(其他实施方式1) 
上述的实施方式中，对正面侧加工工序、即对热固化型树脂层1的未贴附半导体背面用膜14的一侧的面进行研磨而使导通构件6露出的情况进行了说明(参照图6)。但是，本发明中，使导通构件露出的方法并不限定于此，例如可以是从热固化型树脂层侧进行激光加工而使导通构件露出(激光加工工序)的方法。在该情况下，只要代替上述正面侧加工工序而进行激光加工工序即可。图9是示意性表示本发明的其他实施方式1的半导体装置的制造方法的工序的剖面图。如图9所示，在其他实施方式1中，从热固化型树脂层1侧进行激光加工而使导通构件6露出。此时，作为激光，可以使用二氧化碳气体激光、YAG激光、准分子激光(excimer laser)等。另外，进行在激光加工后形成与所露出的导通构件6连接的再布线8的工序(再布线形成工序)。 
(其他实施方式2) 
上述实施方式中，对在热固化型树脂层1上配置多个半导体芯片5后将其埋入热固化型树脂层1的情况、即在进行半导体芯片配置工序(工序A)后进行半导体芯片埋入工序(工序B)的情况进行了说明。但是，本发明中，将半导体芯片埋入热固化型树脂层的方法并不限定于此，例如也可以将半导体芯片一个个地直接埋入热固化型树脂层。图10是用于说明本发明的其他实施方式2的半导体装置的制造方法的剖面示意图。如图10所示，在其他实施方式2中，将半导体芯片5一个个地直接埋入热固化型树脂层1。埋入例如可以使用以往公知的倒装片焊接机。作为埋入条件，压力优选0.01～3MPa、更优选0.05～1MPa。并且温度优选80～280℃、更优选180～220℃。 
根据其他实施方式2的半导体装置的制造方法，可以将热固化型树脂层1作为密封半导体芯片5的密封材。此外，由于将半导体芯片5直接埋入热固化型树脂层1，因此无需暂时固定半导体芯片的工序和用于暂时固 定半导体芯片的片材。其结果可以实现制造工序的简化、制造成本的削减。此外，由于将半导体芯片5直接埋入热固化型树脂层1，因此无需在半导体芯片粘贴和剥离暂时固定用的片材。其结果可以抑制半导体芯片的污染。 
(其他实施方式3) 
在上述实施方式中，对半导体芯片配置工序(工序C)中以热固化型树脂层1与半导体芯片5的电路形成面5a对置的方式在热固化型树脂层1上配置多个半导体芯片5的情况进行了说明(参照图1)。但是，本发明中，配置半导体芯片的朝向并不限定于此例，也可以以热固化型树脂层与半导体芯片的同电路形成面相反侧的面对置的方式在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片。图11及图12是用于说明本发明的其他实施方式3的半导体装置的制造方法的剖面示意图。首先，如图11所示，在其他实施方式3中，以热固化型树脂层1与半导体芯片5的同电路形成面5a相反侧的面对置的方式在热固化型树脂层1上配置多个半导体芯片5。接着，通过隔着在多个半导体芯片5上配置的保护膜12而施加压力，从而将多个半导体芯片5埋入热固化型树脂层1。 
(其他实施方式4) 
在上述实施方式中，对使用在支撑体2上层叠有热固化型树脂层1的树脂片10的情况进行了说明。但是，本发明中，树脂片只要具有热固化型树脂层，则并不限定于此。例如本发明的树脂片可以仅由热固化型树脂层形成。 
(半导体装置) 
如图8所示，半导体装置11具有埋入热固化型树脂层1内的半导体芯片5和形成在热固化型树脂层1上且与半导体芯片5具有的导通构件6连接的再布线8。 
实施例 
<树脂片的制作> 
使用混炼机，将环氧树脂[环氧当量200、软化点80℃、东都化成株式会社制YSLV-80XY]100重量份、苯酚固化剂[羟基当量203、软化点67℃、明和化成株式会社制MEH7851SS]105重量份、熔融二氧化硅[电气化学工业公司制、FB-9454(平均粒径20μm)]2198重量份、作 为固化促进剂的咪唑系化合物[四国化成株式会社制2PHZ-PW]2.5重量份、以及作为粘度调节用添加剂的聚苯乙烯-聚异丁烯系共聚物[KANEKA公司制SIBSTAR072T]90重量份混合后，用压力机进行压延，制作树脂片A(厚度1000μm)。 
另外，对所制成的树脂片A的粘度进行了测定，结果在120℃下的粘度为2000Pa·s。测定使用TA INSTRUMENT公司制的粘弹性测定装置ARES在1Hz的条件下进行。 
<保护膜> 
用硅酮对利用挤压制作的PET膜(厚度50μm)进行脱模处理，将所得的膜作为保护膜A。 
对利用加压制作的聚烯烃膜(厚度50μm)进行压花处理，将所得的膜作为保护膜B。 
(接触角的测定) 
关于所制作的保护膜对水的接触角，向膜上滴加纯水并用θ/2法来测定。结果如表1所示。 
【表1】 
    保护膜A   保护膜B
  对水的接触角(°)   100   80
(半导体芯片埋入工序的评价) 
使用所制作的树脂片及保护膜进行半导体芯片埋入评价。就评价而言，以使用树脂片A和保护膜A的情况作为比较例1、使用树脂片A和保护膜B的情况作为实施例1来进行评价。此外，以如图10那样将芯片一个个地埋入树脂片A的情况作为实施例例2来进行评价。具体而言，关于与比较例1和实施例1有关的评价，以树脂片的热固化型树脂层与半导体芯片的电路形成面对置的方式在热固化型树脂层上以4行4列配置16个半导体芯片。此时，以半导体芯片间的距离为5000μm的方式来进行配置。半导体芯片使用尺寸为5mm□的芯片。半导体芯片的配置使用新川公司制的装置名芯片焊接机SPA-300在台面温度70℃、芯片焊接压力1kg、加压时间1sec下进行配置。接着，进行半导体芯片的埋入。具体而言，在 MIKADO TECHNOS公司制的装置名瞬时真空层叠装置VS008-1515上配置保护膜，隔着保护膜施加压力，从而将多个半导体芯片埋入热固化型树脂层。此时，装置的设定条件以真空20Torr气氛、台面温度90℃、压力0.05MPa、加压时间1分钟进行。然后，在温度120℃、加热时间3hr的条件下使热固化型树脂层固化。利用显微镜观察热固化型树脂层在固化后有无在半导体芯片的背面留有残浆。结果如表2所示。此外，将热固化型树脂层固化前后的芯片间的距离的变化为20μm以内的情况评价为无芯片移位，将该变化大于20μm的情况评价为有芯片移位。结果如表2所示。 
此外，与实施例2有关的评价，使用松下公司制的倒装片焊接机FB30T-M，在筒套(collet)温度200℃、压入速度50μm/sec、负重1kg、10sec下埋入尺寸为5mm□的半导体芯片，此时，以半导体芯片间的距离为5000μm的方式进行配置。然后，在温度120℃、加热时间3hr的条件下使热固化型树脂层固化。将热固化型树脂层固化前后的芯片间的距离的变化为20μm以内的情况评价为无芯片移位，将该变化大于20μm的情况评价为有芯片移位。结果如表2所示。 
【表2】 
   实施例1   实施例2  比较例1
  芯片移位  无   无  有
  固化后的残浆  无   -  无
符号说明 
1        热固化型树脂层 
2        支撑体 
5        半导体芯片 
5a       电路形成面 
6        导通构件 
10       树脂片 
12       保护膜 
14       半导体背面用膜。 

Claims (2)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序：
工序A，准备半导体芯片；
工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片；
工序C，在所述热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；以及
工序D，在所述多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的所述保护膜而施加的压力，将所述多个半导体芯片埋入所述热固化型树脂层，
其中，所述保护膜对水的接触角为90°以下。
2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其是具有半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序：
工序A，准备半导体芯片；
工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片；以及
工序D，将所述多个半导体芯片埋入所述热固化型树脂层。
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