CN103151369A - 一种像素结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素结构及其制作方法，用以解决现有技术中存在的有机发光显示器的显示亮度较低的问题。本发明实施例提供一种像素结构，包括基板，设置于基板上的有机发光层，还包括用于聚集有机发光层产生的光的有机聚光层。本发明实施例提高了有机发光显示器的显示亮度。

Description

一种像素结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素结构及其制作方法。
背景技术
有机发光显示器是一种新型的显示器件，与液晶显示器相比，有机发光显示器具有自发光、响应速度快和宽视角等优点，而且可以进行柔性显示、透明显示和3D显示，因而得到了快速发展与普及。实现有机发光显示器显示彩色的方式有多种，比如，RGB（红绿蓝）全彩OLED（有机发光二极管）方式、WOLED-CF（白色OLED及其红、绿、蓝、白四色彩色滤光片）方式和WOLED-COA（白色OLED及其彩色滤波阵列）方式等，其中，WOLED-COA实现方式由于在基板上直接制备彩色薄膜，因而具有彩色效果好、工艺简单和生产成本低等特点，从而得到了广泛的应用。
在采用WOLED-COA方式实现有机发光显示器显示彩色时，针对有机发光显示器包含的多个像素结构中的各个像素结构，所述各个像素结构包括OLED层和彩色薄膜层，其中，OLED层用于产生白色的光，彩色薄膜层用于将OLED层产生的白光变为彩色光。由于从OLED层发出的白光是射向各个方向的，因而OLED层发出的白光经过彩色薄膜层后，形成的彩色光的强度比较小，从而导致所述有机发光显示器的显示亮度较低。
综上所述，目前的有机发光显示器包含的像素结构中，从OLED层发出的白光是射向各个方向的，因而OLED层发出的白光经过彩色薄膜层后，形成的彩色光的强度比较小，从而导致所述有机发光显示器的显示亮度较低。
发明内容
本发明实施例提供的一种像素结构及其制作方法，用以解决现有技术中存在的有机发光显示器的显示亮度较低的问题。
本发明实施例提供的一种像素结构，包括基板，设臵于基板上的有机发光层，还包括：
有机聚光层，用于聚集有机发光层产生的光。
本发明实施例提供的一种像素结构的制作方法，包括：
在基板上制备有机聚光层，以及在有机聚光层上制备有机发光层；或
在基板上制备有机发光层，以及在有机发光层上制备有机聚光层。
本发明实施例提供的像素结构包括基板，设臵于基板上的有机发光层，还包括用于聚集有机发光层产生的光的有机聚光层，由于有机聚光层能够将来自有机发光层的光聚集，使得穿过有机聚光层的光的强度增强，从而提高了有机发光显示器的显示亮度。
附图说明
图1为本发明实施例中的第一像素结构的结构示意图；
图2为本发明实施例中的第二像素结构的结构示意图；
图3A～图3D为本发明实施例有机聚光层在基板上的投影示意图；
图4为本发明实施例制作第一像素结构的方法流程示意图；
图5为本发明实施例制作第二像素结构的方法流程示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供的像素结构包括基板，设臵于基板上的有机发光层，还包括用于聚集有机发光层产生的光的有机聚光层，由于有机聚光层能够将来自有机发光层的光聚集，使得穿过有机聚光层的光的强度增强，从而提高了有机发光显示器的显示亮度。
需要说明的是，本发明实施例中的一个像素结构即为一个像素单元。
下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。
本发明实施例提供的像素结构，包括基板，设臵于基板上的有机发光层，还包括：
用于聚集有机发光层产生的光的有机聚光层。
较佳地，有机聚光层的材料为透明有机材料，透光率值大于特定阈值的有机材料。
具体实施中，特定阈值可以根据需要设定，比如，设定为95%。
较佳地，有机聚光层为透明有机膜，比如，有机聚光层为由丙烯酸树脂（(C3H4O2)n）或者丙烯酸树脂的衍生物形成的透明有机膜。
较佳地，根据有机聚光层与有机发光层的位臵关系，本发明实施例提供两类不同的像素结构，分别为第一像素结构和第二像素结构，下面将分别进行介绍。
第一像素结构，有机聚光层设臵于彩色薄膜层的上方，并且设臵于有机发光层的下方。
如图1所示，本发明实施例提供的第一像素结构包括基板100，设臵于基板100上的薄膜晶体管101，设臵于基板100上且部分覆盖薄膜晶体管101的第一钝化层102，设臵于第一钝化层102上的彩色薄膜层103，设臵于彩色薄膜层103上的平坦化层104，设臵于平坦化层104上的第二钝化层105，设臵于第二钝化层105上且与薄膜晶体管101电性连接的透明电极层106，设臵于透明电极层106上的像素电极层107，设臵于像素电极层107上的OLED层（即，有机发光层）108，设臵于有机发光层108上的阴极金属层109。
其中，薄膜晶体管101包括设臵于基板100上的栅电极层1011，设臵于基板100上且覆盖栅电极层1011的栅极绝缘层1012，设臵于栅极绝缘层1012上的半导体活化层1013，设臵于半导体活化层1013上的刻蚀阻挡层1014，分别设臵于半导体活化层1013的两侧的漏电极1015a和源电极1015b。
较佳地，透明电极层106与薄膜晶体管101进行电性连接，具体包括：
透明电极层106通过第一接触孔110，与薄膜晶体管101的漏电极1015a进行电性连接，其中，第一接触孔110穿透第二钝化层105、平坦化层104、彩色薄膜层103和第一钝化层102，并连通至薄膜晶体管101的漏电极1015a。
较佳地，本发明实施例提供的第一像素结构还包括有机聚光层111，设臵于彩色薄膜层103的上方且设臵于有机发光层108的下方，用于聚集有机发光层108产生的光。
实施中，由于阴极金属层109具有非透光性，像素电极层107、透明电极层106、第二钝化层105和平坦化层104具有透光性，因而有机发光层108产生的光向基板100方向（向底部）传输，设臵于有机发光层108的下方且设臵于彩色薄膜层103的上方的有机聚光层111将来自有机发光层108的光聚集起来后，射向彩色薄膜层103，由于有机聚光层111将有机发光层108发出的分散的、射向各个方向的光聚集起来，因而形成的彩色光的强度和密度比较大，从而导致有机发光显示器的显示亮度较高。
较佳地，有机聚光层111包括至少一个第一透镜单元112。
较佳地，有机聚光层111包括1～10个第一透镜单元112。
其中，有机聚光层111包括一个第一透镜单元112的第一像素结构在基板100上的投影如图3A所示，有机聚光层111包括四个第一透镜单元112的第一像素结构在基板100上的投影如图3B所示，其中图3A和图3B中的a区域是薄膜晶体管101在基板100上的投影区域，图3A和图3B中的b区域是有机聚光层111包括的第一透镜单元112在基板100上的投影区域。
较佳地，第一透镜单元112为凸透镜。
实施中，由于有机发光层108产生的光向基板100方向（向底部）传输，第一透镜单元112为凸透镜，由于有机聚光层111凸向来光方向，因而有机聚光层111能够实现将有机发光层108发出的分散的、射向各个方向的光聚集起来，并且光在有机聚光层111与相邻的上一层形成的交界面处发生折射。
较佳地，第一透镜单元112垂直于基板100方向的截面的形状为圆弧形，即第一透镜单元112与相邻的上一层形成的交界面的形状为圆弧形。
较佳地，第一透镜单元112平行于基板100方向的截面的形状可以根据需要设臵，比如，设臵为圆形、椭圆形或者矩形。
其中，第一透镜单元112平行于基板100方向的截面的形状为圆形时，包括第一透镜单元112的第一像素结构在基板100上的投影如图3A和图3B所示；第一透镜单元112平行于基板100方向的截面的形状为矩形时，包括第一透镜单元112的第一像素结构在基板100上的投影如图3C和图3D所示。
较佳地，针对第一透镜单元112平行于基板100方向的截面为圆形和椭圆形的情况，第一透镜单元112平行于基板100方向的截面的长半径平行或垂直于像素结构的长边；针对第一透镜单元112平行于基板100方向的截面为矩形的情况，第一透镜单元112平行于基板100方向的截面的长边平行或垂直于像素结构的长边，其中，像素结构的长边是指像素结构或者像素单元的最长边，如图3A所示，图3A中的边长AB即为像素结构的长边。
其中，如图3A所示，第一透镜单元112平行于基板100方向的截面为圆形时，该圆形的长半径平行于像素结构的长边；如图3C所示，第一透镜单元112平行于基板100方向的截面为矩形时，该矩形的长边平行于像素结构的长边。
实施中，包括第一透镜单元112的有机聚光层111具有更好的聚光效果。
具体实施中，有机聚光层111的厚度可以根据需要设定，比如，设臵为0.2μm-5μm，较佳地，有机聚光层111的厚度为1μm-2μm。
较佳地，位于有机聚光层111上方的且与有机聚光层111相邻的一层的材料与有机聚光层111的材料不同。
较佳地，位于有机聚光层111上方的且与有机聚光层111相邻的一层的光折射率大于有机聚光层111的光折射率。
实施中，位于有机聚光层111上方的且与有机聚光层111相邻的一层的光折射率比有机聚光层111的光折射率越大，在有机聚光层111与相邻的上一层形成的交界面处发生折射的光会越向一个点聚集，因而有机聚光层111聚集有机发光层108发出的光的能力越强。
较佳地，有机聚光层111可以设臵在多个位臵，比如，有机聚光层111可以设臵于彩色薄膜层103的上方和平坦化层104的下方，有机聚光层111可以设臵于平坦化层104的上方和第二钝化层105的下方，有机聚光层111可以设臵于第二钝化层105的上方和透明电极层106的下方等。
较佳地，本发明实施例中的有机聚光层111可以为一个，也可以为多个，不同的有机聚光层111的位臵不限。
较佳地，第一像素结构还包括用于将来自有机发光层108的光射向各个方向的自由传输层113，设臵于彩色薄膜层103的上方，并且自由传输层113在基板100上的投影区域与有机聚光层111在基板100上的投影区域不会重叠。
图3A、图3B、图3C和图3D中的c区域是自由传输层113在基板100上的投影区域。
实施中，在有机聚光层111将有机发光层108发出的光聚集起来，实现增强显示器件的显示亮度时，由于存在能够将来自有机发光层108的光射向各个方向的自由传输层113，从而保证了显示器件的器件视角。
为了方便说明，下面将以有机聚光层111可以设臵于彩色薄膜层103的上方和平坦化层104的下方，以及有机聚光层111存在一个第一透镜单元112为例对有机聚光层111的实施进行具体说明，针对其他情况的实施方式与本发明实施例的实施方式类似，在此不再赘述。
如图1所示，有机聚光层111设臵于彩色薄膜层103的上方和平坦化层104的下方，包括一个第一透镜单元112，该第一透镜单元112的上界面垂直于基板100方向的截面为圆弧形；另外，平坦化层104的材料与有机聚光层111的材料不同，平坦化层104的光折射率小于有机聚光层111的光折射率，但是平坦化层104和有机聚光层111均为透明有机膜。
与薄膜晶体管101的漏电极1015a进行电性连接的透明电极层106为有机发光层108提供阳极电信号，具有非透光性的阴极金属层109为有机发光层108提供阴极电信号。
有机发光层108产生的白光经过具有透光性的像素电极层107、透明电极层106、第二钝化层105和平坦化层104，射到有机聚光层111和自由传输层113上。
有机聚光层111将接收到的有机发光层108产生的白光聚集起来，自由传输层113将接收到的有机发光层108产生的白光射向各个方向。
有机聚光层111和自由传输层113发射出去的白光经过彩色薄膜层103后，经滤光变为彩色光。
较佳地，栅电极层1011为由Mo（钼）、MoNb（钼铌合金）、Al（铝）、AlNd（铝钕合金）、Ti（钛）和Cu（铜）中的一种或多种形成的单层或多层复合膜。
较佳地，栅电极层1011的厚度为100nm～3000nm。
较佳地，栅极绝缘层1012为由SiOx（硅的氧化物）、SiNx（硅的氮化物）、HfOx（铪的氧化物）、SiON（硅的氮氧化物）和AlOx（铝的氧化物）中的一种或多种形成的单层或多层复合膜。
较佳地，栅极绝缘层1012的H（氢）含量低于特定阈值。
具体实施中，特定阈值可以根据需要设定，比如，设定为10%。
需要说明的是，现有技术中像素结构中的薄膜晶体管的栅极绝缘层的H含量的实施方式也适用于本发明。
较佳地，栅极绝缘层1012的厚度为
Figure BDA00002825026800071
较佳地，半导体活化层1013为由a-Si（非晶硅）、P-Si（多晶硅）或氧化物半导体的材质制成。
较佳地，该氧化物半导体为由包含In（铟）、Ga（镓）、Zn（锌）、O（氧）和Sn（锡）等元素的薄膜制成的，其中该薄膜中必须包含氧元素和其他两种以上的元素，比如IGZO（氧化铟镓锌）、IZO（氧化铟锌）、InSnO（氧化铟锡）、InGaSnO（氧化铟镓锡）等。
较佳地，半导体活化层1013的厚度为10nm～100nm。
较佳地，刻蚀阻挡层1014为由SiOx、SiNx、HfOx和AlOx中的一种或多种形成的单层或多层复合膜。
较佳地，刻蚀阻挡层1014的H（氢）含量低于特定阈值。
具体实施中，特定阈值可以根据需要设定，比如，设定为8%。
需要说明的是，现有技术中像素结构中的薄膜晶体管的刻蚀阻挡层的H含量的实施方式也适用于本发明。
较佳地，刻蚀阻挡层1014的厚度为
Figure BDA00002825026800081
较佳地，漏电极1015a和源电极1015b为由Mo、MoNb、Al、AlNd、Ti和Cu中的一种或多种形成的单层或多层复合膜。
较佳地，第一钝化层102为由SiOx、SiNx、HfOx和AlOx中的一种或多种形成的单层或多层复合膜。
较佳地，第一钝化层102为由SiOx和SiNx构成的双层复合膜，较佳地，SiOx的厚度为SiNx的厚度为
Figure BDA00002825026800083
较佳地，第一钝化层102的H含量低于特定阈值。
具体实施中，特定阈值可以根据需要设定，比如，设定为10%。
需要说明的是，现有技术中像素结构的钝化层的H含量的实施方式也适用于本发明。
较佳地，第一钝化层102具有较好的致密性和表面特性。
具体实施中，平坦化层104的厚度为0.2μm～5μm，较佳地，平坦化层104的厚度为1μm～2μm。
较佳地，第二钝化层105的实施方式与第一钝化层102的实施方式类似，只不过为了确保第一钝化层102保护的薄膜晶体管101具有较好的性能，需要第一钝化层102的H含量低于第二钝化层105的H含量，以及第一钝化层102的致密性高于第二钝化层105的致密性。
第二像素结构，有机聚光层设臵于所述有机发光层的上方，并且设臵于有机保护层的下方。
如图2所示，本发明实施例提供的第二像素结构包括基板200，设臵于基板200上的薄膜晶体管201，设臵于基板200上且部分覆盖薄膜晶体管201的钝化层202，设臵于钝化层202上的反射电极层203，设臵于反射电极层203上且与薄膜晶体管201电性连接的透明电极层204，设臵于透明电极层204上的像素电极层205，设臵于像素电极层205上的OLED层（即，有机发光层）206，设臵于有机发光层206上的阴极金属层207，设臵于阴极金属层207上的彩色薄膜层208，设臵于彩色薄膜层208上的有机聚光层209。
其中，薄膜晶体管201包括设臵于基板200上的栅电极层2011，设臵于基板200上且覆盖栅电极层2011的栅极绝缘层2012，设臵于栅极绝缘层2012上的半导体活化层2013，设臵于半导体活化层2013上的刻蚀阻挡层2014，分别设臵于半导体活化层2013的两侧的漏电极2015a和源电极2015b。
较佳地，透明电极层204与薄膜晶体管201进行电性连接，具体包括：
透明电极层204通过第二触孔210，与薄膜晶体管201的漏电极2015a进行电性连接，其中，第二接触孔210穿透反射电极层203和钝化层202，并连通至薄膜晶体管201的漏电极2015a。
实施中，与薄膜晶体管201的漏电极2015a进行电性连接的透明电极层204为有机发光层206提供阳极电信号，具有透光性的阴极金属层207为有机发光层206提供阴极电信号。
有机发光层206产生的一部分白光经过具有透光性的像素电极层205和透明电极层204射到反射电极层203上，反射电极层203将接收到的白光反射出去，被反射电极层203反射出去的白光依次穿过透明电极层204、像素电极层205、有机发光层206、阴极金属层207、彩色薄膜层208和有机聚光层209；有机发光层206产生的另一部分白光依次穿过阴极金属层207、彩色薄膜层208和有机聚光层209。
彩色薄膜层208将接收到的有机发光层206产生的白光转变为彩色光。
有机聚光层209将接收到的彩色光聚集起来。
具体实施中，第二像素结构中的栅电极层2011、栅极绝缘层2012、半导体活化层2013、刻蚀阻挡层2014、漏电极2015a、源电极2015b和钝化层202的实施方式与第一像素结构中的栅电极层1011、栅极绝缘层1012、半导体活化层1013、刻蚀阻挡层1014、漏电极1015a、源电极1015b和钝化层102的实施方式类似，在此不再赘述。
较佳地，反射电极层203采用的材料为对光具有很强的反射作用的Ag（银）。
较佳地，本发明实施例提供的第二像素结构还包括有机保护层211，设臵于有机聚光层209的上方，用于保护第二像素结构不被空气和水气等的侵蚀。
较佳地，有机保护层211为透光率值大于设定阈值的透明有机膜。
具体实施中，设定阈值可以根据需要设定，比如，设定为95%。
需要说明的是，现有技术中像素结构的有机保护层的实施方式也适用于本发明。
具体实施中，有机保护层211的厚度为0.2μm～5μm，较佳地，有机保护层211的厚度为1μm～2μm。
具体实施中，有机聚光层209的厚度可以根据需要设定，比如，设臵为0.2μm-5μm，较佳地，有机聚光层209的厚度为1μm-2μm。
较佳地，有机聚光层209包括至少一个第二透镜单元212。
较佳地，有机聚光层209包括1～10个第二透镜单元212。
较佳地，第二透镜单元212为凹透镜。
实施中，由于有机发光层206产生的光向阴极金属层207方向（向顶部）传输，第二透镜单元212为凹透镜，由于有机聚光层209凸向来光方向，因而有机聚光层209能够实现将有机发光层206发出的分散的、射向各个方向的光聚集起来，需要说明的是，由于有机聚光层209凸向来光方向，因而光在有机聚光层209和有机保护层211的交界面发生折射，光在有机保护层211发生聚集。
较佳地，第二透镜单元212垂直于基板200方向的截面的形状为圆弧形，即第二透镜单元212与有机保护层211（相邻的上一层）形成的交界面的形状为圆弧形。
较佳地，第二透镜单元212平行于基板200方向的截面的形状为圆形、椭圆形或者矩形。
实施中，包括第二透镜单元212的有机聚光层209具有更好的聚光效果。
较佳地，有机聚光层209和有机保护层211的材料不同。
较佳地，有机保护层211的光折射率小于有机聚光层209的光折射率。
实施中，有机保护层211的光折射率比有机聚光层209的光折射率越小，在有机聚光层209与有机保护层211形成的交界面处发生折射的光会越向一个点聚集，因而有机聚光层209聚集有机发光层206发出的光的能力越强。
较佳地，第二像素结构还包括用于将来自有机发光层206的光射向各个方向的自由传输层213，自由传输层213在基板200上的投影区域与有机聚光层209在基板200上的投影区域不会重叠。
具体实施中，第二像素结构中的有机聚光层209的实施方式与第一像素结构中的有机聚光层111的实施方式类似，重复之处不再赘述。
较佳地，本发明实施例还提供了制作上述的像素结构（第一像素结构和第二像素结构）的方法，包括：
在基板上制备有机聚光层，以及在有机聚光层上制备有机发光层；或
在基板上制备有机发光层，以及在有机发光层上制备有机聚光层。
针对不同结构的像素结构，制作像素结构的方法也不同，下面将分别进行介绍。
一、制作第一像素结构的方法。
较佳地，如图4所示，本发明实施例制作第一像素结构的方法，包括：
步骤401、在基板上制备薄膜晶体管，在薄膜晶体管上制备覆盖薄膜晶体管的第一钝化层；
步骤402、在第一钝化层上制备彩色薄膜层；
步骤403、在彩色薄膜层上制备有机聚光层；
步骤404、在有机聚光层上制备平坦化层；
步骤405、在平坦化层上制备第二钝化层；
步骤406、通过光刻形成穿透第二钝化层、平坦化层、有机聚光层、彩色薄膜层和第一钝化层，并连通至薄膜晶体管的漏电极的第一接触孔；
步骤407、在第二钝化层上制备通过第一接触孔连接至薄膜晶体管的漏电极的透明电极层；
步骤408、在透明电极层上制备像素电极层；
步骤409、在像素电极层上制备有机发光层。
较佳地，在步骤401中，在基板上制备薄膜晶体管，具体包括：
在基板上制备栅电极层，在栅电极层上制备覆盖栅电极层的栅极绝缘层，在栅极绝缘层上制备半导体活化层，在半导体活化层上制备刻蚀阻挡层，在半导体活化层的两侧制备漏电极1015a和源电极1015b。
较佳地，在步骤401中，在薄膜晶体管上制备覆盖薄膜晶体管的第一钝化层，具体包括：
采用PECVD（plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子增强的化学蒸发沉积）技术，在薄膜晶体管上制备覆盖薄膜晶体管的第一钝化层。
较佳地，步骤403中，在彩色薄膜层上制备有机聚光层，具体包括：
在彩色薄膜层上沉积透光率大于特定阈值的有机膜层；
在有机膜层上覆盖半透光的掩模板；
将覆盖掩模板的有机膜层进行曝光处理，得到有机聚光层。
具体实施中，本发明实施例中制作第一像素结构的方法中的有机聚光层的透光率的实施方式与本发明实施例中第一像素结构包含的有机聚光层的透光率的实施方式类似。
较佳地，为了实现制备的有机聚光层包括的第一透镜单元为凸透镜，可以采用从边缘到中心透光度逐渐降低的掩模板作为覆盖在有机膜层上的掩模板，即半透光的掩模板为透光率渐变的掩模板。
较佳地，步骤405中，在平坦化层上制备第二钝化层，具体包括：
采用PECVD技术，在平坦化层上制备第二钝化层。
较佳地，步骤409、在像素电极层上制备有机发光层之后，还包括：
在有机发光层上制备阴极金属层。
需要说明的是，有机聚光层可以位于多个位臵，比如，有机聚光层111可以位于彩色薄膜层103的上方和平坦化层104的下方，可以位于平坦化层104的上方和第二钝化层105的下方，可以位于第二钝化层105的上方和透明电极层106的下方，针对有机聚光层位于不同的位臵的实施方式与本发明实施例的实施方式类似，只不过针对有机聚光层位于不同的位臵，制作第一像素结构的包括的层的顺序不同。
二、制作第二像素结构的方法。
较佳地，如图5所示，本发明实施例制作第二像素结构的方法，包括：
步骤501、在基板上制备薄膜晶体管，在薄膜晶体管上制备覆盖薄膜晶体管的钝化层；
步骤502、在钝化层上制备反射电极层；
步骤503、通过光刻形成穿透反射电极层和钝化层，并连通至薄膜晶体管的漏电极的第二接触孔；
步骤504、在反射电极层上制备通过第二接触孔连接至薄膜晶体管的漏电极的透明电极层；
步骤505、在透明电极层上制备像素电极层；
步骤506、在像素电极层上制备有机发光层；
步骤507、在有机发光层上制备阴极金属层；
步骤508、在阴极金属层上制备彩色薄膜层；
步骤509、在彩色薄膜层上制备有机聚光层。
具体实施中，在步骤501中，制作第二像素结构中的薄膜晶体管的方法的实施方式与制作第二像素结构中的薄膜晶体管的方法的实施方式类似，在此不再赘述。
较佳地，步骤501中，在薄膜晶体管上制备覆盖薄膜晶体管的钝化层，具体包括：
采用PECVD技术，在薄膜晶体管上制备覆盖薄膜晶体管的钝化层。
较佳地，步骤502中，在钝化层上制备反射电极层，具体包括：
采用Sputter（溅射）技术，在钝化层上制备反射电极层。
较佳地，步骤509中，在彩色薄膜层上制备有机聚光层，具体包括：
在彩色薄膜层上沉积透光率大于特定阈值的有机膜层；
在有机膜层上覆盖半透光的掩模板；
将覆盖掩模板的有机膜层进行曝光处理，得到有机聚光层。
具体实施中，本发明实施例中制作第二像素结构的方法中的有机聚光层的透光率的实施方式与本发明实施例中第二像素结构包含的有机聚光层的透光率的实施方式类似。
较佳地，为了实现制备的有机聚光层包括的第二透镜单元为凹透镜，可以采用从边缘到中心透光度逐渐升高的掩模板作为覆盖在有机膜层上的掩模板，即半透光的掩模板为透光率渐变的掩模板。
较佳地，步骤509、在彩色薄膜层上制备有机聚光层之后，还包括：
在有机聚光层上制备有机保护层。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (21)

1.一种像素结构，包括基板，设置于所述基板上的有机发光层，其特征在于，还包括：
有机聚光层，用于聚集所述有机发光层产生的光。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括彩色薄膜层，所述有机聚光层设置于所述有机发光层的下方且设置于所述彩色薄膜层的上方。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该像素结构还包括平坦化层，所述平坦化层设置于所述有机发光层的下方且设置于所述有机聚光层的上方。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述有机聚光层的光折射率小于所述平坦化层的光折射率。
5.如权利要求2～4任一所述的像素结构，其特征在于，所述有机聚光层包括至少一个第一透镜单元。
6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第一透镜单元为凸透镜。
7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述第一透镜单元平行于基板方向的截面为圆形、椭圆形或者矩形。
8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述第一透镜单元垂直于基板方向的截面的形状为圆弧形。
9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括有机保护层，所述有机聚光层设置于所述有机发光层的上方且设置于所述有机保护层的下方。
10.如权利要求9所述的像素结构，其特征在于，所述有机保护层的光折射率小于所述有机聚光层的光折射率。
11.如权利要求9或10所述的像素结构，其特征在于，所述有机聚光层包括至少一个第二透镜单元。
12.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，所述第二透镜单元为凹透镜。
13.如权利要求12所述的像素结构，其特征在于，所述第二透镜单元平行于基板方向的截面的形状为圆形、椭圆形或者矩形。
14.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，所述第二透镜单元垂直于基板方向的截面的形状为圆弧形。
15.如权利要求1～4、6～10、12～14任一所述的像素结构，其特征在于，所述有机聚光层的材料为透明有机材料。
16.如权利要求15所述的像素结构，其特征在于，该像素结构还包括用于将来自有机发光层的光射向各个方向的自由传输层，所述自由传输层在基板上的投影区域与所述有机聚光层在基板上的投影区域不重叠。
17.一种如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在基板上制备有机聚光层，以及在有机聚光层上制备有机发光层；或
在基板上制备有机发光层，以及在有机发光层上制备有机聚光层。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，在所述基板上制备所述有机聚光层，以及在所述有机聚光层上制备有机发光层，具体包括：
在基板上制备薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管上制备覆盖所述薄膜晶体管的第一钝化层；
在所述第一钝化层上制备彩色薄膜层；
在所述彩色薄膜层上制备有机聚光层；
在所述有机聚光层上制备平坦化层；
在所述平坦化层上制备第二钝化层；
通过光刻形成穿透第二钝化层、平坦化层、有机聚光层、彩色薄膜层和第一钝化层，并连通至所述薄膜晶体管的漏电极的第一接触孔；
在所述第二钝化层上制备通过所述第一接触孔连接至所述薄膜晶体管的漏电极的透明电极层；
在所述透明电极层上制备像素电极层；
在所述像素电极层上制备有机发光层。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，在所述彩色薄膜层上制备有机聚光层，具体包括：
在所述彩色薄膜层上制备透明有机膜层；
在所述有机膜层上覆盖透光率渐变的掩模板；
将所述覆盖掩模板的有机膜层进行曝光处理，得到所述有机聚光层。
20.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述在基板上制备有机发光层，以及在有机发光层上制备有机聚光层，具体包括：
在基板上制备薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管上制备覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；
在所述钝化层上制备反射电极层；
通过光刻形成穿透反射电极层和钝化层，并连通至所述薄膜晶体管的漏电极的第二接触孔；
在所述反射电极层上制备通过所述第二接触孔连接至所述薄膜晶体管的漏电极的透明电极层；
在所述透明电极层上制备像素电极层；
在所述像素电极层上制备有机发光层；
在所述有机发光层上制备阴极金属层；
在所述阴极金属层上制备彩色薄膜层；
在所述彩色薄膜层上制备有机聚光层。
21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，在所述彩色薄膜层上制备有机聚光层，具体包括：
在所述彩色薄膜层上制备透明有机膜层；
在所述有机膜层上覆盖透光率渐变的掩模板；
将所述覆盖掩模板的有机膜层进行曝光处理，得到所述有机聚光层。
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