KR20160016339A - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판, 기판 상에 형성된 제1 애노드 및 제2 애노드, 제1 애노드와 제2 애노드 사이에 형성된 제1 보조 전극, 제1 애노드 및 제2 애노드 상에 각각 형성된 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층, 제1 애노드의 에지를 덮도록 형성되며, 제1 보조 전극의 제1 에지 상부에 형성된 언더컷(undercut)을 갖는 제1 뱅크층, 제2 애노드의 에지를 덮도록 형성되며, 제1 보조 전극의 제2 에지 상부에 형성된 언더컷을 갖는 제2 뱅크층, 제1 뱅크층의 언더컷과 제1 보조 전극 사이에 배치된 제2 보조 전극, 제2 뱅크층의 언더컷과 제1 보조 전극 사이에 배치된 제3 보조 전극, 제1 유기 발광층 및 제1 뱅크층 상에 형성되며, 제2 보조 전극과 전기적으로 연결된 제1 캐소드, 및 제2 유기 발광층 및 제2 뱅크층 상에 형성되며, 제3 보조 전극과 전기적으로 연결된 제2 캐소드를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 고해상도 디스플레이를 구현하면서도 캐소드에서의 전압 강하를 최소화할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 캐소드에서의 전압 강하를 최소화할 수 있으면서도 양호한 개구율을 확보할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.
유기 발광 표시 장치 중 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치의 경우, 유기 발광층에서 발광된 빛을 상부로 발광시키기 위해 캐소드로 투명 특성의 전극 또는 반투과 특성의 전극을 사용한다. 캐소드로 투명 특성의 전극을 사용하는 경우 및 반투과 특성의 전극을 사용하는 경우 모두, 투과율을 향상시키기 위해 캐소드의 두께를 얇게 형성하는데, 캐소드 두께의 감소는 캐소드 전극의 전기적 저항을 증가시킨다. 이로 인해, 대면적의 유기 발광 표시 장치의 경우 전압 공급 패드부로부터 멀어질수록 전압 강하가 더 심하게 발생하여 유기 발광 표시 장치의 휘도 불균일 문제점을 발생시킬 수 있다.
전압 강하 현상을 최소화하기 위해, 별도의 보조 전극을 형성하는 방식이 사용되고 있다. 도 1은 종래의 기술에 따른 보조 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 대한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 기술에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 오버 코팅층(140), 제1 애노드(150), 제2 애노드(152), 보조 전극(154), 제1 유기 발광층(160), 제2 유기 발광층(162), 유기 물질층(164), 제1 뱅크층(170), 제2 뱅크층(172), 격벽(174), 제1 캐소드(190), 제2 캐소드(192) 및 도전체층(194)을 포함한다.
여기서, 제1 애노드(150), 제2 애노드(152) 및 보조 전극(154)은 동일한 물질로 동시의 공정에서 형성되고, 제1 유기 발광층(160), 제2 유기 발광층(162) 및 유기 물질층(164) 역시 동일한 물질로 동시의 공정에서 형성되며, 제1 캐소드(190), 제2 캐소드(192) 및 도전체(194) 역시 동일한 물질로 동시의 공정에서 형성된다.
도 1의 유기 발광 표시 장치(100)에서는 제1 캐소드(190) 및 제2 캐소드(192)와 전기적으로 연결된 보조 전극(154)이 전압 강하를 최소화하여 유기 발광 표시 장치(100)의 휘도 불균일 문제를 개선한다.
그러나, 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)에서는 제1 유기 발광층(160)과 제2 유기 발광층(162)을 단절시키기 위한 격벽(174)이 보조 전극(154) 상에 필수적으로 배치되어야 하며, 이에 따라 격벽(174)을 배치하기 위한 제1 뱅크층(170)과 제2 뱅크층(172) 사이의 소정의 간격(w1)이 필수적으로 확보되어야만 한다.
필수적으로 확보되어야 하는 제1 뱅크층(170)과 제2 뱅크층(172) 사이의 소정의 간격(w1)은 발광될 수 있는 면적이 아니다. 따라서, 동일 면적을 가지는 유기 발광 표시 장치에서 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)에서와 같이 보조 전극(154) 및 격벽(174)을 형성하는 경우, 발광 영역이 줄어들고 유기 발광 표시 장치의 개구율이 저하될 수 밖에 없다.
이에, 전압 강하 현상을 억제할 수 있으면서도 유기 발광 표시 장치의 개구율 저하를 최소화할 수 있는 새로운 기술에 대한 요구가 계속되고 있는 실정이다.
[관련기술문헌]
1. 유기전계발광소자 및 그 제조방법(특허출원번호 제 10-2009-0061834호)
본 발명의 발명자들은 상술한 바와 같은 보조 전극을 포함하는 종래의 유기 발광 표시 장치를 제조할 때에 발생되는 문제점들을 인식하고, 캐소드에서의 전압 강하 현상을 억제할 수 있으면서도 유기 발광 표시 장치의 개구율 저하를 최소화할 수 있는 새로운 구조의 유기 발광 표시 장치를 발명하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전체 디스플레이의 휘도 균일도에 영향을 미치는 캐소드로 인한 전압 강하 현상을 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 뱅크층들 사이에 보조 전극을 배치함에 따라 개구율이 저하되는 문제점을 해결할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판, 기판 상에 형성된 제1 애노드 및 제2 애노드, 제1 애노드와 제2 애노드 사이에 형성된 제1 보조 전극, 제1 애노드 및 제2 애노드 상에 각각 형성된 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층, 제1 애노드의 에지를 덮도록 형성되며, 제1 보조 전극의 제1 에지 상부에 형성된 언더컷(undercut)을 갖는 제1 뱅크층, 제2 애노드의 에지를 덮도록 형성되며, 제1 보조 전극의 제2 에지 상부에 형성된 언더컷을 갖는 제2 뱅크층, 제1 뱅크층의 언더컷과 제1 보조 전극 사이에 배치된 제2 보조 전극, 제2 뱅크층의 언더컷과 제1 보조 전극 사이에 배치된 제3 보조 전극, 제1 유기 발광층 및 제1 뱅크층 상에 형성되며, 제2 보조 전극과 전기적으로 연결된 제1 캐소드, 및 제2 유기 발광층 및 제2 뱅크층 상에 형성되며, 제3 보조 전극과 전기적으로 연결된 제2 캐소드를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 고해상도 디스플레이를 구현하면서도 캐소드에서의 전압 강하를 최소화할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 애노드, 제2 애노드 및 제1 보조 전극은 서로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 뱅크층의 언더컷은 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극과 접하는 일면을 포함하고, 제2 뱅크층의 언더컷은 제1 보조 전극 및 제3 보조 전극과 접하는 일면을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 뱅크층의 언더컷은 제1 보조 전극과 마주보며 제2 보조 전극과 접하는 다른 일면을 포함하고, 제2 뱅크층의 언더컷은 제1 보조 전극과 마주보며 제3 보조 전극과 접하는 다른 일면을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제2 보조 전극 및 제3 보조 전극은 서로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제2 보조 전극 및 제3 보조 전극은 제1 보조 전극과 에칭 선택비가 상이한 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제2 보조 전극 및 제3 보조 전극 각각은 다른 종류의 금속이 적층되어 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제2 보조 전극은 제1 뱅크층과 완전하게 중첩되며, 제3 보조 전극은 제2 뱅크층과 완전하게 중첩될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 캐소드 및 제2 캐소드 각각은 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층보다 스텝 커버리지(step coverage)가 높은 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 캐소드 및 제2 캐소드 각각은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 캐소드는 제2 보조 전극과 접하고, 제2 캐소드는 제3 보조 전극과 접할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 캐소드 및 제2 캐소드 각각은 제1 보조 전극과 접할 수 잇다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 보조 전극의 중앙 부분 상에 형성된 유기 물질층을 더 포함하고, 제1 유기 발광층, 제2 유기 발광층 및 유기 물질층은 서로 동일한 물질로 구성되며, 제2 보조 전극 및 제3 보조 전극 각각의 두께는 유기 물질층의 두께보다 클 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 기판 상에 형성되며, 제1 보조 전극과 전기적으로 연결된 광차단 금속층, 및 광차단 금속층 상에 형성되며, 산화물 반도체로 구성된 액티브층을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터, 애노드, 유기 발광층, 캐소드가 각각 형성된 제1 서브 화소 영역 및 제2 서브 화소 영역을 갖는 기판, 기판 상에서 제1 서브 화소 영역 및 제2 서브 화소 영역 사이에 형성된 제1 보조 전극, 제1 서브 화소 영역과 제1 보조 전극 사이에 배치되며, 제1 보조 전극의 제1 에지 상부에 형성된 언더컷을 갖는 제1 뱅크층, 제2 서브 화소 영역과 제1 보조 전극 사이에 배치되며, 제1 보조 전극의 제2 에지 상부에 형성된 언더컷을 갖는 제2 뱅크층, 제1 뱅크층의 언더컷과 제1 보조 전극 사이에 배치된 제2 보조 전극, 및 제2 뱅크층의 언더컷과 제2 보조 전극 사이에 배치된 제3 보조 전극을 포함하며,
상기 제1 서브 화소 영역의 캐소드가 제2 보조 전극과 전기적으로 연결되고, 제2 서브 화소 영역의 캐소드가 제3 보조 전극과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 뱅크층들 사이의 간격을 줄여 개구율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 뱅크층과 제2 뱅크층 사이의 간격은 3 내지 10 ㎛일 수 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 애노드 및 제2 애노드를 형성하면서, 제1 애노드와 제2 애노드 사이에 제1 보조 전극을 형성하는 단계, 제1 보조 전극 상에 희생층을 형성하는 단계, 제1 애노드의 에지 및 희생층의 에지를 덮는 제1 뱅크층 및 제2 애노드의 에지 및 희생층의 에지를 덮는 제2 뱅크층을 형성하는 단계, 희생층을 에천트를 이용해서 에칭하여, 제1 뱅크층과 제1 보조 전극 사이에 제2 보조 전극을 형성하고, 제2 뱅크층과 제1 보조 전극 사이에 제3 보조 전극을 형성하는 단계, 제1 애노드 및 제2 애노드 각각 상에 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층을 형성하는 단계, 및 제1 유기 발광층 및 제1 뱅크층 상에 제2 보조 전극과 전기적으로 연결되도록 제1 캐소드를 형성하고, 제2 유기 발광층 및 제2 뱅크층 상에 제3 보조 전극과 전기적으로 연결되도록 제2 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서는 희생층을 형성 및 에칭하는 단순한 공정만으로 제1 뱅크층 및 제2 뱅크층 각각의 언더컷, 그리고 제2 보조 전극 및 제3 보조 전극을 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 희생층은 제1 보조 전극과 에칭 선택비가 상이한 물질로 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제2 보조 전극 및 제3 보조 전극을 형성하는 단계에서, 희생층을 에칭하는 시간을 조절하여 제2 보조 전극 및 제3 보조 전극 각각의 수평 방향 폭을 조절할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제2 보조 전극 및 제3 보조 전극을 형성하는 단계는, 희생층을 에칭하여 제1 뱅크층의 언더컷 및 제2 뱅크층의 언더컷을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층은 형성하는 단계는, 유기 물질을 열 증착법을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 캐소드 및 제2 캐소드를 형성하는 단계는, 투명 전도성 물질을 스퍼터링법을 이용하여 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 뱅크층들 사이에 애노드들 사이에 보조 전극을 배치하여 캐소드에서의 전하 강하 현상을 최소화하고 유기 발광 표시 장치의 휘도 균일성을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 격벽의 이용 없이 뱅크층들의 언더컷으로 유기 발광층들을 단절시키기 때문에 고해상도의 유기 발광 표시 장치를 구현할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 기술에 따른 보조 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 대한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5a 내지 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 단면도이다.
도 6은 본 발명에서 희생층의 에칭 시간을 조절함에 따른 제1 캐소드와 제2 보조 전극 사이의 접촉 저항의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7a 내지 7e는 본 발명에서 희생층의 에칭 시간을 조절함에 따른 제1 캐소드와 제2 보조 전극 사이의 접촉 정도를 나타내는 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5a 내지 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 단면도이다.
도 6은 본 발명에서 희생층의 에칭 시간을 조절함에 따른 제1 캐소드와 제2 보조 전극 사이의 접촉 저항의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7a 내지 7e는 본 발명에서 희생층의 에칭 시간을 조절함에 따른 제1 캐소드와 제2 보조 전극 사이의 접촉 정도를 나타내는 사진이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에 대한 개략적인 평면도이다.
도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(200)는 기판(210), 버퍼층(220), 박막 트랜지스터(230), 게이트 절연층(232), 층간 절연층(234), 오버 코팅층(240), 제1 애노드(250), 제2 애노드(252), 제1 보조 전극(254), 제1 유기 발광층(260), 제2 유기 발광층(262), 유기 물질층(264), 제1 뱅크층(270), 제2 뱅크층(274), 제2 보조 전극(280), 제3 보조 전극(282), 제1 캐소드(290), 제2 캐소드(292) 및 도전체층(294)을 포함한다.
기판(210)은 유기 발광 표시 장치(200)의 여러 엘리먼트들을 지지하기 위한 기판이다. 기판(210)은 투명성 및 플렉서빌리티(flexibility)을 가지는 재료로 구성될 수 있다.
기판(210)은 하나의 색을 표시하기 위한 영역으로서 제1 서브 화소 영역(SP1) 및 제2 서브 화소 영역(SP1)을 포함한다. 제1 서브 화소 영역(SP1) 및 제2 서브 화소(SP2) 영역 각각에서는 서로 다른 색의 광이 발광되며, 구체적으로 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 광이 발광된다.
기판(210) 상에 버퍼층(220)이 형성된다. 버퍼층(220)은 기판(210)을 통한 수분 또는 불순물의 침투를 방지하며, 기판(210) 상부를 평탄화한다. 다만, 버퍼층(220)은 반드시 필요한 구성은 아니다. 버퍼층(220)의 형성 여부는, 기판(210)의 종류나 유기 발광 표시 장치(200)에서 사용되는 박막 트랜지스터(230)의 종류에 기초하여 결정된다. 그리고, 버퍼층(220)은 투명한 재료로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(230)는 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252)와 연결되어 유기 발광 표시 장치(200)를 구동시키는 역할을 한다. 박막 트랜지스터(230)는 버퍼층(220) 상에 형성된 액티브층, 게이트 절연층(232) 상에 형성된 게이트 전극, 층간 절연층(234) 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
박막 트랜지스터(230) 상에 오버 코팅층(240)이 형성된다. 오버 코팅층(240)은 기판(210)의 상부를 평탄화하는 층으로서, 평탄화막으로 기능한다. 오버 코팅층(240)은 박막 트랜지스터(230)의 소스 전극과 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252)를 전기적으로 연결하기 위한 컨택홀을 포함한다.
오버 코팅층(240) 상에 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252)가 형성된다. 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252) 각각은 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262) 각각에 전압을 인가하는 역할을 한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252)은 서브 화소 영역별로 분리되어 형성된다. 구체적으로, 제1 애노드(250)은 제1 서브 화소 영역(SP1)에 배치되고, 제2 애노드(252)은 제2 서브 화소 영역(SP2)에 배치된다.
제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252) 각각은 일함수가 높은 투명 전도성 물질 및 반사판으로 구성될 수 있다. 여기서 투명 전도성 물질은 인듐 주석 산화물(ITO; Indium Tin Oxide), 인듐 아연 산화물(IZO; Indium Zinc Oxide), 인듐 주석 아연 산화물(ITZO; Indium Tin Zinc Oxide)을 포함할 수 있다. 도 2에서는 도시상의 편의를 위해, 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252)를 하나의 층으로 표현하였다.
제1 애노드(250)와 제2 애노드(252) 사이에 그리고 오버 코팅층(240) 상에 제1 보조 전극(254)이 형성된다. 제1 보조 전극(254)은 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)에서의 전압 강하를 보완하는 역할을 한다.
제1 보조 전극(254)은 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252)와 동일 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 따라서, 제1 보조 전극(254)은 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252)를 구성하는 물질과 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252)와 동일한 두께로 형성될 수 있다.
제1 보조 전극(254)은 제1 에지 및 제2 에지를 포함한다. 제1 보조 전극(254)의 제1 에지는 제1 애노드(250)에 인접한 에지 부분이며, 제1 보조 전극(254)의 제2 에지는 제2 애노드(252)에 인접한 에지 부분이다. 제1 보조 전극(254)의 제1 에지와 제2 에지는 서로 대향한다.
제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252) 상에 각각 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)이 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)은 서브 화소 영역별로 분리되어 형성된다. 구체적으로, 제1 유기 발광층(260)은 제1 서브 화소 영역(SP1)에 배치되고, 제2 유기 발광층(262)은 제2 서브 화소 영역(SP2)에 배치된다. 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262) 각각은 제1 애노드(250) 및 제1 캐소드(290), 그리고 제2 애노드(252) 및 제2 캐소드(292)로부터 전압을 인가받아 광을 발광할 수 있는 역할을 한다. 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)은 서로 동일한 물질로 구성될 수 있다.
제1 보조 전극(254)의 중앙 부분 상에 유기 물질층(264)이 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 유기 물질층(264)은 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)과 분리되어 형성된다. 유기 물질층(264)은 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)과 동일 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 따라서, 유기 물질층(264)은 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)과 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)과 동일한 두께로 형성될 수 있다.
제1 애노드(250)의 에지 및 제1 보조 전극(254)의 제1 에지 상에 제1 뱅크층(270)이 형성되고, 제2 애노드(252)의 에지 및 제1 보조 전극(254)의 제2 에지 상에 제2 뱅크층(274)이 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 애노드(250)를 덮도록 제1 뱅크층(270)이 형성되고, 제2 애노드(252)를 덮도록 제2 뱅크층(274)이 형성된다. 제1 뱅크층(270) 및 제2 뱅크층(274) 각각은 투명한 유기 절연 물질, 예를 들어, 폴리이미드, 포토아크릴(photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어지거나, 또는 블랙을 나타내는 물질, 예를 들어, 블랙 수지로 이루어질 수 있다.
제1 뱅크층(270)은 제1 보조 전극(254)의 제1 에지 상부에 형성된 언더컷(272)을 포함하고, 제2 뱅크층(274)은 제1 보조 전극(254)의 제2 에지 상부에 형성된 언더컷(276)을 포함한다.
본 명세서에서 언더컷은 뱅크층의 경계선을 따라 형성된 오목한 부분으로서, 제2 보조 전극(280) 또는 제3 보조 전극(282), 그리고 제1 보조 전극(254)과 접하는 일면을 포함하는 부분을 지칭한다. 도 2를 참조하면, 제1 뱅크층(270)의 언더컷(272)은 제2 보조 전극(280) 및 제1 보조 전극(254)과 접하는 일면을 포함한다. 또한, 제2 뱅크층(274)의 언더컷(276)은 제3 보조 전극(282) 및 제1 보조 전극(254)과 접하는 일면을 포함한다. 또한, 제1 뱅크층(270)의 언더컷(272) 및 제2 뱅크층(274)의 언더컷(276) 각각은 제1 보조 전극(254)과 마주보며 제2 보조 전극(280) 또는 제3 보조 전극(282)과 접하는 다른 일면을 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 제1 뱅크층(270)의 언더컷(272)은 제2 보조 전극(280)과 접하며 제1 보조 전극(254)과 마주보는 다른 일면을 포함하고, 제2 뱅크층(274)의 언더컷(276)은 제3 보조 전극(282)과 접하며 제1 보조 전극(254)과 마주보는 다른 일면을 포함한다.
제1 뱅크층(270)의 언더컷(272)의 단면 및 제2 뱅크층(274)의 언더컷(276)의 단면은 서로 가로 대칭인 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 뱅크층(274)의 언더컷(274)의 단면은 “ㄱ” 형상을 가지고, 제1 뱅크층(270)의 언더컷(272)의 단면은 “ㄱ”의 가로 대칭 형상인 “
” 형상을 가질 수 있다. 구현 방법에 따라서는, 제1 뱅크층(270)의 언더컷(272)의 단면 및 제2 뱅크층(274)의 언더컷(276)의 단면은 서로 가로 대칭인 곡면 형상을 가질 수 있다.
제1 뱅크층(270)의 언더컷(272)과 제1 보조 전극(254) 사이에 제2 보조 전극(280)이 배치되고, 제2 뱅크층(274)의 언더컷(276)과 제1 보조 전극(254) 사이에 제3 보조 전극(282)이 배치된다. 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 역시 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)의 전압 강하를 보완하는 역할을 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(280)이 제1 뱅크층(270)의 언더컷(272)과 제1 보조 전극(254) 사이에 배치되면서, 제1 뱅크층(270)과 완전하게 중첩된다. 다시 말해서, 제2 보조 전극(280)은 제2 애노드(252) 방향으로 제1 뱅크층(270)을 지나서 돌출되지 않는다. 유사하게, 제3 보조 전극(282) 역시 제2 뱅크층(274)의 언더컷(276)과 제1 보조 전극(254) 사이에 배치되면서, 제2 뱅크층(274)과 완전하게 중첩된다.
제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)은 서로 동일한 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 모두는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있다.
제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)이 서로 동일한 물질로 구성되는 경우, 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)은 제1 보조 전극(254)과 에칭 선택비가 상이한 물질로 구성될 수 있다. 다시 말하여, 제1 보조 전극(254)을 에칭하지 않는 특정 에천트에 의하여 에칭될 수 있는 물질로 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)이 구성될 수 있다.
제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 각각은 다른 종류의 금속이 적층된 형태일 수 있다. 예를 들어, 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 각각은 몰리브덴 합금(MoTi) 상에 구리(Cu)가 적층된 형태일 수 있다. 이 경우, 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 각각과 제1 보조 전극(254)과의 계면 접착력이 향상될 수 있다.
제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 각각은 유기 물질층(264)보다 큰 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 뱅크층(270)과 제2 뱅크층(274) 사이의 공간이 유기 물질층(264)에 의해 막히는 현상이 방지될 수 있고, 추후에 형성되는 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292) 각각이 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 각각은 3000 내지 6000 A의 두께를 가질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.
제1 유기 발광층(260) 및 제1 뱅크층(270) 상에 제1 캐소드(290)가 형성되고, 제2 유기 발광층(262) 및 제2 뱅크층(274) 상에 제2 캐소드(292)가 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)는 서로 분리되도록 형성된다. 구체적으로, 제1 캐소드(290)는 제1 서브 화소 영역(SP1)에 대응되도록 형성되고, 제2 캐소드(292)는 제2 서브 화소 영역(SP2)에 대응되도록 형성된다. 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292) 각각은 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262) 각각에 전압을 인가하는 역할을 한다.
제1 캐소드(290)는 제2 보조 전극(280)과 접하고, 제2 캐소드(292)는 제3 보조 전극(282)과 접한다. 이에 따라, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292) 각각은 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 각각과 전기적으로 연결되면서, 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)과 접하는 제1 보조 전극(254)과 전기적으로 연결된다. 제1 보조 전극(254), 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)에 의해서 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292) 각각에서의 전압 강하는 충분하게 개선될 수 있다.
제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)는 서로 동일한 물질로 구성될 수 있다. 그리고, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292) 모두는 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)에 비해 스텝 커버리(step coverage)가 높은 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292) 모두는 인듐 주석 산화물(ITO; Indium Tin Oxide), 인듐 아연 산화물(IZO; Indium Zinc Oxide), 인듐 주석 아연 산화물(ITZO; Indium Tin Zinc Oxide)과 같은 투명 전도성 물질로 구성될 수 있다. 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)를 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)에 비해 스텝 커버리가 높은 물질로 구성함으로써, 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)은 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)과 접하지 않고, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)는 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)과 접할 수 있게 된다.
한편, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)가 온전하게 투명 전도성 물질로 구성되지 않고, 낮은 두께의 금속과 투명 전도성 물질이 적층된 형태로 구성되는 것도 가능하다. 이 경우, 금속에 비해 투명 전도성 물질이 스텝 커버리지가 우수하기 때문에, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292) 각각이 용이하게 제2 보조 전극(290) 및 제3 보조 전극(292) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.
유기 물질층(264) 상에 도전체층(294)이 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 도전체층(294)은 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)와 분리되어 형성된다. 도전체층(294)은 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)와 동일 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 따라서, 도전체층(294)은 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)와 동일한 두께로 형성될 수 있다.
보조 전극을 포함하는 종래의 기술에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층들을 서로 단절시키기 위한 격벽을 보조 전극 상에 그리고 제1 뱅크층과 제2 뱅크층 사이에 형성해야만 했다. 이에 따라, 제1 뱅크층과 제2 뱅크층 사이에 발광하지는 않으나 격벽을 배치하기 위한 간격, 예를 들어, 약 20 ㎛의 간격이 필수적으로 확보되어야 했고, 결과적으로 유기 발광 표시 장치의 개구율이 줄어드는 문제점이 발생하였다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)에서는 유기 발광층(260, 262)을 구성하는 유기 물질이 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)를 구성하는 물질보다 스텝 커버리지가 낮다는 점을 이용하여 격벽이 아닌 제1 뱅크층(270)의 언더컷(272) 및 제2 뱅크층(274)의 언더컷(274)으로 유기 발광층(260, 262)들이 서로 단절되게 한다. 따라서, 제1 뱅크층(270)과 제2 뱅크층(274) 사이에 격벽을 배치하기 위한 간격이 확보될 필요가 없게 되므로, 제1 뱅크층(270)과 제2 뱅크층(274) 사이의 간격(w2)을 현저하게, 예를 들어, 3 내지 10 ㎛로 줄일 수 있고, 이에 따라 보조 전극을 포함하는 종래의 유기 발광 표시 장치에 비해 향상된 개구율을 달성할 수 있게 된다.
한편, 도 2에는 도시되지 않았으나, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292) 각각은 제1 보조 전극(254)과 접하도록 형성되어, 제1 보조 전극(254)과 전기적으로 연결될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)에 대한 개략적인 단면도이다. 도 3의 유기 발광 표시 장치(300)는 도 2의 유기 발광 표시 장치(200)와 비교하여 액티브층이 산화물 반도체로 형성되는 구성, 버퍼층(220)과 기판(210) 사이에 광차단 금속층(312)이 형성되는 구성 및 광차단 금속층(312)이 제1 보조 전극(254)과 전기적으로 연결되는 구성만 상이하고, 나머지 구성은 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.
액티브층이 산화물 반도체로 형성되면서, 버퍼층(220)과 기판(210)사이에 광차단 금속층(312)이 형성된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 광차단 금속층(312)은 기판(210)전면 상에 형성될 수 있다. 광차단 금속층(312)은 기본적으로 액티브층으로 광이 입사되어 액티브층의 특성이 변형되는 것을 방지하는 역할을 한다. 광차단 금속층(312)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 광차단 금속층(312)이 제1 보조 전극(254)과 전기적으로 연결된다. 제1 보조 전극(254)과 함께 광차단 금속층(312)은 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)에서의 전압 강하를 최소화하는 역할을 할 수 있다. 광차단 금속층(312)의 두께 및 폭은 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)에서의 전압 강하를 충분히 개선할 수 있도록 다양한 범위 내에서 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)에서는 버퍼층(220)과 기판(210)사이에 배치되는 광차단 금속층(312)을 제1 보조 전극(254)과 함께 또 다른 보조 전극으로 이용함으로써 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)에서의 전압 강하를 더 최소화할 수 있게 된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 5a 내지 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 단면도이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(210)상에 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252)를 형성하면서, 제1 애노드(250)와 제2 애노드(252) 사이에 제1 보조 전극(254)을 형성한다(S410).
제1 애노드(250), 제2 애노드(252) 및 제1 보조 전극(254)은 동일한 물질로 동시의 공정에서 형성될 수 있다. 여기서, 제1 애노드(250), 제1 보조 전극(254) 및 제2 애노드(252)가 서로 분리되어 형성되도록 패터닝된 마스크가 이용될 수 있다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 제1 애노드(250), 제2 애노드(252) 및 제1 보조 전극(254)을 형성하기 이전에, 기판(210)상에 버퍼층(220), 박막 트랜지스터(230), 게이트 절연층(232), 층간 절연층(234), 오버 코팅층(240)이 더 형성될 수 있다. 또한, 기판(210)과 버퍼층(220) 사이에 광차단 금속층이 더 형성될 수도 있다.
다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(254) 상에 희생층(584)을 형성한다(S420)
희생층(584)은 이후의 단계에서 에천트에 의해 에칭되어 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)이 될 수 있다. 이러한 의미에서, 희생층(584)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있다. 또한, 희생층(584)은 제1 보조 전극(254)과 에칭 선택비가 상이한 물질로 구성될 수 있다.
희생층(584)을 제1 보조 전극(254) 상에만 형성하기 위해서 패터닝된 마스크가 이용될 수 있다.
다음으로, 도 5c에 도시된 바와 같이, 제1 애노드(250)의 에지 및 희생층(584)의 에지를 덮는 제1 뱅크층(270) 및 제2 애노드(252)의 에지 및 희생층(584)의 에지를 덮는 제2 뱅크층(274)을 형성한다(S430).
제1 뱅크층(270) 및 제2 뱅크층(274)은 동일한 물질로 동시의 공정에서 형성될 수 있다. 제1 뱅크층(270) 및 제2 뱅크층(274)을 형성하기 위해서 패터닝된 마스크가 이용될 수 있다.
다음으로, 도 5d에 도시된 바와 같이, 에천트를 이용해서 희생층(584)을 에칭하여, 제1 뱅크층(270)과 제1 보조 전극(254) 사이에 제2 보조 전극(280)을 형성하고, 제2 뱅크층(274)과 제1 보조 전극(254) 사이에 제3 보조 전극(282)을 형성한다(S440).
여기서, 제1 보조 전극(254)을 에칭하지 않고 희생층(584)만을 에칭할 수 있는 에칭 선택비를 갖는 물질로 에천트가 구성될 수 있다. 예를 들어, 에천트는 황산(H2SO4) 수용액, 질산(HNO3) 수용액 또는 인산(H3PO4) 수용액으로 구성될 수 있다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 에천트를 이용해서 희생층(584)을 에칭함에 따라 희생층(584)의 노출된 중앙 부분부터 노출되지 않은 에지 부분까지 점진적으로 에칭되고, 에칭되지 않은 희생층(584)의 에지 부분이 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)이 된다. 그리고, 에천트를 이용해서 희생층(584)을 에칭함에 따라, 제1 뱅크층(270) 또는 제2 뱅크층(274)의 경계선을 따라 형성된 오목한 부분으로서, 제2 보조 전극(280) 또는 제3 보조 전극(282), 그리고 제1 보조 전극(254)과 접하는 일면을 포함하는, 제1 뱅크층(270)의 언더컷(272) 및 제2 뱅크층(274)의 언더컷(276)이 형성되게 된다.
단계 S440에서, 희생층(584)을 에칭하는 시간을 조절하여, 제2 보조 전극(280)의 수평 방향 폭 및 제3 보조 전극(282)의 수평 방향 폭을 조절할 수 있다. 제2 보조 전극(280)의 수평 방향 폭 및 제3 보조 전극(282)의 수평 방향 폭에 따라, 제2 보조 전극(280)과 제1 캐소드(290) 사이에의 컨택 저항 및 제3 보조 전극(282)과 제2 캐소드(292) 사이에의 컨택 저항이 달라질 수 있다. 이에 대해서는, 도 6, 그리고 도 7a 내지 7e를 참조하여 더 후술한다.
다음으로, 도 5e에 도시된 바와 같이, 제1 애노드(250) 및 제2 애노드(252) 각각 상에 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)을 형성한다(S450).
여기서, 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)은 동일한 물질로 동시의 공정에서 형성될 수 있다. 그리고, 도 5e에 도시된 바와 같이, 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)을 형성하면서, 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)과 동일한 물질로 구성된 유기 물질층(264)이 노출된 제1 보조 전극(254)의 중앙 부분 상에 더 형성될 수 있다.
도 5e에 도시된 바와 같이, 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)을 구성하는 유기 물질은, 제1 애노드(250) 및 제1 뱅크층(270)의 일부, 그리고 제2 애노드(252) 및 제2 뱅크층(274)의 일부 상에만 증착될 뿐, 제1 뱅크층(270) 및 제2 뱅크층(274)의 경계선을 따라 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)에까지 이르지 않는다. 이는 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)을 구성하는 유기 물질이 일반적으로 스텝 커버리지가 낮기 때문이다.
제1 유기 발광층(260), 제2 유기 발광층(262) 및 유기 물질층(264)은 열 증착법을 이용하여 형성될 수 있다. 열 증착법은 스텝 커버리지가 낮은 증착 방식이기 때문에, 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)을 구성하는 유기 물질이 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)에까지 이르지 않는데 도움을 줄 수 있다.
한편, 도 5e에 도시된 바와 같이, 유기 물질층(264)의 두께는 이미 형성된 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)의 두께보다 작다. 이에 따라, 유기 물질층(264)과 제1 뱅크층(270) 사이의 공간, 그리고 유기 물질층(264)과 제2 뱅크층(274) 사이의 공간이 개방되고, 추후에 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292) 각각이 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282) 각각과 접하도록 형성될 수 있다.
다음으로, 도 5f에 도시된 바와 같이, 제1 유기 발광층(260) 및 제1 뱅크층(270) 상에 제2 보조 전극(280)과 전기적으로 연결되도록 제1 캐소드(290)를 형성하고, 제2 유기 발광층(262) 및 제2 뱅크층(274) 상에 제3 보조 전극(282)과 전기적으로 연결되도록 제2 캐소드(292)를 형성한다(S460).
여기서, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)는 동일한 물질로 동시의 공정에서 형성될 수 있다. 그리고, 도 5f에 도시된 바와 같이, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)를 형성하면서, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)와 동일한 물질로 구성된 도전체층(294)이 유기 물질층(264) 상에 더 형성될 수 있다.
제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)는 제1 유기 발광층(260) 및 제2 유기 발광층(262)을 구성하는 유기 물질보다 스텝 커버리지가 높은 물질, 예를 들어, 투명 전도성 물질로 구성되기 때문에, 제1 캐소드(290)가 제2 보조 전극(280)과 접하도록 그리고 제2 캐소드(292)가 제3 보조 전극(282)과 접하도록 형성될 수 있다.
제1 캐소드(290), 제2 캐소드(292) 및 도전체층(294)은 스퍼터링법을 이용하여 형성될 수 있다. 스퍼터링법은 스텝 커버리지가 상대적으로 높은 증착 방식이기 때문에, 제1 캐소드(290)가 제2 보조 전극(280)과 접하도록 형성되는데, 그리고 제2 캐소드(292)가 제3 보조 전극(282)과 접하도록 형성되는데 도움을 줄 수 있다.
단계 S460에서, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)를 동일한 물질로 동시의 공정에서 형성하면서, 도 5f에 도시된 바와 같이, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)가 서로 분리되어 형성되도록, 제1 캐소드(290) 및 제2 캐소드(292)의 증착 시간을 조절할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 제조 방법에서는, 제1 보조 전극(254) 상에 희생층(584)을 형성하고, 제1 뱅크층(270) 및 제2 뱅크층(274)을 형성한 이후에 희생층(584)을 에칭하는 단순한 공정만으로 제2 보조 전극(280) 및 제3 보조 전극(282)을 용이하게 형성할 수 있다.
도 6은 본 발명에서 희생층의 에칭 시간을 조절함에 따른 제1 캐소드와 제2 보조 전극 사이의 접촉 저항의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 7a 내지 7e는 본 발명에서 희생층의 에칭 시간을 조절함에 따른 제1 캐소드와 제2 보조 전극 사이의 접촉 정도를 나타내는 사진이다.
도 6, 그리고 도 7a 내지 7e의 결과를 도출하기 위해, 제1 캐소드로는 인듐 주석 산화물(ITO) 620 A을 사용하였고, 제1 뱅크층으로는 폴리이미드 2832 A을 사용하였으며, 희생층으로는 몰리브덴 합금(MoTi) 450 A과 구리(Cu)가 3000 A 적층된 구조를 사용하였다.
도 7a는 에칭 시간을 10초로 조절한 사진이고, 도 7b는 에칭 시간을 20초로 조절한 사진이고, 도 7c는 에칭 시간을 30초로 조절한 사진이고, 도 7d는 에칭 시간을 40초로 조절한 사진이고, 도 7e는 에칭 시간을 50초로 조절한 사진이다.
도 6, 그리고 도 7a 내지 7e을 참조하면, 제1 캐소드, 제1 뱅크층 및 희생층이 상술된 수치들을 가지는 구조에서, 에칭 시간이 10초에서 40초로 증가할수록 접촉 저항이 점진적으로 낮아지다가 에칭 시간이 50초가 되면 접촉 저항이 오히려 높아짐을 알 수 있다. 위와 같은 결과는, 에칭 시간이 10초에서 40초로 증가할수록 제2 보조 전극의 수평 방향 폭이 줄어들면서 제1 캐소드의 소스 물질이 용이하게 제2 보조 전극과 접촉할 수 있으나, 에칭 시간이 50초가 되어 제2 보조 전극의 수평 방향 폭이 지나치게 줄어드는 경우 제1 캐소드의 소스 물질이 제1 뱅크층과 제1 보조 전극 사이로 진입하기 어렵게 되기 때문에, 도출된 것으로 추측된다. 이러한 결과로부터, 에칭 시간을 적절하게 조절하는 경우, 제1 캐소드와 제2 보조 전극 사이의 최소한의 접촉 저항을 달성할 수 있음을 알 수 있었다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200, 300: 유기 발광 표시 장치
SP1: 제1 서브 화소 영역
SP2: 제2 서브 화소 영역
110, 210: 기판
220: 버퍼층
230: 박막 트랜지스터
232: 게이트 절연층
234: 층간 절연층
240: 오버 코팅층
250: 제1 애노드
252: 제2 애노드
254: 제1 보조 전극
260: 제1 유기 발광층
262: 제2 유기 발광층
264: 유기 물질층
270: 제1 뱅크층
272: 제1 뱅크층의 언더컷
274: 제2 뱅크층
276: 제2 뱅크층의 언더컷
280: 제2 보조 전극
282: 제3 보조 전극
290: 제1 캐소드
292: 제2 캐소드
294: 도전체층
312: 광차단 금속층
584: 희생층
SP1: 제1 서브 화소 영역
SP2: 제2 서브 화소 영역
110, 210: 기판
220: 버퍼층
230: 박막 트랜지스터
232: 게이트 절연층
234: 층간 절연층
240: 오버 코팅층
250: 제1 애노드
252: 제2 애노드
254: 제1 보조 전극
260: 제1 유기 발광층
262: 제2 유기 발광층
264: 유기 물질층
270: 제1 뱅크층
272: 제1 뱅크층의 언더컷
274: 제2 뱅크층
276: 제2 뱅크층의 언더컷
280: 제2 보조 전극
282: 제3 보조 전극
290: 제1 캐소드
292: 제2 캐소드
294: 도전체층
312: 광차단 금속층
584: 희생층
Claims (22)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 제1 애노드 및 제2 애노드;
상기 제1 애노드와 상기 제2 애노드 사이에 형성된 제1 보조 전극;
상기 제1 애노드 및 상기 제2 애노드 상에 각각 형성된 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층;
상기 제1 애노드의 에지를 덮도록 형성되며, 상기 제1 보조 전극의 제1 에지 상부에 형성된 언더컷(undercut)을 갖는 제1 뱅크층;
상기 제2 애노드의 에지를 덮도록 형성되며, 상기 제1 보조 전극의 제2 에지 상부에 형성된 언더컷을 갖는 제2 뱅크층;
상기 제1 뱅크층의 언더컷과 상기 제1 보조 전극 사이에 배치된 제2 보조 전극;
상기 제2 뱅크층의 언더컷과 상기 제1 보조 전극 사이에 배치된 제3 보조 전극;
상기 제1 유기 발광층 및 상기 제1 뱅크층 상에 형성되며, 상기 제2 보조 전극과 전기적으로 연결된 제1 캐소드; 및
상기 제2 유기 발광층 및 상기 제2 뱅크층 상에 형성되며, 상기 제3 보조 전극과 전기적으로 연결된 제2 캐소드를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 애노드, 상기 제2 애노드 및 상기 제1 보조 전극은 서로 동일한 물질로 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 뱅크층의 언더컷은 상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극과 접하는 일면을 포함하고, 상기 제2 뱅크층의 언더컷은 상기 제1 보조 전극 및 상기 제3 보조 전극과 접하는 일면을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제1 뱅크층의 언더컷은 상기 제1 보조 전극과 마주보며 상기 제2 보조 전극과 접하는 다른 일면을 포함하고, 상기 제2 뱅크층의 언더컷은 상기 제1 보조 전극과 마주보며 상기 제3 보조 전극과 접하는 다른 일면을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 보조 전극 및 상기 제3 보조 전극은 서로 동일한 물질로 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제2 보조 전극 및 상기 제3 보조 전극은 상기 제1 보조 전극과 에칭 선택비가 상이한 물질로 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 보조 전극 및 상기 제3 보조 전극 각각은 다른 종류의 금속이 적층되어 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 보조 전극은 상기 제1 뱅크층과 완전하게 중첩되며, 상기 제3 보조 전극은 상기 제2 뱅크층과 완전하게 중첩되는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 캐소드 및 상기 제2 캐소드 각각은 상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층보다 스텝 커버리지(step coverage)가 높은 물질로 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 캐소드 및 상기 제2 캐소드 각각은 투명 전도성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 캐소드는 상기 제2 보조 전극과 접하고, 상기 제2 캐소드는 상기 제3 보조 전극과 접하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 캐소드 및 상기 제2 캐소드 각각은 제1 보조 전극과 접하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 보조 전극의 중앙 부분 상에 형성된 유기 물질층을 더 포함하고,
상기 제1 유기 발광층, 상기 제2 유기 발광층 및 상기 유기 물질층은 서로 동일한 물질로 구성되며,
상기 제2 보조 전극 및 상기 제3 보조 전극 각각의 두께는 상기 유기 물질층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 보조 전극과 전기적으로 연결된 광차단 금속층; 및
상기 광차단 금속층 상에 형성되며, 산화물 반도체로 구성된 액티브층을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 박막 트랜지스터, 애노드, 유기 발광층, 캐소드가 각각 형성된 제1 서브 화소 영역 및 제2 서브 화소 영역을 갖는 기판;
상기 기판 상에서 상기 제1 서브 화소 영역 및 상기 제2 서브 화소 영역 사이에 형성된 제1 보조 전극;
상기 제1 서브 화소 영역과 상기 제1 보조 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 보조 전극의 제1 에지 상부에 형성된 언더컷을 갖는 제1 뱅크층;
상기 제2 서브 화소 영역과 상기 제1 보조 전극 사이에 배치되며, 상기 제1 보조 전극의 제2 에지 상부에 형성된 언더컷을 갖는 제2 뱅크층;
상기 제1 뱅크층의 언더컷과 상기 제1 보조 전극 사이에 배치된 제2 보조 전극; 및
상기 제2 뱅크층의 언더컷과 상기 제2 보조 전극 사이에 배치된 제3 보조 전극을 포함하며,
상기 제1 서브 화소 영역의 캐소드가 상기 제2 보조 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 서브 화소 영역의 캐소드가 상기 제3 보조 전극과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 제1 뱅크층과 상기 제2 뱅크층 사이의 간격은 3 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치. - 기판 상에 제1 애노드 및 제2 애노드를 형성하면서, 상기 제1 애노드와 상기 제2 애노드 사이에 제1 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 보조 전극 상에 희생층을 형성하는 단계;
상기 제1 애노드의 에지 및 상기 희생층의 에지를 덮는 제1 뱅크층 및 상기 제2 애노드의 에지 및 상기 희생층의 에지를 덮는 제2 뱅크층을 형성하는 단계;
상기 희생층을 에천트를 이용해서 에칭하여, 상기 제1 뱅크층과 상기 제1 보조 전극 사이에 제2 보조 전극을 형성하고, 상기 제2 뱅크층과 상기 제1 보조 전극 사이에 제3 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 애노드 및 상기 제2 애노드 각각 상에 제1 유기 발광층 및 제2 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 유기 발광층 및 상기 제1 뱅크층 상에 상기 제2 보조 전극과 전기적으로 연결되도록 제1 캐소드를 형성하고, 상기 제2 유기 발광층 및 상기 제2 뱅크층 상에 상기 제3 보조 전극과 전기적으로 연결되도록 제2 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 희생층은 상기 제1 보조 전극과 에칭 선택비가 상이한 물질로 구성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 제2 보조 전극 및 상기 제3 보조 전극을 형성하는 단계에서, 상기 희생층을 에칭하는 시간을 조절하여 상기 제2 보조 전극 및 상기 제3 보조 전극 각각의 수평 방향 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 제2 보조 전극 및 상기 제3 보조 전극을 형성하는 단계는, 상기 희생층을 에칭하여 상기 제1 뱅크층의 언더컷 및 상기 제2 뱅크층의 언더컷을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층은 형성하는 단계는, 유기 물질을 열 증착법을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 제1 캐소드 및 상기 제2 캐소드를 형성하는 단계는, 투명 전도성 물질을 스퍼터링법을 이용하여 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| KR1020140100273A KR102155815B1 (ko) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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|---|---|---|---|
| KR1020140100273A KR102155815B1 (ko) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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| KR1020140100273A KR102155815B1 (ko) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180013225A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US10199448B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device |
| KR20190042395A (ko) * | 2017-10-16 | 2019-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 |
| US20190326372A1 (en) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electro-luminescent display device and method of fabricating the same |
| KR20190126018A (ko) * | 2018-04-30 | 2019-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US10826012B2 (en) | 2017-06-02 | 2020-11-03 | Lg Display Co., Ltd. | Light-emitting display device and manufacturing method thereof |
| US11495645B2 (en) | 2019-06-26 | 2022-11-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| GB2614941A (en) * | 2021-12-31 | 2023-07-26 | Lg Display Co Ltd | Light emitting display apparatus |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268024A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置および電子機器 |
| JP2008146026A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-26 | Canon Inc | 発光装置及びその製造方法 |
| KR20080086201A (ko) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시기판, 이를 구비한 유기발광다이오드 표시장치 및이들의 제조 방법 |
| KR20100008891A (ko) * | 2008-07-17 | 2010-01-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
| KR20100110332A (ko) * | 2007-12-19 | 2010-10-12 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 전자 디바이스 및 이것의 제조 방법 |
| KR20110138787A (ko) * | 2010-06-22 | 2011-12-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
| WO2012049719A1 (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
| JP2014103424A (ja) * | 2014-03-10 | 2014-06-05 | Sharp Corp | 有機ｅｌディスプレイ |
| KR20140085326A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20140085243A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20140085979A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20140092490A (ko) * | 2012-12-29 | 2014-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
-
2014
- 2014-08-05 KR KR1020140100273A patent/KR102155815B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268024A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置および電子機器 |
| JP2008146026A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-26 | Canon Inc | 発光装置及びその製造方法 |
| KR20080086201A (ko) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시기판, 이를 구비한 유기발광다이오드 표시장치 및이들의 제조 방법 |
| KR20100110332A (ko) * | 2007-12-19 | 2010-10-12 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 전자 디바이스 및 이것의 제조 방법 |
| KR20100008891A (ko) * | 2008-07-17 | 2010-01-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
| KR20110138787A (ko) * | 2010-06-22 | 2011-12-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
| WO2012049719A1 (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
| KR20140085326A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20140085243A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20140085979A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20140092490A (ko) * | 2012-12-29 | 2014-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2014103424A (ja) * | 2014-03-10 | 2014-06-05 | Sharp Corp | 有機ｅｌディスプレイ |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10199448B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device |
| US10535725B2 (en) | 2016-06-28 | 2020-01-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device |
| USRE49604E1 (en) | 2016-06-28 | 2023-08-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device |
| KR20180013225A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US10826012B2 (en) | 2017-06-02 | 2020-11-03 | Lg Display Co., Ltd. | Light-emitting display device and manufacturing method thereof |
| KR20190042395A (ko) * | 2017-10-16 | 2019-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 |
| US20190326372A1 (en) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electro-luminescent display device and method of fabricating the same |
| KR20190122073A (ko) * | 2018-04-19 | 2019-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US11205685B2 (en) | 2018-04-19 | 2021-12-21 | Lg Display Co., Ltd. | Electro-luminescent display device and method of fabricating the same |
| KR20190126018A (ko) * | 2018-04-30 | 2019-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US11495645B2 (en) | 2019-06-26 | 2022-11-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| GB2614941A (en) * | 2021-12-31 | 2023-07-26 | Lg Display Co Ltd | Light emitting display apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102155815B1 (ko) | 2020-09-14 |
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