CN103138539A - 半导体集成电路和dc-dc转换器 - Google Patents

半导体集成电路和dc-dc转换器 Download PDF

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Abstract

公开一种半导体集成电路和DC-DC转换器。DC-DC转换器包括：平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压。DC-DC转换器包括：扼流线圈，其一端与电池的一端连接。DC-DC转换器包括：半导体集成电路，具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子。

Description

半导体集成电路和DC-DC转换器
相关专利申请的引用
本申请享受2011年12月1日申请的日本申请专利编号2011-263663的优先权的利益，该日本专利申请的全部内容在本申请中援用。
技术领域
本发明涉及半导体集成电路和DC-DC转换器。
背景技术
以前，DC-DC转换器通过导通/截止多个开关元件或整流元件控制开关脉冲的导通/截止时间比，向负载供给希望的电压、电流。
为了这样的DC-DC转换器的小型化和高速控制，不断做出提高开关频率的改良。然而，在将用于提高效率的导通/截止速度提高到必要以上时，引起EMI(Electro Magnetic Interference：电磁干扰)和接地噪音。
发明内容
本发明要解决的课题在于提供一种可在提高开关速度同时，降低接地噪音的半导体集成电路、和DC-DC转换器。
实施方式的DC-DC转换器，其特征在于，包括：
平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压，
扼流线圈，其一端与电池的一端连接，
半导体集成电路，具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，
上述半导体集成电路包括：
第1导电型的第1MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第1控制信号，
第2导电型的第2MOS晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第1导电型的第3MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第2MOS晶体管的栅极连接，
第2导电型的第4MOS晶体管，其一端与上述第3MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第2导电型的第5MOS晶体管，其一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第1逆变器(inverter)，输入第2控制信号，其输出与上述第3MOS晶体管的栅极连接，
第2逆变器，输入上述第2控制信号，其输出与上述第4MOS晶体管的栅极连接，
开关控制电路，通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管及上述第2MOS晶体管的工作，
栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5MOS晶体管的工作。
其他实施方式的半导体集成电路，其特征在于，上述半导体集成电路适用于DC-DC转换器，上述DC-DC转换器包括：平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压；扼流线圈，其一端与电池的一端连接；上述半导体集成电路包括：
与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子，
与上述第1输出端子连接的第1电位端子，
与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，
第1导电型的第1MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第1控制信号，
第2导电型的第2MOS晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第1导电型的第3MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第2MOS晶体管的栅极连接，
第2导电型的第4MOS晶体管，其一端与上述第3MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第2导电型的第5MOS晶体管，其一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第1逆变器，输入第2控制信号，其输出与上述第3MOS晶体管的栅极连接，
第2逆变器，输入上述第2控制信号，其输出与上述第4MOS晶体管的栅极连接，
开关控制电路，通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管及上述第2MOS晶体管的工作，
栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5MOS晶体管的工作。
此外，其他实施方式的半导体集成电路，其特征在于，上述半导体集成电路适用于DC-DC转换器，上述DC-DC转换器包括：平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压；扼流线圈，其一端与电池的一端连接；上述半导体集成电路包括：
与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子，
与上述第1输出端子连接的第1电位端子，
与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，
第1导电型的第1MOS晶体管接，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，
第2导电型的第2MOS晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
开关控制电路，控制上述第1MOS晶体管和上述第2MOS晶体管互补地导通/截止，
栅控制电路，在由上述开关控制电路将上述第2MOS晶体管从导通向截止迁移时，控制上述第2MOS晶体管中流动的电流的减少速度。
根据上述构成的半导体集成电路，和DC-DC转换器，可在提高开关速度同时，降低接地噪音。
附图说明
图1是显示第1实施方式涉及的DC-DC转换器1000的构成的一例的图。
图2是显示如图1所示的第2MOS晶体管M2静特性的图。
具体实施方式
以下，关于实施方式，根据附图说明。
第1实施方式
图1是显示第1实施方式涉及的DC-DC转换器1000构成的一例的图。
如图1所示，DC-DC转换器1000具备半导体集成电路100、扼流线圈L、平滑化电容器Cout。
平滑化电容器Cout连接在与负载Rout的一端连接的第1输出端子Tout1和与负载Rout的另一端连接的第2输出端子Tout2之间。这个平滑化电容器Cout平滑化向负载Rout供给的输出电压。
扼流线圈L的一端与电池B的一端(正极)TB1连接，另一端与开关端子TSW连接。
半导体集成电路100具有开关端子TSW、第1电位端子T1、第2电位端子T2、第1导电型的第1MOS晶体管(pMOS晶体管)M1、第2导电型的第2MOS晶体管(nMOS晶体管)M2、第1导电型的第3MOS晶体管(pMOS晶体管)M3、第2导电型的第4MOS晶体管(nMOS晶体管)M4、第2导电型的第5MOS晶体管(nMOS晶体管)M5、第1逆变器I1、第2逆变器I2、开关控制电路SWC、栅控制电路GC。
开关端子TSW与扼流线圈L的另一端连接。
第1电位端子T1与第1输出端子Tout1连接。
此外，在第1输出端子Tout1和第1电位端子T1之间的布线上存在第1寄生电感器LP1。
第2电位端子T2与第2输出端子Tout2及电池B的另一端(负极)TB2连接。
此外，在第2输出端子Tout2和第2电位端子T2之间的布线上存在第2寄生电感器LP2。
第1MOS晶体管M1中，其一端(源极)与第1电位端子T1连接，其另一端(漏极)与开关端子TSW连接，向其栅极输入第1控制信号S1。
第2MOS晶体管M2中，其一端(漏极)与开关端子TSW连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接。
第3MOS晶体管M3中，其一端(源极)与第1电位端子T1连接，其另一端(漏极)与第2MOS晶体管M2的栅极连接。
第4MOS晶体管M4中，其一端(漏极)与第3MOS晶体管M3的另一端(漏极)连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接。
第5MOS晶体管M5中，其一端(漏极)与第4MOS晶体管M4的栅极连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接。
第1逆变器I1中，输入第2控制信号S2，其输出与第3MOS晶体管M3的栅极连接。
这个第1逆变器I1，例如，如图1所示，具有第1导电型的第6MOS晶体管(pMOS晶体管)M6、第2导电型的第7MOS晶体管(nMOS晶体管)M7。
第6MOS晶体管M6中，其一端(源极)与第1电位端子T1连接，其另一端(漏极)与第3MOS晶体管M3的栅极连接，向其栅极输入第2控制信号S2。
第7MOS晶体管M7中，其一端(漏极)与第6MOS晶体管M6的另一端(漏极)连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接，其栅极与第6MOS晶体管M6的栅极连接。
第2逆变器I2中，输入第2控制信号S2，其输出与第4MOS晶体管M4的栅极连接。
这个第2逆变器I2，例如，如图1所示，具有第1导电型的第8MOS晶体管(pMOS晶体管)M8、第2导电型的第9MOS晶体管(nMOS晶体管)M9。
第8MOS晶体管M8中，其一端(源极)与第1电位端子T1连接，其另一端(漏极)与第4MOS晶体管M4的栅极连接，其栅极与第6MOS晶体管M6的栅极连接。
第9MOS晶体管M9中，其一端(漏极)与第8MOS晶体管M8的另一端(漏极)连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接，其栅极与第8MOS晶体管M8的栅极连接。
开关控制电路SWC通过第1控制信号S1及第2控制信号S2控制第1MOS晶体管M1及第2MOS晶体管M2的工作。
例如，开关控制电路SWC通过第1控制信号S1及第2控制信号S2控制第1MOS晶体管M1和第2MOS晶体管M2互补地导通/截止。
这个情况下，例如，开关控制电路SWC在控制第2MOS晶体管M2从导通到截止之后，控制第1MOS晶体管M1从截止到导通，使贯通电流在第1MOS晶体管M1和第2MOS晶体管M2之间不流动。
栅控制电路GC连接在开关端子TSW和第2电位端子T2之间，控制第5MOS晶体管M5的工作。
这个栅控制电路GC，在控制第2MOS晶体管M2以限制第2MOS晶体管M2中流动的电流的减少速度时，控制第5MOS晶体管M5导通。
例如，栅控制电路GC具有第1电容器C1、第1电阻元件R1。
第1电容器C1中，其一端与开关端子TSW连接，其另一端与第5MOS晶体管M5的栅极连接。
第1电阻元件R1连接在第1电容器C1的另一端和第2电位端子T2之间。
在这里，关于具有上述构成的DC-DC转换器1000的工作的一例进行说明。在这里，关于从第1MOS晶体管M1截止且第2MOS晶体管M2导通的状态变为第1MOS晶体管M1导通且第2MOS晶体管M2截止的状态进行说明。图2是显示如图1所示的第2MOS晶体管M2的静态特性的图。此外，在图2，PVDD是第1MOS晶体管M1的源极电压，Vf显示由第1MOS晶体管M1的寄生二极管引起的电压降。
首先，在第1MOS晶体管M1截止且第2MOS晶体管M2导通的状态，第1控制信号S1是″High(高)″电平，而且，第2控制信号S2是″High″电平。
然后，开关控制电路SWC将第2控制信号S2设为″Low(低)″电平。据此，向第2MOS晶体管M2的栅极施加″Low″电平的栅极信号。据此，第2MOS晶体管M2从导通向截止开始迁移，限制第2MOS晶体管M2中流动的电流。
此时，第2MOS晶体管M2的栅极电压从″High″电平下降到Ids＝线圈电流时夹断的电压时，线圈电流未完全流过通过第2MOS晶体管M2的路径，成为剩余的电流推升开关端子TSW的电位，开关端子TSW的电压从″Low″电平向″High″电平反转。开关端子TSW的电压达到″High″电平以后，那个剩余电流通过第1MOS晶体管M1的主体二极管向T1流动。由此，第2MOS晶体管M2的栅极电压下降并且这个第2MOS晶体管M2成为截止时，第2MOS晶体管M2的漏极电流也向0减少，同时流过第1MOS晶体管M1，特别是那个主体二极管的电流向线圈电流增加。
第2寄生电感器LP2中发生电动势的电流减少时的斜率dI/dt的绝对值能根据电压反转后的第2MOS晶体管M2的栅极电压的斜率dV/dt变大。
从紧接反转之后，栅控制电路GC向第5MOS晶体管M5的栅极供给与e^(-t/(CR))成比例的电压。即，栅控制电路GC，在控制第2MOS晶体管M2以限制在第2MOS晶体管M2中流动的电流时，控制第5MOS晶体管M5导通。
据此，从第2逆变器I2向第4MOS晶体管M4的栅极供给的电流，通过第5MOS晶体管M5向接地侧牵引。其结果，第4MOS晶体管M4从截止开关切换为导通的时间变长，第2MOS晶体管M2的栅极电荷的牵引速度变慢。据此，斜率dI/dt和电动势变小(图2)，降低接地噪音。
此后，开关控制电路SWC将第1控制信号S1设为″High″电平且将第2控制信号S2设为″Low″电平，使贯通电流不流动，将第1MOS晶体管M1设为截止且将第2MOS晶体管M2设为截止的状态。
然后，开关控制电路SWC将第1控制信号S1设为″Low″电平且将第2控制信号S2设为″Low″电平，将第1MOS晶体管M1设为导通且将第2MOS晶体管M2设为截止的状态。
通过以上的工作，完成从第1MOS晶体管M1截止且第2MOS晶体管M2导通的状态向第1MOS晶体管M1导通向且第2MOS晶体管M2截止的状态的开关切换。
如上所述，通过DC-DC转换器1000的工作，即使提高开关速度，也使第2MOS晶体管M2从导通向截止迁移的速度下降，由寄生电感器引起的斜率dI/dt和电动势减小，降低接地噪音。
即，根据本实施方式涉及的DC-DC转换器1000可在提高开关速度同时，降低接地噪音。
实施方式中，关于以下情况进行了说明，线圈L与电池的正极连接，平滑化电容器Cout连接在与负载Rout的一端连接的第1输出端子Tout1和与负载Rout的另一端连接的第2输出端子Tout2之间，第1导电型的MOS晶体管是pMOS晶体管，第2导电型的MOS晶体管是nMOS晶体管。
然而，电路的电流极性变得相反时，同样也可关于以下情况进行说明，即，平滑化电容器Cout的正极(第1输出端子Tout1)和负载Rout的一端连接至线圈L，第1导电型的MOS晶体管是nMOS晶体管，其源极与电池的负极连接，第2导电型的MOS晶体管是pMOS晶体管，其源极与电池的正极连接。
本实施方式涉及的DC-DC转换器也可适用于升降压型转换器。
以上，说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式，作为例子出示，不用于限定发明的范围。这些新的实施方式可以以其他的各种各样的形态实施，在不超出发明的要旨的范围，能进行各种省略、调换、变更。这些实施方式及其变形涵盖发明的范围和要旨，并且包含在权利要求的范围中记载的发明及其等价物的范围内。

Claims (20)

1.一种DC-DC转换器，其特征在于，包括：
平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压，
扼流线圈，其一端与电池的一端连接，
半导体集成电路，具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，
上述半导体集成电路包括：
第1导电型的第1MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第1控制信号，
第2导电型的第2MOS晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第1导电型的第3MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第2MOS晶体管的栅极连接，
第2导电型的第4MOS晶体管，其一端与上述第3MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第2导电型的第5MOS晶体管，其一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第1逆变器，向其输入第2控制信号，其输出与上述第3MOS晶体管的栅极连接，
第2逆变器，向其输入上述第2控制信号，其输出与上述第4MOS晶体管的栅极连接，
开关控制电路，通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管及上述第2MOS晶体管的工作，
栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5MOS晶体管的工作。
2.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，
上述栅控制电路，
在控制上述第2MOS晶体管以限制上述第2MOS晶体管中流动的电流的减少速度时，控制上述第5MOS晶体管导通。
3.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，
上述栅控制电路包括：
第1电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5MOS晶体管的栅极连接，
第1电阻元件，连接在上述第1电容器的另一端和上述第2电位端子之间。
4.如权利要求2所述的DC-DC转换器，其特征在于，
上述栅控制电路包括：
第1电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5MOS晶体管的栅极连接，
第1电阻元件，连接在上述第1电容器的另一端和上述第2电位端子之间。
5.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，
上述开关控制电路，
通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管和上述第2MOS晶体管互补地导通/截止。
6.如权利要求5所述的DC-DC转换器，其特征在于，
上述开关控制电路，
在控制上述第2MOS晶体管从导通到截止之后，控制上述第1MOS晶体管从截止到导通，使贯通电流在上述第1MOS晶体管和上述第2MOS晶体管之间不流动。
7.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，
在上述第1输出端子和上述第1电位端子之间的布线中存在第1寄生电感器，
在上述第2输出端子和上述第2电位端子之间的布线上存在第2寄生电感器。
8.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，
上述第1逆变器包括：
第1导电型的第6MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第3MOS晶体管的栅极连接，向其栅极输入上述第2控制信号，
第2导电型的第7MOS晶体管，其一端与上述第6MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第6MOS晶体管的栅极连接，
上述第2逆变器包括：
第1导电型的第8MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其栅极与上述第6MOS晶体管的栅极连接，
第2导电型的第9MOS晶体管，其一端与上述第8MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第8MOS晶体管的栅极连接。
9.如权利要求2所述的DC-DC转换器，其特征在于，
上述第1逆变器包括：
第1导电型的第6MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第3MOS晶体管的栅极连接，向其栅极输入上述第2控制信号，
第2导电型的第7MOS晶体管，其一端与上述第6MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第6MOS晶体管的栅极连接，
上述第2逆变器包括：
第1导电型的第8MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其栅极与上述第6MOS晶体管的栅极连接，
第2导电型的第9MOS晶体管，其一端与上述第8MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第8MOS晶体管的栅极连接。
10.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，
上述电池的一端是正极，
上述电池的另一端是负极，
上述第1、第3MOS晶体管是pMOS晶体管，
上述第2、第4MOS晶体管是nMOS晶体管。
11.一种半导体集成电路，其特征在于，上述半导体集成电路适用于DC-DC转换器，上述DC-DC转换器包括：平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压；扼流线圈，其一端与电池的一端连接；上述半导体集成电路包括：
与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子，
与上述第1输出端子连接的第1电位端子，
与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，
第1导电型的第1MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第1控制信号，
第2导电型的第2MOS晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第1导电型的第3MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第2MOS晶体管的栅极连接，
第2导电型的第4MOS晶体管，其一端与上述第3MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第2导电型的第5MOS晶体管，其一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
第1逆变器，向其输入第2控制信号，其输出与上述第3MOS晶体管的栅极连接，
第2逆变器，向其输入上述第2控制信号，其输出与上述第4MOS晶体管的栅极连接，
开关控制电路，通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管及上述第2MOS晶体管的工作，
栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5MOS晶体管的工作。
12.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述栅控制电路，
在控制上述第2MOS晶体管以限制上述第2MOS晶体管中流动的电流的减少速度时，控制上述第5MOS晶体管导通。
13.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述栅控制电路包括：
第1电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5MOS晶体管的栅极连接，
第1电阻元件，连接在上述第1电容器的另一端和上述第2电位端子之间。
14.如权利要求12所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述栅控制电路包括：
第1电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5MOS晶体管的栅极连接，
第1电阻元件，连接在上述第1电容器的另一端和上述第2电位端子之间。
15.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述开关控制电路，
通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管和上述第2MOS晶体管互补地导通/截止。
16.如权利要求15所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述开关控制电路，
在控制上述第2MOS晶体管从导通到截止之后，控制上述第1MOS晶体管从截止到导通，使贯通电流在上述第1MOS晶体管和上述第2MOS晶体管之间不流动。
17.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，
在上述第1输出端子和上述第1电位端子之间的布线中存在第1寄生电感器，
在上述第2输出端子和上述第2电位端子之间的布线上存在第2寄生电感器。
18.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述第1逆变器包括：
第1导电型的第6MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第3MOS晶体管的栅极连接，向其栅极输入上述第2控制信号，
第2导电型的第7MOS晶体管，其一端与上述第6MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第6MOS晶体管的栅极连接，
上述第2逆变器包括：
第1导电型的第8MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其栅极与上述第6MOS晶体管的栅极连接，
第2导电型的第9MOS晶体管，其一端与上述第8MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第8MOS晶体管的栅极连接。
19.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，
上述电池的一端是正极，
上述电池的另一端是负极，
上述第1、第3MOS晶体管是pMOS晶体管，
上述第2、第4MOS晶体管是nMOS晶体管。
20.一种半导体集成电路，其特征在于，上述半导体集成电路适用于DC-DC转换器，上述DC-DC转换器包括：平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压；扼流线圈，其一端与电池的一端连接；上述半导体集成电路包括：
与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子，
与上述第1输出端子连接的第1电位端子，
与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，
第1导电型的第1MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，
第2导电型的第2MOS晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，
开关控制电路，控制上述第1MOS晶体管和上述第2MOS晶体管互补地导通/截止，
栅控制电路，在由上述开关控制电路将上述第2MOS晶体管从导通向截止迁移时，控制上述第2MOS晶体管中流动的电流的减少速度。
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