CN103131188A - 硬化性组成物、硬化物及光学半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的为提供硬化性组成物、硬化物及光学半导体装置，该硬化性组成物含有：具有至少2个烯基的特定结构的聚硅氧烷(A)、具有1个以上在构成聚硅氧烷链的同一硅原子上键结有2个芳基的硅氧烷单元的聚硅氧烷(B)、以及硅氢化反应用催化剂(C)。本发明的硬化性组成物可形成耐湿性优异的硬化物。包含由本发明的硬化性组成物所形成的硬化物作为密封材等的光学半导体装置即使长时间使用，由于水蒸气的透过而造成发光元件的发光特性降低的可能亦小。

Description

硬化性组成物、硬化物及光学半导体装置
技术领域
本发明涉及一种硬化性组成物、硬化物及光学半导体装置。
背景技术
作为LED等半导体发光装置的密封剂，存在有硅氢化反应硬化型硅酮类树脂组成物等，使用对热或光具有高耐久性的硅酮类树脂。硅氢化反应硬化型硅酮类树脂组成物理想的是硬化性良好，且可形成折射率及透光率大、对基材的密接性高、高硬度、表面粘性少的硬化物。
作为此种硅酮类树脂组成物，在专利文献1中揭示了一种硬化性有机聚硅氧烷组成物，其含有：特定的直链状二有机聚硅氧烷、特定的支链状有机聚硅氧烷、在一分子中具有至少平均2个与硅原子键结的芳基与至少平均2个与硅原子键结的氢原子的有机聚硅氧烷及硅氢化反应用催化剂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1日本专利特开2008-050494号公报
然而，之前的硅酮类树脂具有耐湿性差的缺点，若用硅酮类树脂组成物密封发光元件，则存在如下问题：由于长时间使用而造成水蒸气透过密封材，产生发光元件的发光特性降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可形成耐湿性优异的硬化物的含有硅酮类树脂的硬化性组成物、及包含所述硬化物的光学半导体装置。
达成所述目的的本发明如下所述。
[1]一种硬化性组成物，其含有：下述式(1)所表示的具有至少2个烯基的聚硅氧烷(A)、下述式(2)所表示的聚硅氧烷(B)、以及硅氢化反应用催化剂(C)，
[化1]
(R1 3SiO1/2)a(RAr1 2SiO2/2)b(R2 2SiO2/2)c(R3SiO3 /2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f(1)
(式中，R1、R2及R3分别独立地表示烷基、烯基、芳基或密接性基；其中，在同一硅原子上键结的2个R2中的其中一个R2是芳基时，另一个R2并非芳基；而且，所有的R1、R2及R3中的至少2个是烯基；RAr1表示芳基；X表示氢原子或碳数为1～3的烷基；a、c、e及f分别独立地表示0以上的整数；b及d分别独立地表示1以上的整数)
[化2]
(式中，R4分别独立地表示1价烃基；RAr2分别独立表示芳基；n表示1以上的整数)。
[2]根据上述[1]所述的硬化性组成物，所述聚硅氧烷(B)是在所述通式(2)中n≥2的化合物。
[3]根据上述[1]或[2]所述的硬化性组成物，所述聚硅氧烷(B)的含量是相对于所述聚硅氧烷(A)100质量份而言为10质量份～100质量份。
[4]一种硬化物，其是通过对根据上述[1]～[3]中任一项所述的硬化性组成物进行硬化而得。
[5]一种光学半导体装置，其包含：半导体发光元件、与被覆该半导体发光元件的根据上述[4]所述的硬化物。
发明的效果
本发明的硬化性组成物可形成耐湿性优异的硬化物。包含由本发明的硬化性组成物所形成的硬化物作为密封材的光学半导体装置即使长时间使用，由于水蒸气的透过而造成发光元件的发光特性降低的可能亦小。
附图说明
图1是表示光学半导体装置的一具体例的模式图。
符号的说明
1：光学半导体装置
2：半导体发光元件
3：反射器
4：密封材
5：粒子
6：电极
7：导线
具体实施方式
<硬化性组成物>
本发明的硬化性组成物含有：下述式(1)所表示的具有至少2个烯基的聚硅氧烷(A)、下述式(2)所表示的聚硅氧烷(B)、硅氢化反应用催化剂(C)，
[化1]
(R1 3SiO1/2)a(RAr1 2SiO2/2)b(R2 2SiO2/2)c(R3SiO3 /2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f(1)
(式中，R1、R2及R3分别独立地表示烷基、烯基、芳基或密接性基。其中，在同一硅原子上键结的2个R2中的其中一个R2是芳基时，另一个R2并非芳基。而且，所有的R1、R2及R3中的至少2个是烯基。RAr1表示芳基。X表示氢原子或碳数为1～3的烷基。a、c、e及f分别独立地表示0以上的整数。b及d分别独立地表示1以上的整数)
[化2]
Figure BDA00002397047600041
(式中，4个R4分别独立地表示1价烃基。RAr2分别独立表示芳基。n表示1以上的整数)。
另外，在本发明中，所谓“聚硅氧烷”是表示具有键结有2个以上硅氧烷单元(Si-O)的分子骨架的化合物。
聚硅氧烷(A)
聚硅氧烷(A)是上述式(1)所表示的具有至少2个烯基的聚硅氧烷。聚硅氧烷(A)是本组成物的主成分，通过与聚硅氧烷(B)的硅氢化反应而硬化，成为硬化物的主体。
式(1)中，R1、R2及R3分别独立地表示烷基、烯基、芳基或密接性基。亦即，关于附有符号a的1个硅氧烷单元(结构单元)，3个所存在的R1分别独立地可为烷基，亦可为烯基，亦可为芳基，亦可为密接性基。例如在3个R1中的2个以上R1为烷基的情况下，该烷基可为相同的烷基，亦可为不同的烷基。在符号a为2以上的整数的情况下，附有符号a的各硅氧烷单元可相同亦可不同。关于R2及R3，亦与R1同样。
其中，附有符号a的硅氧烷单元中所存在的R1、附有符号c的硅氧烷单元中所存在的R2及附有符号d的硅氧烷单元中所存在的R3中的至少2个是烯基，在1分子上述式(1)所表示的聚硅氧烷(A)中存在至少2个的烯基。例如，可以是附有符号a的1个硅氧烷单元中所存在的3个R1中的1个为烯基，该硅氧烷单元存在2个以上。可以是附有符号a的1个硅氧烷单元中所存在的3个R1中的2个以上为烯基，该硅氧烷单元存在1个以上。可以是附有符号a的1个硅氧烷单元中所存在的3个R1中的1个为烯基，该硅氧烷单元存在1个，附有符号c的1个硅氧烷单元中所存在的2个R2中的1个为烯基，该硅氧烷单元存在1个以上。
而且，关于附有符号c的硅氧烷单元，键结于同一硅原子上的2个R2中的其中一个R2为芳基的情况下，另一个R2并非芳基。
所述烷基可列举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、环丙基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、冰片基、降冰片基、金刚烷基等。该些基中优选甲基。
所述烯基可列举乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基、庚烯基、己烯基及环己烯基等。该些基中优选乙烯基、烯丙基及己烯基。
所述芳基可列举苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等。该些基中优选苯基。
所述密接性基是表示对成为半导体装置等的基材等材料的金属或有机树脂等具有密接性的基。
密接性基例如可列举具有环氧基、亚硫酰基、异氰酸酯基、三烯丙基异氰酸酯基等的基。该些基中，自难以阻碍在使硬化性组成物硬化时所产生的硅氢化反应考虑，优选具有环氧基的基。
所述具有环氧基的基例如可列举缩水甘油氧基(glycidoxy)，3-缩水甘油氧基丙基等缩水甘油氧基烷基，以及3，4-环氧环戊基、3，4-环氧环己基、2-(3，4-环氧环戊基)乙基、及2-(3，4-环氧环己基)乙基等环氧环烷基等。所述具有环氧基的基具体而言可列举下述结构式(3)～结构式(6)所表示的基。若所述具有环氧基的基为此种基，则变得能够以mm的级别进行硬化物的成形。
[化3]
Figure BDA00002397047600051
[结构式(3)中，R5表示亚甲基或2价的碳数为2～10的直链状亚烷基或碳数为3～10的支链状亚烷基]
[化4]
Figure BDA00002397047600052
[结构式(4)中，R6表示亚甲基或2价的碳数为2～10的直链状亚烷基或碳数为3～10的支链状亚烷基]
[化5]
Figure BDA00002397047600053
[结构式(5)中，R7表示亚甲基或2价的碳数为2～10的直链状亚烷基或碳数为3～10的支链状亚烷基]
[化6]
Figure BDA00002397047600061
[结构式(6)中，R8表示亚甲基或2价的碳数为2～10的直链状亚烷基或碳数为3～10的支链状亚烷基]
结构式(1)所表示的基具体而言可列举2-(3，4-环氧基环己基)乙基等。
结构式(2)所表示的基具体而言可列举缩水甘油基等。
结构式(3)所表示的基具体而言可列举3-缩水甘油氧基丙基等。
结构式(4)所表示的基具体而言可列举2-(4-甲基-3，4-环氧环己基)乙基等。
式(1)中，RAr1表示芳基。RAr1所表示的芳基与所述R1、R2及R3所表示的芳基相同。
式(1)中，X表示氢原子或碳数为1～3的烷基。
式(1)中，a、c、e及f分别独立地表示0以上的整数。b及d分别独立地表示1以上的整数。
聚硅氧烷(A)具有附有符号b的硅氧烷单元、亦即在构成聚硅氧烷链的同一硅原子上键结有2个芳基的硅氧烷单元，因此由本硬化性组成物所得的硬化物的耐湿性提高。
在将a、b、c、d、e及f的合计设为100％时，a的比例优选为0％～60％，更优选为10％～40％。b的比例优选为5％～50％，更优选为5％～40％。c的比例优选为0％～40％，更优选为0％～30％。d的比例优选为30％～90％，更优选为40％～80％。e的比例优选为0％～40％，更优选为0％～20％。f的比例优选为0％～50％，更优选为0.1％～20％。
聚硅氧烷(A)的利用凝胶渗透色谱法而测定的聚苯乙烯换算的重量平均分子量优选为100～50000的范围，更优选为500～10000的范围。若聚硅氧烷(A)的重量平均分子量为所述范围内，则使用本组成物而制造密封材时容易操作，而且由本组成物所得的硬化物作为光学半导体密封材而具有充分的强度。
聚硅氧烷(A)的制造方法可列举：日本专利特开平6-9659号公报、日本专利特开2003-183582号公报、日本专利特开2007-008996号公报、日本专利特开2007-106798号公报、日本专利特开2007-169427号公报及日本专利特开2010-059359号公报等中所记载的公知的方法，例如对成为各单元源的氯硅烷或烷氧基硅烷进行共水解的方法或者利用碱金属催化剂等对共水解物进行平衡化反应的方法等。
聚硅氧烷(B)
聚硅氧烷(B)是上述式(2)所表示的聚硅氧烷。聚硅氧烷(B)是相对于聚硅氧烷(A)的交联剂，通过与聚硅氧烷(A)的硅氢化反应而形成硬化物。
式(2)中，RAr2表示芳基。所述芳基可列举苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等。该些基中优选苯基。
式(2)中，R4分别独立地表示1价烃基。所述1价烃基可列举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3，3，3-三氟丙基、九氟丁基乙基等经取代的烷基等。
式(2)中，n表示1以上的整数。n优选为2以上的整数，更优选为2～5的整数，更优选为2。若n为上述范围内，则可获得在耐湿性的方面而言优异的硬化物。
聚硅氧烷(B)具有1个以上在构成聚硅氧烷链的同一硅原子上键结有2个芳基的硅氧烷单元，因此由本硬化性组成物所得的硬化物的耐湿性提高。亦即，本硬化性组成物通过将聚硅氧烷(A)(所述聚硅氧烷(A)具有在构成聚硅氧烷链的同一硅原子上键结有2个芳基的硅氧烷单元)、聚硅氧烷(B)(所述聚硅氧烷(B)具有1个以上在构成聚硅氧烷链的同一硅原子上键结有2个芳基的硅氧烷单元)组合使用而使硬化物的耐湿性提高。
聚硅氧烷(B)例如可利用公知的方法使二苯基二甲氧基硅烷等二苯基二烷氧基硅烷与1，1，3，3-四甲基二硅氧烷等二氢硅氧烷反应而获得。
作为本发明的硬化性组成物中的聚硅氧烷(B)的含量，相对于聚硅氧烷(A)100质量份而言优选为10质量份～100质量份，更优选为10质量份～80质量份。若聚硅氧烷(B)的含量为所述范围内，则组成物的硬化充分进行，而且所得的硬化物获得充分的耐湿性。
硅氢化反应用催化剂(C)
硅氢化反应用催化剂(C)是聚硅氧烷(A)与聚硅氧烷(B)的硅氢化反应的催化剂。
硅氢化反应用催化剂(C)若为在之前的硅氢化反应硬化型硅酮类树脂组成物中作为硅氢化反应用催化剂而使用的催化剂，则可并无特别限制地使用。
硅氢化反应用催化剂(C)的具体例可列举铂类催化剂、铑类催化剂、钯类催化剂。自本组成物的硬化促进的观点考虑，该些催化剂中优选铂类催化剂。铂类催化剂例如可列举铂-烯基硅氧烷络合物等。烯基硅氧烷可列举1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷等。特别是自络合物的稳定性的观点考虑，优选1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷。
本发明的硬化性组成物中的硅氢化反应用催化剂(C)使用聚硅氧烷(A)与聚硅氧烷(B)的硅氢化反应实际进行的量、例如在硬化性组成物中为0.01ppm～10000ppm。
本发明的硬化性组成物只要可达成本发明的目的，则除了所述成分以外，亦可视需要而含有例如气相二氧化硅、石英粉末、氧化钛、氧化铝、氧化锌、荧光体等粒子，乙炔基环己醇、环-四甲基四乙烯基四硅氧烷等反应阻滞剂，二苯基双(二甲基乙烯基硅烷氧基)硅烷、苯基三(二甲基乙烯基硅烷氧基)硅烷、二苯基双(二甲基羟基硅烷氧基)硅烷等稀释剂，颜料，阻燃剂，耐热剂，抗氧化剂等。
本发明的硬化性组成物可通过利用混合机等公知的方法将所述各成分均一混合而调制。
本发明的硬化性组成物的25℃下的粘度优选为1mPa·s～1000000mPa·s，更优选为10mPa·s～10000mPa·s。若粘度为该范围内，则本组成物的操作性提高。
本发明的硬化性组成物可调制为1液，亦可分为2液而调制，在使用时将2液混合而使用。亦可视需要添加少量乙炔基环己醇等乙炔醇等硬化抑制剂。
<硬化物>
通过对本发明的硬化性组成物进行硬化而获得硬化物。
对本发明的硬化性组成物进行硬化的方法例如可列举将硬化性组成物涂布于基板上后，在100℃～180℃下加热1小时～13小时的方法。
<光学半导体装置>
本发明的光学半导体装置包含：半导体发光元件、对该半导体发光元件进行被覆的所述硬化物。本发明的光学半导体装置通过在半导体发光元件上被覆所述硬化性组成物，对该组成物进行硬化而获得。对硬化性组成物进行硬化的方法如上所述。
光学半导体装置可列举发光二极管(Light Emitting Diode，LED)及激光二极管(Laser Diode，LD)等。
图1是本发明的光学半导体装置的一具体例的模式图。光学半导体装置1包含：电极6；半导体发光元件2，设置于电极6上，通过导线7而与电极6电性连接；反射器3，以收容半导体发光元件2的方式而配置；密封材4，填充于反射器3内，对半导体发光元件2进行密封。密封材4是通过对本发明的硬化性组成物进行硬化而获得。在密封材4中分散有二氧化硅或荧光体等粒子5。
如上所述，对本发明的硬化性组成物进行硬化而得的密封材(硬化物)由于耐湿性高，因此即使长时间使用本发明的光学半导体装置，水蒸气透过密封材而使发光元件的发光特性降低的可能亦小。
[实例]
(1)聚硅氧烷的合成
聚硅氧烷的结构由29Si NMR及13C NMR而决定。
聚硅氧烷的重量平均分子量(Mw)是利用凝胶渗透色谱法(GPC)而在下述条件下测定，求出为聚苯乙烯换算值。
装置：HLC-8120C(东曹公司制造)
管柱：TSK-gel MultiporeHXL-M(东曹公司制造)
洗脱液：THF、流量为0.5mL/min、负载量5.0％、100μL
[合成例1]聚硅氧烷(A-1)的合成
在附有搅拌机、回流冷凝管、投入口、温度计的四口烧瓶中投入1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷37.3g、苯基三甲氧基硅烷234g、二苯基二甲氧基硅烷97.7g、水55g、三氟甲磺酸0.3g及甲苯146g而加以混合，在66℃下进行1小时的加热回流。冷却至室温后，将下层分离除去，对上层的甲苯溶液层进行水洗。在水洗的甲苯溶液层中加入水30g与氢氧化钾0.3g与3-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷4.4g而在70℃下进行1小时的加热。继而，将甲醇蒸馏除去，通过共沸脱水将过剩的水除去。继而，在111℃下进行4小时的加热回流。反应后的甲苯溶液冷却至室温后，用乙酸0.3g加以中和而进行水洗。将水除去后，在减压下将甲苯蒸馏除去而浓缩，获得平均单元式(ViMe2SiO1/2)20(PhSiO3/2)59(Ph2SiO2/2)20(EpMeSiO2/2)1(Vi表示乙烯基，Me表示甲基，Ph表示苯基，Ep表示缩水甘油氧基丙基)所表示的聚硅氧烷(A-1)。聚硅氧烷(A-1)的重量平均分子量为1600。
[合成例2]聚硅氧烷(A-2)的合成
在附有搅拌机、回流冷凝管、投入口、温度计的四口烧瓶中投入1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷37.3g、苯基三甲氧基硅烷234g、二甲基二甲氧基硅烷24g、二苯基二甲氧基硅烷48.9g、水56g、三氟甲磺酸0.3g及甲苯133g而加以混合，在66℃下进行1小时的加热回流。冷却至室温后，将下层分离除去，对上层的甲苯溶液层进行水洗。将水除去后，在减压下将甲苯蒸馏除去而浓缩，获得平均单元式为(ViMe2SiO1/2)20(PhSiO3/2)60(Me2SiO2/2)10(Ph2SiO2/2)10(Vi表示乙烯基，Me表示甲基，Ph表示苯基)所表示的聚硅氧烷(A-2)。聚硅氧烷(A-2)的重量平均分子量为1600。
[合成例3]聚硅氧烷(RA-1)的合成
在附有搅拌机、回流冷凝管、投入口、温度计的四口烧瓶中投入1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷37.3g、苯基三甲氧基硅烷234g、二甲基二甲氧基硅烷48.1g、水56g、三氟甲磺酸0.3g及甲苯120g而加以混合，在66℃下进行1小时的加热回流。冷却至室温后，将下层分离除去，对上层的甲苯溶液层进行水洗。在水洗的甲苯溶液层中加入水30g与氢氧化钾0.3g与3-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷4.4g而在70℃下进行1小时的加热回流。继而，将甲醇蒸馏除去，通过共沸脱水将过剩的水除去。继而，在111℃下进行4小时的加热回流。反应后的甲苯溶液冷却至室温后，用乙酸0.3g加以中和而进行水洗。将水除去后，在减压下将甲苯蒸馏除去而浓缩，获得平均单元式(ViMe2SiO1/2)20(PhSiO3/2)59(Me2SiO2/2)20(EpMeSiO2/2)1(Vi表示乙烯基，Me表示甲基，Ph表示苯基，Ep表示缩水甘油氧基丙基)所表示的聚硅氧烷(RA-1)。聚硅氧烷(RA-1)的重量平均分子量为1800。
[合成例4]聚硅氧烷(B-1)的合成
在附有搅拌机、回流冷凝管、投入口、温度计的四口烧瓶中投入二苯基二甲氧基硅烷220g与三氟甲磺酸0.6g而加以混合，加入1，1，3，3-四甲基二硅氧烷60.5g，一面在室温下进行搅拌一面以30分钟滴加乙酸108g。在滴加结束后，一面对混合液进行搅拌一面升温至50℃而进行3小时的反应。其次升温至80℃而使其反应2小时。反应结束后冷却至室温，然后加入甲苯与水，充分混合后进行静置，将水层分离除去。对上层的甲苯溶液层进行3次水洗后，进行减压浓缩而获得下述式(7)所表示的聚硅氧烷(B-1)。
[化7]
Figure BDA00002397047600111
[合成例5]聚硅氧烷(B-2)的合成
在附有搅拌机、回流冷凝管、投入口、温度计的四口烧瓶中投入二苯基二甲氧基硅烷220g与三氟甲磺酸0.6g而加以混合，加入1，1，3，3-四甲基二硅氧烷147g，一面在室温下搅拌一面以30分钟滴加乙酸108g。在滴加结束后，一面对混合液进行搅拌一面升温至50℃而进行3小时的反应。冷却至室温后，加入甲苯与水，充分混合后进行静置，将水层分离除去。对上层的甲苯溶液层进行3次水洗后，进行减压浓缩而获得下述式(8)所表示的聚硅氧烷(B-2)。
[化8]
Figure BDA00002397047600121
(2)硬化性组成物的调制
[实例1～实例4及比较例1]
在常压下、25℃下将下述表1所示的成分，以表1中所示的调配量加以混合，获得实例1～实例4及比较例1的硬化性组成物。另外，表1中的各成分的详细如下所述。
[表1]
实例1 实例2 实例3 实例4 比较例1
A-1 68份 70份 76份
A-2 69份
RA-1 63份
B-1 30份 14份 30份 35份
B-2 14份 22份
C-1 0.01份 0.01份 0.01份 0.01份 0.01份
D-1 1份 1份 1份 1份 1份
D-2 1份 1份 1份 1份 1份
E-1 0.05份 0.05份 0.05份 0.05份 0.05份
粘度(mPa·s) 4000 5000 4000 6000 1000
水蒸气透过率(g/m2/day) 30 37 33 45 65
抗裂性 A A A B A
折射率 1.6 1.59 1.6 1.59 1.58
硬度 A65 A75 A68 A85 A70
C-1：铂与1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷的络合物(铂金属量为4质量％)
D-1：二苯基双(二甲基乙烯基硅烷氧基)硅烷
D-2：苯基三(二甲基乙烯基硅烷氧基)硅烷
E-1：乙炔基环己醇
(3)硬化性组成物的评价
关于实例1～实例4及比较例1的硬化性组成物，利用下述(3-1)～(3-5)的方法进行评价。将评价结果示于所述表1中。
(3-1)粘度
硬化性组成物的粘度是使用E型粘度计而在25℃下测定。
(3-2)耐湿性(水蒸气透过率)
在特氟隆的平板上固定1mm厚的框，以成为框的高度的方式涂布硬化性组成物，在150℃的热风循环式烘箱中进行5小时的加热，由此而制作纵50mm、横50mm、高0.3mm的硬化物。使用莫康(MOCON)公司制造的PREMATRAN-W3/31装置，在40℃下、100％RH的条件下测定水蒸气透过率。
(3-3)抗裂性
将硬化性组成物注入至LED封装体(表面安装型、俯视型、聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂制)中，在100℃下进行1小时的干燥而使其硬化，其次在150℃下进行5小时的干燥而使其硬化，由此制造10个包含硬化物(密封材)的半导体发光元件。将所得的各半导体发光元件在恒温恒湿槽(爱斯佩克株式会社(ESPEC Corp.)制造、PL-3KP)中，在85℃、85％RH的条件下进行5小时的保管后，使用桌上型回流焊装置(千住金属工业公司制造、STR-2010)，进行2次最高温度为260℃、10秒的回流步骤。对于10个半导体发光元件，用光学显微镜观察回流处理后的硬化物与封装树脂之间的剥离的有无。
将10个半导体发光元件中没有1个产生剥离的情况作为“A”(判断为良好)，将产生剥离的半导体发光元件为1个～2个的情况作为“B”(判断为稍好)，将产生剥离的半导体发光元件为3个以上的情况作为“C”(判断为不良)。
(3-4)折射率
使用下述硬度测定用途中所制作的硬化物，用麦特里肯(Metricon)公司制造的Model2010全反射式折射率计测定25℃下的折射率。另外，测定波长为408nm。
(3-5)硬度
在特氟隆的平板上固定2mm厚的框，以成为框的高度的方式涂布硬化性组成物，在150℃的热风循环式烘箱中进行5小时的加热，由此制作纵50mm、横50mm、高1mm的硬化物。利用JIS K6253中所规定的D型与A型硬度计而测定该硬化物的硬度。

Claims (5)

1.一种硬化性组成物，其含有：下述式(1)所表示的具有至少2个烯基的聚硅氧烷(A)、下述式(2)所表示的聚硅氧烷(B)、以及硅氢化反应用催化剂(C)，
[化1]
(R1 3SiO1/2)a(RAr1 2SiO2/2)b(R2 2SiO2/2)c(R3SiO3 /2)d(SiO4/2)e(X O1/2)f(1)
式中，R1、R2及R3分别独立地表示烷基、烯基、芳基或密接性基；其中，在同一硅原子上键结的2个R2中的其中一个R2是芳基时，另一个R2并非芳基；而且，所有的R1、R2及R3中的至少2个是烯基；RAr1表示芳基；X表示氢原子或碳数为1～3的烷基；a、c、e及f分别独立地表示0以上的整数；b及d分别独立地表示1以上的整数
[化2]
Figure FDA00002397047500011
式中，R4分别独立地表示1价烃基；RAr2分别独立表示芳基；n表示1以上的整数。
2.根据权利要求1所述的硬化性组成物，所述聚硅氧烷(B)是于所述通式(2)中n≥2的化合物。
3.根据权利要求1或2所述的硬化性组成物，所述聚硅氧烷(B)的含量是相对于所述聚硅氧烷(A)100质量份而言为10质量份～100质量份。
4.一种硬化物，其是通过对根据权利要求1至3中任一项所述的硬化性组成物进行硬化而得。
5.一种光学半导体装置，其包含：半导体发光元件、与被覆该半导体发光元件的根据权利要求4所述的硬化物。
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