CN103130724A - 含萘基蒽的有机半导体材料、其制备方法和应用 - Google Patents

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王平
梁禄生
张振华
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Abstract

本发明适用于有机材料技术领域，提供了一种含萘基蒽的有机半导体材料、其制备方法和应用。本发明含萘基蒽的有机半导体材料具有如下结构式。本发明含萘基蒽的有机半导体材料，包括嘧啶基团和萘基蒽基团，实现其载流子传输效率的显著增加、热稳定性能显著改善；通过引入萘基蒽基团上的烷基，能够使得有机半导体材料的成膜性和溶解性得到明显提升，本发明含萘基蒽的有机半导体的了制备方法，操作简单，成本低廉，非常适于工业化生产。

Description

含萘基蒽的有机半导体材料、其制备方法和应用
技术领域
本发明属于有机材料技术领域，尤其涉及一种含萘基蒽的有机半导体材料、其制备方法和应用。
背景技术
随着信息时代的发展，具有高效、节能、轻质的有机电致发光平板显示器(OLEDs)及大面积白光照明越来越受到人们的关注。有机电致发光器件要实现全色显示及照明等应用目的，器件必须具有一定的效率和寿命。作为一种新型的LED技术，OLED具有主动发光、轻、薄、对比度好、能耗低、可制成柔性器件等特点的有机电致发光器件，其对发光材料提出了较高的要求，但是，目前发光材料的双极性(具有良好的空穴和电子传输性能)、高稳定性较差，影响了OLED器件效率和寿命的提升。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种含萘基蒽的有机半导体材料，解决现有技术中有机半导体材料双极性差、稳定性差的技术问题；以及该含萘基蒽的有机半导体材料的制备方法和应用。
本发明是这样实现的，
一种含萘基蒽的有机半导体材料(TBPRAN)，具有如下结构式I：
Figure BDA0000111545620000021
其中R为氢或C1～C8的烷基。
以及。
上述含萘基蒽的有机半导体材料的制备方法，包括如下步骤：
分别提供结构式为的化合物A、结构式为
Figure BDA0000111545620000023
的化合物B，其中R为氢或C1～C8的烷基；
按摩尔比1∶1～1.5将所述化合物A和化合物B溶于含有催化剂和碱性溶液的有机溶剂中，无氧条件及温度为70℃～130℃条件下进行Suzuki反应20小时～48小时，得到含萘基蒽的有机半导体材料(TBPRAN)，具有如下结构式I：
Figure BDA0000111545620000024
本发明进一步提供上述含萘基蒽的有机半导体材料在有机电致发光器件，有机太阳能电池，有机场效应晶体管，有机光存储器件，有机非线性材料或有机激光器件中的应用。
本发明含萘基蒽的有机半导体材料，包括嘧啶基团和萘基蒽基团，实现其载流子传输效率的显著增加、热稳定性能显著改善；通过引入萘基蒽基团上的烷基，能够使得有机半导体材料的成膜性和溶解性得到明显提升，本发明含萘基蒽的有机半导体的了制备方法，操作简单，成本低廉，非常适于工业化生产。
附图说明
图1是本发明实施例含萘基蒽的有机半导体材料制备方法流程图；
图2是应用本发明实施例一制备的TBPAN作为发光层的电致发光器件结构图；
图3是应用本发明实施例一制备的TBPAN作为发光层的电致发光器件发光效果图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种含萘基蒽的有机半导体材料(TBPRAN)，具有如下结构式I：
Figure BDA0000111545620000031
其中R为氢或C1～C8的烷基，R优选为氢、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。通过选用上述烷基，使得有机半导体材料具有良好的溶解性和成膜性。
本发明实施例含萘基蒽的有机半导体材料，包括嘧啶基团和萘基蒽基团；嘧啶基团为杂环结构，属于缺电子基团，嘧啶基团能够增加有机半导体材料的电子传递性能，使其载流子传递效率大大提升；萘基蒽基团具有良好的刚性，通过引入萘基蒽基团，使有机半导体材料的热稳定性能显著增加；通过引入萘基蒽基团上的烷基，实现有机半导体材料的溶解性和成膜性大大提升。
请参阅图1，图1显示上述含萘基蒽的有机半导体材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤S01，提供原料：
分别提供结构式为
Figure BDA0000111545620000041
的化合物A、结构式为
Figure BDA0000111545620000042
的化合物B，其中R为氢或C1～C8的烷基；
步骤S02，Suzuki反应：
按摩尔比1∶1～1.5将所述化合物A和化合物B溶于含有催化剂和碱性溶液的有机溶剂中，无氧条件及温度为70℃～130℃条件下进行Suzuki反应20小时～48小时，得到含萘基蒽的有机半导体材料(TBPRAN)，反应式表示为：
Figure BDA0000111545620000051
具体地，步骤S01中，化合物A为5-溴-2-(4-叔丁基苯基)嘧啶，化合物A可以从市面上购买得到。
化合物B可以选择两种物质，一是2-R基-9-(萘-2-基)蒽-10-硼酸酯，结构式为
另一种是2-R基-9-(萘-2-基)蒽-10-硼酸，结构式为
Figure BDA0000111545620000053
其中R为氢或C1～C8的烷基，R优选为氢、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。化合物B也可以从市面上购买得到。
具体地，步骤S02中，该无氧环境没有限制，例如，通过反复抽真空或向反应器中通入氮气等方式，使反应器内部处于无氧环境。
具体地，该化合物A与化合物B的摩尔比为1∶1～1.5，优选为1∶1.1。该有机溶剂没有限制，例如，四氢呋喃、乙二醇二甲醚、苯、氯苯或甲苯。该有机溶剂中含有催化剂，该催化剂为有机钯或有机钯与有机磷配体的混合物，该有机钯选自四三苯基膦钯、醋酸钯、三(二亚苄基丙酮)二钯或双三苯基膦二氯化钯，该有机钯与有机磷配体的混合物例如，Pd2(dba)3/P(o-Tol)3、Pd(PPh3)4、Pd(PPh3)2Cl2。该有机钯和化合物A的摩尔比为0.001～0.1∶1，优选为？0.08∶1。
该碱性溶液为Cs2CO3溶液、K2CO3溶液、Na2CO3溶液或Li2CO3溶液，其中，碱性溶液与化合物A的摩尔比为20～25∶1。
具体地，步骤S02的Suzuki反应中，反应温度为70℃～130℃，反应时间为20小时～48小时，反应在无氧条件下进行。反应后液体经过萃取、干燥、硅胶柱层析后得到有机半导体材料。反应式表示为：
Figure BDA0000111545620000061
本发明实施例含萘基蒽的有机半导体材料的制备方法，通过Suzuki反应制备含有嘧啶基团和萘基蒽基团的有机半导体材料，使得该有机半导体材料具有优异的载流子传递效率和热稳定性、溶解性及成膜性。本发明实施例制备方法，操作简单，成本低廉，非常适于工业化生产。
本发明实施例进一步提供上述含萘基蒽的有机半导体材料在有机电致发光器件，有机太阳能电池，有机场效应晶体管，有机光存储器件，有机非线性材料或有机激光器件中的应用。
以下通过具体实施例对上述有机半导体材料及其制备方法进行详细阐述。
实施例一
本发明实实施例9-[2-(4-叔丁基)苯基嘧啶-5-基]-10-(萘-2-基)蒽(TBPAN)，具有如下结构式：
Figure BDA0000111545620000071
本发明实施例9-[2-(4-叔丁基)苯基嘧啶-5-基]-10-(萘-2-基)蒽(TBPAN)制备方法，包括如下步骤：
步骤一、分别提供结构式为
Figure BDA0000111545620000072
的5-溴-2-(4-叔丁基苯基)嘧啶、结构式为的10-(-萘-2-基)蒽-9-硼酸；
将4.0mmol的10-(-萘-2-基)蒽-9-硼酸，4mmol的5-溴-2-(4-叔丁基苯基)嘧啶，0.4mmol的四(三苯基膦)钯加入到反应器中，抽真空、通氮气循环3次后，使反应体系处于无氧状态，氮气保护下，加入四氢呋喃溶液60mL、2mol/L的Na2CO3水溶液38ml，将混合液加热到75℃回流反应24h。反应结束后，将反应液倒入饱和氯化铵的水溶液中，二氯甲烷萃取三次，有机相用氯化钠水溶液洗，干燥，旋蒸除去溶剂后得到粗产物，经过硅胶柱层析分离提纯，最后得到黄色固体，即9-[2-(4-叔丁基)苯基嘧啶-5-基]-10-(萘-2-基)蒽。产率：93％。
经测定分析得知，MS：m/z 515(M+)。1H NMR(300MHz，CDCl3，ppm)：δ＝9.15(s，2H)，δ＝8.54(d，2H)，δ＝7.97～7.89(m，7H)，δ＝7.75(t，1H)，δ＝7.61～7.51(m，5H)，δ＝7.45～7.43(t，4H)，δ＝1.36(s，9H)。反应式表示为：
实施例二
本发明实施例3-甲基-9-[2-(4-叔丁基)苯基嘧啶-5-基]-10-(萘-2-基)蒽(TBPMAN)具有如下结构式：
Figure BDA0000111545620000082
本发明实施例3-甲基-9-[2-(4-叔丁基)苯基嘧啶-5-基]-10-(萘-2-基)蒽(TBPMAN)制备方法，包括如下步骤：
步骤一、分别提供结构式为
Figure BDA0000111545620000083
的5-溴-2-(4-叔丁基苯基)嘧啶、结构式为的3-甲基-10-(-萘-2-基)蒽-9-硼酸酯；
将4.4mmol的3-甲基-10-(-萘-2-基)蒽-9-硼酸酯，4mmol的5-溴-2-(4-叔丁基苯基)嘧啶，0.004mmol的四(三苯基膦)钯加入到反应器中，抽真空、通氮气循环3次后，使反应体系处于无氧状态，氮气保护下，加入甲苯50mL、2mol/L的K2CO3水溶液40ml，将混合液加热到100℃回流反应48h。反应结束后，将反应液倒入饱和氯化铵的水溶液中，二氯甲烷萃取三次，有机相用氯化钠水溶液洗，干燥，旋蒸除去溶剂后得到粗产物，经过硅胶柱层析分离提纯，最后得到黄色固体，即3-甲基-9-[2-(4-叔丁基)苯基嘧啶-5-基]-10-(萘-2-基)蒽。产率：90％。MS：m/z 529(M+)。
实施例三
本发明实施例3-叔丁基-9-[2-(4-叔丁基)苯基嘧啶-5-基]-10-(萘-2-基)蒽(TBPBAN)具有如下结构式：
Figure BDA0000111545620000091
本发明实施例3-叔丁基-9-[2-(4-叔丁基)苯基嘧啶-5-基]-10-(萘-2-基)蒽(TBPBAN)制备方法，包括如下步骤：
步骤一、分别提供结构式为
Figure BDA0000111545620000092
的5-溴-2-(4-叔丁基苯基)嘧啶、结构式为
Figure BDA0000111545620000093
的3-甲基-10-(-萘-2-基)蒽-9-硼酸酯；
将6mmol的3-叔丁基-10-(-萘-2-基)蒽-9-硼酸酯，4mmol的5-溴-2-(4-叔丁基苯基)嘧啶，0.32mmol的四(三苯基膦)钯加入到反应器中，抽真空、通氮气循环3次后，使反应体系处于无氧状态，氮气保护下，加入氯苯60mL、2mol/L的Cs2CO3水溶液45ml，将混合液加热到110℃回流反应20h。反应结束后，将反应液倒入饱和氯化铵的水溶液中，二氯甲烷萃取三次，有机相用氯化钠水溶液洗，干燥，旋蒸除去溶剂后得到粗产物，经过硅胶柱层析分离提纯，最后得到黄色固体，即3-叔丁基-9-[2-(4-叔丁基)苯基嘧啶-5-基]-10-(萘-2-基)蒽(TBPBAN)。产率：91％。MS：m/z 571(M+)。
表一是通过热重分析仪(TGA)进行检测，分析条件为氮气气氛，扫描速度为10℃/min时，获得的实施例一至三中有机半导体材料的热分解温度，其热分解温度高达379℃(5％热失重)以上，说明此类材料具有较好的热稳定性。
表一有机半导体材料的热分解温度
表二是通过场效应晶体管方法测得的上述实施例一至三中有机半导体材料的电子迁移率，电子迁移率在2.9×10-6cm2(Vs)-1以上，说明此类材料具有较好的电子传输性能。
表二有机半导体材料的场效应电子迁移率
Figure BDA0000111545620000102
从表一和表二可以看出，实施例一至三所制备的含萘基蒽的有机半导体材料具有优异的载流子传递速率和热稳定性。
应用例
请参阅图2，图2显示应用本发明实施例一的(TBPAN)作为发光层的电致发光器件结构图，包括阳极1、阳极1之上的空穴注入层2、位于该空穴注入层2上的空穴传输层3、空穴传输层3之上的发光层4、发光层4之上的空穴阻挡层或电子传输层5、空穴阻挡层或电子传输层5之上的电子注入层6，以及位于该电子注入层6之上的阴极7。阳极1的材质为ITO玻璃，包括玻璃11和位于该玻璃11上的ITO膜12；空穴注入层2的材质为m-MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)二苯并噻吩砜)、空穴传输层3的材质为NPB(N，N′-二(α-萘基)-N，N′-二苯基-4，4′-二胺)，发光层4的材质为实施例1中的TBPAN为主体材料掺入10wt％FIrpic{双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2’)吡啶甲酰合铱}蓝色磷光材料，空穴阻挡层或电子传输层5的材质为TPBI(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)，电子注入层6的材质为LiF，阴极7的材质为Mg∶Ag(10∶1，wt％)合金。该空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、空穴阻挡层或电子传输层5、电子注入层6及阴极7通过真空蒸镀方式制得。
将本应用例制得的有机电致发光器件在电压为5.5V的条件下进行光谱测试，测试结果如图3所示。由图3可知，该发光层含有TBPAN的蓝色有机电致发光器件(OLED)发射天蓝光，最大发射波长在478nm。并且测试得到其最大外量子效率达到15.2％。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种含萘基蒽的有机半导体材料，具有如下结构式I：
Figure FDA0000111545610000011
其中R为氢或C1～C8的烷基。
2.如权利要求1所述的含萘基蒽的有机半导体材料，其特征在于，所述R为甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
3.一种含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，包括如下步骤：
分别提供结构式为
Figure FDA0000111545610000012
的化合物A、结构式为
Figure FDA0000111545610000013
的化合物B，其中R为氢或C1～C8的烷基；
按摩尔比1∶1～1.5将所述化合物A和化合物B溶于含有催化剂和碱性溶液的有机溶剂中，无氧条件及温度为70℃～130℃条件下进行Suzuki反应20小时～48小时，得到含萘基蒽的有机半导体材料，具有如下结构式I：
4.如权利要求3所述的含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述R为甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
5.如权利要求3所述的含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述催化剂为有机钯或有机钯与有机磷配体的混合物。
6.如权利要求5所述的含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述有机钯选自四三苯基膦钯、醋酸钯、三(二亚苄基丙酮)二钯或双三苯基膦二氯化钯。
7.如权利要求3或6所述的含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述有机钯和所述化合物A的摩尔比为0.001～0.1∶1。
8.如权利要求7所述的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述碱性溶液为Cs2CO3溶液、K2CO3溶液、Na2CO3溶液或Li2CO3溶液。
9.如权利要求8所述的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述碱性溶液与所述化合物A的摩尔比为20～25∶1。
10.权利要求1或2所述的含萘基蒽的有机半导体材料在有机电致发光器件，有机太阳能电池，有机场效应晶体管，有机光存储器件，有机非线性材料或有机激光器件中的应用。
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