CN103094364A - 光伏装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光伏装置及其制造方法。光伏装置包括：半导体基底；非晶的第一导电半导体层，在半导体基底的第一表面的第一区域上并且包含第一杂质；非晶的第二导电半导体层，在半导体基底的第一表面的第二区域上并且包含第二杂质；以及间隙钝化层，在半导体基底上位于第一区域和第二区域之间，其中，第一导电半导体层还在间隙钝化层上。

Description

光伏装置及其制造方法
本申请要求于2011年11月7日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0115373号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的一个或多个实施例涉及光伏装置及其制造方法。
背景技术
太阳能电池是用于将诸如阳光的光转换成电能的光伏装置。不同于其他能源，太阳能是取之不尽的且是环境友好的能源，因此，太阳能变得越来越重要。太阳能电池的最基本的结构是由PN结形成的二极管，并根据构成光吸收层的材料对太阳能电池进行分类。
具有由硅形成的光吸收层的太阳能电池可以分为结晶（例如，多晶）晶片型太阳能电池和薄膜（非晶、多晶）型太阳能电池。太阳能电池的最普通的示例包括使用CuInGaSe2（CIGS）或CdTe的化合物薄膜太阳能电池、Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机太阳能电池。
异质结太阳能电池（一种结晶太阳能电池）使用结晶半导体基底作为光吸收层，并且具有与半导体基底的结晶度不同的结晶度的非单晶半导体层形成在结晶半导体基底上，以制造异质结太阳能电池。
异质结太阳能电池包括分别位于半导体基底的前表面和后表面上的正电极和负电极。在这样的结构中，电极布置在阳光将要入射到的表面上，因此干扰了阳光的入射。
此外，异质结太阳能电池包括在半导体基底的前表面和后表面上的透明导电层。因此，透明导电层导致存在光透射率的损失，因此光入射效率降低。此外，透明导电层的电阻比电极的电阻大，因此增大了太阳能电池的整体电阻。
发明内容
另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，部分地通过描述将是明显的。
根据本发明的一个或多个实施例，光伏装置包括：结晶的半导体基底；非晶的第一导电类型半导体层，形成在半导体基底的后表面的第一区域中并且包含第一杂质；非晶的第二导电类型半导体层，形成在半导体基底的后表面的第二区域中并且包含第二杂质；以及间隙钝化层，在半导体基底上设置在第一区域和第二区域之间，其中，第一导电类型半导体层设置在间隙钝化层上。
第一导电类型半导体层可以完全覆盖间隙钝化层。
半导体基底的表面中的至少一个表面可以被纹理化。
光伏装置还可以包括：第一非晶硅（a-Si）层，设置在半导体基底和第一导电类型半导体层之间；第一透明导电层，形成在第一导电类型半导体层上；以及第一金属电极，形成在第一透明导电层上。
间隙钝化层的厚度可以大于第一a-Si层、第一导电类型半导体层和第一透明导电层的厚度的总和。
第一a-Si层、第一导电类型半导体层和第一透明导电层可以完全覆盖间隙钝化层。
光伏装置还可以包括：第二非晶硅（a-Si）层，设置在半导体基底和第二导电类型半导体层之间；第二透明导电层，形成在第二导电类型半导体层上；以及第二金属电极，形成在第二透明导电层上。
间隙钝化层的厚度可以大于第二a-Si层、第二导电类型半导体层和第二透明导电层的厚度的总和。
光伏装置还可以包括：前表面保护层，形成在半导体基底的前表面上；前表面场层，形成在半导体基底的前表面上；以及抗反射层，形成在前表面保护层和前表面场层上。
间隙钝化层可以包括包含SiOx层和SiNx层的双层或包含SiOx层和SiON层的双层。
第一a-Si层和第二a-Si层中的至少一个可以形成为具有大约
Figure BDA00002234048700021
至大约
Figure BDA00002234048700022
的厚度。
第一透明导电层和第二透明导电层中的至少一个可以形成为具有大约
Figure BDA00002234048700031
至大约
Figure BDA00002234048700032
的厚度。
第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一个可以形成为具有大约
Figure BDA00002234048700033
至大约
Figure BDA00002234048700034
的厚度。
第一导电类型半导体层可以是p型，第二导电类型半导体层可以是n型。
第一导电类型半导体层可以是n型，第二导电类型半导体层可以是p型。
可以通过在第一区域和第二区域之间设置间隙钝化层将第一区域和第二区域彼此分隔开，第一区域和第二区域可以彼此交替。
根据本发明的一个或多个实施例，提供了一种制造光伏装置的方法，该方法包括：第一图案化操作，第一图案化操作用于打开形成在半导体基底的后表面上的钝化层中的第一区域；在半导体基底的包括其中第一区域被打开的钝化层的后表面上顺序地形成第一a-Si层、第一导电类型半导体层和第一透明导电层；形成蚀刻阻剂以覆盖第一区域和钝化层的在第一区域附近的部分；第二图案化操作，第二图案化操作用于通过蚀刻未被蚀刻阻剂保护的钝化层、第一a-Si层、第一导电类型半导体层和第一透明导电层来打开钝化层中的第二区域；在半导体基底的包括其中第二区域被打开的钝化层的后表面上顺序地形成第二a-Si层、第二导电类型半导体层和第二透明导电层；以及除去蚀刻阻剂。
钝化层可以包括包含SiOx层和SiNx层的双层或包含SiOx层和SiON层的双层。
第一区域和第二区域可以彼此分隔开并可以交替地布置。
该方法还可以包括：纹理化半导体基底。
附图说明
通过下面结合附图对实施例进行的描述，这些和/或其他方面将变得明显和更容易理解，在附图中：
图1是根据本发明实施例的光伏装置的示意性剖视图；
图2至图10是示出制造图1的光伏装置的示例性方法的步骤的示意性剖视图；
图11是根据本发明另一实施例的光伏装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完全的。本说明书中使用的术语仅用来描述具体实施例，且不意图限制本发明。以单数使用的表达包括复数的表达，除非其在上下文中有明显不同的意思。在本说明书中，将理解的是，诸如“包括”或“具有”等的术语意图表示存在说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合，并且不意图排除可以存在或可以添加一个或多个其他特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合的可能性。虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等术语描述各种组件，但这样的组件无需局限于上述术语。上述术语仅用来将一个组件与另一个组件区分开。
还将理解的是，当层被称作“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。然而，当层被称作“直接在”另一层或基底“上”时，可以不存在中间层。
图1是根据本发明实施例的光伏装置的示意性剖视图。
光伏装置包括半导体基底110、形成在半导体基底110前表面上的前表面保护层130、前表面场层140和抗反射层150以及形成在半导体基底110后表面上的第一非晶硅（a-Si）层161、第二非晶硅（a-Si）层171、第一导电类型半导体层162、第二导电类型半导体层172、第一透明导电层163、第二透明导电层173、第一金属电极180、第二金属电极190和间隙钝化层120。
半导体基底110是光吸收层并可以包括结晶硅基底。例如，半导体基底110可以包括单晶硅基底或多晶硅基底。半导体基底110可以是包含n型杂质的单晶硅基底或多晶硅基底。n型杂质可以包括诸如磷（P）和砷（As）的Ⅴ族化学元素。
虽然在本实施例中使用包含n型杂质的单晶硅基底或多晶硅基底作为半导体基底110，但本发明不限于此。例如，也可以使用包含p型杂质的单晶硅基底或多晶硅基底。p型杂质可以包括诸如硼（B）、铝（Al）和镓（Ga）的Ⅲ族化学元素。
前表面保护层130形成在半导体基底110的前表面上以保护半导体基底110，并且可以包含本征a-Si（i a-Si）。可选择地，前表面保护层130可以包含含有n型杂质的a-Si（n a-Si），或者前表面保护层130可以由包含Si、N、O和H的组合的无机材料形成，例如，可以由氧化硅（SiOx）或氮化硅（SiNx）形成。
前表面场层140可以形成在前表面保护层130上，并且可以包含SiNx或掺杂有杂质的a-Si。如果前表面场层140包含掺杂有杂质的a-Si，则a-Si可以用与半导体基底110相同的导电杂质以比在半导体基底110中的浓度高的浓度掺杂。因此，由于因半导体基底110和前表面场层140的杂质浓度之间的差异而形成势垒，所以空穴向半导体基底110前表面的移动被干扰，因此，可以防止空穴和电子在半导体基底110的前表面附近彼此复合。
抗反射层150防止在阳光入射过程中因光的反射导致的光伏装置的光吸收的损失，因此改善光伏装置的效率。抗反射层150可以包含透明材料。例如，抗反射层150可以包含SiOx、SiNx、氮氧化硅（SiOxNy）等。可选择地，抗反射层150可以包含氧化钛（TiOx）、氧化锌（ZnO）、硫化锌（ZnS）等。抗反射层150可以形成为包括单层或多层。
虽然在本实施例中描述了前表面保护层130、前表面场层140和抗反射层150单独地形成在半导体基底110的前表面上的情况，但本发明不限于此。例如，在形成包含SiOx的前表面保护层130之后，可以形成包含SiNx的膜用作前表面场层140和抗反射层150二者。可选择地，在形成包含ia-Si或掺杂有杂质的a-Si的前表面保护层130之后，可以形成包含SiNx的膜用作前表面场层140和抗反射层150二者。
第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162、第一透明导电层163和第一金属电极180可以形成在半导体基底110后表面的第一区域A1中。第一a-Si层161可以形成在半导体基底110后表面的第一区域A1中，并可以包含ia-Si。第一导电类型半导体层162可以形成在第一a-Si层161上，并可以包含第一杂质。例如，可以使用p型杂质将第一导电类型半导体层162形成为p+层。第一透明导电层163可以形成在第一导电类型半导体层162上，并且包括诸如ITO、IZO和ZnO的透明导电膜（TCO）。形成在第一透明导电层163上的第一金属电极180可以包含银（Ag）、金（Au）、铜（Cu）、Al或它们的合金。
由包含p型杂质的a-Si形成的第一导电类型半导体层162与半导体基底110形成p-n结。在这种情况下，为了改善p-n结性质，第一a-Si层161位于半导体基底110和第一导电类型半导体层162之间。第一导电类型半导体层162和第一a-Si层161与半导体基底110形成异质结，因此，光伏装置的开路电压可以增大。第一导电类型半导体层162可以形成为具有大约
Figure BDA00002234048700061
至大约之间的厚度，而第一a-Si层161可以形成为具有大约
Figure BDA00002234048700063
至大约
Figure BDA00002234048700064
之间的厚度。
第一透明导电层163可以改善第一导电类型半导体层162和第一金属电极180之间的欧姆接触。第一透明导电层163可以形成为具有大约
Figure BDA00002234048700065
至大约的厚度。第一金属电极180可以连接到外部装置。根据本实施例，第一金属电极180可以作为光伏装置的正电极电连接到外部装置。
第二a-Si层171、第二导电类型半导体层172、第二透明导电层173和第二金属电极190可以形成在半导体基底110后表面的第二区域A2中。第一区域A1和第二区域A2可通过在第一区域A1和第二区域A2之间的间隙钝化层120彼此分隔开，并可彼此交替。
第二a-Si层171形成在半导体基底110后表面的第二区域A2中，并可以包含ia-Si。第二导电类型半导体层172形成在第二a-Si层171上，并可以包含第二杂质。例如，可以使用n型杂质将第二导电类型半导体层172形成为n+层。第二透明导电层173包括诸如ITO、IZO和ZnO的透明导电膜（TCO），形成在第二透明导电层173上的第二金属电极190可以包含Ag、Au、Cu、Al或它们的合金。
包含含有n型杂质的a-Si的第二导电类型半导体层172可以具有比半导体基底110中的杂质浓度高的杂质浓度。第二导电类型半导体层172可以形成为具有大约
Figure BDA00002234048700067
至大约
Figure BDA00002234048700068
的厚度，并可以与第二a-Si层171一起形成后电场以防止空穴和电子在半导体基底110后表面附近彼此复合。第二a-Si层171可以形成为具有大约
Figure BDA00002234048700069
至大约
Figure BDA000022340487000610
的厚度。
第二透明导电层173形成为具有大约
Figure BDA000022340487000611
至大约的厚度，并可以增强第二导电类型半导体层172和第二金属电极190之间的欧姆接触。第二金属电极190可以连接到外部装置。根据本实施例，第二金属电极190可以作为光伏装置的负电极电连接到外部装置。
间隙钝化层120布置在半导体基底110后表面的第三区域A3中，第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163顺序地堆叠在间隙钝化层120上。间隙钝化层120防止半导体基底110暴露于外部因素，从而可以防止空穴和电子彼此复合。
间隙钝化层120的厚度可以比布置在间隙钝化层120附近的层的厚度的总和大。例如，间隙钝化层120的厚度可以比第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163的厚度的总和大，并且比第二a-Si层171、第二导电类型半导体层172和第二透明导电层173的厚度的总和大。间隙钝化层120的厚度可以为大约
Figure BDA00002234048700071
至大约
Figure BDA00002234048700072
如果间隙钝化层120的厚度比布置在间隙钝化层120附近的层的厚度的总和小，则间隙钝化层120的效率可能会劣化。例如，可能不会有效地防止电子和空穴彼此复合。
间隙钝化层120直接形成在半导体基底110上，并防止半导体基底110暴露于外部因素。间隙钝化层120可以形成为包括SiOx层和SiNx层的双层或包括SiOx层和SiOxNy层的双层。可选择地，间隙钝化层120可以形成为单层。
通过形成钝化层来形成间隙钝化层120，关于该钝化层，在形成第一a-Si层161之前打开第一区域A1，然后在形成第二a-Si层171之前打开该钝化层的第二区域A2。根据这样的方法，间隙钝化层120的宽度可以被最小化，并且第一导电类型半导体层162和第二导电类型半导体层172的形成过程中发生的可能的损坏可以被最小化。间隙钝化层120的宽度可以小于或等于100μm，例如，间隙钝化层120的宽度可以是大约30μm至大约50μm。如果间隙钝化层120形成为具有过宽的宽度，则光伏装置的效率可能显著劣化。
如上所述，根据制造光伏装置的方法，第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163顺序地形成在间隙钝化层120上。
在下文中，将参照图2至图10描述根据本发明实施例的制造光伏装置的方法。
参照图2，在包含结晶硅的半导体基底110上形成钝化层120a。可以将钝化层120a形成为具有大约
Figure BDA00002234048700073
至大约
Figure BDA00002234048700074
的厚度。
钝化层120a可以由多个层形成。例如，可以通过形成包含SiOx的膜和形成包含SiNx的膜来形成钝化层120a。可选择地，可以通过形成包含SiOx的膜和形成包含SiOxNy的膜来形成钝化层120a。可选择地，如果需要，则钝化层120a可以由单层形成。
参照图3，执行图案化操作来除去形成在半导体基底110上的钝化层120a的一部分，即，第一区域A1。图案化操作可以是蚀刻操作。例如，可以通过湿蚀刻来图案化第一区域A1。这里，从形成在半导体基底110后表面上的钝化层120a仅除去第一区域A1，并可以通过图案化操作暴露半导体基底110的与第一区域A1对应的部分。第一区域A1是在下述操作中形成第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163的区域。在一个实施例中，可以完全除去形成在半导体基底110前表面和侧表面上的钝化层120a。
参照图4，在半导体基底110前表面上顺序地形成前表面保护层130、前表面场层140和抗反射层150。
前表面保护层130可以包含i a-Si、包含杂质的a-Si或诸如SiOx和SiNx的无机材料，前表面保护层130形成为完全覆盖半导体基底110的前表面。可以通过化学气相沉积方法（诸如等离子体化学气相沉积（PECVD））、物理方法（诸如溅射或旋涂）、化学方法或物理化学方法来形成前表面保护层130。
前表面场层140可以包括SiNx或掺杂有杂质的a-Si，并形成为完全覆盖前表面保护层130。可以通过PECVD形成前表面场层140，其中，掺杂有杂质的a-Si可以具有比半导体基底110更高的杂质浓度。
抗反射层150可以包含SiOx、SiNx、SiOxNy等。可选择地，抗反射层150可以包含TiO2、ZnO、ZnS等。可以通过诸如CVD、溅射或旋涂的方法形成抗反射层150。
虽然在本实施例中描述了单独地形成前表面保护层130、前表面场层140和抗反射层150的情况，但本发明不限于此。例如，如上所述，在形成包含SiOx的前表面保护层130之后，可以形成包含SiNx的膜，该膜可以同时用作前表面场层140和抗反射层150二者。
参照图5，在半导体基底110的具有钝化层120a（其中，第一区域A1被打开）的后表面上顺序地形成第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163。
第一a-Si层161可以包含ia-Si。例如，可以通过诸如PECVD的方法形成厚度为大约
Figure BDA00002234048700081
至大约
Figure BDA00002234048700082
的第一a-Si层161。例如，可以通过将SiH4、氢（H）等注入真空室，注入包含Ⅲ族化学元素的杂质并执行诸如PECVD的化学气相沉积方法来形成第一导电类型半导体层162。第一透明导电层163可以包含ITO、IZO、IWO、IGdO、IZrO、INdO、ZnO等，并可以通过诸如溅射、电子束、蒸镀等的方法形成第一透明导电层163。
由于第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163形成为完全覆盖半导体基底110的具有钝化层120a（其中，第一区域A1被打开）的后表面，所以第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163不仅形成在半导体基底110上，而且形成在钝化层120a上。
参照图6，形成蚀刻阻剂210。这里，蚀刻阻剂210形成为覆盖第一区域A1和钝化层120a的形成在第一区域A1附近的部分。钝化层120a的被蚀刻阻剂210覆盖的部分变成间隙钝化层120，如图10中所示。
参照图7，使用蚀刻阻剂210作为掩模，蚀刻形成在半导体基底110后表面上的钝化层120a、第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163来打开钝化层120a的第二区域A2。
在未被蚀刻阻剂210覆盖的区域内，可以通过湿蚀刻或干蚀刻来蚀刻钝化层120a、第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163。在一个实施例中，在蚀刻操作过程中，被蚀刻阻剂210覆盖的区域中的钝化层120a、第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163得到保护。
如上所述，通过第二图案化操作暴露半导体基底110的与第二区域A2对应的部分。第二区域A2是在下述操作中形成第二a-Si层171、第二导电类型半导体层172和第二透明导电层173的区域。
参照图8，在半导体基底110的其中与第二区域A2对应的部分被打开的后表面上顺序地形成第二a-Si层171、第二导电类型半导体层172和第二透明导电层173。
第二a-Si层171可以包含ia-Si。例如，可以通过诸如PECVD的方法形成厚度为大约
Figure BDA00002234048700091
至大约
Figure BDA00002234048700092
的第二a-Si层171。例如，可以通过将SiH4、氢（H）等注入真空室，注入包含Ⅴ族化学元素的杂质并执行诸如PECVD的化学气相沉积方法来形成第二导电类型半导体层172。第二透明导电层173包含ITO、IZO、IWO、IGdO、IZrO、INdO、ZnO等，并可以通过诸如溅射、电子束、蒸镀等的方法形成第二透明导电层173。
由于第二a-Si层171、第二导电类型半导体层172和第二透明导电层173形成为完全覆盖半导体基底110的具有钝化层120a（其中，第二区域A2被打开）的后表面，所以第二a-Si层171、第二导电类型半导体层172和第二透明导电层173不仅形成在半导体基底110上，而且形成在蚀刻阻剂210上。然而，由于钝化层120a被蚀刻阻剂210覆盖，所以第二a-Si层171、第二导电类型半导体层172和第二透明导电层173未直接地形成在钝化层120a上。
参照图9，除去蚀刻阻剂210。当除去蚀刻阻剂210时，形成在蚀刻阻剂210上的第二a-Si层171、第二导电类型半导体层172和第二透明导电层173也被除去。由于蚀刻阻剂210被除去，所以被蚀刻阻剂210覆盖且包括第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163的堆叠结构被暴露。
第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163不仅布置在第一区域A1上，而且布置在间隙钝化层120上。
根据这样的工艺，第一a-Si层161、第一导电类型半导体层162和第一透明导电层163形成在第一区域A1中，而第二a-Si层171、第二导电类型半导体层172和第二透明导电层173形成在第二区域A2中。此外，间隙钝化层120形成在第一区域A1和第二区域A2之间。
参照图10，形成第一金属电极180和第二金属电极190。在第一透明导电层163上形成第一金属电极180，而在第二透明导电层173上形成第二金属电极190。第一金属电极180和第二金属电极190可以包含Ag、Au、Cu、Al或它们的合金。例如，可以通过诸如喷墨印刷、凹版印刷、胶版印刷、丝网印刷等的涂覆方法，使用包含上述元素的导电膏形成第一金属电极180和第二金属电极190。
在根据对比实施例的制造光伏装置的方法中，该方法可以包括两个操作。在第一操作中，将第一a-Si层、第一导电类型半导体层和第一透明导电层形成为完全覆盖形成有钝化层且第一区域和第二区域被打开的表面上，然后通过蚀刻部分地除去第一a-Si层、第一导电类型半导体层和第一透明导电层，使得与第一区域对应的第一a-Si层、第一导电类型半导体层和第一透明导电层保留。在第二操作中，将第二a-Si层、第二导电类型半导体层和第二透明导电层形成为完全覆盖形成有钝化层的表面，然后，通过蚀刻部分地除去第二a-Si层、第二导电类型半导体层和第二透明导电层，使得与第二区域对应的第二a-Si层、第二导电类型半导体层和第二透明导电层保留。
在根据对比实施例的蚀刻过程中，由于作为p+层的第一导电类型半导体层的蚀刻选择性和作为n+层的第二导电类型半导体层的蚀刻选择性相对于彼此较低，所以会导致对光伏装置后表面的损坏。此外，如果第一区域和第二区域之间的间隙钝化层的宽度与根据本发明实施例的间隙钝化层120的宽度相似，则在印刷操作过程中难以校准对齐，因此，光伏装置的质量劣化。
然而，根据本发明实施例的制造光伏装置的方法包括相对简单的操作。并且，由于在打开第一区域A1之后形成第一导电类型半导体层，且在打开第二区域A2之后形成第二导电类型半导体层，所以在印刷操作过程中容易校准对齐，因此，可以制造高质量的光伏装置。
图11是根据本发明另一实施例的光伏装置的示意性剖视图。
参照图11，根据本实施例的光伏装置包括半导体基底310、形成在半导体基底310前表面上的前表面保护层330、前表面场层340和抗反射层350以及形成在半导体基底310后表面上的第一a-Si层361、第二a-Si层371、第一导电类型半导体层362、第二导电类型半导体层372、第一透明导电层363、第二透明导电层373、第一金属电极380、第二金属电极390和间隙钝化层320。
在一个实施例中，除了半导体基底310的前表面被纹理化之外，根据本实施例的光伏装置与根据前面实施例的光伏装置基本相似。将省略对根据本实施例的光伏装置的与根据图1中示出的前面实施例的光伏装置的构造相同的构造的描述，下面的描述将集中在前面实施例与本实施例之间的不同点上。
作为光吸收层的半导体基底310的前表面可以被纹理化。通过纹理化半导体基底310的前表面可以增加入射光的光路的数量，因此，可以改善光吸收效率。作为纹理化操作的示例，可以将半导体基底浸入KOH或NaOH溶液与异丙醇（IPA）的混合物中。结果，可以形成棱锥型纹理。
由于半导体基底310的前表面被纹理化，所以形成在半导体基底310前表面上的前表面保护层330、前表面场层340和抗反射层350也包括与纹理的形状对应的不平坦表面。
除了在本实施例中使用前表面被纹理化的半导体基底310之外，根据本实施例的制造光伏装置的方法与上面参照图2至图10描述的方法相同。
虽然在根据本实施例的光伏装置中半导体基底310的前表面被纹理化，但本发明不限于此。例如，也可以将半导体基底310的后表面纹理化。在这种情况下，形成在半导体基底310后表面上的第一a-Si层361、第二a-Si层371、第一导电类型半导体层362、第二导电类型半导体层372、第一透明导电层363和第二透明导电层373可以包括或可以不包括与纹理的形状对应的不平坦表面。
根据上述实施例，在形成第一a-Si层161和361、作为p型半导体层的第一导电类型半导体层162和362以及第一透明导电层163和363之后，形成第二a-Si层171和371、作为n型半导体层的第二导电类型半导体层172和372以及第二透明导电层173和373。然而，本发明不限于此。
例如，在形成第二a-Si层171和371、作为n型半导体层的第二导电类型半导体层172和372以及第二透明导电层173和373之后，可以形成第一a-Si层161和361、作为p型半导体层的第一导电类型半导体层162和362以及第一透明导电层163和363。在这种情况下，形成为完全覆盖间隙钝化层120和320的半导体层是作为n型半导体层的第二导电类型半导体层172和372。
应该理解的是，应该仅以描述的含义看待在此描述的示例性实施例，而不是出于限制的目的。在每个实施例中对特征或方面的描述通常应该被认为适用于其他实施例中的其他相似特征或方面。

Claims (20)

1.一种光伏装置，所述光伏装置包括：
半导体基底；
非晶的第一导电半导体层，在半导体基底的第一表面的第一区域上并且包含第一杂质；
非晶的第二导电半导体层，在半导体基底的第一表面的第二区域上并且包含第二杂质；以及
间隙钝化层，在半导体基底上位于第一区域和第二区域之间，
其中，第一导电半导体层还在间隙钝化层上。
2.如权利要求1所述的光伏装置，其中，第一导电半导体层完全覆盖间隙钝化层。
3.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体基底的表面中的至少一个表面被纹理化。
4.如权利要求1所述的光伏装置，所述光伏装置还包括：
第一非晶硅层，位于半导体基底和第一导电半导体层之间；
第一透明导电层，在第一导电半导体层上；以及
第一金属电极，在第一透明导电层上。
5.如权利要求4所述的光伏装置，其中，间隙钝化层的厚度大于第一非晶硅层、第一导电半导体层和第一透明导电层的厚度的总和。
6.如权利要求4所述的光伏装置，其中，第一非晶硅层、第一导电半导体层和第一透明导电层完全覆盖间隙钝化层。
7.如权利要求4所述的光伏装置，所述光伏装置还包括：
第二非晶硅层，位于半导体基底和第二导电半导体层之间；
第二透明导电层，在第二导电半导体层上；以及
第二金属电极，在第二透明导电层上。
8.如权利要求7所述的光伏装置，其中，间隙钝化层的厚度大于第二非晶硅层、第二导电半导体层和第二透明导电层的厚度的总和。
9.如权利要求1所述的光伏装置，所述光伏装置还包括：
第二表面保护层，在半导体基底的与第一表面大体相对的第二表面上；
第二表面场层，形成在半导体基底的第二表面上；以及
抗反射层，形成在第二表面保护层和第二表面场层上。
10.如权利要求1所述的光伏装置，其中，间隙钝化层包括包含SiOx层和SiNx层的双层或包含SiOx层和SiON层的双层。
11.如权利要求7所述的光伏装置，其中，第一非晶硅层和第二非晶硅层中的至少一个具有
Figure FDA00002234048600021
至之间的厚度。
12.如权利要求7所述的光伏装置，其中，第一透明导电层和第二透明导电层中的至少一个具有至之间的厚度。
13.如权利要求1所述的光伏装置，其中，第一导电半导体层和第二导电半导体层中的至少一个具有
Figure FDA00002234048600025
至的厚度。
14.如权利要求1所述的光伏装置，其中，第一导电半导体层是p型，第二导电半导体层是n型。
15.如权利要求1所述的光伏装置，其中，第一导电半导体层是n型，第二导电半导体层是p型。
16.如权利要求1所述的光伏装置，其中，第一区域和第二区域通过在第一区域和第二区域之间的间隙钝化层彼此分隔开，并彼此交替。
17.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括：
执行第一图案化操作，第一图案化操作打开形成在半导体基底的第一表面上的钝化层中的第一区域；
在半导体基底的包括其中第一区域被打开的钝化层的第一表面上顺序地堆叠第一非晶硅层、第一导电半导体层和第一透明导电层；
形成蚀刻阻剂以覆盖第一区域和钝化层的在第一区域附近的部分；
执行第二图案化操作，第二图案化操作通过蚀刻未被蚀刻阻剂保护的钝化层、第一非晶硅层、第一导电半导体层和第一透明导电层来打开钝化层中的第二区域；
在半导体基底的包括其中第二区域被打开的钝化层的第一表面上顺序地堆叠第二非晶硅层、第二导电半导体层和第二透明导电层；以及
除去蚀刻阻剂。
18.如权利要求17所述的方法，其中，钝化层包括包含SiOx层和SiNx层的双层或包含SiOx层和SiON层的双层。
19.如权利要求17所述的方法，其中，第一区域和第二区域彼此分隔开并交替地布置。
20.如权利要求17所述的方法，所述方法还包括：纹理化半导体基底。
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