CN103091986B - 正型感光性树脂组成物、硬化膜及其形成方法、液晶显示装置及有机电致发光显示装置 - Google Patents

正型感光性树脂组成物、硬化膜及其形成方法、液晶显示装置及有机电致发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103091986B
CN103091986B CN201210431750.5A CN201210431750A CN103091986B CN 103091986 B CN103091986 B CN 103091986B CN 201210431750 A CN201210431750 A CN 201210431750A CN 103091986 B CN103091986 B CN 103091986B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
component units
base
positive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201210431750.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103091986A (zh
Inventor
米泽裕之
川岛敬史
山﨑健太
疋田政宪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012210434A external-priority patent/JP5624098B2/ja
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN103091986A publication Critical patent/CN103091986A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103091986B publication Critical patent/CN103091986B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明提供一种正型感光性树脂组成物、硬化膜的形成方法、硬化膜、液晶显示装置以及有机电致发光显示装置，该正型感光性树脂组成物可获得感光度高、对于剥离液或NMP的耐受性高、与透明电极膜或金属的密接性也良好、且耐干蚀刻性优异、在显示装置中也不易产生显示不良的硬化膜。一种正型感光性树脂组成物，包括：(成分A)含有满足(1)及(2)的至少一个的聚合物的聚合物成分，(1)具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元、及(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物，(2)具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元的聚合物、及具有(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物；(成分C)光酸产生剂；及(成分D)溶剂。

Description

正型感光性树脂组成物、硬化膜及其形成方法、液晶显示装置 及有机电致发光显示装置
技术领域
本发明涉及一种正型感光性树脂组成物、硬化膜的形成方法、硬化膜、液晶显示装置及有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示装置。更详细而言，本发明涉及一种适合于形成液晶显示装置、有机EL显示装置、集成电路元件、固体摄像元件等电子零件的平坦化膜、保护膜或层间绝缘膜的正型感光性树脂组成物、及使用其的硬化膜的形成方法。
背景技术
在薄膜晶体管(以下，记作“TFT(Thin Film Transistor)”)型液晶显示元件或磁头元件、集成电路元件、固体摄像元件等电子零件中，通常为了使配置成层状的配线之间绝缘而设置有层间绝缘膜。作为形成层间绝缘膜的材料，优选用以获得所需的图案形状的步骤数少且具有充分的平坦性的材料，因此广泛使用感光性树脂组成物。
所述电子零件之中，例如TFT型液晶显示元件经过在所述层间绝缘膜上形成透明电极膜(氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO))，进而在透明电极膜上形成包含钼(Mo)或钛(Ti)等金属的配线，然后形成液晶配向膜的步骤来制造，因此层间绝缘膜在透明电极膜的形成步骤中暴露在高温条件下，或者暴露在用于形成电极的图案的抗蚀剂的剥离液(主要为单乙醇胺(Monoethanolamine，MEA))、或形成液晶配向膜时所使用的N-甲基吡咯烷酮(N-Methylpyrrolidone，NMP)中，因此需要对于它们的充分的耐受性。另外，层间绝缘膜有时也会被实施干蚀刻步骤，因此也需要对于干蚀刻的充分的耐受性。
另外，在日本专利特开2009-258722号公报中提出有如下的正型感光性树脂组成物，其包括：含有通过解离性基解离而产生羧基的特定的丙烯酸系构成单元、不溶于碱或难溶于碱、且当酸解离性基解离时成为碱可溶性的树脂；具有从含有环氧基的自由基聚合性单体衍生出的构成单元的树脂；分子内具有2个以上的环氧基的化合物(但是，具有包含含有环氧基的自由基聚合性化合物的构成单元的所述树脂除外)；通过波长为300nm以上的光化射线的照射而产生酸的化合物。
另外，在国际公开第2009/136647号手册中，提出有一种含有碱可溶性树脂(A)、感光剂(B)、特定的硅化合物(C)的正型感光性树脂组成物。
但是，日本专利特开2009-258722号公报及国际公开第2009/136647号手册中所提出的感光性树脂组成物对于形成层间绝缘膜后所使用的抗蚀剂的剥离液(主要为单乙醇胺(MEA))、或者尤其对于作为溶剂的NMP(N-甲基吡咯烷酮)的耐受性不高，进而对于干蚀刻的耐受性不高，因此容易产生液晶显示装置的显示不良，而要求改善。
发明内容
本发明是鉴于如上所述的情况而完成的发明，其解决以下的课题。
即，本发明欲解决的课题在于提供一种可获得对于抗蚀剂剥离液或NMP的耐受性高、且耐干蚀刻性优异、在显示装置中也不易产生显示不良的硬化膜的正型感光性树脂组成物，使所述感光性树脂组成物硬化而获得的硬化膜及其形成方法，以及具备所述硬化膜的有机EL显示装置及液晶显示装置。
在所述状況下，本申请案发明人进行了努力研究，结果发现通过使用具有特定的结构的硅化合物，可解决所述课题。其原因在于：在具有交联性基的化学增幅型抗蚀剂中，烷氧基硅烷基化合物作为与交联性基或经脱保护的酸基进行键结的硬化剂而有效地发挥功能。具体而言，通过下述手段<1>或手段<16>，更优选下述手段<2>～手段<16>来解决所述课题。
<1>一种正型感光性树脂组成物，其特征在于：包括(成分A)含有满足下述(1)及下述(2)的至少一个的聚合物的聚合物成分，
(1)具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元、及(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物，
(2)具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元的聚合物、及具有(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物；
(成分C)光酸产生剂；以及
(成分D)溶剂；进而包括
(成分X)1分子内具有2个以上由式(X1)所表示的水解性硅烷基和/或硅烷醇基的硅化合物。
(式中，RX1～RX3的至少1个表示选自由烷氧基、巯基、卤素原子、酰胺基、乙酰氧基、氨基、烯丙氧基、及异丙烯氧基所组成的组群中的水解性基，或羟基。剩余的RX1～RX3分别独立地表示氢原子、卤素原子、或一价的有机取代基)
<2>根据<1>所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(X1)之中，RX1～RX3中的至少2个为烷氧基。
<3>根据<1>或<2>所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：相对于树脂组成物的除溶剂以外的成分的合计，所述成分X的含量为0.1wt％(重量百分比)以上。
<4>根据<1>至<3>中任一项所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(a1)为具有羧基由缩醛或缩酮保护的残基的构成单元。
<5>根据<1>至<4>中任一项所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(a1)为由式(a1-1)所表示的构成单元。
(式中，R1及R2分别表示氢原子、烷基或芳基，至少R1及R2的任一个为烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1或R2与R3可连结而形成环状醚，R4表示氢原子或甲基，X表示单键或亚芳基)
<6>根据<1>至<5>中任一项所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(X1)的RX1～RX3中的至少2个为甲氧基或乙氧基。
<7>根据<1>至<6>中任一项所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(a2)为具有选自环氧基、氧杂环丁基中的至少1种的构成单元。
<8>根据<1>至<7>中任一项所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：成分A的含量WA与成分B的含量WB的重量比率为WA/WB＝98/2～20/80。
<9>根据<1>至<8>中任一项所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：成分C为具有由式(c0)所表示的肟磺酸酯残基的至少1个的肟磺酸酯化合物。
<10>一种硬化膜的形成方法，其特征在于包括：
(1)将根据<1>至<9>中任一项所述的正型感光性树脂组成物涂布在基板上的步骤；
(2)从所涂布的感光性树脂组成物中去除溶剂的步骤；
(3)利用光化射线对去除了溶剂的感光性树脂组成物进行曝光的步骤；
(4)利用水性显影液对经曝光的感光性树脂组成物进行显影的步骤；以及
(5)对经显影的感光性树脂组成物进行热硬化的后烘烤步骤。
<11>根据<10>所述的硬化膜的形成方法，其特征在于：在所述显影步骤後、所述后烘烤步骤前，包括对经显影的感光性树脂组成物进行全面曝光的步骤。
<12>根据<10>或<11>所述的硬化膜的形成方法，其特征在于：还包括(6)对具有进行热硬化而获得的硬化膜的基板进行干蚀刻的步骤。
<13>一种硬化膜，其特征在于：通过根据<10>至<12>中任一项所述的硬化膜的形成方法来形成。
<14>根据<13>所述的硬化膜，其特征在于：其为层间绝缘膜。
<15>一种有机EL显示装置或液晶显示装置，其特征在于：包括根据<13>或<14>所述的硬化膜。
<16>一种正型感光性树脂组成物的耐化学品性提升剂，其特征在于：包括1分子内具有2个以上由式(X1)所表示的水解性硅烷基和/或硅烷醇基的硅化合物。
(式中，RX1～RX3的至少1个表示选自由烷氧基、巯基、卤素原子、酰胺基、乙酰氧基、氨基、烯丙氧基、及异丙烯氧基所组成的组群中的水解性基，或羟基。剩余的RX1～RX3分别独立地表示氢原子、卤素原子、或一价的有机取代基)
(发明的效果)
根据本发明，可提供一种可获得对于MEA或NMP的耐受性高、且耐干蚀刻性优异、在显示装置中也不易产生显示不良的硬化膜的正型感光性树脂组成物，使所述感光性树脂组成物硬化而获得的硬化膜及其形成方法，以及具备所述硬化膜的有机EL显示装置及液晶显示装置。
附图说明
图1表示有机EL显示装置的一例的构成概念图。表示底部发光型的有机EL显示装置中的基板的示意剖面图，且具有平坦化膜4。
图2表示液晶显示装置的一例的构成概念图。表示液晶显示装置中的有源矩阵基板的示意剖面图，且具有作为层间绝缘膜的硬化膜17。
[符号的说明]
1：TFT(薄膜晶体管)
2：配线
3：绝缘膜
4：平坦化膜
5：第一电极
6：玻璃基板
7：接触孔
8：绝缘膜
10：液晶显示装置
12：背光单元
14、15：玻璃基板
16：TFT
17：硬化膜
18：接触孔
19：ITO透明电极
20：液晶
22：彩色滤光片
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
再者，说明书中，“下限～上限”的记载表示“下限以上、上限以下”，“上限～下限”的记载表示“上限以下、下限以上”。即，表示包含上限及下限的数值范围。
另外，将“(成分C)光酸产生剂等”也简称为“成分C”等，将“(a1)含有酸基由酸分解性基保护的残基的构成单元”等也简称为“构成单元(a1)”等。
另外，在表示“丙烯酸酯”、“甲基丙烯酸酯”两个或任一个的情况下，有时记载为“(甲基)丙烯酸酯”，在表示“丙烯酸”、“甲基丙烯酸”两个或任一个的情况下，有时记载为“(甲基)丙烯酸”。
(正型感光性树脂组成物)
本发明的正型感光性树脂组成物(以下，也简称为“感光性树脂组成物”)的特征在于：包括(成分A)含有满足下述(1)及下述(2)的至少一个的聚合物的聚合物成分，
(1)具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元、及(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物，
(2)具备具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元的聚合物、及具有(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物、及
(a2)含有交联性基的构成单元的共聚物；(成分C)光酸产生剂；(成分D)溶剂；以及(X成分)1分子内具有2个以上由式(X1)所表示的水解性硅烷基和/或硅烷醇基的硅化合物。
进而，本发明的感光性树脂组成物优选含有如下的共聚物，该共聚物不具有含有酸基由酸分解性基保护的残基的构成单元，且至少具有含有酸基的构成单元与含有交联性基的构成单元。
本发明的感光性树脂组成物通过含有特定的树脂(成分A)、光酸产生剂、及特定的硅化合物，而可形成如下的硬化膜，该硬化膜对于剥离液，特别是含有单乙醇胺的剥离液或NMP的耐受性高，与透明电极膜或金属的密接性也良好，另外，耐干蚀刻性优异，在显示装置中也不易产生显示不良。
另外，本发明的感光性树脂组成物优选化学增幅型的正型感光性树脂组成物(化学增幅正型感光性树脂组成物)。
进而，本发明的感光性树脂组成物可适宜用作干蚀刻抗蚀剂用正型感光性树脂组成物。
再者，在本说明书中的基(原子团)的表述中，未记载经取代及未经取代的表述包括不具有取代基者，并且也包括具有取代基者。例如，“烷基”不仅包括不具有取代基的烷基(未经取代的烷基)，也包括具有取代基的烷基(经取代的烷基)。
另外，导入本发明中使用的成分A等共聚物所含有的构成单元的方法可以是聚合法，也可以是高分子反应法。聚合法中，在预先合成含有规定的官能基的单体后，使这些单体共聚。高分子反应法中，在进行聚合反应后，利用所获得的共聚物的构成单元中所含有的反应性基将所需的官能基导入至构成单元中。此处，作为官能基，可例示：用以保护羧基或酚性羟基等酸基，同时在强酸的存在下分解而使这些酸基遊离的保护基；环氧基或氧杂环丁基等交联性基；以及如酚性羟基或羧基般的碱可溶性基(酸基)等。
<(A)聚合物成分>
本发明的组成物包含如下聚合物的至少一种作为聚合物成分：(1)具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的残基的构成单元、及(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物，以及(2)具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元的聚合物、及具有(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物。进而，也可以含有这些聚合物以外的聚合物。本发明中的(A)聚合物成分(以下，有时称为“(A)成分”)只要未特别说明，则是指除所述(1)和/或(2)以外，也包含视需要而添加的其他聚合物的聚合物成分。
(A)成分优选加成聚合型的树脂，更优选含有源自(甲基)丙烯酸和/或其酯的构成单元的聚合物。再者，也可以具有源自(甲基)丙烯酸和/或其酯的构成单元以外的构成单元，例如源自苯乙烯的构成单元、或源自乙烯基化合物的构成单元等。
再者，将“源自(甲基)丙烯酸和/或其酯的构成单元”也称为“丙烯酸系构成单元”。另外，“(甲基)丙烯酸”是指“甲基丙烯酸和/或丙烯酸”。
<<构成单元(a1)>>
成分A至少具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元。通过(A)成分具有构成单元(a1)，可制成感光度极高的感光性树脂组成物。
本发明中的“酸基由酸分解性基保护的基”可使用作为酸基及酸分解性基所公知的基，并无特别限定。作为具体的酸基，可优选列举羧基、及酚性羟基。另外，作为酸分解性基，可使用比较容易通过酸而分解的基(例如由后述的式(A1)所表示的基的酯结构、四氢吡喃酯基、或四氢呋喃酯基等缩醛系官能基)、或比较难以通过酸而分解的基(例如叔丁酯基等三级烷基、碳酸叔丁酯基等碳酸三级烷基酯基)。
(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元优选含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元、或含有由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元。
以下，依次对含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)、及含有由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元(a1-2)分别进行说明。
<<<(a1-1)含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元>>>
所述含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)，是含有羧基的构成单元的羧基具有以下将详细说明的由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元。
作为可用于所述含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)的所述含有羧基的构成单元，可无特别限制地使用公知的构成单元。例如可列举：源自不饱和单羧酸、不饱和二羧酸、不饱和三羧酸等分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的构成单元(a1-1-1)，或同时具有乙烯性不饱和基与源自酸酐的结构的构成单元(a1-1-2)。
以下，依次对可用作所述含有羧基的构成单元的(a1-1-1)源自分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的构成单元、及(a1-1-2)同时具有乙烯性不饱和基与源自酸酐的结构的构成单元分别进行说明。
<<<<(a1-1-1)源自分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的构成单元>>>>
作为所述源自分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的构成单元(a1-1-1)，可使用如以下所列举的不饱和羧酸作为本发明中所使用的不饱和羧酸。即，作为不饱和单羧酸，例如可列举：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、α-氯丙烯酸、桂皮酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基丁二酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基邻苯二甲酸等。另外，作为不饱和二羧酸，例如可列举：顺丁烯二酸、反丁烯二酸、衣康酸、柠康酸、中康酸等。另外，用于获得含有羧基的构成单元的不饱和多元羧酸也可以是其酸酐。具体而言，可列举顺丁烯二酸酐、衣康酸酐、柠康酸酐等。另外，不饱和多元羧酸也可以是多元羧酸的单(2-甲基丙烯酰氧基烷基)酯，例如可列举：丁二酸单(2-丙烯酰氧基乙基)酯、丁二酸单(2-甲基丙烯酰氧基乙基)酯、邻苯二甲酸单(2-丙烯酰氧基乙基)酯、邻苯二甲酸单(2-甲基丙烯酰氧基乙基)酯等。进而，不饱和多元羧酸也可以是其两末端二羧基聚合物的单(甲基)丙烯酸酯，例如可列举ω-羧基聚己内酯单丙烯酸酯、ω-羧基聚己内酯单甲基丙烯酸酯等。另外，作为不饱和羧酸，也可以使用丙烯酸-2-羧基乙酯、甲基丙烯酸-2-羧基乙酯、顺丁烯二酸单烷基酯、反丁烯二酸单烷基酯、4-羧基苯乙烯等。
其中，就显影性的观点而言，为了形成所述源自分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的构成单元(a1-1-1)，优选使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基丁二酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基邻苯二甲酸、或不饱和多元羧酸的酐等，更优选使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸。
所述源自分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的构成单元(a1-1-1)可单独包含1种，也可以包含2种以上。
<<<<(a1-1-2)同时具有乙烯性不饱和基与源自酸酐的结构的构成单元>>>>
同时具有乙烯性不饱和基与源自酸酐的结构的构成单元(a1-1-2)优选源自使含有乙烯性不饱和基的构成单元中所存在的羟基与酸酐进行反应而获得的单体的单元。
作为所述酸酐，可使用公知的酸酐，具体而言，可列举：顺丁烯二酸酐、丁二酸酐、衣康酸酐、邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、氯菌酸酐等二元酸酐；偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、联苯四羧酸酐等酸酐。这些酸酐之中，就显影性的观点而言，优选邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、或丁二酸酐。
就显影性的观点而言，所述酸酐对于羟基的反应率优选10摩尔％～100摩尔％，更优选30摩尔％～100摩尔％。
<<<<可用于构成单元(a1-1)的酸分解性基>>>>
作为可用于所述含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)的所述酸分解性基，可使用所述酸分解性基。
这些酸分解性基之中，就感光性树脂组成物的基本物性，特别是感光度或图案形状、接触孔的形成性、感光性树脂组成物的保存稳定性的观点而言，优选羧基为由缩醛的形式保护的保护羧基。进而，酸分解性基之中，就感光度的观点而言，更优选羧基为由以下述通式(a1-10)所表示的缩醛的形式保护的保护羧基。再者，当羧基为由以下述通式(a1-10)所表示的缩醛的形式保护的保护羧基时，保护羧基的整体变成-(C＝O)-O-CR101R102(OR103)的结构。
通式(a1-10)
(式(a1-10)中，R101及R102分别独立地表示氢原子或烷基，其中，排除R101与R102均为氢原子的情况。R103表示烷基。R101或R102与R103可连结而形成环状醚。)
所述通式(a1-10)中，R101～R103分别独立地表示氢原子或烷基，所述烷基可为直链状、支链状、环状的任一种。此处，不存在R101及R102两个表示氢原子的情况，R101及R102的至少一个表示烷基。
所述通式(a1-10)中，当R101、R102及R103表示烷基时，所述烷基可为直链状、支链状或环状的任一种。
作为所述直链状或支链状的烷基，优选碳数为1～12，更优选碳数为1～6，进而更优选碳数为1～4。具体而言，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、新戊基、正己基、2，3-二甲基-2-丁基(thexyl)、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基等。
作为所述环状烷基，优选碳数为3～12，更优选碳数为4～8，进而更优选碳数为4～6。作为所述环状烷基，例如可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、降冰片基、异冰片基等。
所述烷基也可以具有取代基，作为取代基，可例示卤素原子、芳基、烷氧基。当具有卤素原子作为取代基时，R101、R102、R103成为卤代烷基，当具有芳基作为取代基时，R101、R102、R103成为芳烷基。
作为所述卤素原子，可例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，这些卤素原子之中，优选氟原子或氯原子。
另外，作为所述芳基，优选碳数为6～20的芳基，更优选碳数为6～12的芳基，具体而言，可例示苯基、α-甲基苯基、萘基等，作为由芳基取代的烷基整体，即芳烷基，可例示苄基、α-甲基苄基、苯乙基、萘基甲基等。
作为所述烷氧基，优选碳数为1～6的烷氧基，更优选碳数为1～4的烷氧基，进而更优选甲氧基或乙氧基。
另外，当所述烷基为环状的烷基时，所述环状的烷基可具有碳数为1～10的直链状或支链状的烷基作为取代基，当烷基为直链状或支链状的烷基时，可具有碳数为3～12的环状的烷基作为取代基。
这些取代基也可以由所述取代基进一步取代。
所述通式(a1-10)中，当R101、R102及R103表示芳基时，所述芳基优选碳数为6～12，更优选碳数为6～10。所述芳基可具有取代基，作为所述取代基，可优选例示碳数为1～6的烷基。作为芳基，例如可例示苯基、甲苯基、异丙苯基、1-萘基等。
另外，R101、R102及R103可相互键结，并与它们所键结的碳原子一同形成环。作为R101与R102、R101与R103或R102与R103键结时的环结构，例如可列举：环丁基、环戊基、环己基、环庚基、四氢呋喃基、金刚烷基及四氢吡喃基等。
再者，所述通式(a1-10)中，优选R101及R102的任一个为氢原子或甲基。
用于形成含有由所述通式(a1-10)所表示的保护羧基的构成单元的自由基聚合性单体可使用市售的自由基聚合性单体，也可以使用通过公知的方法所合成的自由基聚合性单体。例如，可通过日本专利特开2011-221494号公报的段落号0037～段落号0040中所记载的合成方法等来合成。
所述含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)的第一优选的形态为由下述通式所表示的构成单元。
(式中，R1及R2分别表示氢原子、烷基或芳基，至少R1及R2的任一个为烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1或R2与R3可连结而形成环状醚，R4表示氢原子或甲基，X表示单键或亚芳基)
当R1及R2为烷基时，优选碳数为1～10的烷基。当R1及R2为芳基时，优选苯基。R1及R2分别优选氢原子或碳数为1～4的烷基。
R3表示烷基或芳基，优选碳数为1～10的烷基，更优选碳数为1～6的烷基。
X表示单键或亚芳基，优选单键。
所述含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)的第二优选的形态为下述通式的结构单元。
(式中，R121表示氢原子或碳数为1～4的烷基，L1表示羰基或亚苯基，R122～R128分别独立地表示氢原子或碳数为1～4的烷基。)
R121优选氢原子或甲基。
L1优选羰基。
R122～R128优选氢原子。
作为所述含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)的优选的具体例，可例示下述的构成单元。再者，R表示氢原子或甲基。
<<<(a1-2)含有由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元>>>
所述含有由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元(a1-2)是含有酚性羟基的构成单元具有以下将详细说明的由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元。
<<<<(a1-2-1)含有酚性羟基的构成单元>>>>
作为所述含有酚性羟基的构成单元，可列举羟基苯乙烯系构成单元或酚醛清漆系的树脂中的构成单元，这些构成单元之中，就感光度的观点而言，优选源自羟基苯乙烯、或α-甲基羟基苯乙烯的构成单元。另外，作为含有酚性羟基的构成单元，就感光度的观点而言，由下述通式(a1-20)所表示的构成单元也优选。
通式(a1-20)
(通式(a1-20)中，R220表示氢原子或甲基，R221表示单键或二价的连结基，R222表示卤素原子或碳数为1～5的直链或支链状的烷基，a表示1～5的整数，b表示0～4的整数，a+b为5以下。再者，当存在2个以上的R222时，这些R222相互可不同，也可以相同。)
所述通式(a1-20)中，R220表示氢原子或甲基，优选甲基。
另外，R221表示单键或二价的连结基。当R221为单键时，可提升感光度，进而可提升硬化膜的透明性，因此优选。作为R221的二价的连结基，可例示亚烷基，作为R221为亚烷基的具体例，可列举：亚甲基、亚乙基、亚丙基、异亚丙基、正亚丁基、异亚丁基、叔亚丁基、亚戊基、异亚戊基、新亚戊基、亚己基等。其中，R221优选单键、亚甲基、亚乙基。另外，所述二价的连结基可具有取代基，作为取代基，可列举卤素原子、羟基、烷氧基等。另外，a表示1～5的整数，但就本发明的效果的观点、或容易制造这一观点而言，优选a为1或2，更优选a为1。
另外，当将与R221进行键结的碳原子作为基准(1位)时，苯环中的羟基的键结位置优选键结在4位上。
R222为卤素原子或者碳数为1～5的直链或支链状的烷基。具体而言，可列举：氟原子、氯原子、溴原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基等。其中，就容易制造这一观点而言，优选氯原子、溴原子、甲基或乙基。
另外，b表示0或1～4的整数。
<<<<可用于构成单元(a1-2)的酸分解性基>>>>
作为可用于所述含有由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元(a1-2)的所述酸分解性基，与可用于所述含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)的所述酸分解性基同样地，可使用公知的酸分解性基，并无特别限定。酸分解性基之中，就感光性树脂组成物的基本物性，特别是感光度或图案形状、感光性树脂组成物的保存稳定性、接触孔的形成性的观点而言，优选含有由缩醛保护的保护酚性羟基的构成单元。进而，酸分解性基之中，就感光度的观点而言，更优选酚性羟基为由以所述通式(a1-10)所表示的缩醛的形式保护的保护酚性羟基。再者，当酚性羟基为由以所述通式(a1-10)所表示的缩醛的形式保护的保护酚性羟基时，保护酚性羟基的整体变成-Ar-O-CR101R102(OR103)的结构。再者，Ar表示亚芳基。
酚性羟基的缩醛酯结构的优选例可例示R101＝R102＝R103＝甲基、或R101＝R102＝甲基且R103＝苄基的组合。
另外，作为用于形成含有酚性羟基由缩醛的形式保护的保护酚性羟基的构成单元的自由基聚合性单体，例如可列举日本专利特开2011-215590号公报的段落号0042中所记载的自由基聚合性单体等。
这些自由基聚合性单体之中，就透明性的观点而言，优选甲基丙烯酸4-羟基苯酯的1-烷氧基烷基保护体、甲基丙烯酸4-羟基苯酯的四氢吡喃基保护体。
作为酚性羟基的缩醛保护基的具体例，可列举1-烷氧基烷基，例如可列举1-乙氧基乙基、1-甲氧基乙基、1-正丁氧基乙基、1-异丁氧基乙基、1-(2-氯乙氧基)乙基、1-(2-乙基己氧基)乙基、1-正丙氧基乙基、1-环己氧基乙基、1-(2-环己基乙氧基)乙基、1-苄氧基乙基等，这些基可单独使用、或将2种以上组合使用。
用于形成所述含有由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元(a1-2)的自由基聚合性单体可使用市售的自由基聚合性单体，也可以使用通过公知的方法所合成的自由基聚合性单体。例如，可通过在酸触媒的存在下使含有酚性羟基的化合物与乙烯基醚进行反应来合成。所述合成也可以事先使含有酚性羟基的单体与其他单体进行共聚，然后在酸触媒的存在下与乙烯基醚进行反应。
作为所述含有由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元(a1-2)的优选的具体例，可例示下述的构成单元，但本发明并不限定于这些构成单元。
<<<构成单元(a1)的优选的形态>>>
当含有所述构成单元(a1)的聚合物实质上不含构成单元(a2)时，构成单元(a1)在含有该构成单元(a1)的聚合物中，优选20摩尔％～100摩尔％，更优选30摩尔％～90摩尔％。
当含有所述构成单元(a1)的聚合物含有下述构成单元(a2)时，就感光度的观点而言，构成单元(a1)在含有该构成单元(a1)与构成单元(a2)的聚合物中，优选3摩尔％～70摩尔％，更优选10摩尔％～60摩尔％。另外，尤其在可用于所述构成单元(a1)的所述酸分解性基具有羧基由缩醛的形式保护的保护羧基的构成单元的情况下，优选20摩尔％～50摩尔％。
与所述含有由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元(a1-2)相比，所述含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)具有显影快的特征。因此，在欲快速显影的情况下，优选含有由酸分解性基保护的保护羧基的构成单元(a1-1)。相反地，在欲使显影变慢的情况下，优选使用含有由酸分解性基保护的保护酚性羟基的构成单元(a1-2)。
<<(a2)含有交联性基的构成单元>>
(A)成分具有含有交联性基的构成单元(a2)。所述交联性基只要是通过加热处理而产生硬化反应的基，则并无特别限定。作为优选的含有交联性基的构成单元的形态，可列举含有选自由环氧基、氧杂环丁基、由-NH-CH2-O-R(R为碳数为1～20的烷基)所表示的基、及乙烯性不饱和基所组成的组群中的至少1个的构成单元，优选选自环氧基、氧杂环丁基、及由-NH-CH2-O-R(R为碳数为1～20的烷基)所表示的基中的至少1种。其中，本发明的感光性树脂组成物优选所述(A)成分包含含有环氧基及氧杂环丁基中的至少1个的构成单元。更详细而言，可列举以下的构成单元。
<<<(a2-1)具有环氧基和/或氧杂环丁基的构成单元>>>
所述(A)聚合物优选含有具有环氧基和/或氧杂环丁基的构成单元(构成单元(a2-1))。所述3员环的环状醚基也被称为环氧基，4员环的环状醚基也被称为氧杂环丁基。
所述具有环氧基和/或氧杂环丁基的构成单元(a2-1)只要1个构成单元中具有至少1个环氧基或氧杂环丁基即可，可具有1个以上的环氧基及1个以上的氧杂环丁基、2个以上的环氧基、或2个以上的氧杂环丁基，并无特别限定，但优选具有合计为1个～3个的环氧基和/或氧杂环丁基，更优选具有合计为1个或2个的环氧基和/或氧杂环丁基，进而更优选具有1个环氧基或氧杂环丁基。
作为用于形成具有环氧基的构成单元的自由基聚合性单体的具体例，例如可列举丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、α-乙基丙烯酸缩水甘油酯、α-正丙基丙烯酸缩水甘油酯、α-正丁基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸-3，4-环氧基丁酯、甲基丙烯酸-3，4-环氧基丁酯、丙烯酸-3，4-环氧环己基甲酯、甲基丙烯酸-3，4-环氧环己基甲酯、α-乙基丙烯酸-3，4-环氧环己基甲酯、邻乙烯基苄基缩水甘油醚、间乙烯基苄基缩水甘油醚、对乙烯基苄基缩水甘油醚、日本专利第4168443号公报的段落号0031～段落号0035中所记载的含有脂环式环氧基骨架的化合物等，这些内容被编入至本申请案说明书中。
作为用于形成具有氧杂环丁基的构成单元的自由基聚合性单体的具体例，例如可列举日本专利特开2001-330953号公报的段落号0011～段落号0016中所记载的具有氧杂环丁基的(甲基)丙烯酸酯等，这些内容被编入至本申请案说明书中。
作为用于形成所述具有环氧基和/或氧杂环丁基的构成单元(a2-1)的自由基聚合性单体的具体例，优选含有甲基丙烯酸酯结构的单体、含有丙烯酸酯结构的单体。
这些之中，优选的单体是甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸3，4-环氧环己基甲酯、甲基丙烯酸3，4-环氧环己基甲酯、丙烯酸(3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲酯、及甲基丙烯酸(3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲酯。这些构成单元可单独使用1种、或将2种以上组合使用。
作为所述具有环氧基和/或氧杂环丁基的构成单元(a2-1)的优选的具体例，可例示下述的构成单元。再者，R表示氢原子或甲基。
<<<(a2-2)具有乙烯性不饱和基的构成单元>>>
作为所述含有交联性基的构成单元(a2)的1种，可列举具有乙烯性不饱和基的构成单元(a2-2)(以下，也称为“构成单元(a2-2)”)。作为所述具有乙烯性不饱和基的构成单元(a2-2)，优选侧链上具有乙烯性不饱和基的构成单元，更优选末端具有乙烯性不饱和基、且具有碳数为3～16的侧链的构成单元，进而更优选具有由下述通式(a2-2-1)所表示的侧链的构成单元。
通式(a2-2-1)
(通式(a2-2-1)中，R301表示碳数为1～13的二价的连结基，R302表示氢原子或甲基，*表示与含有交联性基的构成单元(a2)的主链连结的部位。)
R301为碳数为1～13的二价的连结基，包含烯基、亚芳基或将它们组合而成的基，也可以含有酯键、醚键、酰胺键、聚氨酯键等键。另外，二价的连结基可在任意的位置上具有羟基、羧基等取代基。作为R301的具体例，可列举下述的二价的连结基。
由所述通式(a2-2-1)所表示的侧链之中，优选包含由所述R301所表示的二价的连结基的脂肪族的侧链。
关于其他(a2-2)具有乙烯性不饱和基的构成单元，可参考日本专利特开2011-215580号公报的段落号0072～段落号0090的记载，这些内容被编入至本申请案说明书中。
<<<(a2-3)具有由-NH-CH2-O-R(R为碳数为1～20的烷基)所表示的基的构成单元>>>
本发明中所使用的聚合物也优选具有由-NH-CH2-O-R(R为碳数为1～20的烷基)所表示的基的构成单元。通过具有构成单元(a2-3)，可利用缓和的加热处理产生硬化反应，而可获得各种特性优异的硬化膜。此处，R优选碳数为1～9的烷基，更优选碳数为1～4的烷基。另外，烷基可为直链、分支或环状的烷基的任一种，但优选直链或分支的烷基。构成单元(a2)更优选具有由下述通式(a2-30)所表示的基的构成单元。
通式(a2-30)
(通式(a2-30)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示碳数为1～20的烷基。)
R2优选碳数为1～9的烷基，更优选碳数为1～4的烷基。另外，烷基可为直链、分支或环状的烷基的任一种，但优选直链或分支的烷基。
作为R2的具体例，可列举：甲基、乙基、正丁基、异丁基、环己基、及正己基。其中，优选异丁基、正丁基、甲基。
<<<构成单元(a2)的优选的形态>>>
当含有所述构成单元(a2)的聚合物实质上不含构成单元(a1)时，构成单元(a2)在含有该构成单元(a2)的聚合物中，优选5摩尔％～90摩尔％，更优选20摩尔％～80摩尔％。
当含有所述构成单元(a2)的聚合物含有所述构成单元(a1)时，就耐化学品性的观点而言，构成单元(a2)在含有该构成单元(a1)与构成单元(a2)的聚合物中，优选3摩尔％～70摩尔％，更优选10摩尔％～60摩尔％。
进而，在本发明中，不论何种形态，在(A)成分的所有构成单元中，优选含有3摩尔％～70摩尔％的构成单元(a2)，更优选含有10摩尔％～60摩尔％的构成单元(a2)。
若为所述数值的范围内，则由感光性树脂组成物所获得的硬化膜的透明性及耐化学品性变得良好。
<<(a3)其他构成单元>>
在本发明中，(A)成分除所述构成单元(a1)和/或构成单元(a2)以外，也可以具有它们以外的其他构成单元(a3)。所述聚合物成分(1)和/或聚合物成分(2)可含有这些构成单元。另外，除所述聚合物成分(1)或聚合物成分(2)以外，也可以含有实质上不含(a1)及(a2)而具有其他构成单元(a3)的聚合物成分。当除所述聚合物成分(1)或聚合物成分(2)以外，含有实质上不含(a1)及(a2)而具有其他构成单元(a3)的聚合物成分时，该聚合物成分的调配量在所有聚合物成分中，优选60质量％以下，更优选40质量％以下，进而更优选20质量％以下。
作为成为其他构成单元(a3)的单体，并无特别限制，例如可列举：苯乙烯类、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环状烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不饱和二羧酸二酯、双环不饱和化合物类、顺丁烯二酰亚胺化合物类、不饱和芳香族化合物、共轭二烯系化合物、不饱和单羧酸、不饱和二羧酸、不饱和二羧酸酐、其他不饱和化合物。另外，如后述般，也可以具有含有酸基的构成单元。成为其他构成单元(a3)的单体可单独使用、或将2种以上组合使用。
以下，列举本发明的聚合物成分的优选的实施形态，但本发明并不限定于这些实施形态。
(第1实施形态)
聚合物成分(1)进而具有1种或2种以上的其他构成单元(a3)的形态。
(第2实施形态)
聚合物成分(2)的具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元的聚合物进而具有1种或2种以上的其他构成单元(a3)的形态。
(第3实施形态)
聚合物成分(2)的具有(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物进而具有1种或2种以上的其他构成单元(a3)的形态。
(第4实施形态)
在所述第1实施形态～第3实施形态的任一实施形态中，包含至少含有酸基的构成单元作为其他构成单元(a3)的形态。
(第5实施形态)
除所述聚合物成分(1)或聚合物成分(2)以外，进而具有实质上不含(a1)及(a2)而含有其他构成单元(a3)的聚合物的形态。
(第6实施形态)
至少含有聚合物成分(2)的形态。
(第7实施形态)
包含所述第1实施形态～第6的实施形态的2种以上的组合的形态。
(第8实施形态)
除所述聚合物成分(1)或聚合物成分(2)以外，包含具有至少含有酸基的构成单元作为其他构成单元(a3)的聚合物的形态。
(第9实施形态)
除所述聚合物成分(1)或聚合物成分(2)以外，包含具有至少含有酸基的构成单元、及含有交联性基的构成单元作为其他构成单元(a3)的共聚物的形态。
(第10实施形态)
在所述实施形态8或实施形态9中，酸基为含有羧基和/或酚性羟基的构成单元的形态。
具体而言，构成单元(a3)可列举利用苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、羟基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲酯、乙烯基苯甲酸乙酯、4-羟基苯甲酸(3-甲基丙烯酰氧基丙基)酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、丙烯腈、乙二醇单乙酰乙酸酯单(甲基)丙烯酸酯等的构成单元。除此以外，可列举日本专利特开2004-264623号公报的段落号0021～段落号0024中所记载的化合物。
另外，作为其他构成单元(a3)，就电特性的观点而言，优选苯乙烯类、具有脂肪族环式骨架的基。具体而言，可列举：苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、羟基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
进而，作为其他构成单元(a3)，就密接性的观点而言，优选(甲基)丙烯酸烷基酯。具体而言，可列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等，更优选(甲基)丙烯酸甲酯。构成聚合物(A)的构成单元中，所述构成单元(a3)的含有率优选60摩尔％以下，更优选50摩尔％以下，进而更优选40摩尔％以下。作为下限值，可为0摩尔％，但例如可设为1摩尔％以上，进而可设为5摩尔％以上。若为所述数值的范围内，则由感光性树脂组成物所获得的硬化膜的各种特性变得良好。
作为其他构成单元(a3)，优选含有酸基。通过含有酸基，容易溶解在碱性的显影液中，本发明的效果得以更有效地发挥。本发明中的酸基是指pKa小于7的质子解离性基。通常，使用可形成酸基的单体作为含有酸基的构成单元，而将酸基导入至聚合物中。通过在聚合物中包含此种含有酸基的构成单元，而存在容易溶解在碱性的显影液中的倾向。
作为本发明中所使用的酸基，可例示源自羧酸基的酸基、源自磺酰胺基的酸基、源自膦酸基的酸基、源自磺酸基的酸基、源自酚性羟基的酸基、磺酰胺基、磺酰基酰亚胺基等，优选源自羧酸基的酸基和/或源自酚性羟基的酸基。
作为用于形成含有羧基的构成单元的自由基聚合性单体，例如可列举丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等单羧酸；顺丁烯二酸、反丁烯二酸、柠康酸、中康酸、衣康酸等二羧酸等不饱和羧酸作为优选的自由基聚合性单体。
另外，作为用于形成含有羧酸酐残基的构成单元的自由基聚合性单体，例如可列举顺丁烯二酸酐、衣康酸酐等作为优选的自由基聚合性单体。
作为用于形成含有酚性羟基的构成单元的自由基聚合性单体，例如可列举对羟基苯乙烯、α-甲基-对羟基苯乙烯等羟基苯乙烯类，日本专利特开2008-40183号公报的段落0011～段落0016中所记载的化合物，日本专利第2888454号公报的段落0007～段落0010中所记载的4-羟基苯甲酸衍生物类，4-羟基苯甲酸与甲基丙烯酸缩水甘油酯的加成反应物，4-羟基苯甲酸与丙烯酸缩水甘油酯的加成反应物等作为优选的自由基聚合性单体。
这些自由基聚合性单体之中，优选甲基丙烯酸、丙烯酸、日本专利特开2008-40183号公报的段落0011～段落0016中所记载的化合物、日本专利第2888454号公报的段落0007～段落0010中所记载的4-羟基苯甲酸衍生物类、4-羟基苯甲酸与甲基丙烯酸缩水甘油酯的加成反应物、4-羟基苯甲酸与丙烯酸缩水甘油酯的加成反应物，更优选日本专利特开2008-40183号公报的段落0011～段落0016中所记载的化合物、日本专利第2888454号公报的段落0007～段落0010中所记载的4-羟基苯甲酸衍生物类、4-羟基苯甲酸与甲基丙烯酸缩水甘油酯的加成反应物、4-羟基苯甲酸与丙烯酸缩水甘油酯的加成反应物，更优选源自选自由丙烯酸、甲基丙烯酸、对羟基苯乙烯、及α-甲基-对羟基苯乙烯所组成的组群中的至少1种的构成单元，进而更优选源自丙烯酸或甲基丙烯酸的构成单元，特优选源自甲基丙烯酸的构成单元。这些构成单元可单独使用1种、或将2种以上组合使用。
作为构成单元(b1)的优选的具体例，可例示下述的构成单元。
含有酸基的构成单元优选所有聚合物成分的构成单元的1摩尔％～80摩尔％，更优选1摩尔％～50摩尔％，进而更优选5摩尔％～40摩尔％，尤其优选5摩尔％～30摩尔％，特优选5摩尔％～20摩尔％。
在本发明中，作为除所述聚合物成分(1)或聚合物成分(2)以外，实质上不含(a1)及(a2)而具有其他构成单元(a3)的聚合物，优选侧链上具有羧基的树脂。例如可列举如日本专利特开昭59-44615号、日本专利特公昭54-34327号、日本专利特公昭58-12577号、日本专利特公昭54-25957号、日本专利特开昭59-53836号、日本专利特开昭59-71048号的各公报中所记载般的甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸共聚物、衣康酸共聚物、巴豆酸共聚物、顺丁烯二酸共聚物、部分酯化顺丁烯二酸共聚物等、以及侧链上具有羧基的酸性纤维素衍生物、在具有羟基的聚合物中加成酸酐而成者等，进而也可以列举侧链上具有(甲基)丙烯酰基的高分子聚合物作为优选的聚合物。
例如可列举：(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸共聚物、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯/(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸共聚物、日本专利特开平7-140654号公报中所记载的(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯/聚苯乙烯大分子单体/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯/聚甲基丙烯酸甲酯大分子单体/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸2-羟基乙酯/聚苯乙烯大分子单体/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸2-羟基乙酯/聚苯乙烯大分子单体/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物等。
除此以外，也可以使用日本专利特开平7-207211号公报、日本专利特开平8-259876号公报、日本专利特开平10-300922号公报、日本专利特开平11-140144号公报、日本专利特开平11-174224号公报、日本专利特开2000-56118号公报、日本专利特开2003-233179号公报、日本专利特开2009-52020号公报等中所记载的公知的高分子化合物，这些内容被编入至本申请案说明书中。
这些聚合物可仅含有1种，也可以含有2种以上。
作为这些聚合物，也可以使用市售的SMA 1000P、SMA 2000P、SMA3000P、SMA1440F、SMA 17352P、SMA 2625P、SMA 3840F(以上，沙多玛(Sartomer)公司制造)，ARUFONUC-3000、ARUFON UC-3510、ARUFON UC-3900、ARUFON UC-3910、ARUFON UC-3920、ARUFONUC-3080(以上，东亚合成(股份)制造)，Joncryl 690、Joncryl 678、Joncryl 67、Joncryl586(以上，巴斯夫(BASF)制造)等。
当使用苯乙烯或α-甲基苯乙烯等苯乙烯类作为其他构成单元(a3)时，优选进而具有由下述式(b3-1)所表示的构成单元。R4优选氢原子。
(式中，R4表示氢原子或甲基。)
另外，作为构成单元(b3)的例子，可优选列举源自选自由(甲基)丙烯酸酯类、苯乙烯类、及N取代顺丁烯二酰亚胺所组成的组群中的至少1种的构成单元，可更优选列举源自选自由(甲基)丙烯酸酯类、及苯乙烯类所组成的组群中的至少1种的构成单元。
其中，作为用于形成构成单元(b3)的自由基聚合性单体，可优选例示如(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、丙烯酸环己酯般的具有脂环结构的(甲基)丙烯酸酯类，(甲基)丙烯酸甲酯，(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯，苯乙烯，可更优选例示(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、苯乙烯，可进而优选例示(甲基)丙烯酸甲酯，可特优选例示甲基丙烯酸甲酯。
<<(A)聚合物的分子量>>
(A)聚合物的分子量以聚苯乙烯换算重量平均分子量计，优选1,000～200,000，更优选2,000～50,000的范围。若为所述数值的范围内，则各种特性良好。数量平均分子量与重量平均分子量的比(分散度)优选1.0～5.0，更优选1.5～3.5。
<<(A)聚合物的制造方法>>
另外，关于(A)成分的合成法，也已知有各种方法，若列举一例，则可通过利用自由基聚合起始剂，使至少含有用于形成由所述(a1)及所述(a3)所表示的构成单元的自由基聚合性单体的自由基聚合性单体混合物在有机溶剂中进行聚合来合成。另外，也可以通过所谓的高分子反应来合成。
相对于总固体成分100质量份，本发明的感光性树脂组成物优选以50质量份～99.9质量份的比例含有(A)成分，更优选以70质量份～98质量份的比例含有(A)成分。
<成分(X)>
本发明中所使用的硅化合物的特征在于：1分子内具有2个以上由下式(X1)所表示的水解性硅烷基和/或硅烷醇基。
(式中，RX1～RX3的至少1个表示选自由烷氧基、巯基、卤素原子、酰胺基、乙酰氧基、氨基、烯丙氧基、及异丙烯氧基所组成的组群中的水解性基，或羟基。剩余的RX1～RX3分别独立地表示氢原子、卤素原子、或一价的有机取代基。)
式(X1)中，RX1～RX3的至少1个表示选自由烷氧基、巯基、卤素原子、酰胺基、乙酰氧基、氨基、烯丙氧基、及异丙烯氧基所组成的组群中的水解性基，或羟基。剩余的RX1～RX3分别独立地表示氢原子、卤素原子、或一价的有机取代基(例如烷基、芳基、烯基、炔基、芳烷基)。
式(X1)中，作为键结在硅原子上的水解性基，尤其优选烷氧基、卤素原子，更优选烷氧基。
作为烷氧基，就冲洗性与耐刷性的观点而言，优选碳数为1～30的烷氧基，更优选碳数为1～15的烷氧基，进而优选碳数为1～5的烷氧基，进而更优选碳数为1～3的烷氧基，特优选甲氧基或乙氧基。
另外，作为卤素原子，可列举F原子、Cl原子、Br原子、I原子，就合成的容易性及稳定性的的观点而言，可优选列举Cl原子及Br原子，可更优选列举Cl原子。
成分X具有2个以上由式(X1)所表示的基。即，可优选使用分子内具有2个以上键结有水解性基的硅原子的化合物。成分A中所含有的键结有水解性基的硅原子的数量优选2～6，更优选2～4，进而更优选2或3。
通过具有2种以上的构成成分(X1)，在硬化膜内部作为交联剂发挥功能，可提升硬化膜对于剥离液或溶剂的耐受性。
所述水解性基能够以1个～4个的范围键结在1个硅原子上，式(X1)中的水解性基的总个数优选2个或3个范围，特优选键结有3个水解性基。当2个以上的水解性基键结在硅原子上时，这些水解性基相互可相同，也可以不同。
作为所述水解性基而优选的烷氧基例如可列举：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、叔丁氧基、苯氧基、苄氧基等。可以将多个所述各烷氧基组合使用，也可以将多个不同的烷氧基组合使用。
作为烷氧基所键结的烷氧基硅烷基，例如可列举：三甲氧基硅烷基、三乙氧基硅烷基、三异丙氧基硅烷基、三苯氧基硅烷基等三烷氧基硅烷基；二甲氧基甲基硅烷基、二乙氧基甲基硅烷基等二烷氧基单烷基硅烷基；甲氧基二甲基硅烷基、乙氧基二甲基硅烷基等单烷氧基二烷基硅烷基。
成分X也可以含有硫原子、酯键、聚氨酯键、醚键、脲键、或亚氨基。其中，就交联性的观点而言，成分X优选含有硫原子，另外，就碱显影性的观点而言，优选含有容易通过碱水而分解的酯键、聚氨酯键或醚键(特别是氧基亚烷基中所含有的醚键)。含有硫原子的成分X有时作为硫化剂发挥功能，而促进硬化膜的反应(交联)。另外，本发明中的成分X优选不具有乙烯性不饱和键的化合物。成分X优选仅具有水解性硅烷基和/或硅烷醇基作为聚合性基。
本发明中的成分X可列举多个由所述式(X1)所表示的基经由二价的连结基而键结的化合物，作为此种二价的连结基，就效果的观点而言，优选具有硫基(-S-)、亚氨基(-N(R)-)、或聚氨酯键(-OCON(R)-或N(R)COO-)的连结基。再者，R表示氢原子或取代基。作为R中的取代基，可例示：烷基、芳基、烯基、炔基、或芳烷基。
作为成分X的合成方法，并无特别限制，可通过公知的方法来合成。作为一例，表示包含具有所述特定结构的连结基的成分X的代表性的合成方法。
<具有硫基作为连结基、且具有水解性硅烷基和/或硅烷醇基的化合物的合成法>
具有硫基作为连结基的成分X(以下，适宜称为“含硫基连结基的成分X”)的合成法并无特别限定，具体而言，例如可例示：具有卤化烃基的成分X与硫化碱的反应、具有巯基的成分X与卤化烃的反应、具有巯基的成分X与具有卤化烃基的成分X的反应、具有卤化烃基的成分X与硫醇类的反应、具有乙烯性不饱和键的成分X与硫醇类的反应、具有乙烯性不饱和键的成分X与具有巯基的成分X的反应、具有乙烯性不饱和键的化合物与具有巯基的成分X的反应、酮类与具有巯基的成分X的反应、重氮盐与具有巯基的成分X的反应、具有巯基的成分X与环氧乙烷类的反应、具有巯基的成分X与具有环氧乙烷基的成分X的反应、以及硫醇类与具有环氧乙烷基的成分X的反应、具有巯基的成分X与氮丙啶(aziridine)类的反应等合成方法。
<具有亚氨基作为连结基、且具有水解性硅烷基和/或硅烷醇基的化合物的合成法>
具有亚氨基作为连结基的成分X(以下，适宜称为“含亚氨基连结基的成分X”)的合成法并无特别限定，例如可例示：具有氨基的成分X与卤化烃的反应、具有氨基的成分X与具有卤化烃基的成分X的反应、具有卤化烃基的成分X与胺类的反应、具有氨基的成分X与环氧乙烷类的反应、具有氨基的成分X与具有环氧乙烷基的成分X的反应、胺类与具有环氧乙烷基的成分X的反应、具有氨基的成分X与氮丙啶类的反应、具有乙烯性不饱和键的成分X与胺类的反应、具有乙烯性不饱和键的成分X与具有氨基的成分X的反应、具有乙烯性不饱和键的化合物与具有氨基的成分X的反应、具有乙炔性不饱和键的化合物与具有氨基的成分X的反应、具有亚胺性不饱和键的成分X与有机碱金属化合物的反应、具有亚胺性不饱和键的成分X与有机碱土金属化合物的反应、以及羰基化合物与具有氨基的成分X的反应等合成方法。
<具有聚氨酯键(亚脲基)作为连结基、且具有水解性硅烷基和/或硅烷醇基的化合物的合成法>
具有亚脲基作为连结基的成分X(以下，适宜称为“含亚脲基连结基的成分X”)的合成法并无特别限定，具体而言，例如可例示：具有氨基的成分X与异氰酸酯类的反应、具有氨基的成分X与具有异氰酸酯的成分X的反应、以及胺类与具有异氰酸酯的成分X的反应等合成方法。
作为成分X的具体例，可列举：1，2-双(三乙氧基硅烷基)乙烷、1，4-双(三甲氧基硅烷基)丁烷、1-甲基二甲氧基硅烷基-4-三甲氧基硅烷基丁烷、1，4-双(甲基二甲氧基硅烷基)丁烷、1，5-双(三甲氧基硅烷基)戊烷、1，4-双(三甲氧基硅烷基)戊烷、1-甲基二甲氧基硅烷基-5-三甲氧基硅烷基戊烷、1，5-双(甲基二甲氧基硅烷基)戊烷、1，6-双(三甲氧基硅烷基)己烷、1，4-双(三甲氧基硅烷基)己烷、1，5-双(三甲氧基硅烷基)己烷、2，5-双(三甲氧基硅烷基)己烷、1，6-双(甲基二甲氧基硅烷基)己烷、1，7-双(三甲氧基硅烷基)庚烷、2，5-双(三甲氧基硅烷基)庚烷、2，6-双(三甲氧基硅烷基)庚烷、1，8-双(三甲氧基硅烷基)辛烷、2，5-双(三甲氧基硅烷基)辛烷、2，7-双(三甲氧基硅烷基)辛烷、1，9-双(三甲氧基硅烷基)壬烷、2，7-双(三甲氧基硅烷基)壬烷、1，10-双(三甲氧基硅烷基)癸烷、3，8-双(三甲氧基硅烷基)癸烷、乙烯基三氯硅烷、1，3-双(三氯硅烷)丙烷、1，3-双(三溴硅烷)丙烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三乙氧基硅烷、巯基甲基三甲氧基硅烷、二甲氧基-3-巯基丙基甲基硅烷、2-(2-氨基乙硫基乙基)二乙氧基甲基硅烷、3-(2-乙酰氧基乙硫基丙基)二甲氧基甲基硅烷、2-(2-氨基乙硫基乙基)三乙氧基硅烷、二甲氧基甲基-3-(3-苯氧基丙硫基丙基)硅烷、双(三乙氧基硅烷基丙基)二硫化物、双(三乙氧基硅烷基丙基)四硫化物、1，4-双(三乙氧基硅烷基)苯、双(三乙氧基硅烷基)乙烷、1，6-双(三甲氧基硅烷基)己烷、1，8-双(三乙氧基硅烷基)辛烷、1，2-双(三甲氧基硅烷基)癸烷、双(三乙氧基硅烷基丙基)胺、双(三甲氧基硅烷基丙基)脲、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、(甲基)丙烯酸γ-三乙氧基硅烷基丙酯、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、三甲基硅烷醇、二苯基硅烷二醇、三苯基硅烷醇等。
除此以外，也可以列举以下所示的化合物作为优选者，但本发明不受这些化合物限制。
所述各式中，R、及R1分别表示选自以下的结构中的部分结构。当分子内存在多个R、及R1时，这些R、及R1相互可相同，也可以不同，在合成适应性方面，优选相同。
成分X也可以适宜合成来获得，但就成本方面而言，优选使用市售品。作为成分X，例如由信越化学工业(股份)、东丽道康宁(Toray Dow Corning)(股份)、迈图高新材料(Momentive Performance Materials)(股份)、智索(Chisso)(股份)等所销售的硅烷制品、硅烷偶联剂等市售品相当于成分X，因此可根据目的而适宜选择这些市售品来用于本发明的树脂组成物。
作为本发明中的成分X，可使用利用1种具有水解性硅烷基和/或硅烷醇基的化合物所获得的部分水解缩合物、或利用2种以上具有水解性硅烷基和/或硅烷醇基的化合物所获得的部分共水解缩合物。以下，有时将这些化合物称为“部分(共)水解缩合物”。
作为部分(共)水解缩合物前驱物的硅烷化合物之中，就通用性、成本方面、膜的相容性的观点而言，优选具有选自甲基及苯基中的取代基作为硅上的取代基的硅烷化合物，具体而言，可例示甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷作为优选的前驱物。
在此情况下，作为部分(共)水解缩合物，可适宜使用作为如上所述的硅烷化合物的2聚体(使水1摩尔作用于硅烷化合物2摩尔来使醇2摩尔脱离，而变成二硅氧烷单元者)～100聚体，优选2聚体～50聚体，更优选2聚体～30聚体者，也可以使用将2种以上的硅烷化合物作为原料的部分共水解缩合物。
再者，此种部分(共)水解缩合物也可以使用作为硅酮烷氧基寡聚物所销售者(例如，由信越化学工业(股份)等销售)，另外，也可以使用根据常规方法，通过使水解性硅烷化合物与未满当量的水解水进行反应后，将醇、盐酸等副产物去除所制造者。在制造时，作为成为前驱物的原料的水解性硅烷化合物，例如当使用如上所述的烷氧基硅烷类或酰氧基硅烷类时，只要使盐酸、硫酸等酸，氢氧化钠、氢氧化钾等碱金属或碱土金属的氢氧化物，三乙胺等碱性有机物质等作为反应触媒进行部分水解缩合即可，当从氯硅烷类直接制造时，只要使副产的盐酸作为触媒与水及醇进行反应即可。
就硬化性、粘结性、耐热着色稳定性、及透明性与粘结强度的平衡更优异，耐湿热粘结性优异这一观点而言，更优选双(三烷氧基硅烷基)烷烃，进而优选选自由双-(3-三甲氧基硅烷基丙基)胺、1，2-双(三乙氧基硅烷基)乙烷、1，6-双(三甲氧基硅烷基)己烷、1，7-双(三甲氧基硅烷基)庚烷、1，8-双(三甲氧基硅烷基)辛烷、1，9-双(三甲氧基硅烷基)壬烷及1，10-双(三甲氧基硅烷基)癸烷所组成的组群中的至少1种，进而更优选1，6-双(三甲氧基硅烷基)己烷、双-(3-三甲氧基硅烷基丙基)胺。
本发明中所使用的X成分特优选由式(X2)所表示的硅化合物。
Ro-(X)a
(X2)
(式中，X表示由所述式(X1)所表示的基，a表示2以上的整数。Ro表示a价的连结基。)
式(X2)中的X的含义与由所述式(X1)所表示的基相同，优选的范围也相同。
式(X2)中，a优选2～4，更优选2或3。
由式(X2)所表示的化合物更优选由下述式(X3)所表示的化合物。
Roo-[(CH2)n-(X)]a
(X3)
(式中，X表示所述式(X1)，a表示2以上的整数。n表示1～5的整数。Roo表示单键或a价的连结基。)
式(X3)中的X的含义与由所述式(X1)所表示的基相同，优选的范围也相同。
式(X3)中，a优选2～4，更优选2或3，特优选2。
式(X3)中，Roo优选单键、以及-CR2-(R为氢原子或碳数为1～3的烷基)、-S-、-CO-、-O-、亚苯基、
及包含这些基的2个以上的组合的基。
式(X3)中，Roo更优选单键、以及-CR2-(R为氢原子或碳数为1～3的烷基)、-S-、-CO-、-O-及包含这些基的组合的基，进而更优选单键、以及-CH2-、-S-、及包含这些基的组合的基。
式(X3)中，n优选1～3的整数，更优选1或2。
本发明中所使用的硅化合物的分子量优选100～1500，更优选250～1100。
本发明中，特优选采用式(S-1)～式(S-17)中所记载的硅化合物。
成分X可分别单独使用、或将2种以上组合使用。
在本发明中，就硬化性、粘结性、耐热着色稳定性、及透明性与粘结强度的平衡这一观点而言，相对于树脂组成物的除溶剂以外的成分的合计，成分X的量优选0.1wt％以上，更优选0.5wt％以上。上限值并无特别规定，但优选10wt％以下，更优选5wt％以下。
(成分C)光酸产生剂
本发明的感光性树脂组成物含有(成分C)光酸产生剂。
作为成分C，优选感应波长为300nm以上，优选波长为300nm～450nm的光化射线而产生酸的化合物，但不受其化学结构限制。另外，关于不直接感应波长为300nm以上的光化射线的光酸产生剂，若为通过与增感剂并用来感应波长为300nm以上的光化射线而产生酸的化合物，则也可以与增感剂组合后优选使用。
作为成分C，优选产生pKa为4以下的酸的光酸产生剂，更优选产生pKa为3以下的酸的光酸产生剂。
作为光酸产生剂的例子，可列举：三氯甲基-均三嗪类、锍盐或錪盐、四级铵盐类、重氮甲烷化合物、酰亚胺磺酸酯化合物、及肟磺酸酯化合物等。这些光酸产生剂之中，就感光度高的观点而言，优选使用肟磺酸酯化合物。这些光酸产生剂可单独使用1种、或将2种以上组合使用。作为这些光酸产生剂的具体例，可列举日本专利特开2004-264623号公报的段落0029～段落0032中所记载的光酸产生剂，可优选使用4，7-二-正丁氧基-1-萘基四氢噻吩鎓三氟甲磺酸酯等。
本发明的感光性树脂组成物优选含有具有由下述式(c0)所表示的肟磺酸酯残基的至少1个的肟磺酸酯化合物作为(成分C)光酸产生剂。再者，波状线部分表示与其他化学结构的键结位置。
具有由所述式(c0)所表示的肟磺酸酯残基的至少1个的肟磺酸酯化合物优选由下述式(c1)所表示的化合物。
(式(c1)中，R5及R6分别独立地表示一价的有机基，R5及R6可连结而形成环，R7表示烷基、或芳基。)
式(c1)中，R5表示碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～4的卤化烷基、苯基、联苯基、萘基、2-呋喃基、2-噻吩基、碳原子数为1～4的烷氧基或氰基。当R5为苯基、联苯基、萘基或蒽基时，这些基可由选自由卤素原子、羟基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基及硝基所组成的组群中的取代基取代。
式(c1)中，R6表示碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～5的卤化烷基、碳原子数为1～5的卤化烷氧基、可由W取代的苯基、可由W取代的萘基或可由W取代的蒽基、二烷基氨基、吗啉基、或氰基。R6与R5可相互键结而形成5员环或6员环，所述5员环或6员环能够与可具有1个或2个任意的取代基的苯环键结。
式(c1)中，R7表示碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～5的卤化烷基、碳原子数为1～5的卤化烷氧基、可由W取代的苯基、可由W取代的萘基或可由W取代的蒽基。烷基也可以是环状烷基。W表示卤素原子、氰基、硝基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～5的卤化烷基或碳原子数为1～5的卤化烷氧基。
由R5所表示的碳原子数为1～6的烷基可为直链烷基或支链烷基，例如可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、或2-乙基丁基。
作为由R5所表示的碳原子数为1～4的卤化烷基，例如可列举：氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、或2-溴丙基。
作为由R5所表示的碳原子数为1～4的烷氧基，可列举甲氧基或乙氧基。
当R5表示苯基、联苯基、萘基或蒽基时，这些基可由选自由卤素原子(例如氯原子、溴原子、碘原子等)、羟基、碳原子数为1～4的烷基(例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基)、碳原子数为1～4的烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基)及硝基所组成的组群中的取代基取代。
作为由R6所表示的碳原子数为1～10的烷基的具体例，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。
作为由R6所表示的碳原子数为1～10的烷氧基的具体例，可列举：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正辛氧基、正癸氧基等。
作为由R6所表示的碳原子数为1～5的卤化烷基的具体例，可列举：三氟甲基、五氟乙基、全氟-正丙基、全氟-正丁基、全氟-正戊基等。
作为由R6所表示的碳原子数为1～5的卤化烷氧基的具体例，可列举：三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟-正丙氧基、全氟-正丁氧基、全氟-正戊氧基等。
作为由R6所表示的可由W取代的苯基的具体例，可列举：邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、邻乙基苯基、间乙基苯基、对乙基苯基、对(正丙基)苯基、对(异丙基)苯基、对(正丁基)苯基、对(异丁基)苯基、对(仲丁基)苯基、对(叔丁基)苯基、对(正戊基)苯基、对(异戊基)苯基、对(叔戊基)苯基、邻甲氧基苯基、间甲氧基苯基、对甲氧基苯基、邻乙氧基苯基、间乙氧基苯基、对乙氧基苯基、对(正丙氧基)苯基、对(异丙氧基)苯基、对(正丁氧基)苯基、对(异丁氧基)苯基、对(仲丁氧基)苯基、对(叔丁氧基)苯基、对(正戊氧基)苯基、对(异戊氧基)苯基、对(叔戊氧基)苯基、对氯苯基、对溴苯基、对氟苯基、2，4-二氯苯基、2，4-二溴苯基、2，4-二氟苯基、2，4，6-二氯苯基、2，4，6-三溴苯基、2，4，6-三氟苯基、五氯苯基、五溴苯基、五氟苯基、对联苯基等。
作为由R6所表示的可由W取代的萘基的具体例，可列举：2-甲基-1-萘基、3-甲基-1-萘基、4-甲基-1-萘基、5-甲基-1-萘基、6-甲基-1-萘基、7-甲基-1-萘基、8-甲基-1-萘基、1-甲基-2-萘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-2-萘基、5-甲基-2-萘基、6-甲基-2-萘基、7-甲基-2-萘基、8-甲基-2-萘基等。
作为由R6所表示的可由W取代的蒽基的具体例，可列举：2-甲基-1-蒽基、3-甲基-1-蒽基、4-甲基-1-蒽基、5-甲基-1-蒽基、6-甲基-1-蒽基、7-甲基-1-蒽基、8-甲基-1-蒽基、9-甲基-1-蒽基、10-甲基-1-蒽基、1-甲基-2-蒽基、3-甲基-2-蒽基、4-甲基-2-蒽基、5-甲基-2-蒽基、6-甲基-2-蒽基、7-甲基-2-蒽基、8-甲基-2-蒽基、9-甲基-2-蒽基、10-甲基-2-蒽基等。
作为由R6所表示的二烷基氨基，可列举：二甲氨基、二乙氨基、二丙氨基、二丁氨基、二苯氨基等。
作为由R7所表示的碳原子数为1～10的烷基的具体例，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。
作为由R7所表示的碳原子数为1～10的烷氧基的具体例，可列举：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正辛氧基、正癸氧基等。
作为由R7所表示的碳原子数为1～5的卤化烷基的具体例，可列举：三氟甲基、五氟乙基、全氟-正丙基、全氟-正丁基、全氟-正戊基等。
作为由R7所表示的碳原子数为1～5的卤化烷氧基的具体例，可列举：三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟-正丙氧基、全氟-正丁氧基、全氟-正戊氧基等。
作为由R7所表示的可由W取代的苯基的具体例，可列举：邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、邻乙基苯基、间乙基苯基、对乙基苯基、对(正丙基)苯基、对(异丙基)苯基、对(正丁基)苯基、对(异丁基)苯基、对(仲丁基)苯基、对(叔丁基)苯基、对(正戊基)苯基、对(异戊基)苯基、对(叔戊基)苯基、邻甲氧基苯基、间甲氧基苯基、对甲氧基苯基、邻乙氧基苯基、间乙氧基苯基、对乙氧基苯基、对(正丙氧基)苯基、对(异丙氧基)苯基、对(正丁氧基)苯基、对(异丁氧基)苯基、对(仲丁氧基)苯基、对(叔丁氧基)苯基、对(正戊氧基)苯基、对(异戊氧基)苯基、对(叔戊氧基)苯基、对氯苯基、对溴苯基、对氟苯基、2，4-二氯苯基、2，4-二溴苯基、2，4-二氟苯基、2，4，6-二氯苯基、2，4，6-三溴苯基、2，4，6-三氟苯基、五氯苯基、五溴苯基、五氟苯基、对联苯基等。
作为由R7所表示的可由W取代的萘基的具体例，可列举：2-甲基-1-萘基、3-甲基-1-萘基、4-甲基-1-萘基、5-甲基-1-萘基、6-甲基-1-萘基、7-甲基-1-萘基、8-甲基-1-萘基、1-甲基-2-萘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-2-萘基、5-甲基-2-萘基、6-甲基-2-萘基、7-甲基-2-萘基、8-甲基-2-萘基等。
作为由R7所表示的可由W取代的蒽基的具体例，可列举：2-甲基-1-蒽基、3-甲基-1-蒽基、4-甲基-1-蒽基、5-甲基-1-蒽基、6-甲基-1-蒽基、7-甲基-1-蒽基、8-甲基-1-蒽基、9-甲基-1-蒽基、10-甲基-1-蒽基、1-甲基-2-蒽基、3-甲基-2-蒽基、4-甲基-2-蒽基、5-甲基-2-蒽基、6-甲基-2-蒽基、7-甲基-2-蒽基、8-甲基-2-蒽基、9-甲基-2-蒽基、10-甲基-2-蒽基等。
作为由W所表示的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～5的卤化烷基、及碳原子数为1～5的卤化烷氧基的具体例，可列举与作为由R6或R7所表示的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～5的卤化烷基、及碳原子数为1～5的卤化烷氧基的具体例所列举的基相同的基。
R6与R5可相互键结而形成5员环或6员环。
当R6与R5相互键结而形成5员环或6员环时，作为该5员环或6员环，可列举碳环式基及杂环式环基，例如可为环戊烷、环己烷、环庚烷、吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、恶唑、噻唑、吡喃、吡啶、吡嗪、吗啉、哌啶或哌嗪环。所述5员环或6员环也可以与可具有任意的取代基的苯环键结，作为其例，可列举：四氢萘、二氢蒽、茚、色满(chromane)、芴、二苯并哌喃(xanthene)或噻吨环系。所述5员环或6员环也可以含有羰基，作为其例，可列举环已二烯酮、萘酮及蒽酮环系。
由所述式(c1)所表示的化合物的合适的形态之一为由下述式(c1-1)所表示的化合物。由式(c1-1)所表示的化合物是式(c1)中的R6与R5键结而形成5员环的化合物。
(式(c1-1)中，R7的含义与式(c1)中的R7相同，X表示烷基、烷氧基或卤素原子，t表示0～3的整数，当t为2或3时，多个X可相同，也可不同。)
作为由X所表示的烷基，优选碳原子数为1～4的直链状烷基或支链状烷基。
作为由X所表示的烷氧基，优选碳原子数为1～4的直链状烷氧基或支链状烷氧基。
作为由X所表示的卤素原子，优选氯原子或氟原子。
作为t，优选0或1。
式(c1-1)中，特优选t为1，X为甲基，X的取代位置为邻位，R7为碳原子数为1～10的直链状烷基、7，7-二甲基-2-氧代降冰片基甲基、或对甲苯甲酰基的化合物。
作为由式(c1-1)所表示的肟磺酸酯化合物的具体例，可列举下述化合物(i)、化合物(ii)、化合物(iii)、化合物(iv)等，这些化合物可单独使用1种，也可以并用2种以上。化合物(i)～化合物(iv)可作为市售品而获得。
另外，也可以与其他种类的光酸产生剂进行组合来使用。
由式(c1)所表示的化合物的优选的形态之一为如下的化合物：
R5表示碳原子数为1～4的烷基、三氟甲基、苯基、氯苯基、二氯苯基、甲氧基苯基、4-联苯基、萘基或蒽基；
R6表示氰基；
R7表示碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～5的卤化烷基、碳原子数为1～5的卤化烷氧基、可由W取代的苯基、可由W取代的萘基或可由W取代的蒽基，W表示卤素原子、氰基、硝基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～5的卤化烷基或碳原子数为1～5的卤化烷氧基。
作为由式(c1)所表示的化合物，也优选由下述式(c1-2)所表示的化合物。
式(c1-2)中，R8表示卤素原子、羟基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或硝基，L表示0～5的整数。R7表示碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～5的卤化烷基、碳原子数为1～5的卤化烷氧基、可由W取代的苯基、可由W取代的萘基或可由W取代的蒽基，W表示卤素原子、氰基、硝基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～5的卤化烷基或碳原子数为1～5的卤化烷氧基。
作为式(c1-2)中的R7，优选甲基、乙基、正丙基、正丁基、正辛基、三氟甲基、五氟乙基、全氟-正丙基、全氟-正丁基、对甲苯基、4-氯苯基或五氟苯基，特优选甲基、乙基、正丙基、正丁基或对甲苯基。
作为由R8所表示的卤素原子，优选氟原子、氯原子或溴原子。
作为由R8所表示的碳原子数为1～4的烷基，优选甲基或乙基。
作为由R8所表示的碳原子数为1～4的烷氧基，优选甲氧基或乙氧基。
作为L，优选0～2，特优选0～1。
由式(c1)所表示的化合物之中，包含在由式(c1-2)所表示的化合物中的化合物的优选的形态为如下的形态：式(c1)中，R5表示苯基或4-甲氧基苯基，R6表示氰基，R7表示甲基、乙基、正丙基、正丁基或4-甲苯基。
以下，表示由式(c1)所表示的化合物之中，包含在由式(c1-2)所表示的化合物中的化合物的特优选的例子，但本发明并不限定于这些例子。
α-(甲基磺酰氧基亚氨基)苄基氰(R5＝苯基，R6＝氰基，R7＝甲基)
α-(乙基磺酰氧基亚氨基)苄基氰(R5＝苯基，R6＝氰基，R7＝乙基)
α-(正丙基磺酰氧基亚氨基)苄基氰(R5＝苯基，R6＝氰基，R7＝正丙基)
α-(正丁基磺酰氧基亚氨基)苄基氰(R5＝苯基，R6＝氰基，R7＝正丁基)
α-(4-甲苯磺酰氧基亚氨基)苄基氰(R5＝苯基，R6＝氰基，R7＝4-甲苯基)
α-[(甲基磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈(R5＝4-甲氧基苯基，R6＝氰基，R7＝甲基)
α-[(乙基磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈(R5＝4-甲氧基苯基，R6＝氰基，R7＝乙基)
α-[(正丙基磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈(R5＝4-甲氧基苯基，R6＝氰基，R7＝正丙基)
α-[(正丁基磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈(R5＝4-甲氧基苯基，R6＝氰基，R7＝正丁基)
α-[(4-甲苯磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈(R5＝4-甲氧基苯基，R6＝氰基，R7＝4-甲苯基)
另外，作为具有至少1个由所述式(c0)所表示的肟磺酸酯残基的化合物，优选由下述式(OS-3)、式(OS-4)、或式(OS-5)所表示的肟磺酸酯化合物。
(式(OS-3)～式(OS-5)中，R1表示烷基、芳基、或杂芳基，存在多个的R2分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、或卤素原子，存在多个的R6分别独立地表示卤素原子、烷基、烷氧基、磺酸基、氨基磺酰基、或烷氧基磺酰基，X表示O或S，n表示1或2，m表示0～6的整数。)
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，由R1所表示的烷基、芳基或杂芳基可具有取代基。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作为由R1所表示的烷基，优选可具有取代基的总碳数为1～30的烷基。
另外，所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作为由R1所表示的芳基，优选可具有取代基的总碳数为6～30的芳基。
另外，所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作为由R1所表示的杂芳基，优选可具有取代基的总碳数为4～30的杂芳基，只要是至少1个杂芳香环即可，例如杂芳香环与苯环也可以进行缩环。
作为由R1所表示的烷基、芳基或杂芳基可具有的取代基，可列举：卤素原子、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基羰基。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，R2优选氢原子、烷基、或芳基，更优选氢原子或烷基。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，优选在化合物中存在2个以上的R2中的1个或2个为烷基、芳基或卤素原子，更优选1个R2为烷基、芳基或卤素原子，特优选1个R2为烷基、且剩余的R2为氢原子。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，由R2所表示的烷基或芳基可具有取代基。
作为由R2所表示的烷基或芳基可具有的取代基，可例示与所述R1中的烷基或芳基可具有的取代基相同的基。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作为由R2所表示的烷基，优选可具有取代基的总碳数为1～12的烷基，更优选可具有取代基的总碳数为1～6的烷基。
作为由R2所表示的烷基，优选甲基、乙基、正丙基、正丁基、正己基，更优选甲基。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作为由R2所表示的芳基，优选可具有取代基的总碳数为6～30的芳基。
作为由R2所表示的芳基，优选苯基、对甲基苯基、邻氯苯基、对氯苯基、邻甲氧基苯基、对苯氧基苯基。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，X表示O或S，优选O。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，含有X作为环员的环为5员环或6员环。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，n表示1或2，当X为O时，n优选1，另外，当X为S时，n优选2。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，由R6所表示的烷基及烷氧基可具有取代基。
所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作由为R6所表示的烷基，优选可具有取代基的总碳数为1～30的烷基。
作为由R6所表示的烷氧基，优选甲氧基、乙氧基、丁氧基、己氧基、苯氧基乙氧基、三氯甲氧基、或乙氧基乙氧基。
作为R6中的氨基磺酰基，可列举：甲氨基磺酰基、二甲氨基磺酰基、苯氨基磺酰基、甲基苯氨基磺酰基、氨基磺酰基。
作为由R6所表示的烷氧基磺酰基，可列举：甲氧基磺酰基、乙氧基磺酰基、丙氧基磺酰基、丁氧基磺酰基。
作为由R6所表示的烷基或烷氧基可具有的取代基，可列举：卤素原子、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基羰基。
另外，所述式(OS-3)～式(OS-5)中，m表示0～6的整数，优选0～2的整数，更优选0或1，特优选0。
另外，由所述式(OS-3)所表示的化合物特优选由下述式(OS-6)、式(OS-10)或式(OS-11)所表示的化合物，由所述式(OS-4)所表示的化合物特优选由下述式(OS-7)所表示的化合物，由所述式(OS-5)所表示的化合物特优选由下述式(OS-8)或式(OS-9)所表示的化合物。
式(OS-6)～式(OS-11)中，R1表示烷基、芳基或杂芳基，R7表示氢原子或溴原子，R8表示氢原子、碳数为1～8的烷基、卤素原子、氯甲基、溴甲基、溴乙基、甲氧基甲基、苯基或氯苯基，R9表示氢原子、卤素原子、甲基或甲氧基，R10表示氢原子或甲基。
所述式(OS-6)～式(OS-11)中的R1的含义与所述式(OS-3)～式(OS-5)中的R1相同，优选的形态也相同。
所述式(OS-6)中的R7表示氢原子或溴原子，优选氢原子。
所述式(OS-6)～式(OS-11)中的R8表示氢原子、碳数为1～8的烷基、卤素原子、氯甲基、溴甲基、溴乙基、甲氧基甲基、苯基或氯苯基，优选碳数为1～8的烷基、卤素原子或苯基，更优选碳数为1～8的烷基，进而更优选碳数为1～6的烷基，特优选甲基。
所述式(OS-8)及式(OS-9)中的R9表示氢原子、卤素原子、甲基或甲氧基，优选氢原子。
所述式(OS-8)～式(OS-11)中的R10表示氢原子或甲基，优选氢原子。
另外，在所述肟磺酸酯化合物中，关于肟的立体结构(E、Z)，可以是任一个，也可以是混合物。
作为由所述式(OS-3)～式(OS-5)所表示的肟磺酸酯化合物的具体例，可列举下述例示化合物，但本发明并不限定于这些例示化合物。
作为具有至少1个由所述式(c0)所表示的肟磺酸酯残基的肟磺酸酯化合物的合适的其他形态，也可以列举日本专利特开2011-209719号公报的段落0117～段落0129中所记载者。
本发明的感光性树脂组成物优选不含1，2-醌二叠氮化合物作为感应光化射线的(成分C)光酸产生剂。其原因在于：1，2-醌二叠氮化合物虽然通过逐步型光化学反应而生成羧基，但其量子产率为1以下，感光度比肟磺酸酯化合物低。
相对于此，推测肟磺酸酯化合物由于感应光化射线而生成的酸作为触媒对经保护的酸性基的脱保护发挥作用，因此通过1个光量子的作用而生成的酸有助于多个脱保护反应，量子产率超过1，例如变成如10的几乘方般的大的值，作为所谓的化学增幅的结果，可获得高感光度。
相对于成分A及成分B的总含量100重量份，本发明的感光性树脂组成物中的(成分C)光酸产生剂的含量优选0.1重量份～10重量份，更优选0.5重量份～10重量份。
(成分D)溶剂
本发明的感光性树脂组成物优选含有(成分D)溶剂。本发明的感光性树脂组成物优选作为使本发明的各成分溶解在(成分D)溶剂中而成的溶液来制备。
作为本发明的感光性树脂组成物中所使用的溶剂，可使用公知的溶剂，可例示：乙二醇单烷基醚类、乙二醇二烷基醚类、乙二醇单烷基醚醋酸酯类、丙二醇单烷基醚类、丙二醇二烷基醚类、丙二醇单烷基醚醋酸酯类、二乙二醇二烷基醚类、二乙二醇单烷基醚醋酸酯类、二丙二醇单烷基醚类、二丙二醇二烷基醚类、二丙二醇单烷基醚醋酸酯类、酯类、酮类、酰胺类、内酯类等。作为本发明的感光性树脂组成物中所使用的溶剂，例如可列举日本专利特开2009-258722号公报的段落0074中所记载的溶剂。
所述溶剂之中，特优选二乙二醇乙基甲醚、和/或丙二醇单甲醚醋酸酯。
这些溶剂可单独使用1种、或将2种以上混合使用。可用于本发明的溶剂优选单独使用1种、或并用2种，更优选并用2种，进而更优选并用丙二醇单烷基醚醋酸酯类与二乙二醇二烷基醚类。
相对于成分A 100重量份，本发明的感光性树脂组成物中的成分D的含量优选50重量份～3,000重量份，更优选100重量份～2,000重量份，进而更优选150重量份～1,500重量份。
相对于成分A及成分B的总含量100重量份，本发明的感光性树脂组成物中的(成分D)溶剂的含量优选50重量份～3,000重量份，更优选100重量份～2,000重量份，进而更优选150重量份～1,500重量份。
<其他成分>
本发明的感光性树脂组成物可含有其他成分。
作为其他成分，就感光度的观点而言，本发明的感光性树脂组成物优选含有光敏剂，就液体保存稳定性的观点而言，优选含有碱性化合物，就膜物性的观点而言，优选含有交联剂，就基板密接性的观点而言，优选含有密接改良剂，另外，就涂布性的观点而言，优选含有界面活性剂。
以下，对本发明的感光性树脂组成物中可含有的其他成分进行说明。
[光敏剂]
本发明的感光性树脂组成物优选含有光敏剂。
通过含有光敏剂，对于提升曝光灵敏度有效，在曝光光源为g射线、h射线混合线的情况下特别有效。
作为光敏剂，优选蒽衍生物、吖啶酮衍生物、硫杂蒽酮衍生物、香豆素衍生物、基质苯乙烯基衍生物、二苯乙烯基苯衍生物。
作为蒽衍生物，优选蒽、9，10-二丁氧基蒽、9，10-二氯蒽、2-乙基-9，10-二甲氧基蒽、9-羟甲基蒽、9-溴蒽、9-氯蒽、9，10-二溴蒽、2-乙基蒽、9，10-二甲氧基蒽。
作为吖啶酮衍生物，优选吖啶酮、N-丁基-2-氯吖啶酮、N-甲基吖啶酮、2-甲氧基吖啶酮、N-乙基-2-甲氧基吖啶酮。
作为硫杂蒽酮衍生物，优选硫杂蒽酮、二乙基硫杂蒽酮、1-氯-4-丙氧基硫杂蒽酮、2-氯硫杂蒽酮。
作为香豆素衍生物，优选香豆素-1、香豆素-6H、香豆素-110、香豆素-102。
作为基质苯乙烯基衍生物，可列举2-(4-二甲氨基苯乙烯基)苯并恶唑、2-(4-二甲氨基苯乙烯基)苯并噻唑、2-(4-二甲氨基苯乙烯基)萘噻唑。
作为二苯乙烯基苯衍生物，可列举二苯乙烯基苯、二(4-甲氧基苯乙烯基)苯、二(3，4，5-三甲氧基苯乙烯基)苯。
这些光敏剂之中，优选蒽衍生物，更优选9，10-二烷氧基蒽(烷氧基的碳数为1～6)。
作为光敏剂的具体例，可列举下述者。再者，在下述中，Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基。
相对于成分A及成分B的总含量100重量份，本发明的感光性树脂组成物中的光敏剂的含量优选0.1重量份～10重量份，更优选0.5重量份～10重量份。若光敏剂的含量为0.1重量份以上，则容易获得所期望的感光度，另外，若光敏剂的含量10重量份以下，则容易确保涂膜的透明性。
[碱性化合物]
就液体保存稳定性的观点而言，本发明的感光性树脂组成物优选含有碱性化合物。
作为碱性化合物，可从化学增幅抗蚀剂中所使用的碱性化合物中任意地选择来使用。例如可列举：脂肪族胺、芳香族胺、杂环式胺、氢氧化四级铵、及羧酸的四级铵盐等。
作为脂肪族胺，例如可列举：三甲胺、二乙胺、三乙胺、二-正丙胺、三-正丙胺、二-正戊胺、三-正戊胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二环己胺、二环己基甲胺等。
作为芳香族胺，例如可列举：苯胺、苄基胺、N，N-二甲基苯胺、二苯基胺等。
作为杂环式胺，例如可列举：吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、N-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲氨基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、2，4，5-三苯基咪唑、烟碱、烟碱酸、烟碱酰胺、喹啉、8-羟基喹啉、吡嗪、吡唑、哒嗪、嘌呤、吡咯烷、哌啶、哌嗪、吗啉、4-甲基吗啉、N-环己基-N′-[2-(4-吗啉基)乙基]硫脲、1，5-二氮双环[4.3.0]-5-壬烯、1，8-二氮双环[5.3.0]-7-十一烯等。
作为氢氧化四级铵，例如可列举：氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、四-正丁基氢氧化铵、氢氧化四-正己基铵等。
作为羧酸的四级铵盐，例如可列举：醋酸四甲基铵、苯甲酸四甲基铵、醋酸四-正丁基铵、苯甲酸四-正丁基铵等。
可用于本发明的碱性化合物可单独使用1种，也可以并用2种以上，优选并用2种以上，更优选并用2种，进而更优选并用2种杂环式胺。
相对于成分A及成分B的总含量100重量份，本发明的感光性树脂组成物中的碱性化合物的含量优选0.001重量份～1重量份，更优选0.002重量份～0.2重量份。
[交联剂]
视需要，本发明的感光性树脂组成物优选含有交联剂。通过添加交联剂，可使由本发明的感光性树脂组成物所获得的硬化膜变成更牢固的膜。
作为交联剂，例如可添加以下所述的分子内具有2个以上的环氧基或氧杂环丁基的化合物、含有烷氧基甲基的交联剂、或具有至少1个乙烯性不饱和双键的化合物。
这些交联剂之中，优选分子内具有2个以上的环氧基或氧杂环丁基的化合物，特优选环氧树脂。
相对于感光性树脂组成物的总固体成分，本发明的感光性树脂组成物中的交联剂的添加量优选0.05重量份～50重量份，更优选0.5重量份～44重量份，进而更优选3重量份～40重量份。通过在该范围内进行添加，可获得机械强度及耐溶剂性优异的硬化膜。
-分子内具有2个以上的环氧基或氧杂环丁基的化合物-
作为分子内具有2个以上的环氧基的化合物的具体例，可列举：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂肪族环氧树脂等。
这些化合物可作为市售品而获得，可列举JER150S65或JER1031S(均为三菱化学(股份)制造)等日本专利特开2009-258722号公报的段落0051～段落0053中所记载者。这些化合物可单独使用1种、或将2种以上组合使用。
这些化合物之中，可优选列举环氧树脂，可更优选列举双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、及苯酚酚醛清漆型环氧树脂，可特优选列举双酚A型环氧树脂。
作为分子内具有2个以上的氧杂环丁基的化合物的具体例，可使用ARONOXETANEOXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX(以上，东亚合成(股份)制造)。
另外，含有氧杂环丁基的化合物优选单独使用、或与含有环氧基的化合物混合后使用。
当将成分A及成分B的总含量设为100重量份时，这些化合物之中，分子内具有2个以上的环氧基或氧杂环丁基的化合物朝本发明的感光性树脂组成物中的添加量优选1重量份～50重量份，更优选3重量份～30重量份。
-含有烷氧基甲基的交联剂、或具有至少1个乙烯性不饱和双键的化合物
作为含有烷氧基甲基的交联剂，优选烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯代三聚氰胺、烷氧基甲基化甘脲及烷氧基甲基化脲等。另外，作为具有至少1个乙烯性不饱和双键的化合物，可优选使用单官能(甲基)丙烯酸酯、二官能(甲基)丙烯酸酯、三官能以上的(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯化合物。
作为含有烷氧基甲基的交联剂、或具有至少1个乙烯性不饱和双键的化合物的具体例，可列举日本专利特开2011-170305号公报的段落0093～段落0100中所记载者，添加量或组合的优选的范围也相同。
[密接改良剂]
就基板密接性的观点而言，本发明的感光性树脂组成物优选含有密接改良剂。
可用于本发明的感光性树脂组成物的密接改良剂是提升成为基板的无机物，例如硅、氧化硅、氮化硅等硅化合物，钼、钛、氧化铟锡、金、铜、铝等金属与绝缘膜的密接性的化合物。具体而言，可列举硅烷偶联剂、硫醇系化合物等。作为本发明中所使用的密接改良剂的硅烷偶联剂是以界面的改质为目标者，并无特别限定，可使用公知的硅烷偶联剂。
这些密接改良剂之中，可优选例示硅烷偶联剂。但是，本发明的硅烷偶联剂是指1分子中具有1个水解性硅烷基或硅烷醇基的化合物，本发明的硅烷偶联剂中不含相当于成分X的硅化合物。
作为优选的硅烷偶联剂，例如可列举：γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三烷氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基烷基二烷氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三烷氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基烷基二烷氧基硅烷、γ-氯丙基三烷氧基硅烷、γ-巯基丙基三烷氧基硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三烷氧基硅烷、乙烯基三烷氧基硅烷。
这些硅烷偶联剂之中，更优选γ-缩水甘油氧基丙基三烷氧基硅烷、及γ-甲基丙烯酰氧基丙基三烷氧基硅烷，进而更优选γ-缩水甘油氧基丙基三烷氧基硅烷。
这些密接改良剂可单独使用1种、或将2种以上组合使用。这些密接改良剂对于与基板的密接性的提升有效，并且对于与基板的圆锥角的调整也有效。
相对于成分A及成分B的总含量100重量份，本发明的感光性树脂组成物中的密接改良剂的含量优选0.1重量份～20重量份，更优选0.5重量份～10重量份。
[界面活性剂]
就涂布性的观点而言，本发明的感光性树脂组成物优选含有界面活性剂。
作为界面活性剂，可使用阴离子系、阳离子系、非离子系、或两性的任一种，但优选的界面活性剂为非离子系界面活性剂。
作为非离子系界面活性剂的例子，可列举：聚氧乙烯高级烷基醚类、聚氧乙烯高级烷基苯醚类、聚氧乙烯二醇的高级脂肪酸二酯类、氟系、硅酮系界面活性剂。
本发明的感光性树脂组成物更优选含有氟系界面活性剂、和/或硅酮系界面活性剂作为界面活性剂。
作为所述氟系界面活性剂、硅酮系界面活性剂，例如可列举日本专利特开昭62-36663号、日本专利特开昭61-226746号、日本专利特开昭61-226745号、日本专利特开昭62-170950号、日本专利特开昭63-34540号、日本专利特开平7-230165号、日本专利特开平8-62834号、日本专利特开平9-54432号、日本专利特开平9-5988号、日本专利特开2001-330953号各公报中记载的界面活性剂，也可以使用市售的界面活性剂。
作为可使用的市售的界面活性剂，例如可列举：Eftop EF301、EF303(以上，新秋田化成(股份)制造)，Fluorad FC430、431(以上，住友3M(Sumitomo 3M)(股份)制造)，MegafacF171、F173、F176、F189、R08(以上，迪爱生(DIC)(股份)制造)，Surflon S-382、SC101、102、103、104、105、106(以上，旭硝子(股份)制造)，PolyFox系列(欧诺法(OMNOVA)公司制造)等氟系界面活性剂或硅酮系界面活性剂。另外，聚硅氧烷聚合物KP-341(信越化学工业(股份)制造)也可以用作硅酮系界面活性剂。
另外，作为界面活性剂，可列举如下的共聚物作为优选例，该共聚物含有由下述式(1)所表示的构成单元A及构成单元B，且将四氢呋喃(Tetrahydrofuran，THF)作为溶剂时的由凝胶渗透色谱法所测定的聚苯乙烯换算的重量平均分子量(Mw)为1,000以上、10,000以下。
构成单元A 构成单元B
(式(1)中，R1及R3分别独立地表示氢原子或甲基，R2表示碳数为1以上、4以下的直链亚烷基，R4表示氢原子或碳数为1以上、4以下的烷基，L表示碳数为3以上、6以下的亚烷基，p及q为表示聚合比的重量百分率，p表示10wt％以上、80wt％以下的数值，q表示20wt％以上、90wt％以下的数值，r表示1以上、18以下的整数，n表示1以上、10以下的整数。)
所述L优选由下述式(2)所表示的分支亚烷基。式(2)中的R5表示碳数为1以上、4以下的烷基，就相容性与对于被涂布面的润湿性的观点而言，优选碳数为1以上、3以下的烷基，更优选碳数为2或3的烷基。
所述共聚物的重量平均分子量(Mw)更优选1,500以上、5,000以下。
这些界面活性剂可单独使用1种、或将2种以上混合使用。
相对于成分A及成分B的总含量100重量份，本发明的感光性树脂组成物中的界面活性剂的添加量优选10重量份以下，更优选0.01重量份～10重量份，进而更优选0.01重量份～1重量份。
<其他>
视需要，可向本发明的感光性树脂组成物中添加塑化剂、热自由基产生剂、热酸产生剂、酸增殖剂、显影促进剂、抗氧化剂等其他成分。关于这些成分，例如可使用日本专利特开2009-98616号公报、日本专利特开2009-244801号公报中所记载的成分，其他公知的成分。另外，也可以将“高分子添加剂的新进展(日刊工业新闻社(股份))”中所记载的各种紫外线吸收剂、或金属钝化剂等添加至本发明的感光性树脂组成物中。
(硬化膜的形成方法)
其次，对本发明的硬化膜的形成方法进行说明。
本发明的硬化膜的形成方法除使用本发明的正型感光性树脂组成物以外，并无特别限制，但优选包括以下的(1)～(5)的步骤。
(1)将本发明的正型感光性树脂组成物涂布在基板上的步骤
(2)从所涂布的感光性树脂组成物中去除溶剂的步骤
(3)利用光化射线对去除了溶剂的感光性树脂组成物进行曝光的步骤
(4)利用水性显影液对经曝光的感光性树脂组成物进行显影的步骤
(5)对经显影的感光性树脂组成物进行热硬化的后烘烤步骤
在本发明的硬化膜的形成方法中，也可以在所述曝光步骤中的曝光后，不进行加热处理，而进行所述(4)的显影步骤。
另外，也可以在所述后烘烤步骤前，进而包括对经显影的感光性树脂组成物进行全面曝光的步骤。
另外，本发明的硬化膜的形成方法优选进而包括(6)对具有进行热硬化而获得的硬化膜的基板进行干蚀刻的干蚀刻步骤。
以下依次对各步骤进行说明。
在(1)的涂布步骤中，优选将本发明的正型感光性树脂组成物涂布在基板上而制成含有溶剂的湿润膜。
在(2)的溶剂去除步骤中，优选通过减压(真空)和/或加热而从所涂布的所述膜中去除溶剂，从而在基板上形成干燥涂膜。
在(3)的曝光步骤中，优选对所获得的涂膜照射波长为300nm以上、450nm以下的光化射线。在该步骤中，特定酸产生剂分解并产生酸。成分A中所含有的构成单元(a1)中的酸分解性基因所产生的酸的触媒作用而分解，从而生成酸基。
在生成有酸触媒的区域中，为了加快所述分解反应，视需要也可以进行曝光后加热处理：曝光后烘烤(Post Exposure Bake)(以下，也称为“PEB”)。通过PEB，可促进来自酸分解性基的酸基的生成。
特定树脂中的构成单元(a1)中的酸分解性基由于酸分解的活化能低，容易因由曝光所产生的源自光酸产生剂的酸而分解，并产生酸基，因此不一定必须进行PEB。因此，优选在曝光步骤后，不进行加热处理而进行所述显影步骤。更详细而言，优选在(3)的曝光步骤后不进行PEB，且在(4)的显影步骤中进行显影，由此形成正像。
再者，也可以在比较低的温度下进行PEB，由此不产生交联反应，而促进酸分解性基的分解。进行PEB时的温度优选30℃以上、130℃以下，更优选40℃以上、110℃以下，特优选50℃以上、90℃以下。
在(4)的显影步骤中，优选使用碱性显影液对具有遊离的酸基的成分A及具有酸基的成分B进行显影。将包含具有容易溶解在碱性显影液中的酸基的感光性树脂组成物的曝光部区域去除，由此可形成正像。
在(5)的后烘烤步骤中，可通过对所获得的正像进行加热，例如使构成单元(b1)中的酸基、及对构成单元(a1)中的酸分解性基进行热分解而生成的酸基与构成单元(a2)及构成单元(b2)中的交联性基进行交联，而形成硬化膜。该加热优选加热至150℃以上的高温，更优选加热至180℃～250℃，特优选加热至200℃～250℃。可根据加热时间、加热温度等而适宜设定，但优选设为10分钟～90分钟的范围内。
由本发明的感光性树脂组成物所获得的硬化膜可适宜用作干蚀刻抗蚀剂。
当将通过(5)的后烘烤步骤进行热硬化而获得的硬化膜用作干蚀刻抗蚀剂时，可进行灰化、等离子体蚀刻、臭氧蚀刻等干蚀刻处理作为蚀刻处理。
(6)的干蚀刻步骤中，可例示使基板暴露在反应气体中来实施蚀刻的反应性气体蚀刻处理、或利用等离子体使反应气体离子化·自由基化后实施蚀刻的反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching，RIE)等公知的干蚀刻处理。所述气体种类或蚀刻方法只要根据进行干蚀刻的材料、所期望的速度或精度等而适宜选择即可。另外，作为进行干蚀刻的装置，可使用公知的装置。
进而，在后烘烤步骤前，优选包括对经显影的感光性树脂组成物进行全面曝光的步骤，若加入对经显影的感光性树脂组成物的图案全面照射光化射线，优选紫外线的步骤，则可通过因光化射线的照射而产生的酸来促进交联反应。
其次，对使用本发明的感光性树脂组成物的硬化膜的形成方法进行具体说明。
[感光性树脂组成物的制备方法]
在特定树脂及酸产生剂的必需成分中，视需要以规定的比例且以任意的方法混合溶剂，然后进行搅拌溶解来制备感光性树脂组成物。例如，也可以在事先使特定树脂或酸产生剂分别溶解在溶剂中而制成溶液后，将它们以规定的比例混合来制备感光性树脂组成物。如以上般制备的感光性树脂组成物的溶液也可以在使用孔径为0.1μm的过滤器等进行过滤后，供于使用。
<涂布步骤及溶剂去除步骤>
将感光性树脂组成物涂布在规定的基板上，通过减压和/或加热(预烤)来去除溶剂，由此可形成所期望的干燥涂膜。作为所述基板，例如在液晶显示装置的制造中，可例示设置偏光板，进而视需要设置黑色矩阵层、彩色滤光片层，进而设置透明导电电路层而成的玻璃板等。朝基板上的涂布方法并无特别限定，但优选涂布，例如可使用狭缝涂布法、喷雾法、辊涂法、旋转涂布法等方法。其中，就适合于大型基板这一观点而言，优选狭缝涂布法。此处所谓大型基板，是指各边为1m以上的大小的基板。
另外，(2)溶剂去除步骤的加热条件为在未曝光部中的成分A中的构成单元(a1)中，酸分解性基分解，且不使成分A在碱性显影液中溶解的范围，也根据各成分的种类或调配比而不同，但优选在70℃～120℃下加热30秒～300秒左右。
<曝光步骤>
在(3)曝光步骤中，对设置有感光性树脂组成物的干燥涂膜的基板照射规定的图案的光化射线。曝光可经由遮罩而进行，也可以直接描绘规定的图案。可优选使用具有300nm以上、450nm以下的波长的光化射线。在曝光步骤后，视需要也可以进行PEB。
在利用光化射线的曝光中，可使用低压水银灯、高压水银灯、超高压水银灯、化学灯、激光产生装置、发光二极管(Light Emitting Diode，LED)光源等。
当使用水银灯时，可优选使用具有g射线(436nm)、i射线(365nm)、h射线(405nm)等的波长的光化射线。水银灯与激光相比，就适合于大面积的曝光这一观点而言优选。
当使用激光时，若为固体钇铝石榴石(Yttrium Aluminium Garnet，YAG)激光，则可适宜使用343nm、355nm，若为准分子激光，则可适宜使用351nm(XeF)，进而若为半导体激光，则可适宜使用375nm、405nm。其中，就稳定性、成本等的观点而言，更优选355nm、405nm。可对涂膜照射1次激光、或分成多次来照射。另外，关于能量密度、脉冲宽度、激光频率、曝光装置、及滤光片的具体例或优选的范围，可列举日本专利特开2011-186398号公报的段落0098～段落0100中所记载的。
<显影步骤>
在(4)显影步骤中，使用碱性显影液将曝光部区域去除而形成图像图案。作为用于显影液的碱性化合物，例如可使用：氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾等碱金属氢氧化物类；碳酸钠、碳酸钾等碱金属碳酸盐类；重碳酸钠、重碳酸钾等碱金属重碳酸盐类；氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化胆碱等氢氧化铵类；硅酸钠、偏硅酸钠等的水溶液。另外，也可以将向所述碱类的水溶液中添加适当量甲醇或乙醇等水溶性有机溶剂或界面活性剂而成的水溶液用作显影液。
只要可进行显影，则显影液的pH并无特别限制，但优选10.0～14.0。
显影时间优选30秒～180秒，另外，显影的方法可为水坑式(puddle)显影法、浸渍法、喷淋法等的任一种。显影后，可进行10秒～90秒的流水清洗，而形成所期望的图案。
<后烘烤步骤(交联步骤)>
使用加热板或烘箱等加热装置，在规定的温度，例如180℃～250℃下，以规定的时间，例如若在加热板上则为5分钟～60分钟，若为烘箱则为30分钟～90分钟，对与通过显影而获得的未曝光区域相对应的图案进行加热处理，由此使特定树脂中的酸分解性基分解，而产生羧基和/或酚性羟基，然后与特定树脂中的环氧基和/或氧杂环丁基即交联性基进行反应，而进行交联，由此可形成耐热性、硬度等优异的保护膜或层间绝缘膜。另外，当进行加热处理时，也可以在氮气环境下进行，由此提升透明性。
再者，优选在加热处理之前，利用光化射线对形成有图案的基板进行再曝光后，进行后烘烤(再曝光/后烘烤)，由此从存在于未曝光部分中的酸产生剂(B)产生酸，并使其作为促进交联的触媒发挥功能。
即，本发明中的硬化膜的形成方法优选在显影步骤与后烘烤步骤之间，包括利用光化射线进行再曝光的步骤。
再曝光步骤中的曝光只要利用与所述曝光步骤相同的方法来进行即可，在所述再曝光步骤中，优选对基板的由本发明的感光性树脂组成物而形成有膜之侧进行全面曝光。再曝光步骤的优选的曝光量为100mJ/cm2～1,000mJ/cm2。
<干蚀刻步骤>
本发明中的干蚀刻步骤是对具有在所述后烘烤步骤中，进行热硬化而获得的硬化膜的基板进行干蚀刻的步骤。由本发明的感光性树脂组成物所获得的硬化膜由于耐干蚀刻性优异，因此即便暴露在干蚀刻条件下，膜减少量也少。
作为可用于本发明的被干蚀刻材料，包括硅、二氧化硅、氮化硅、氧化铝、玻璃、玻璃-陶瓷、砷化镓、磷化铟、铜、铝、镍、铁、钢、铜-硅合金、铟-锡氧化物被覆玻璃；含有金属、半导体、及绝缘材料的图案化区域的任意的基板等，但并不限定于这些材料。
作为等离子体的产生方法，并无特别限制，减压等离子体法、大气等离子体法的任一种均可进行涂布。
另外，在等离子体蚀刻中，例如可优选使用选自氦气、氩气、氪气、氙气中的惰性气体，O2，CF4，C2F4，N2，CO2，SF6，CHF3，至少含有O、N、F或Cl的反应性气体。
在干蚀刻步骤中，例如当基底为SiNx或SiO2等硅系的层时，优选使用O2与CF4、SiF6等氟系的反应气体。
另外，干蚀刻步骤中的基板与所述涂布步骤中的基板可以是相同的基板，也可以是不同的基板。例如，也可以将所述涂布步骤中的基板作为临时的基板，在其他基板上对该硬化膜进行转印等，直至所述干蚀刻步骤之前为止。
另外，将本发明的感光性树脂组成物硬化而获得的硬化膜也适宜用作干蚀刻或湿蚀刻等蚀刻处理时的牺牲层，当在蚀刻处理后将所述硬化膜剥离时，可进行利用灰化等已知的干式等离子体工艺、或碱性化学品处理等已知的湿式工艺的剥离。本发明的硬化膜由于经过烘烤步骤而硬化，因此特优选利用干式等离子体工艺的剥离。
即便在用作作为蚀刻用抗蚀剂的平面抗蚀剂的情况下，也适宜使用氧等离子体处理，但也可以通过利用药液的加热处理来将抗蚀剂剥离去除。
将本发明的感光性树脂组成物硬化而获得的硬化膜可特别适宜地用作干蚀刻抗蚀剂。
本发明的硬化膜是将本发明的感光性树脂组成物硬化而获得的硬化膜，可适宜地用作层间绝缘膜。另外，本发明的硬化膜优选通过本发明的硬化膜的形成方法所获得的硬化膜。
通过本发明的感光性树脂组成物，可获得具有高感光度、显影时的残渣的产生得到抑制、且具有平滑性优异的表面的硬化膜，该硬化膜作为层间绝缘膜有用。另外，使用本发明的感光性树脂组成物而成的层间绝缘膜具有高透明性，可形成形状良好的图案形状，另外，其表面的平滑性也优异，因此在有机EL显示装置或液晶显示装置的用途中有用。
作为可涂布本发明的感光性树脂组成物的有机EL显示装置或液晶显示装置，除将使用本发明的感光性树脂组成物所形成的硬化膜用作平坦化膜或保护膜、层间绝缘膜以外，并无特别限制，可列举采用各种构造的公知的各种有机EL显示装置或液晶显示装置。
例如，作为本发明的有机EL显示装置及液晶显示装置所具备的TFT(Thin-FilmTransistor)的具体例，可列举：非晶硅-TFT、低温多晶硅-TFT、氧化物半导体TFT等。本发明的硬化膜由于电特性优异，因此可与这些TFT组合后优选使用。
另外，作为本发明的液晶显示装置可采用的液晶显示装置的方式，可列举：扭转向列(Twisted Nematic，TN)方式、垂直配向(Vertical Alignment，VA)方式、共面切换(In-Plane Switching，IPS)方式、边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)方式、光学补偿弯曲(Optically Compensated Bend，OCB)方式等。
另外，作为本发明的液晶显示装置可采用的液晶配向膜的具体的配向方式，可列举摩擦配向法、光配向法等。另外，也可以通过日本专利特开2003-149647或日本专利特开2011-257734中所记载的聚合物稳定配向(Polymer Sustained Alignment，PSA)技术而得到聚合物配向支持。
另外，本发明的感光性树脂组成物及本发明的硬化膜并不限定于所述用途，可用于各种用途。例如，除平坦化膜或保护膜、层间绝缘膜以外，也可适宜地用于用以将液晶显示装置中的液晶层的厚度保持为固定的垫片、或固体摄像元件中设置在彩色滤光片上的微透镜、蚀刻用抗蚀剂，特优选干蚀刻用抗蚀剂等。
图1表示使用本发明的感光性树脂组成物的有机EL显示装置的一例的构成概念图。表示底部发光型的有机EL显示装置中的基板的示意剖面图，且具有平坦化膜4。
在玻璃基板6上形成底栅型的TFT1，并在覆盖该TFT1的状态下形成包含Si3N4的绝缘膜3。在绝缘膜3上形成此处省略了图示的接触孔后，经由该接触孔而在绝缘膜3上形成连接于TFT1的配线2(高度为1.0μm)。配线2是用以将TFT1间、或将其后的步骤中形成的有机EL元件与TFT1加以连接的线。
进而，为了使由配线2的形成所产生的凹凸平坦化，在埋入由配线2所产生的凹凸的状态下，在绝缘膜3上形成平坦化膜4。
在平坦化膜4上形成底部发光型的有机EL元件。即，使包含ITO的第一电极5经由接触孔7连接于配线2而形成在平坦化膜4上。第一电极5相当于有机EL元件的阳极。
形成覆盖第一电极5的周缘的形状的绝缘膜8，通过设置该绝缘膜8，可防止第一电极5与其后的步骤中所形成的第二电极之间的短路。
进而，虽然图1中未图示，但经由所期望的图案遮罩而依次进行蒸镀来设置空穴传输层、有机发光层、电子传输层，继而，在基板上方的整个面上形成包含Al的第二电极，然后通过使用密封用玻璃板与紫外线硬化型环氧树脂进行贴合来密封，而获得在各有机EL元件上连接用以对其进行驱动的TFT1而成的有源矩阵型的有机EL显示装置。
图2是表示有源矩阵方式的液晶显示装置10的一例的概念剖面图。该彩色液晶显示装置10为背面具有背光单元12的液晶面板，液晶面板配置有与配置在贴附有偏光膜的2片玻璃基板14、玻璃基板15之间的所有像素相对应的TFT16的元件。在形成于玻璃基板上的各元件中，通过形成在硬化膜17中的接触孔18而布线有形成像素电极的ITO透明电极19。在ITO透明电极19上设置有液晶20的层、及配置有黑色矩阵的RGB彩色滤光片22。
实例
其次，通过实例来更具体地说明本发明。但是，本发明并不由这些实例限定。再者，只要事先无特别说明，则“份”、“％”为重量基准。
<合成例1>
向具备冷却管、搅拌机的烧瓶中添加二乙二醇乙基甲醚150重量份，并在氮气环境下升温至90℃。将作为单体成分的甲基丙烯酸1-乙氧基乙酯41.3重量份、甲基丙烯酸3-乙基-3-氧杂环丁基甲酯31.0重量份、甲基丙烯酸5.6重量份、甲基丙烯酸2-乙基己酯17.0重量份，及作为聚合起始剂的二甲基-2，2′-偶氮双(2-甲基丙酸酯)(和光纯药制造)10.0重量份溶解并历时2小时滴加在该溶液中。滴加结束后搅拌2小时。进而向该溶液中添加二甲基-2，2′-偶氮双(2-甲基丙酸酯)2.5重量份，进而搅拌2小时后使反应结束。由此获得共聚物A-1。重量平均分子量为11,000。
<合成例2～合成例38>
除变更所使用的单体及其量以外，以与合成例1相同的方式分别合成下述表中所示的共聚物A-2～共聚物A-15、共聚物B-1～共聚物B-16、及共聚物b-1～共聚物b-5。所合成的各共聚物的组成比(摩尔％)及重量平均分子量(Mw)如下述表中所示。
[表1]
[表2]
表1及表2中的略号如下所述。
MAEVE：甲基丙烯酸1-乙氧基乙酯
MATHF：甲基丙烯酸四氢-2H-呋喃-2-基酯
MACHOE：甲基丙烯酸1-(环己氧基)乙酯
MATHP：甲基丙烯酸四氢-2H-吡喃-2-基酯
PHSEVE：对羟基苯乙烯的1-乙氧基乙基保护体
OXE-30：甲基丙烯酸3-乙基-3-氧杂环丁基甲酯(大阪有机化学工业(股份)制造)
GMA：甲基丙烯酸缩水甘油酯
NBMA：正丁氧基甲基丙烯酰胺
VBGE：对乙烯基苄基缩水甘油醚
MAA：甲基丙烯酸
PHS：对羟基苯乙烯
HEMA：甲基丙烯酸2-乙基己酯
THFFMA：甲基丙烯酸四氢糠酯
St：苯乙烯
α-MeSt：α-甲基苯乙烯
MMA：甲基丙烯酸甲酯
DCPM：甲基丙烯酸(三环[5.2.1.02，6]癸烷-8-基)酯
(实例1～实例143及比较例1～比较例34)
以固体成分浓度变成27wt％的方式，使下述表中所记载的量(固体成分)溶解在二乙二醇甲基乙基醚∶丙二醇单甲醚醋酸酯＝1∶1(重量比)的混合溶剂中后，利用孔径为0.2μm的薄膜过滤器进行过滤而分别制成各感光性树脂组成物。
所述表中，各种添加剂的略号如下所述。
C-1：下述结构的化合物(合成品)
C-2：下述结构的化合物(合成品)
C-3：下述结构的化合物(合成品)
C-4：CGI-1397(BASF公司制造)
C-5：下述结构的化合物(根据日本专利特表2002-528451号公报的段落0108中所记载的方法合成)
C-6：PAI-1001(绿化学(Midori Kagaku)(股份)制造)
C-7：4，7-二-正丁氧基-1-萘基四氢噻吩鎓三氟甲磺酸酯
<C-1的合成>
向2-萘酚(10g)、氯苯(30mL)的悬浮溶液中添加氯化铝(10.6g)、2-氯丙酰氯(10.1g)，将混合液加热至40℃后反应2小时。在冰浴冷却下，向反应液中滴加4N HCl水溶液(60mL)，然后添加醋酸乙酯(50mL)来进行分液。向有机层中添加碳酸钾(19.2g)，在40℃下反应1小时后，添加2N HCl水溶液(60mL)来进行分液，将有机层浓缩后，利用二异丙醚(10mL)对结晶进行再打浆(reslurry)，然后进行过滤、干燥而获得酮化合物(6.5g)。
向所获得的酮化合物(3.0g)、甲醇(18mL)的悬浮溶液中添加醋酸(7.3g)、50wt％羟基胺水溶液(8.0g)，并加热回流10小时。放置冷却后，添加水(50mL)，对所析出的结晶进行过滤，利用冷甲醇进行清洗后，加以干燥而获得肟化合物(2.4g)。
使所获得的肟化合物(1.8g)溶解在丙酮(20mL)中，在冰浴冷却下添加三乙胺(1.5g)、对甲苯磺酰氯(2.4g)，升温至室温后反应1小时。向反应液中添加水(50mL)，对所析出的结晶进行过滤后，利用甲醇(20mL)进行再打浆，然后进行过滤、干燥而获得C-1(2.3g)。
再者，C-1的1H-NMR光谱(300MHz，CDCl3)为δ＝8.3(d，1H)，8.0(d，2H)，7.9(d，1H)，7.8(d，1H)，7.6(dd，1H)，7.4(dd，1H)，7.3(d，2H)，7.1(d，1H)，5.6(q，1H)，2.4(s，3H)，1.7(d，3H)。
<C-2的合成>
使2-萘酚(20g)溶解在N，N-二甲基乙酰胺(150mL)中，添加碳酸钾(28.7g)、2-溴辛酸乙酯(52.2g)后在100℃下反应2小时。向反应液中添加水(300mL)、醋酸乙酯(200mL)来进行分液，将有机层浓缩后，添加48wt％氢氧化钠水溶液(23g)、乙醇(50mL)、水(50mL)，并反应2小时。将反应液倒出至1N HCl水溶液(500mL)中，对所析出的结晶进行过滤、水洗而获得羧酸粗产物后，添加多磷酸30g并在170℃下反应30分钟。将反应液倒出至水(300mL)中，添加醋酸乙酯(300mL)来进行分液，将有机层浓缩后通过硅胶柱色谱法来进行精制，而获得酮化合物(10g)。
向所获得的酮化合物(10.0g)、甲醇(100mL)的悬浮溶液中添加醋酸钠(30.6g)、盐酸羟基胺(25.9g)、硫酸镁(4.5g)，并加热回流24小时。放置冷却后，添加水(150mL)、醋酸乙酯(150mL)来进行分液，利用水80mL对有机层进行4次分液，加以浓缩后通过硅胶柱色谱法来进行精制，而获得肟化合物(5.8g)。
与C-1同样地，对所获得的肟(3.1g)进行磺酸酯化，而获得C-2(3.2g)。
再者，C-2的1H-NMR光谱(300MHz，CDCl3)为δ＝8.3(d，1H)，8.0(d，2H)，7.9(d，1H)，7.8(d，1H)，7.6(dd，1H)，7.5(dd，1H)，7.3(d，2H)，7.1(d，1H)，5.6(dd，1H)，2.4(s，3H)，2.2(ddt，1H)，1.9(ddt，1H)，1.4～1.2(m，8H)，0.8(t，3H)。
<C-3的合成>
除使用苯磺酰氯来代替C-1中的对甲苯磺酰氯以外，以与C-1相同的方式合成C-3。
再者，C-3的1H-NMR光谱(300MHz，CDCl3)为δ＝8.3(d，1H)，8.1(d，2H)，7.9(d，1H)，7.8(d，1H)，7.7-7.5(m，4H)，7.4(dd，1H)，7.1(d.1H)，5.6(q，1H)，1.7(d，3H)。
D-1：DBA(9，10-二丁氧基蒽，川崎化成工业(股份)制造)
E-1：1，5-二氮双环[4，3，0]-5-壬烯(东京化成工业(股份)制造)
E-2：下述结构的化合物
S-1：下述化合物(制造商：信越化学工业(股份)，型号：KBE-3026)
S-6：下述化合物(制造商：东丽道康宁(股份)，型号：Z6920)
S-7：下述化合物(制造商：信越化学工业(股份)，型号：KBE-846)
S-8：下述化合物(制造商：信越化学工业(股份)，型号：KBM-9659)
F-1：JER150S65(三菱化学(股份)制造)
F-2：JER1031S(三菱化学(股份)制造)
G-1：3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(KBM-403，信越化学工业(股份)制造)
H-1：下述结构的化合物
<耐化学品性(耐剥离液性)的评价>
将各感光性树脂组成物狭缝涂布在玻璃基板(Corning1737，0.7mm厚(康宁(Corning)公司制造))上后，在加热板上以90℃/120秒进行加热，由此去除溶剂，而形成膜厚为4.0μm的感光性树脂组成物层。
利用佳能(Canon)(股份)制造的PLA-501F曝光机(超高压水银灯)，以累计照射量达到300mJ/cm2(能量强度：20mW/cm2，i射线)的方式对所获得的感光性树脂组成物层进行曝光，其后，利用烘箱在230℃下对该基板进行1小时加热而获得硬化膜。
在60℃下，使该硬化膜在单乙醇胺中浸渍5分钟，捞起该膜并拭去表面的液体后，立即测定膜厚。对浸渍前的膜厚与浸渍后的膜厚进行比较，并以百分率来表述增加的比例。将结果示于下述表中。数值越小，硬化膜的耐剥离液性越良好，优选A或B。
膨润率(％)＝浸渍后的膜厚(μm)/浸渍前的膜厚(μm)×100
A：100％以上、未满102％
B：102％以上、未满105％
C：105％以上、未满110％
D：110％以上、未满115％
E：115％以上
<耐化学品性(耐NMP性)的评价>
将各感光性树脂组成物狭缝涂布在玻璃基板(Corning1737，0.7mm厚(康宁公司制造))上后，在加热板上以90℃/120秒进行加热，由此去除溶剂，而形成膜厚为4.0μm的感光性树脂组成物层。
利用佳能(股份)制造的PLA-501F曝光机(超高压水银灯)，以累计照射量达到300mJ/cm2(能量强度：20mW/cm2，i射线)的方式对所获得的感光性树脂组成物层进行曝光，其后，利用烘箱在230℃下对该基板进行1小时加热而获得硬化膜。
在80℃下，使该硬化膜在NMP中浸渍10分钟，捞起该膜并拭去表面的液体后，立即测定膜厚。对浸渍前的膜厚与浸渍后的膜厚进行比较，并以百分率来表述增加的比例。将结果示于下述表中。数值越小，硬化膜的耐NMP性越良好，优选A或B。
膨润率(％)＝浸渍后的膜厚(μm)/浸渍前的膜厚(μm)×100
A：100％以上、未满102％
B：102％以上、未满105％
C：105％以上、未满110％
D：110％以上、未满115％
E：115％以上
<耐干蚀刻性>
将各感光性树脂组成物狭缝涂布在玻璃基板(Corning1737，0.7mm厚(康宁公司制造))上后，在加热板上以90℃/120秒进行加热，由此去除溶剂，而形成膜厚为4.0μm的感光性树脂组成物层。
利用佳能(股份)制造的PLA-501F曝光机(超高压水银灯)，以累计照射量达到300mJ/cm2(能量强度：20mW/cm2，i射线)的方式对所获得的感光性树脂组成物层进行曝光，其后，利用烘箱在230℃下对该基板进行1小时加热而获得硬化膜。使用干蚀刻装置“CDE-80N(芝浦机电(Shibaura Mechatronics)(股份)制造)”，利用CF4(50ml/min)、O2(10ml/min)作为蚀刻气体，以输出功率为400mW，蚀刻时间为90秒的条件对该硬化膜进行干蚀刻。根据其膜减少量而算出蚀刻速度。数值越小，耐干蚀刻性越高，优选A或B。
A：/秒以上、未满/秒
B：/秒以上、未满/秒
C：/秒以上、未满/秒
<实例144>
在日本专利第3321003号公报的图1中所记载的有源矩阵型液晶显示装置中，如以下般形成硬化膜17作为层间绝缘膜，而获得实例144的液晶显示装置。即，使用实例1的感光性树脂组成物，形成硬化膜17作为层间绝缘膜。
即，作为提升日本专利第3321003号公报的第58段的基板与层间绝缘膜17的润湿性的前处理，使基板在六甲基二硅氮烷(Hexamethyldisilazane，HMDS)蒸气下暴露30秒，其后，旋涂实例1的感光性树脂组成物，然后在90℃下在加热板上预烤2分钟来使溶剂挥发，而形成膜厚为3μm的感光性树脂组成物层。继而，使用佳能(股份)制造的MPA 5500CF(高压水银灯)，以达到40mJ/cm2(能量强度：20mW/cm2，i射线)的方式，经由的孔图的遮罩对所获得的感光性树脂组成物层进行曝光。然后，利用碱性显影液(0.4％的氢氧化四甲基铵水溶液)对曝光后的感光性树脂组成物层进行23℃/60秒显影后，利用超纯水冲洗20秒。继而，使用超高压水银灯，以累计照射量达到300mJ/cm2(能量强度：20mW/cm2，i射线)的方式进行全面曝光，其后，利用烘箱在230℃下对该基板进行30分钟加热而获得硬化膜。
涂布所述感光性树脂组成物时的涂布性良好，在曝光、显影、煅烧后所获得的硬化膜中，未看到皱褶或裂痕的产生。
对所获得的液晶显示装置施加驱动电压的结果，可知其为显现良好的显示特性、且可靠性高的液晶显示装置。
<实例145>
与实例144相比仅变更以下的工艺，而获得相同的液晶显示装置。即，即便在省略作为基板的前处理的六甲基二硅氮烷(HMDS)处理，涂布实例52的感光性树脂组成物的情况下，所获得的硬化膜也是无图案的缺失或剥落的良好的状态。另外，与实例144同样地，液晶显示装置的性能也良好。可认为其原因在于本发明的组成物与基板的密接性优异。就提升生产性的观点而言，也优选省略所述基板的前处理的步骤。
<实例146>
与实例144相比仅变更以下的工艺，而获得相同的液晶显示装置。即，即便将碱性显影液从0.4％的氢氧化四甲基铵水溶液变更成2.38％的氢氧化四甲基铵水溶液，所获得的硬化膜也是无图案的缺失或剥落的良好的状态。另外，与实例144同样地，液晶显示装置的性能也良好。可认为其原因在于本发明的组成物与基板的密接性优异。
<实例147>
与实例144相比仅变更以下的工艺，而获得相同的液晶显示装置。即，即便将碱性显影液从0.4％的氢氧化四甲基铵水溶液变更成0.04％的KOH水溶液，所获得的硬化膜也是无图案的缺失或剥落的良好的状态。另外，与实例144同样地，液晶显示装置的性能也良好。可认为其原因在于本发明的组成物与基板的密接性优异。
<实例148>
与实例144相比仅变更以下的工艺，而获得相同的液晶显示装置。即，省略显影·冲洗后的全面曝光的步骤，利用烘箱在230℃下加热30分钟而获得硬化膜。与实例144同样地，所获得的液晶显示装置的性能良好。可认为其原因在于本发明的组成物的耐化学品性优异。就提升生产性的观点而言，也优选省略全面曝光的步骤。
<实例149>
与实例144相比仅变更以下的工艺，而获得相同的液晶显示装置。即，在全面曝光的步骤与利用烘箱的230℃/30分钟加热步骤之间，追加在100℃下在加热板上加热3分钟的步骤。与实例144同样地，所获得的液晶显示装置的性能良好。就使孔图的形状齐整这一观点而言，也优选追加本步骤。
<实例150>
与实例144相比仅变更以下的工艺，而获得相同的液晶显示装置。即，在显影·冲洗的步骤与全面曝光的步骤之间，追加在100℃下在加热板上加热3分钟的步骤。与实例144同样地，所获得的液晶显示装置的性能良好。就使孔图的形状齐整这一观点而言，也优选追加本步骤。
<实例151>
通过以下的方法来制作使用薄膜晶体管(TFT)的有机EL显示装置(参照图1)。
在玻璃基板6上形成底栅型的TFT1，并在覆盖该TFT1的状态下形成包含Si3N4的绝缘膜3。继而，在该绝缘膜3上形成此处省略了图示的接触孔后，经由该接触孔而在绝缘膜3上形成连接于TFT1的配线2(高度为1.0μm)。该配线2是用以将TFT1间、或将其后的步骤中形成的有机EL元件与TFT1加以连接的线。
进而，为了使由配线2的形成所产生的凹凸平坦化，在埋入由配线2所产生的凹凸的状态下，朝绝缘膜3上形成平坦化膜4。朝绝缘膜3上的平坦化膜4的形成是将实例1的感光性树脂组成物旋涂在基板上，在加热板上进行预烤(90℃×2分钟)后，使用高压水银灯从遮罩上照射45mJ/cm2(能量强度为20mW/cm2)的i射线(365nm)，然后利用碱性水溶液(0.4％的TMAH水溶液)进行显影而形成图案，以累计照射量达到300mJ/cm2(能量强度：20mW/cm2，i射线)的方式，使用超高压水银灯进行全面曝光，然后在230℃下进行60分钟的加热处理。涂布该感光性树脂组成物时的涂布性良好，在曝光、显影、煅烧后所获得的硬化膜中，未看到皱褶或裂痕的产生。进而，配线2的平均阶差为500nm，所制作的平坦化膜4的膜厚为2,000nm。
继而，在所获得的平坦化膜4上形成底部发光型的有机EL元件。首先，使包含ITO的第一电极5经由接触孔7连接于配线2而形成在平坦化膜4上。其后，涂布抗蚀剂，并进行预烤，经由所期望的图案的遮罩进行曝光，然后进行显影。将该抗蚀剂图案作为遮罩，通过使用ITO蚀刻剂的湿蚀刻来进行图案加工。其后，使用抗蚀剂剥离液(单乙醇胺与二甲基亚砜(Dimethyl sulfoxide，DMSO)的混合液)将该抗蚀剂图案剥离。以所述方式获得的第一电极5相当于有机EL元件的阳极。
继而，形成覆盖第一电极5的周缘的形状的绝缘膜8。将实例3的感光性树脂组成物用于绝缘膜，以与所述相同的方法形成绝缘膜8。通过设置该绝缘膜，可防止第一电极5与其后的步骤中所形成的第二电极之间的短路。
进而，在真空蒸镀装置内，经由所期望的图案遮罩而依次进行蒸镀来设置空穴传输层、有机发光层、电子传输层。继而，在基板上方的整个面上形成包含Al的第二电极。从蒸镀机中取出所获得的所述基板，通过使用密封用玻璃板与紫外线硬化型环氧树脂进行贴合来密封。
如以上般，获得在各有机EL元件上连接用以对其进行驱动的TFT1而成的有源矩阵型的有机EL显示装置。经由驱动电路而施加电压的结果，可知其为显现良好的显示特性、且可靠性高的液晶显示装置。
<实例152>
在实例144中，将实例1的感光性树脂组成物替换成实例16的感光性树脂组成物，除此以外，同样地制作液晶显示装置。可知其为显现良好的显示特性、且可靠性高的液晶显示装置。
<实例153>
在实例144中，将实例1的感光性树脂组成物替换成实例31的感光性树脂组成物，除此以外，同样地制作液晶显示装置。可知其为显现良好的显示特性、且可靠性高的液晶显示装置。
<实例154>
在实例144中，将实例1的感光性树脂组成物替换成实例132的感光性树脂组成物，除此以外，同样地制作有机EL装置。可知其为显现良好的显示特性、且可靠性高的有机EL显示装置。
<实例155>
在实例151中，将实例1的感光性树脂组成物替换成实例16的感光性树脂组成物，除此以外，同样地制作有机EL装置。可知其为显现良好的显示特性、且可靠性高的有机EL显示装置。
<实例156>
在实例151中，将实例1的感光性树脂组成物替换成实例31的感光性树脂组成物，除此以外，同样地制作有机EL装置。可知其为显现良好的显示特性、且可靠性高的有机EL显示装置。
<实例157>
在实例151中，将实例1的感光性树脂组成物替换成实例133的感光性树脂组成物，除此以外，同样地制作有机EL装置。可知其为显现良好的显示特性、且可靠性高的有机EL显示装置。

Claims (17)

1.一种正型感光性树脂组成物，其特征在于包括：
成分A：含有满足下述(1)及下述(2)的至少一个的聚合物的聚合物成分，
(1)具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元、及(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物，
(2)具有(a1)含有酸基由酸分解性基保护的基的构成单元的聚合物、及具有(a2)含有交联性基的构成单元的聚合物；
成分C：光酸产生剂；以及
成分D：溶剂；进而包括
成分X：由下述式(X3)所表示的化合物；
Roo-[(CH2)n-(X)]a
(X3)
式中，X表示下述式(X1)，a表示2～3的整数，n表示1～5的整数，Roo表示单键、-CR2-、-S-、-CO-、-O-、亚苯基、
或包含这些基的2个以上的组合的基，其中R为氢原子或碳数为1～3的烷基，
式中，RX1～RX3的至少1个表示选自由烷氧基、巯基、卤素原子、酰胺基、乙酰氧基、氨基、烯丙氧基、及异丙烯氧基所组成的组群中的水解性基，或羟基；剩余的RX1～RX3分别独立地表示氢原子、卤素原子、或一价的有机取代基。
2.根据权利要求1所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(X1)之中，RX1～RX3中的至少2个为烷氧基。
3.根据权利要求1或2所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：相对于树脂组成物的除溶剂以外的成分的合计，所述成分X的含量为0.1wt％以上。
4.根据权利要求1或2所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(a1)为具有羧基由缩醛或缩酮保护的残基的构成单元。
5.根据权利要求1或2所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(a1)为由式(a1-1)所表示的构成单元，
式中，R1及R2分别表示氢原子、烷基或芳基，至少R1及R2的任一个为烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1或R2与R3可连结而形成环状醚，R4表示氢原子或甲基，X表示单键或亚芳基。
6.根据权利要求1或2所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(X1)的RX1～RX3中的至少2个为甲氧基或乙氧基。
7.根据权利要求1或2所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(a2)为具有选自环氧基、氧杂环丁基中的至少1种的构成单元。
8.根据权利要求1或2所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：成分C为具有由式(c0)所表示的肟磺酸酯残基的至少1个的肟磺酸酯化合物，
9.根据权利要求1或2所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(X1)之中，RX1～RX3中的至少2个为烷氧基，且相对于正型感光性树脂组成物的除溶剂以外的成分的合计，所述成分X的含量为0.1wt％以上。
10.根据权利要求1或2所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(X1)之中，RX1～RX3中的至少2个为烷氧基，且所述构成单元(X1)的RX1～RX3中的至少2个为甲氧基或乙氧基。
11.根据权利要求1或2所述的正型感光性树脂组成物，其特征在于：所述构成单元(X1)之中，RX1～RX3中的至少2个为烷氧基，相对于正型感光性树脂组成物的除溶剂以外的成分的合计，所述成分X的含量为0.1wt％以上，且所述构成单元(X1)的RX1～RX3中的至少2个为甲氧基或乙氧基。
12.一种硬化膜的形成方法，其特征在于包括：
(1)将根据权利要求1所述的正型感光性树脂组成物涂布在基板上的步骤；
(2)从所涂布的正型感光性树脂组成物中去除溶剂的步骤；
(3)利用光化射线对去除了溶剂的正型感光性树脂组成物进行曝光的步骤；
(4)利用水性显影液对经曝光的正型感光性树脂组成物进行显影的步骤；以及
(5)对经显影的正型感光性树脂组成物进行热硬化的后烘烤步骤。
13.根据权利要求12所述的硬化膜的形成方法，其特征在于：在所述显影步骤后、所述后烘烤步骤前，包括对经显影的正型感光性树脂组成物进行全面曝光的步骤。
14.根据权利要求12或13所述的硬化膜的形成方法，其特征在于：还包括(6)对具有进行热硬化而获得的硬化膜的基板进行干蚀刻的步骤。
15.一种硬化膜，其特征在于：通过根据权利要求12所述的硬化膜的形成方法来形成。
16.根据权利要求15所述的硬化膜，其特征在于：其为层间绝缘膜。
17.一种有机电致发光显示装置或液晶显示装置，其特征在于：包括根据权利要求15所述的硬化膜。
CN201210431750.5A 2011-11-02 2012-11-01 正型感光性树脂组成物、硬化膜及其形成方法、液晶显示装置及有机电致发光显示装置 Expired - Fee Related CN103091986B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-240868 2011-11-02
JP2011240868 2011-11-02
JP2012054089 2012-03-12
JP2012-054089 2012-03-12
JP2012-210434 2012-09-25
JP2012210434A JP5624098B2 (ja) 2011-11-02 2012-09-25 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、液晶表示装置、および、有機ｅｌ表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103091986A CN103091986A (zh) 2013-05-08
CN103091986B true CN103091986B (zh) 2018-05-18

Family

ID=48204733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210431750.5A Expired - Fee Related CN103091986B (zh) 2011-11-02 2012-11-01 正型感光性树脂组成物、硬化膜及其形成方法、液晶显示装置及有机电致发光显示装置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101932449B1 (zh)
CN (1) CN103091986B (zh)
TW (1) TWI564664B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105324718B (zh) * 2013-06-27 2019-11-05 富士胶片株式会社 感光性树脂组合物、硬化膜的制造方法、硬化膜、液晶显示装置及有机el显示装置
KR20150049547A (ko) * 2013-10-30 2015-05-08 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자
JP6250830B2 (ja) * 2014-09-30 2017-12-20 富士フイルム株式会社 Ｔｆｔ基板の製造方法、有機ｅｌ表示装置及びその製造方法、並びに、液晶表示装置、及びその製造方法
KR102238704B1 (ko) 2018-12-21 2021-04-08 주식회사 엘지화학 가교제 화합물, 이를 포함하는 감광성 조성물, 및 이를 이용한 감광 재료
TWI796410B (zh) * 2018-12-25 2023-03-21 奇美實業股份有限公司 化學增幅型正型感光性樹脂組成物及其應用
US11171318B2 (en) * 2020-02-10 2021-11-09 Int Tech Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent device with sacrificial layer
CN115215892A (zh) * 2021-04-20 2022-10-21 中国科学院化学研究所 一种碳硅烷光敏单体及其制备方法与应用

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090252932A1 (en) * 2004-12-15 2009-10-08 Kuraray Co., Ltd. Actinic energy ray curable resion composition and use thereof
JP4687609B2 (ja) * 2006-05-24 2011-05-25 住友化学株式会社 染料系偏光膜
JP4858714B2 (ja) * 2006-10-04 2012-01-18 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP2008241741A (ja) * 2007-03-23 2008-10-09 Jsr Corp ソルダーレジスト用ポジ型ドライフィルム及びその硬化物並びにそれを備える回路基板及び電子部品
JP4637209B2 (ja) * 2007-06-05 2011-02-23 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
US20090081579A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 International Business Machines Corporation Functionalized carbosilane polymers and photoresist compositions containing the same
EP2280309B1 (en) * 2008-05-07 2016-02-24 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-type photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and semiconductor device and display device each comprising the cured film
JP5071688B2 (ja) * 2009-02-18 2012-11-14 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト変性用組成物
KR101333704B1 (ko) * 2009-12-29 2013-11-27 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP5454321B2 (ja) * 2010-04-14 2014-03-26 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性組成物、層間絶縁膜及びその形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI564664B (zh) 2017-01-01
KR20130048696A (ko) 2013-05-10
CN103091986A (zh) 2013-05-08
KR101932449B1 (ko) 2018-12-26
TW201319750A (zh) 2013-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103091986B (zh) 正型感光性树脂组成物、硬化膜及其形成方法、液晶显示装置及有机电致发光显示装置
KR101650903B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 ｅｌ 표시 장치, 및 액정 표시 장치
CN102193316B (zh) 正型感光性树脂组合物、固化膜的形成方法、固化膜、有机el显示装置以及液晶显示装置
TWI550351B (zh) 正型感光性樹脂組成物、硬化膜的形成方法、硬化膜、液晶顯示裝置及有機ｅｌ顯示裝置
JP5846622B2 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の形成方法、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
CN103019032B (zh) 感光性树脂组成物、硬化膜的形成方法、硬化膜、有机el显示装置及液晶显示装置
CN103226290B (zh) 感光性树脂组合物、硬化膜的形成方法、硬化膜、有机电致发光显示装置及液晶显示装置
JP5528493B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP6240147B2 (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機ｅｌ表示装置
KR20110042008A (ko) 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 ｅｌ 표시 장치 및 액정 표시 장치
JP6038951B2 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP5624098B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、液晶表示装置、および、有機ｅｌ表示装置
JP2013171101A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP5795748B2 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
WO2013157459A1 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
CN102955361B (zh) 正型感光性树脂组成物、硬化膜的形成方法、硬化膜、液晶显示装置及有机el显示装置
JP6017301B2 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機ｅｌ表示装置
WO2014088018A1 (ja) 硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機ｅｌ表示装置
KR20130105422A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 유기 ｅｌ 표시 장치, 및 액정 표시 장치
KR102098125B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 유기 ｅｌ 표시 장치 및 액정 표시 장치
JPWO2015133357A1 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、タッチパネル表示装置
JP2013076939A (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜並びにその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180518

Termination date: 20211101