CN103060746B - 自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法及高硅钢薄带连续制备装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，由含硅粉末的制备、含硅粉末分散液制备、高硅粉末层制备和均匀化扩散退火四个主要步骤组成，将含硅粉末加入到分散液载体中，并加入分散剂使含硅粉末成悬浮状态，再将低硅钢薄带恒速通过含硅粉末的分散液，利用含硅粉末自然重力沉积在低硅钢薄带上，形成高硅粉末层，然后经烘干和经过扩散炉进行充分扩散，即可制备出不低于6.5wt.%Si的高硅钢薄带。本发明还提供一种高硅钢片连续制备装置，包括布料装置、分散液储槽、搅拌装置、硅钢薄带引导传送装置、真空干燥箱、扩散退火装置和高硅钢带卷绕收集装置，能近终成型连续制备高硅钢薄带，无需轧制，制备工艺简单，能量消耗较低，易于工业生产。

Description

自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法及高硅钢薄带连续制备装置

技术领域

本发明涉及一种软磁材料制备工艺及装备，特别是一种高硅钢制备工艺及装备，应用于连续制备取向硅钢片或无取向硅钢片的生产领域。

背景技术

特殊钢是众多工业领域必不可少的关键材料，是钢铁材料中的高技术含量产品，在国民经济中占有极其重要的地位。6.5wt.%Si高硅硅钢是特殊钢中的一种。硅钢是电学、磁学领域中产量和用量最大的软磁材料，广泛应用于电力、电子和军事工业中的能量转换领域，因此也是节能潜力巨大的重要金属功能材料。理论上很早就知道，如果把硅钢中的硅含量增高到6.5 wt.%，就可以使磁致伸缩趋近于零，磁性能最佳。但是当硅含量超过4wt.%后，随着硅含量的增加，材质变脆，以致难以进行轧制和冲压加工。

目前，Fe-6.5wt.%Si的硅钢薄带的制备方法有很多，如粉末轧制法、CVD法等。粉末冶金法需要进行粉体混合、压制成型、烧结，多道次轧制、涂覆MgO粉绝缘层、二次烧结等步骤，工艺复杂，硅的均匀性及工艺的连续性差、致密度差、能耗高，且仍受到硅钢脆性的限制。日本的NKK公司开发的CVD法生产的薄带硅钢具备很好的磁性能，并已经小规模进行工业化生产，但存在沉积温度高、能耗大、硅钢表面质量差、需温轧平整、铁流失严重等缺点，同时SiCl₄具有较强腐蚀性，遇水蒸气即产生盐酸酸雾，反应产物FeCl₂废气污染环境而无法进行大规模生产。此外还有PCVD法、熔盐电沉积法、激光熔敷喷涂法和电子束物理气相沉积法等，但是上述方法在生产工艺的可控性、成本及环保等方面仍有待进一步的改进。因此，开发廉价高效的高硅硅钢制备方法仍然是亟待解决的关键问题。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的缺陷，提供一种自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法及高硅钢薄带连续制备装置，利用物质受重力作用沉积在低硅硅钢薄带上，在低硅钢片表面获得高硅沉积层，然后经过热处理工艺来获得具有优异磁性能的硅含量6.5wt.%Si的高硅硅钢薄带，实现长尺寸、低能耗、连续操作，并且可以制备出近终型的薄带，因此大幅度降低制备成本。

为达到上述发明创造目的，本发明的构思如下：

将特定硅含量的含硅粉末加入一定量的分散剂中，搅拌成成分均匀的分散液，利用物质受重力作用容易沉降在低硅钢薄带上，使硅铁粉附着在低硅硅钢薄带中，干燥后，后续用热处理工艺使最终硅钢片中硅含量达到设定值。

根据以上发明构思，本发明采用下述技术方案：

一种自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，包括如下步骤：

a. 含硅粉末的制备：含硅粉末为纳米级或微米级的硅粉、铁粉与硅粉的混合物粉末或者硅铁合金粉，其中硅铁合金粉是将硅铁合金通过真空电弧雾化或者行星球磨的方法磨制成的高硅含量粉末，含硅粉末中的硅含量为7wt.%～100wt.%；硅铁合金粉和铁粉的粒径范围最好为10nm～100μm，硅粉和铁粉的粒径范围最好为10～1000nm；

b. 含硅粉末分散液制备：将在步骤a中制备的含硅粉末加入到易挥发的分散液载体中，并加入分散剂使含硅粉末成悬浮状态，通过搅拌成成分均匀的分散液，分散液和分散剂皆不与硅粉或含硅粉末产生化学反应，且不影响含硅粉末的沉积及后续的热处理工艺；分散液最后采用酒精、丙酮或苯等易挥发的有机溶剂；分散剂优选为阳离子型或者阴离子型；

c. 低硅钢薄带表面上的高硅粉末层制备：将硅含量为0.1wt.%～4wt.%的低硅钢薄带恒速连续通过在步骤b中制备的含硅粉末分散液，含硅粉末利用其自然重力沉积在低硅钢薄带上表面上，在低硅钢薄带表面沉积形成一层厚度均匀的连续的高硅粉末沉积层，通过至少控制低硅钢薄带的走带速度、在步骤a中制备的含硅粉末的硅含量和在步骤b中的搅拌速度三个因素，来控制单位长度的低硅钢薄带上覆的高硅粉末沉积层中的硅含量；低硅钢薄带的走带速度最好控制在0.001～1m/s，高硅粉末沉积层中的硅含量最好控制在7.0 wt.%～99wt.%之间，高硅粉末沉积层的厚度最好为10～1000μm；所采用的低硅钢薄带的厚度最好为0.05～0.5mm，宽度最好为10～2000mm；

d. 均匀化扩散退火：将在步骤c中得到的沉积高硅粉末层的低硅钢薄带经烘干，再经过带惰性气体保护气氛或还原保护气氛的扩散热处理炉进行连续充分扩散处理，使高硅粉末层中的Si元素向下方的低硅钢薄带扩散，当高硅粉末层中的Si完全扩散进入低硅钢薄带后，即得到整体硅含量不低于6.5wt.%Si的高硅钢薄带，进而得到硅元素分布均匀的取向硅钢片或无取向硅钢片；热处理温度最好控制在700～1300℃，热处理时间最好为1～10.0h；在扩散热处理炉中通入惰性气体、还原性气体或者还原性气体和惰性气体组成的混合气体，惰性气体优选为氮气、氩气和氦气中的一种或其几种气体形成的混合气体，还原性气体优选为氢气、氨气、甲烷和一氧化碳中的一种或其几种气体形成的混合气体。

为了实现本发明自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，还提供一种高硅钢薄带连续制备装置，包括布料装置、分散液储槽、搅拌装置、硅钢薄带引导传送装置、真空干燥箱、扩散退火装置和高硅钢带卷绕收集装置，具体为：

布料装置为含硅粉末添加槽，采用阀门机构控制含硅粉末添加槽的硅粉输出流量，含硅粉末通过含硅粉末添加槽被加入到分散液储槽中的分散液中，形成预设浓度的含硅粉末的分散液，在内底部安装搅拌装置，使分散液充分混合均匀，并防止含硅粉末沉积在含硅粉末添加槽的底部；硅钢薄带引导传送装置由一系列导向滑轮组成，低硅钢薄带连续通过至少两个导向滑轮被传送引入分散液储槽中，使部分低硅钢薄带完全浸入分散液中，当低硅钢薄带连续经过分散液时，在低硅钢薄带的上表面沉积一层高硅粉末沉积层，通过控制含硅粉末添加槽的硅粉输出流量，使含硅粉末在分散液中的加入量与低硅钢薄带自然沉积从分散液中带走的含硅粉末量基本持平，以保持分散液中的含硅粉末浓度，导向滑轮将低硅钢薄带持续导入分散液，还不断将已经浸入分散液中的低硅钢薄带持续拉出，且使浸入分散液中的低硅钢薄带部分被张紧拉直；低硅钢薄带通过另外的导向滑轮从分散液中的拉出后，然后在真空干燥箱中进行烘干，去除低硅钢薄带和高硅粉末沉积层中夹带的分散液；扩散退火装置的卧式管状电炉的管状炉腔中具有惰性气体保护气氛或还原保护气氛，载有高硅粉末沉积层的干燥后的低硅钢薄带经过卧式管状电炉的管状炉腔进行连续热处理，使高硅粉末沉积层的Si元素向低硅钢薄带充分扩散，制备含硅量不低于6.5wt.%Si的高硅钢薄带，在卧式管状电炉的后端还设有惰性气体保护冷却带，使得到的高硅钢薄带进行退火，得到成分均匀的高硅钢薄带；经过退火后的高硅钢薄带最后通过高硅钢带卷绕收集装置进行收卷。

上述搅拌装置优选为超声波振动装置、弥散惰性气体气泡的搅拌装置和机械搅拌装置中的任意一种或任意几种组成的混合搅拌装置。

上述机械搅拌装置包括靠近分散液储槽内的底部设置的磁力搅拌桨和机械搅拌桨，皆通过外部动能传动搅拌分散液，使分散液充分混合均匀。

本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：

1.本发明高硅钢薄带整个制备过程能耗低，在室温或低温下即可完成，大大节约了能源。

2.本发明高硅钢薄带整个制备过程不存在压力加工或塑性变形过程,可以从根本上避免任何由于Fe-6.5wt. %Si的低塑性而导致的加工困难。

3.含硅粉末的沉积速度可以通过调节机械搅拌速度和低硅硅钢薄带传送速度,避免硅钢薄带表面硅含量过低或过高。

4. 本发明在进行热处理的时候，由于采用纳米级或者微米级的含硅粉末，不但粒径细小，与低硅钢片有较大的接触面积，有利于硅元素的扩散均匀，可以得到更为均匀的Fe-6.5wt.%Si硅钢薄带。

5. 本发明可以进行大规模连续操作，有望制备出宽幅、长尺寸的高硅硅钢带，并大大降低生产成本。

6. 本发明使用的原料廉价，易获得，且消耗少。

附图说明

图1为本发明实施例一高硅钢薄带连续制备装置结构示意图。

具体实施方式

本发明的优选实施例详述如下：

实施例一：

本实施例采用纳米级的含硅粉末作为高硅硅钢中的硅源，采用硅含量为3wt.% Si的低硅钢薄带，低硅钢薄带经酸洗清洁。以制备含硅量6.5wt.%Si的高硅钢薄带为例。

一种自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，包括如下步骤：

a. 含硅粉末的制备：含硅粉末为纳米级或微米级的硅粉、铁粉与硅粉的混合物粉末或者硅铁合金粉，其中硅铁合金粉是将硅铁合金通过真空电弧雾化或者行星球磨的方法磨制成的高硅含量粉末，含硅粉末中的硅含量为7wt.%～100wt.%；

b. 含硅粉末分散液制备：将在步骤a中制备的含硅粉末加入到易挥发的分散液载体中，并加入分散剂使含硅粉末成悬浮状态，通过搅拌成成分均匀的分散液，分散液和分散剂皆不与硅粉或含硅粉末产生化学反应，且不影响含硅粉末的沉积及后续的热处理工艺；

c. 低硅钢薄带表面上的高硅粉末层制备：将硅含量为0.1wt.%～4wt.%的低硅钢薄带恒速连续通过在步骤b中制备的含硅粉末分散液，含硅粉末利用其自然重力沉积在低硅钢薄带上表面上，在低硅钢薄带表面沉积形成一层厚度均匀的连续的高硅粉末沉积层，通过至少控制低硅钢薄带的走带速度、在步骤a中制备的含硅粉末的硅含量和在步骤b中的搅拌速度三个因素，来控制单位长度的低硅钢薄带上覆的高硅粉末沉积层中的硅含量；

d. 均匀化扩散退火：将在步骤c中得到的沉积高硅粉末层的低硅钢薄带经烘干，再经过带惰性气体保护气氛或还原保护气氛的扩散热处理炉进行连续充分扩散处理，使高硅粉末层中的Si元素向下方的低硅钢薄带扩散，当高硅粉末层中的Si完全扩散进入低硅钢薄带后，即得到整体硅含量不低于6.5wt.%Si的高硅钢薄带，进而得到硅元素分布均匀的取向硅钢片或无取向硅钢片。

本实施例自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法能获得具有优异磁性能的硅含量6.5wt.%Si的高硅硅钢薄带，实现长尺寸、低能耗、连续操作，并且可以制备出近终型的薄带，因此大幅度降低制备成本，适合于工业生产等，具有显著的应用前景。

参见图1，实现上述自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法的高硅钢薄带连续制备装置，包括布料装置、分散液储槽8、搅拌装置、硅钢薄带引导传送装置、真空干燥箱9、扩散退火装置和高硅钢带卷绕收集装置12，具体为：

在图1中，布料装置为含硅粉末添加槽3，采用阀门机构控制含硅粉末添加槽3的硅粉输出流量，含硅粉末通过含硅粉末添加槽3被加入到分散液储槽8中的分散液7中，形成预设浓度的含硅粉末的分散液，在内底部安装搅拌装置，使分散液7充分混合均匀，并防止含硅粉末沉积在分散液储槽8的底部；硅钢薄带引导传送装置由一系列导向滑轮6组成，低硅钢薄带4连续通过至少两个导向滑轮6被传送引入分散液储槽8中，使部分低硅钢薄带4完全浸入分散液7中，当低硅钢薄带4连续经过分散液7时，在低硅钢薄带4的上表面沉积一层高硅粉末沉积层5，通过控制含硅粉末添加槽3的硅粉输出流量，使含硅粉末在分散液7中的加入量与低硅钢薄带4自然沉积从分散液7中带走的含硅粉末量基本持平，以保持分散液7中的含硅粉末浓度，导向滑轮6将低硅钢薄带4持续导入分散液7，还不断将已经浸入分散液7中的低硅钢薄带4持续拉出，且使浸入分散液7中的低硅钢薄带4部分被张紧拉直；低硅钢薄带4通过另外的导向滑轮6从分散液7中的拉出后，然后在真空干燥箱9中进行烘干，去除低硅钢薄带4和高硅粉末沉积层5中夹带的分散液；扩散退火装置的卧式管状电炉10的管状炉腔中具有惰性气体保护气氛或还原保护气氛，载有高硅粉末沉积层5的干燥后的低硅钢薄带4经过卧式管状电炉10的管状炉腔进行连续热处理，使高硅粉末沉积层5的Si元素向低硅钢薄带4充分扩散，制备含硅量不低于6.5wt.%Si的高硅钢薄带11，在卧式管状电炉10的后端还设有惰性气体保护冷却带，使得到的高硅钢薄带11进行退火，得到成分均匀的高硅钢薄带11；经过退火后的高硅钢薄带11最后通过高硅钢带卷绕收集装置12进行收卷。本实施例高硅钢薄带连续制备装置结构简单，使沉降硅源层-高温扩散法连续进行，可以实现连续制备，有利于实现工业化生产。

在本实施例中，搅拌装置为机械搅拌装置，包括靠近分散液储槽8内的底部设置的磁力搅拌桨1和机械搅拌桨2，皆通过外部动能转动搅拌分散液7，使分散液7充分混合均匀。

本实施例利用物质受重力作用自然沉降，通过分散液储槽8使含硅粉末均匀沉积在低硅钢薄带4上实现制备6.5wt.%Si高硅钢薄带的硅源。本实施例通过一种自然沉降法连续制备6.5wt.%Si高硅钢薄带的装置来实现。称取一定质量的纳米级硅粉加入乙醇中，纳米硅粉的峰值粒径为30纳米，同时加入一定量的阳离子分散剂，如六偏磷酸钠，配制成质量浓度为20g/L的分散液7于分散液储槽8中。控制阳离子分散剂的加入量，保证乙醇溶液中的纳米硅粉具有一定的分散能力和适中的自然沉降速率。以硅含量为3wt.%的低硅钢薄带4连续通过两个导向滑轮6中间，穿过真空干燥箱9、卧式管状电炉10，连接高硅钢带卷绕收集装置12。开启磁力搅拌桨1和机械搅拌桨2，使分散液充分混合均匀后，开启高硅钢带卷绕收集装置12，控制走带速度为0.002m/s，由于硅粉具有一定的自然沉降速率，因此，当低硅钢薄带4连续经过分散液7时，在低硅钢薄带4的上表面将沉积一层高硅粉末沉积层5。低硅钢薄带4经过分散液7自然沉积高硅粉末沉积层5后，进入真空干燥箱9干燥，以去除掉低硅钢薄带4和高硅粉末沉积层5中夹带的分散液7，此时低硅钢薄带4的平均含硅量将达到6.5wt.%。将上述步骤得到的平均含硅量约为6.5wt.%的低硅钢薄带4，送入带氢气还原气体的卧式管状电炉10中进行连续热处理，卧式管状电炉10中的温度控制在1200℃，卧式管状电炉10的加热区长度为12米，则低硅钢薄带4在卧式管状电炉10的运行时间约为3小时，且卧室管电炉10的后端再设5米长的惰性气体保护冷却带，则最终从卧室管状电炉10中出来的硅钢带即为整体含硅量为6.5wt.%、且成分均匀的高硅钢薄带11。由于整个沉降硅源层-热扩散过程可以连续进行，因此可以大大提高高硅钢薄带的生产效率。

实施例二：

本实施例与实施例一基本相同，特别之处在于：

在本实施例中，用硅含量为30wt.%的微米级的硅铁合金粉作为6.5wt.%Si高硅硅钢中的硅源。硅铁合金粉的制备是将不同比例的纯铁粉和纯硅粉混合均匀，混合粉中硅含量控制在7wt.%Si～99%wt.%Si范围，然后在高真空高温1400～1600℃下熔炼形成硅铁合金，然后将得到的合金采用真空电弧雾化或者行星球磨的方法磨制成硅含量为30wt.%的硅铁合金粉。

称取硅含量为30wt.%的微米级的硅铁合金粉加入乙醇中，硅铁合金粉的峰值粒径为1.5微米。同时加入一定量的阳离子分散剂，如聚甲基丙烯酸盐，配制成质量浓度为40g/L的分散液7于分散液储槽8中。以硅含量为2.5wt.%的低硅钢薄带4连续通过两个导向滑轮6中间，穿过真空干燥箱9、卧式管状电炉10，连接高硅钢带卷绕收集装置12。控制低硅钢薄带4的走带速度为0.004m/s，其他步骤与实施例一中相同。卧式管状电炉10的温度控制在1300℃，则表面自然沉积一层30wt.%Si的微米硅铁合金粉的低硅钢薄带4经卧式管状电炉10的高温扩散热处理后，即可得到整体硅含量为6.5wt.%且分布均匀的高硅钢薄带11，并由高硅钢带卷绕收集装置12收卷。

上面结合附图对本发明实施例进行了说明，但本发明不限于上述实施例，还可以根据本发明的发明创造的目的做出多种变化，凡依据本发明技术方案的精神实质和原理下做的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，只要符合本发明的发明目的，只要不背离本发明自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法及高硅钢薄带连续制备装置的技术原理和发明构思，都属于本发明的保护范围。

Claims (1)

1.一种自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a. 含硅粉末的制备：含硅粉末为纳米级或微米级的硅粉、铁粉与硅粉的混合物粉末或者硅铁合金粉，其中硅铁合金粉是将硅铁合金通过真空电弧雾化或者行星球磨的方法磨制成的高硅含量粉末，含硅粉末中的硅含量为7wt.%～100wt.%；

b. 含硅粉末分散液制备：将在所述步骤a中制备的含硅粉末加入到易挥发的分散液载体中，并加入分散剂使含硅粉末成悬浮状态，通过搅拌成成分均匀的分散液，分散液和分散剂皆不与硅粉或含硅粉末产生化学反应，且不影响含硅粉末的沉积及后续的热处理工艺；

c. 低硅钢薄带表面上的高硅粉末层制备：将硅含量为0.1wt.%～4wt.%的低硅钢薄带恒速连续通过在所述步骤b中制备的含硅粉末分散液，含硅粉末利用其自然重力沉积在低硅钢薄带上表面上，在低硅钢薄带表面沉积形成一层厚度均匀的连续的高硅粉末沉积层，通过至少控制低硅钢薄带的走带速度、在所述步骤a中制备的含硅粉末的硅含量和在所述步骤b中的搅拌速度三个因素，来控制单位长度的低硅钢薄带上覆的高硅粉末沉积层中的硅含量；

d. 均匀化扩散退火：将在所述步骤c中得到的沉积高硅粉末层的低硅钢薄带经烘干，再经过带惰性气体保护气氛或还原保护气氛的扩散热处理炉进行连续充分扩散处理，使高硅粉末层中的Si元素向下方的低硅钢薄带扩散，当高硅粉末层中的Si完全扩散进入低硅钢薄带后，即得到整体硅含量不低于6.5wt.%Si的高硅钢薄带，进而得到硅元素分布均匀的取向硅钢片或无取向硅钢片。

2．根据权利要求1所述的自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：在所述步骤d中，热处理温度控制在700～1300℃，热处理时间为1～10.0h。

3．根据权利要求2所述的自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：在所述步骤c中，低硅钢薄带的走带速度控制在0.001～1m/s，高硅粉末沉积层中的硅含量控制在7.0 wt.%～99wt.%之间，高硅粉末沉积层的厚度为10～1000μm。

4．根据权利要求1～3中任意一项所述的自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：在所述步骤a中，硅铁合金粉和铁粉的粒径范围为10nm～100μm，硅粉的粒径范围为10～1000nm。

5．根据权利要求1～3中任意一项所述的自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：在所述步骤b中，分散液采用酒精、丙酮或苯等易挥发的有机溶剂；分散剂为阳离子型或者阴离子型。

6．根据权利要求1～3中任意一项所述的自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：在所述步骤c中，所采用的低硅钢薄带的厚度为0.05～0.5mm，宽度为10～2000mm。

7．根据权利要求1～3中任意一项所述的自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：在所述步骤d中，在扩散热处理炉中通入惰性气体、还原性气体或者还原性气体和惰性气体组成的混合气体，惰性气体为氮气、氩气和氦气中的一种或其几种气体形成的混合气体，还原性气体为氢气、氨气、甲烷和一氧化碳中的一种或其几种气体形成的混合气体。

8．一种实现权利要求1～3中任意一项所述的自然沉降连续制备高硅钢薄带的方法的高硅钢薄带连续制备装置，其特征在于，包括布料装置、分散液储槽（8）、搅拌装置、硅钢薄带引导传送装置、真空干燥箱（9）、扩散退火装置和高硅钢带卷绕收集装置（12），具体为：

所述布料装置为含硅粉末添加槽（3），采用阀门机构控制所述含硅粉末添加槽（3）的硅粉输出流量，含硅粉末通过所述含硅粉末添加槽（3）被加入到所述分散液储槽（8）中的分散液（7）中，形成预设浓度的含硅粉末的分散液，在所述内底部安装搅拌装置，使分散液（7）充分混合均匀，并防止含硅粉末沉积在所述分散液储槽（8）的底部；

所述硅钢薄带引导传送装置由一系列导向滑轮（6）组成，低硅钢薄带（4）连续通过至少两个所述导向滑轮（6）被传送引入所述分散液储槽（8）中，使部分低硅钢薄带（4）完全浸入所述分散液（7）中，当低硅钢薄带（4）连续经过分散液（7）时，在低硅钢薄带（4）的上表面沉积一层高硅粉末沉积层（5），通过控制所述含硅粉末添加槽（3）的硅粉输出流量，使含硅粉末在分散液（7）中的加入量与低硅钢薄带（4）自然沉积从分散液（7）中带走的含硅粉末量基本持平，以保持分散液（7）中的含硅粉末浓度，导向滑轮（6）将低硅钢薄带（4）持续导入分散液（7），还不断将已经浸入分散液（7）中的低硅钢薄带（4）持续拉出，且使浸入所述分散液（7）中的低硅钢薄带（4）部分被张紧拉直；

低硅钢薄带（4）通过另外的导向滑轮（6）从分散液（7）中的拉出后，然后在所述真空干燥箱（9）中进行烘干，去除低硅钢薄带（4）和高硅粉末沉积层（5）中夹带的分散液；

所述扩散退火装置的卧式管状电炉（10）的管状炉腔中具有惰性气体保护气氛或还原保护气氛，载有高硅粉末沉积层（5）的干燥后的低硅钢薄带（4）经过所述卧式管状电炉（10）的管状炉腔进行连续热处理，使高硅粉末沉积层（5）的Si元素向低硅钢薄带（4）充分扩散，制备含硅量不低于6.5wt.%Si的高硅钢薄带（11），在卧式管状电炉（10）的后端还设有惰性气体保护冷却带，使得到的高硅钢薄带（11）进行退火，得到成分均匀的高硅钢薄带（11）；经过退火后的高硅钢薄带（11）最后通过高硅钢带卷绕收集装置（12）进行收卷。

9．根据权利要求8所述的高硅钢薄带连续制备装置，其特征在于：所述搅拌装置为超声波振动装置、弥散惰性气体气泡的搅拌装置和机械搅拌装置中的任意一种或任意几种组成的混合搅拌装置。

10．根据权利要求9所述的高硅钢薄带连续制备装置，其特征在于：所述机械搅拌装置包括靠近所述分散液储槽（8）内的底部设置的磁力搅拌桨（1）和机械搅拌桨（2），皆通过外部动能转动搅拌分散液（7），使分散液（7）充分混合均匀。