CN103025054B - 布线基板及其安装结构体、以及它们的制造方法 - Google Patents

布线基板及其安装结构体、以及它们的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的布线基板4具备基体7、沿厚度方向贯穿该基体7的通孔T和被覆该通孔T的内壁的通孔导体8，基体7具有由多个玻璃纤维12和被覆了该多个玻璃纤维12的树脂10构成的纤维层，玻璃纤维12在露出于通孔T的内壁的面上具有沟状的凹部C，在该凹部C中填充有部分通孔导体8。

Description

布线基板及其安装结构体、以及它们的制造方法
技术领域
本发明涉及电子设备(例如各种视听设备、家电设备、通信设备、计算机设备及其周边设备)等中使用的布线基板及其安装结构体、以及它们的制造方法。
背景技术
以往，作为电子设备中的安装结构体，使用在布线基板上安装有电子部件的结构体。
在日本特开2006-324642号公报中，公开了一种布线基板，其在包含在玻璃布中浸渗绝缘性树脂以板状固体化而成的层的芯基板中通过钻孔加工而形成通孔，在该通孔的侧壁通过镀覆法等形成有由Cu等构成的导通孔(通孔导体)。
此外，在日本特开2003-209359号公报中，公开了一种布线基板，其在将环氧树脂等用玻璃布强化而成的芯基板中通过激光加工形成通孔，在该通孔内填充有导电性糊剂。
然而，若在电子部件的安装时或工作时产生的热施加给布线基板、则源于玻璃布与通孔导体的热膨胀率的不同，而在通孔的内壁上露出的玻璃布与通孔导体之间容易产生热应力。特别是在芯基板中通过钻孔加工形成通孔时，由于在通孔的内壁上露出的玻璃布的表面容易变得平滑，所以由于上述的热应力而导致通孔导体容易从通孔内壁剥离。
此外，若通过钻孔加工在芯基板中形成通孔，则由于机械应力、摩擦热，在通孔内壁上玻璃布与树脂之间容易发生剥离。另一方面，若通过激光加工在芯基板中形成通孔，则由于激光的热，在通孔内壁上玻璃布与树脂之间容易发生剥离。
这样，若在通孔内壁上玻璃布与树脂之间产生剥离，则在对通孔导体施加电压时，有时因该电压而离子化的通孔导体的一部分侵入剥离的位置，邻接的通孔导体之间发生短路。进而，若通孔导体从通孔内壁上剥离，则有时在通孔导体中产生断线。由此，布线基板的电可靠性容易降低。
发明内容
本发明提供与提高电可靠性的要求对应的布线基板及其安装结构体、以及它们的制造方法。
本发明的布线基板具备基体、沿厚度方向贯穿该基体的通孔、和被覆该通孔的内壁的通孔导体。上述基体具有由多个玻璃纤维和被覆了该多个玻璃纤维的第1树脂构成的纤维层，上述玻璃纤维在露出于上述通孔的内壁的面上具有沟状的凹部，在该凹部中，填充有部分上述通孔导体。
此外，本发明的安装结构体具备上述布线基板、和安装在该布线基板上且与上述通孔导体电连接的电子部件。
本发明的布线基板的制造方法具备以下工序：形成具有由多个玻璃纤维和被覆了该多个玻璃纤维的第1树脂构成的纤维层的基体的工序；通过采用喷砂法，朝着上述基体喷射微粒，在上述基体中形成上在露出内壁的玻璃纤维的面上具有沟状的凹部的通孔的工序；以及，用通孔导体被覆上述通孔的内壁的工序。
此外，本发明的安装结构体的制造方法具备在通过上述制造方法制作的布线基板上电连接电子部件的工序。
根据本发明的布线基板，由于基体的玻璃纤维在露出于通孔的内壁的面上具有沟状的凹部，在该凹部中填充有部分通孔导体，所以能够降低玻璃纤维与通孔导体的剥离。由此，能够降低通孔导体的断线，进而能够得到电可靠性优异的布线基板。
根据本发明的布线基板的制造方法，由于通过采用喷砂法，朝着基体喷射微粒，在基体中形成通孔，所以可降低在通孔内壁上第1树脂与玻璃纤维的剥离，进而能够制作电可靠性优异的布线基板。
附图说明
图1的(a)是本发明的一实施方式的安装结构体的沿厚度方向的截面图，(b)是本发明的一实施方式的安装结构体的通孔的内壁的表面的放大图。
图2的(a)到(d)是说明图1(a)所示的安装结构体的制造工序的沿厚度方向切断的截面图。
图3的(a)是本发明的实施例中通过喷砂法、钻孔加工或激光加工而形成有通孔的覆铜层叠板中，使用电场发射型显微镜或金属显微镜拍摄在通孔导体形成前沿厚度方向切断的截面的照片，(b)是图3(a)的覆铜层叠板中用电场发射型显微镜或金属显微镜拍摄在通孔导体形成后沿厚度方向切断的截面的照片。
图4的(a)是使用电场发射型显微镜将相当于图3(b)的一部分的部分放大的照片，(b)是表示通过喷砂法或钻孔加工形成通孔后，在形成有通孔导体的覆铜层叠板中进行可靠性的评价的结果。
图5是破碎粒子或球状粒子的照片、和使用电场发射型显微镜拍摄在通过使用破碎粒子或球状粒子的喷砂法形成有通孔的覆铜层叠板中，在通孔导体形成前沿厚度方向切断的截面的照片。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的一实施方式的包含布线基板的安装结构体进行详细说明。
图1(a)所示的安装结构体1例如在各种视听设备、家电设备、通信设备、计算机装置或其周边设备等电子设备中使用。该安装结构体1包含电子部件2、和介由凸块3倒装片式安装电子部件2的平板状的布线基板4。
电子部件2例如是IC或LSI等半导体元件。电子部件2的母材由例如硅、锗、镓化砷、镓砷磷、氮化镓或碳化硅等半导体材料形成。该电子部件2的厚度例如为0.1mm以上且1mm以下。
凸块3例如通过含有铅、锡、银、金、铜、锌、铋、铟或铝等的焊料等导电材料而构成。
布线基板4包含平板状的芯基板5、和形成于芯基板5的两侧的一对布线层6。该布线基板4的厚度例如为0.2mm以上且1.2mm以下。此外，布线基板4的平面方向的热膨胀率优选大于电子部件2的热膨胀率。
芯基板5谋求布线基板4的强度的提高、且形成于芯基板5的两侧的一对布线层6间的导通。芯基板5包含形成有多个沿厚度方向贯穿的通孔T的平板状的基体7、被覆多个通孔T的内壁的圆筒状的通孔导体8、和被通孔导体8包围的区域中形成的柱状的绝缘体9。
基体7提高芯基板5的刚性。基体7如图1(a)及(b)所示那样，包含树脂10(第1树脂)、被该树脂10被覆的无机绝缘粒子11、被该树脂10被覆的由多个玻璃纤维12构成的平板状的基材13。
该基体7中，将由基材13、和配置在构成该基材13的玻璃纤维12间的树脂10(第1树脂)构成的层称为纤维层14。此外，将配置在各纤维层14之间的、不含玻璃纤维的、由树脂10(第2树脂)和无机绝缘粒子11构成的层称为树脂层15。该纤维层14与树脂层15的边界通过构成纤维层14的玻璃纤维12与构成树脂层15的树脂10的界面而构成。另外，纤维层14也可以在玻璃纤维12间包含无机绝缘粒子11。
此外，基体7的厚度例如为0.03mm以上且1.0mm以下。基体7的平面方向的热膨胀率例如为4ppm/℃以上且15ppm/℃以下。基体7的厚度方向的热膨胀率例如为11ppm/℃以上且30ppm/℃以下。基体7的厚度方向的热膨胀率为基体7的平面方向的热膨胀率的例如2倍以上且2.8倍以下。基体7的杨氏模量例如为20GPa以上且30GPa以下。
这里，基体7的热膨胀率通过使用市售的TMA装置且依据JISK7197-1991的测定方法来测定。此外，基体7的杨氏模量使用MTSSystems Corporation制Nano Indentor XP/DCM来测定。
基体7中包含的树脂10例如通过环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸酯树脂、聚对苯撑苯并双噁唑树脂、全芳香族聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、芳香族液晶聚酯树脂、聚醚醚酮树脂或聚醚酮树脂等树脂材料而形成。该树脂10的平面方向及厚度方向的热膨胀率例如为20ppm/℃以上且50ppm/℃以下。杨氏模量例如为3GPa以上且10GPa以下。
被树脂10被覆的无机绝缘粒子11不仅降低基体7的热膨胀率，而且提高基体7的刚性。无机绝缘粒子11包含氢氧化铝、氢氧化镁或氧化硅等无机绝缘材料，其中，优选包含热膨胀率、杨氏模量等特性与玻璃纤维的这些特性接近的氧化硅。其结果是，能够使树脂层15的热膨胀率、杨氏模量接近于纤维层14的热膨胀率、杨氏模量。无机绝缘粒子11包含氧化硅时，无机绝缘粒子11优选含有例如65重量％以上且100重量％以下的氧化硅。无机绝缘粒子11除了含有氧化硅以外，还可以含有氧化铝、氧化镁、氧化钙、氮化铝、氢氧化铝或碳酸钙等。
该无机绝缘粒子11的形状例如为球状。无机绝缘粒子11的粒径例如为0.5μm以上且5.0μm以下。无机绝缘粒子11的各方向上的热膨胀率例如为2.7ppm/℃以上且6ppm/℃以下。无机绝缘粒子11的杨氏模量例如为70GPa以上且85GPa以下。另外，作为无机绝缘粒子11，也可以使用将玻璃纤维细细地切断成粒子状的物质。
此外，树脂层15中的无机绝缘粒子11的含量优选为例如40体积％以上且75体积％以下。通过使无机绝缘粒子11的含量为40体积％以上，能够使树脂层15的热膨胀率及杨氏模量接近纤维层14的热膨胀率及杨氏模量。此外，通过使无机绝缘粒子11的含量为75体积％以下，能够提高位于通孔T内壁上的无机绝缘粒子11与树脂10的粘接强度，减少该无机绝缘粒子11与树脂10的剥离，进而减少通孔导体8与树脂层15的剥离。
这里，无机绝缘粒子11的粒径通过用电场发射型电子显微镜观察基体7的截面，测量各粒子的最大直径，算出其平均值而测定。此外，树脂层15中的无机绝缘粒子11的含量(体积％)通过用电场发射型电子显微镜观察树脂层15的截面，测量无机绝缘粒子11相对于树脂层15所占的面积比率(面积％)，算出其平均值视为含量(体积％)而测定。
被树脂10被覆的基材13不仅提高基体7的刚性，而且降低在平面方向上的热膨胀率。基材13例如通过多个玻璃纤维12沿纵横编织而成的织布(玻璃布)而形成。另外，作为基材13，可以使用无纺布，也可以使用将多个玻璃纤维12按照长度方向互相平行的方式排列的材料。
基材13中包含的玻璃纤维12可以使用由T玻璃、S玻璃或E玻璃等玻璃构成的纤维。玻璃纤维12的与长度方向垂直的截面的直径例如为4μm以上且9μm以下。玻璃纤维12的长度方向及宽度方向上的热膨胀率例如为2.5ppm/℃以上且6ppm/℃以下。玻璃纤维12的杨氏模量例如为70GPa以上且85GPa以下。
另一方面，通孔T内壁上粘附的通孔导体8将芯基板5上下的布线层6彼此进行电连接。通孔导体8例如通过铜、铝或镍等导电材料而形成，其中，优选通过导电性高的铜而形成。该通孔导体8的从通孔T内壁到绝缘体9为止的长度为3μm以上且20μm以下较佳。通孔导体8的贯穿方向及宽度方向的热膨胀率例如为16ppm/℃以上且25ppm/℃以下。通孔导体8的杨氏模量例如为60GPa以上且210GPa以下较佳。另外，铜的热膨胀率为18ppm/℃左右。此外，通孔导体8的热膨胀率及杨氏模量与基体7同样地进行测定。
被通孔导体8包围的区域中形成的绝缘体9形成后述的通路导体18的支撑面。绝缘体9例如通过聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、氟树脂、硅酮树脂、聚苯醚树脂或双马来酰亚胺三嗪树脂等树脂材料而形成。
另一方面，在芯基板5的两侧，如上所述形成有一对布线层6。布线层6包含层叠于基体7上且形成有沿厚度方向贯穿的通路孔V的绝缘层16、形成于基体7上或绝缘层16上的导电层17、和形成于通路孔V内且与导电层17电连接的通路导体18。
绝缘层16不仅作为支撑导电层17的支撑构件发挥功能，而且作为防止导电层17之间短路的绝缘构件而发挥功能。绝缘层16包含树脂、和被该树脂被覆的无机绝缘粒子。该绝缘层16的厚度例如为5μm以上且40μm以下较佳。绝缘层16的平面方向及厚度方向的热膨胀率例如为15ppm/℃以上且45ppm/℃以下较佳。绝缘层16的杨氏模量例如为5GPa以上且40GPa以下较佳。另外，绝缘层16的热膨胀率及杨氏模量与基体7同样地测定。
作为绝缘层16中包含的树脂，例如通过环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸酯树脂、聚对苯撑苯并双噁唑树脂、全芳香族聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、芳香族液晶聚酯树脂、聚醚醚酮树脂或聚醚酮树脂等而形成。
作为绝缘层16中包含的无机绝缘粒子，可以使用与基体7中包含的无机绝缘粒子11同样的无机绝缘粒子。
导电层17例如作为接地用布线、电力供给用布线或信号用布线而发挥功能。导电层17通过例如铜、银、金、铝、镍或铬等金属材料而形成。该导电层17的厚度例如为3μm以上且20μm以下。导电层17的平面方向及厚度方向上的热膨胀率例如为5ppm/℃以上且25ppm/℃以下。导电层17的杨氏模量例如为50GPa以上且250GPa以下。
通路导体18将沿厚度方向互相离间的导电层17彼此相互连接。通路导体18形成为例如以宽度朝着芯基板5变小的锥状。通路导体18例如通过铜、银、金、铝、镍或铬的导电材料而形成。
然而，由于玻璃纤维12与通孔导体8相比热膨胀率小，所以若对布线基板4施加热，则容易在玻璃纤维12与通孔导体8之间施加热应力。
另一方面，在本实施方式的布线基板4中，如图1(b)所示那样，纤维层14的玻璃纤维12在露出于通孔T内壁的面(与通孔T的贯穿方向平行的面)上具有沟状(细长形状)的凹部C。在该凹部C的内侧，填充有部分通孔导体8。这里，由于凹部C为沟状，所以能够提高凹部C中的通孔导体8的填充性，能够提高凹部C与通孔导体8的锚固效果。由此，能够提高玻璃纤维12与通孔导体8的粘接强度，且降低玻璃纤维12与通孔导体8的剥离。其结果是，能够减少通孔导体8的断线，进而能够得到电可靠性优异的布线基板4。
该沟状的凹部C的长度方向L上的长度优选为宽度方向W上的长度的1.2倍以上且2.5倍以下。通过使长度方向L上的长度为宽度方向W上的长度的1.2倍以上，能够提高通孔导体8在凹部C中的填充性。此外，通过使长度方向L上的长度为宽度方向W上的长度的2.5倍以下，能够抑制宽度方向W的长度变得过小，保证对通孔导体8的锚固效果。另外，凹部C的长度方向L上的长度例如为3μm以上且8μm以下。凹部C的宽度方向W上的长度例如为2μm以上且5μm以下。凹部C的深度例如为0.5μm以上且3μm以下。
此外，凹部C优选为如图1(b)所示那样沿基体7的厚度方向而成的沟状。其结果是，由于在与通孔导体8相比平面视的热膨胀量小的玻璃纤维12中，产生通孔T的周围方向上的锚固效果，所以能够提高通孔T内壁与通孔导体8的粘接强度。
玻璃纤维12的在露出于通孔T内壁的面的算术平均粗糙度(Ra)例如为0.3μm以上且3μm以下。另外，玻璃纤维12的被树脂10被覆的面(在通孔T内壁上没有露出的面)的算术平均粗糙度例如为0.1μm以下，比玻璃纤维12的在露出于通孔T内壁的面的算术平均粗糙度小。该玻璃纤维12的被树脂10被覆的面的算术平均粗糙度为玻璃纤维12的在露出于通孔T内壁的面的算术平均粗糙度的例如10％以上且50％以下。
这样，上述的安装结构体1通过基于介由布线基板4供给的电源或信号来驱动或控制电子部件2，从而发挥所期望的功能。
接着，基于图2对上述的安装结构体1的制造方法进行说明。
(基体的准备)
(1)如图2(a)所示那样，准备由基体7和配置在该基体7的上下的铜箔17x构成的覆铜层叠板5x。具体而言，例如如下所述进行。
首先，准备包含未固化的树脂10及无机绝缘粒子11的清漆，将该清漆浸渗到基材13中而形成树脂片。这样将清漆浸渗到基材13中时，无机绝缘粒子11由于难以侵入基材13的玻璃纤维12间，所以在基材13外的区域(成为树脂层15的区域)被浓缩。另外，未固化是依据ISO472：1999的A-阶或B-阶的状态。
接着，层叠该树脂片而形成基体前体，同时在该基体前体的上下层叠铜箔17x而形成层叠体后，对该层叠体沿厚度方向进行加热加压，从而使该树脂10热固化而形成基体7，同时制作上述的覆铜层叠板5x。这样形成基体7时，树脂片的基材13及其玻璃纤维12间的树脂成为纤维层14，邻接的树脂片的基材13外的区域彼此粘接而成为树脂层15。
(通孔的形成)
(2)如图2(b)所示那样，采用喷砂法在覆铜层叠板5x中形成通孔T。具体而言，例如如下所述进行。
首先，在覆铜层叠板5x的两面形成在通孔T的形成处具有开口的抗蚀膜。该抗蚀膜例如可以通过感光性树脂的曝光、显影而形成。
接着，通过从喷砂装置的喷嘴向覆铜层叠板5x的一个主表面喷射微粒，从而介由该抗蚀膜的开口，形成通孔T的一部分(非贯穿)。
接着，通过向覆铜层叠板5x的另一主表面喷射微粒，从而形成贯穿基体7的通孔T。另外，贯穿基体7的通孔T也可以通过仅对覆铜层叠板5x的一个主表面喷射微粒而形成。
接着，将抗蚀膜用例如1～3wt％氢氧化钠溶液等而除去。接着，通过对通孔T的内壁进行高压水洗，从而除去残存的微粒或通孔T的加工屑。
这样采用喷砂法时，由于通过微粒的喷射来形成通孔T，所以与钻孔加工相比，能够降低对玻璃纤维12与树脂10的边界施加的应力及热(钻孔加工的摩擦热)。进而，采用喷砂法时，与激光加工相比，能够降低对玻璃纤维12与树脂10的边界施加的热。因此，采用喷砂法时，由于能够降低玻璃纤维12与树脂10的剥离，所以能够降低邻接的通孔导体8之间的短路且缩小间隔，进而能够提高布线基板4的布线密度。进而能够降低玻璃纤维12与树脂10的剥离。
此外，若采用喷砂法，则即使在增加基体7中的无机绝缘填料11的含量时，也不会像钻孔加工那样钻头磨损，此外，能够比激光加工更容易地形成通孔T。因此，在基体7中的无机绝缘填料11的含量高的情况下，采用喷砂法时，能够高效地形成通孔T。
特别是喷射微粒的基体7的树脂层15中的无机绝缘粒子11的含量优选为40体积％以上且75体积％以下。通过将无机绝缘粒子11的含量设定为40体积％以上，能够提高利用喷砂法的树脂层15的切削性。此外，通过将无机绝缘粒子11的含量设定为75体积％以下，能够减少在形成通孔T时无机绝缘粒子11从通孔T内壁的脱粒，减少在起因于该脱粒的凹坑中残存气泡而导致通孔T内壁与通孔导体8的密合强度降低。
此外，由于使用抗蚀膜来进行喷砂，所以能够广泛地喷射微粒而同时加工多个通孔T，因此与钻孔加工或激光加工相比，能够高效地形成通孔T。
为了如上所述通过喷砂法来形成通孔T及凹部C，喷砂法可以在以下的条件下进行。
首先，喷砂法通过干式喷射来进行。其结果是，与湿式喷射相比，由于对微粒的阻力小，所以能够提高通孔T的切削性，同时减少切削时的加工屑的残留，降低因该加工屑带来的切削阻碍。
另一方面，通过喷砂喷射的微粒可以使用例如球状的微粒(球状粒子)或破碎形状的微粒(破碎粒子)。作为该微粒，可以使用例如玻璃、氧化铝、碳化硅或氧化锆等无机绝缘材料而形成。
其中，作为通过喷砂喷射的微粒，优选使用由硬度比玻璃高的无机绝缘材料形成的破碎形状的微粒(破碎粒子)。其结果是，通过比玻璃纤维12硬的破碎粒子的尖端部，能够高效地对通孔T的内壁上露出的玻璃纤维12进行切削。因此，能够降低对玻璃纤维12与树脂10之间施加的应力，并且高效地形成通孔T。此外，通过比玻璃纤维12硬的破碎粒子的尖端部，通孔T的内壁上露出的玻璃纤维12的面被部分地切削，所以能够形成沿厚度方向的沟状的凹部C。
作为这样硬度比玻璃高的无机绝缘材料，可以使用例如氧化铝、碳化硅或氧化锆等，其中，优选使用氧化铝。另外，作为硬度，可以采用维氏硬度。
此外，微粒只要破碎粒子的最大直径为3μm以上且40μm以下、优选为10μm以上且30μm以下的微粒即可。通过将破碎粒子的最大直径设定为3μm以上，能够提高利用破碎粒子的切削性而容易地形成通孔T。此外，通过将破碎粒子的最大直径设定为40μm以下，能够在破碎粒子不堵塞孔的情况下形成通孔T。
此外，喷射微粒的压力例如优选为0.15MPa以上且0.22MPa以下。通过将压力设定为0.15MPa以上，能够高效地对通孔T内的玻璃纤维12进行切削加工。此外，通过将压力设定为0.22MPa以下，能够防止破碎粒子彼此互相碰撞而过度地切削通孔T内壁的树脂10地进行加工。
此外，微粒的喷射量优选为30g/min以上且200g/min以下。通过将喷射量设定为30g/min以上，能够高效地对位于通孔T内的玻璃纤维12进行切削加工。此外，通过将喷射量设定为200g/min以下，能够防止破碎粒子彼此互相碰撞而过度地切削通孔T内壁的树脂10地进行加工。
此外，对1个通孔T喷射微粒的次数(扫描次数)根据基体7的厚度来设定，例如，芯基板5的厚度为40μm以上且400μm以下时，例如为2次以上且20次以下。
这里，通过喷砂法形成的通孔T的内壁优选不进行去钻污处理。通过喷砂法来形成通孔T时，与钻孔加工或激光加工相比，能够降低对通孔T的内壁施加的热而降低碳化的树脂的残渣。此外，由于物理性地切断分子间的键，所以能够提高通孔T内壁上露出的树脂10的表面的反应活性。此外，如上所述，通过通孔T内壁上露出的玻璃纤维12的凹部C而产生与通孔导体8的锚固效果。
因此，即使不进行去钻污处理，也能够提高通孔T的内壁与通孔导体8的粘接强度。通过这样不进行去钻污处理，能够降低仅树脂10被选择性蚀刻而玻璃纤维12的侧面大大地露出，降低树脂10与玻璃纤维12的剥离。
(通孔导体的形成)
(3)如图2(c)所示那样，在基体7上形成通孔导体8、绝缘体9及导电层17，制作芯基板5。具体而言，例如如下所述进行。
首先，通过依次采用非电解镀覆法及电解镀覆法，在通孔T的内壁粘附导电材料，形成圆筒状的通孔导体8。此时，该导电材料被填充到通孔T内壁的凹部C中。这里，由于凹部C为沟状，所以能够降低在导电材料粘附时在凹部C内残存气泡，提高导电材料相对于凹部C的填充性。
接着，在由圆筒状的通孔导体8包围的区域中填充树脂材料等，形成绝缘体9。接着，在绝缘体9的露出部粘附导电材料后，通过以往周知的光刻技术、蚀刻等，将铜箔17x图案化而形成导电层17。另外，导电材料的粘附中，也可以采用蒸镀法、CVD法或溅射法。
如上所述，可以制作芯基板5。
(布线层的形成)
(4)如图2(d)所示那样，通过在芯基板5的两侧形成一对布线层6，制作布线基板4。具体而言，例如如下所述进行。
首先，将未固化的树脂配置在导电层17上，对树脂进行加热使其流动密合，同时进一步加热使树脂固化，由此在导电层17上形成绝缘层16。接着，通过激光加工来形成通路孔V，在通路孔V内使导电层17的至少一部分露出。这样，通过以激光加工形成通路孔V，与喷砂法相比，能够降低在通路孔V内露出的导电层17的损伤。接着，通过例如半添加法、减法或全添加法等，在通路孔V中形成通路导体18，同时在绝缘层16的上表面形成导电层17。
如上所述，可以制作布线基板4。另外，通过反复进行本工序，能够在布线层6中将绝缘层16及导电层17多层化。
(电子部件的安装)
(5)在最上层的导电层17上表面形成凸块3，同时介由凸块3在布线基板4上倒装片式安装电子部件2。
如上所述，可以制作图1(a)所示的安装结构体1。
本发明并不限定于上述的实施方式，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变更、改良、组合等。
例如，在上述的实施方式中，以电子部件使用了半导体元件的构成为例进行了说明，但作为电子部件，也可以使用电容器等。
此外，在上述的实施方式中，以将电子部件倒装片安装在布线基板上的构成为例进行了说明，但也可以将电子部件引线接合安装在布线基板上，也可以将电子部件安装在布线基板的内部。
此外，在上述的实施方式中，以布线层包含1层绝缘层的构成为例进行了说明，但布线层可以包含任意层的绝缘层。
此外，在上述的实施方式中，以基体包含3层纤维层的构成为例进行了说明，但基体可以包含任意层的纤维层。
此外，在上述的实施方式中，以纤维层的第1树脂和树脂层的第2树脂相同的构成为例进行了说明，但纤维层的第1树脂和树脂层的第2树脂也可以不同。
此外，在上述的实施方式中，以(1)的工序中使用了铜箔的构成为例进行了说明，但代替铜箔，也可以使用例如由铁镍合金或铁镍钴合金等金属材料形成的金属箔。
实施例
以下，列举出实施例对本发明进行详细说明，但本发明不受下述实施例的限定，不脱离本发明的主旨的范围的变更、实施方式均包括在本发明的范围内。
<通孔加工方法的比较>
(评价方法)
制作在基体的上下层叠铜箔而成的覆铜层叠板，通过喷砂法、钻孔加工或激光加工(355nmUV)形成通孔。接着，采用非电解镀覆法及电镀法，在通孔的内壁形成通孔导体。然后，将通孔导体形成前后的覆铜层叠板沿厚度方向切断，使用电场发射型电子显微镜或金属显微镜，观察切断面。
此外，使用喷砂法或钻孔加工，形成间距不同的通孔后，对形成有通孔导体的覆铜层叠板，进行高温高湿偏压试验即压力锅偏压试验(PCBT)及高温高湿偏压(THB)试验，进行通孔导体间的绝缘可靠性的评价。另外，PCBT的条件是：130℃、85％RH、偏压施加电压5V，THB试验的条件是85℃、85％RH、偏压施加电压5V。
(覆铜层叠板的制作条件)
首先，准备包含未固化的环氧树脂(树脂)、二氧化硅填料(无机绝缘粒子)及玻璃布(基材)的树脂片。另外，树脂片以60体积％的比例包含二氧化硅填料。
接着，层叠4层树脂片，并且在最外层层叠铜箔而形成层叠体。
接着，在温度：220℃、压力：3MPa、时间：90分钟的条件下，将该层叠体沿厚度方向进行加热加压，从而制作上述的覆铜层叠板。
(通孔加工条件)
喷砂法在微粒的喷射量：50g/min、喷射微粒的压力：0.15MPa、微粒的形状：破碎粒子、微粒的粒径：26μm、微粒的材料：氧化铝的条件下进行。
钻孔加工在主轴：30krpm、切削抗力：3μm/rev的条件下进行。
激光加工在波长：355nm、频率：30kHz、光束模式：高斯光束模式、速度：91.6mm/sec的条件下进行。
(结果)
如图3(a)、(b)及图4(a)所示那样，通过钻孔加工及激光加工而形成了通孔的覆铜层叠板中在玻璃布与树脂之间渗入了通孔导体，但通过喷砂法而形成了通孔的覆铜层叠板中，玻璃布与树脂密合，未见到通孔导体的渗入。
如图4(b)所示那样，在通过钻孔加工而形成了通孔的覆铜层叠板中，将通孔的间距设定为100μm时，见到通电不良，但在通过喷砂法而形成了通孔的覆铜层叠板中，未见到通电不良。
<喷射的粒子形状的比较>
(评价方法)
制作在基体的上下层叠铜箔而成的覆铜层叠板，在喷砂法中喷射破碎粒子或球状粒子，形成通孔后，将覆铜层叠板沿厚度方向切断，使用电场发射型电子显微镜观察切断面。
(覆铜层叠板的制作条件)
与上述的通孔加工的比较同样地制作覆铜层叠板。
(通孔加工条件)
球状粒子为材料：磁性材料粉末Fe-Si-B-Cr、粒径：11μm。其它的条件与上述的通孔加工比较是相同的。
(结果)
如图5所示那样，与使用球状粒子时相比，使用破碎粒子时，通孔的加工性良好，此外，在玻璃纤维的在通孔中露出的侧面及端面形成了凹部。

Claims (12)

1.一种布线基板，其特征在于，其具备基体、沿厚度方向贯穿该基体的通孔和被覆该通孔的内壁的通孔导体，
所述基体具有由多个玻璃纤维和被覆了该多个玻璃纤维的第1树脂构成的纤维层，
所述玻璃纤维在露出于所述通孔的内壁的面上具有沟状的凹部，该凹部的长度方向为沿所述基体的厚度方向，
所述凹部的长度方向上的长度为所述凹部的宽度方向上的长度的1.2倍以上且2.5倍以下，
在该凹部中填充有部分所述通孔导体。
2.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于，其中，
所述玻璃纤维在露出于所述通孔的内壁的面的算术平均粗糙度为0.3μm以上且3μm以下。
3.一种安装结构体，其特征在于，其具备权利要求1所述的布线基板、和安装在该布线基板上且与所述布线基板电连接的电子部件。
4.一种布线基板的制造方法，其特征在于，其具备以下工序：形成具有由多个玻璃纤维和被覆了该多个玻璃纤维的第1树脂构成的纤维层的基体的工序；
通过采用喷砂法，朝着所述基体喷射微粒，由此在所述基体中形成在露出于内壁的玻璃纤维的面上具有沟状的凹部的通孔的工序；以及
用通孔导体被覆所述通孔的内壁的工序，
所述凹部的长度方向为沿所述基体的厚度方向，所述凹部的长度方向上的长度为所述凹部的宽度方向上的长度的1.2倍以上且2.5倍以下。
5.根据权利要求4所述的布线基板的制造方法，其特征在于，其中，
所述微粒与所述玻璃纤维相比硬度高。
6.根据权利要求5所述的布线基板的制造方法，其特征在于，其中，
所述微粒由氧化铝、碳化硅或氧化锆形成。
7.根据权利要求4所述的布线基板的制造方法，其特征在于，其中，
所述基体在所述纤维层上进一步具有包含第2树脂和被该第2树脂被覆的无机绝缘粒子的树脂层。
8.根据权利要求7所述的布线基板的制造方法，其特征在于，其中，
所述无机绝缘粒子由氧化硅形成。
9.根据权利要求8所述的布线基板的制造方法，其特征在于，其中，
所述树脂层以40体积％以上且75体积％以下的比例包含所述无机绝缘粒子。
10.根据权利要求4所述的布线基板的制造方法，其特征在于，其中，
进行在所述基体中形成所述通孔的工序后，不对所述通孔的内壁进行去钻污处理，而进行用所述通孔导体被覆所述通孔的内壁的工序。
11.根据权利要求10所述的布线基板的制造方法，其特征在于，其中，
用所述通孔导体被覆所述通孔的内壁的工序采用镀覆法来进行。
12.一种安装结构体的制造方法，其特征在于，其具备在通过权利要求4所述的制造方法制作的布线基板上电连接电子部件的工序。
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